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1. 发明专利

JP2015005658A 炭化珪素半導体成膜装置およびそれを用いた成膜方法有权
标题翻译：硅碳化硅半导体膜沉积装置和使用其的膜沉积方法
公开(公告)号：JP2015005658A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：JP2013130836
申请日：2013-06-21
申请人：株式会社デンソー , Denso Corp , 一般財団法人電力中央研究所 , Central Research Institute Of Electric Power Industry , 株式会社ニューフレアテクノロジー , Nuflare Technology Inc , トヨタ自動車株式会社 , Toyota Motor Corp , 株式会社豊田中央研究所 , Toyota Central R&D Labs Inc
发明人： FUJIBAYASHI HIROAKI , NAITO MASAMI , ITO MASAHIKO , KAMATA ISAO , TSUCHIDA SHUICHI , ITO HIDEKI , ADACHI AYUMI , NISHIKAWA KOICHI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
CPC分类号： C30B25/14 , C23C16/325 , C23C16/45519 , C23C16/45548 , C23C16/45553 , C23C16/45574 , C23C16/45587 , C23C16/4584 , C23C16/4586 , C30B25/165 , C30B29/36 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02598 , H01L21/0262
摘要：【課題】SiC半導体におけるパーティクル発生の抑制と、膜厚および濃度の面内均一性の両立を図る。【解決手段】各分離部屋41〜43に各種ガスが別々に導入されるようにし、Si原料含有ガスとC原料含有ガスが第1、第2分離部屋41、42から延びる供給路41b、42を通じて独立して成長空間に供給されるようにする。また、第3分離部屋43から、供給路43bを通じて、Si原料含有ガスとC原料含有ガスの間に原料ガス以外のガスとなる第3ガスが導入されるようにする。これにより、供給路41b、42bの出口を出たのち、成長空間において初めて各種ガスが混じるようにできる。また、第3ガスが第1、第2ガスの間に流されることから、第1、第2ガスの拡散が低減される。このため、原料ガスが供給路41b、42b外側に拡散することを抑制でき、不要なSiC生成物が形成されることを抑制できる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了实现对SiC半导体中的颗粒产生的抑制和膜厚度和浓度的面内均匀性的解决方案。解决方案：各种气体被独立地引入各个分离的室41-43中，并且含有Si材料的气体含有C材料的气体通过从第一和第二分离室41,42延伸的供给路径41b，42而独立地供给到生长空间。作为除了材料g以外的气体的第三气体被引入含有Si材料的气体和含有C材料的气体。因此，在从供给路径41b，42b的出口排出后，在生长空间中首先将各种气体混合。由于允许第三气体在第一气体和第二气体之间流动，所以第一气体和第二气体的扩散减少。由此，可以抑制原料气体向供给通路41b，42b的外部扩散，能够抑制不必要的SiC制品的形成。

2. 发明专利

JP2013030758A Film formation device and film formation method 有权
标题翻译：胶片形成装置和胶片形成方法
公开(公告)号：JP2013030758A
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：JP2012135435
申请日：2012-06-15
申请人： Nuflare Technology Inc , 株式会社ニューフレアテクノロジー , Central Research Institute Of Electric Power Industry , 一般財団法人電力中央研究所 , Denso Corp , 株式会社デンソー , Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社 , Toyota Central R&D Labs Inc , 株式会社豊田中央研究所
发明人： SUZUKI KUNIHIKO , ITO HIDEKI , IKETANI NAOHISA , TSUCHIDA SHUICHI , KAMATA ISAO , ITO MASAHIKO , NAITO MASAMI , FUJIBAYASHI HIROAKI , ADACHI AYUMI , NISHIKAWA KOICHI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/46
CPC分类号： C30B25/10
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film formation device and a film formation method which efficiently heat a substrate with fine temperature control while suppressing cracks of a liner.SOLUTION: A film formation device 100 comprises: a chamber 1; a liner 2 dividing an inner wall 1a of the chamber 1 from a space A; a main heater 9 heating a substrate 7 from below; and auxiliary heaters 18 disposed between the liner 2 and the inner wall 1a and heating the substrate 7 from above. Both of the main heater 9 and the auxiliary heaters 18 are resistor heating type heaters. The auxiliary heaters 18 includes a first auxiliary heater 18a, a second auxiliary heater 18b, and a third auxiliary heater 18c. The first auxiliary heater 18a heats the substrate 7 in cooperation with the main heater 9. The second auxiliary heater 18b and the third auxiliary heater 18c heat the liner 2 with output lower than that of the first auxiliary heater 18a.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在抑制衬垫的裂纹的同时，在精细的温度控制下有效地加热衬底的成膜装置和成膜方法。解决方案：成膜装置100包括：室1; 将空腔1的内壁1a与空间A分隔开的衬垫2; 从下方加热基板7的主加热器9。以及设置在衬套2和内壁1a之间的辅助加热器18，并从上方加热衬底7。主加热器9和辅助加热器18都是电阻加热型加热器。辅助加热器18包括第一辅助加热器18a，第二辅助加热器18b和第三辅助加热器18c。第一辅助加热器18a与主加热器9配合加热基板7.第二辅助加热器18b和第三辅助加热器18c以比第一辅助加热器18a低的输出加热衬套2。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2013145873A Deposition apparatus and deposition method 有权
标题翻译：沉积装置和沉积方法
公开(公告)号：JP2013145873A
公开(公告)日：2013-07-25
申请号：JP2012265217
申请日：2012-12-04
申请人： Nuflare Technology Inc , 株式会社ニューフレアテクノロジー , Central Research Institute Of Electric Power Industry , 一般財団法人電力中央研究所 , Denso Corp , 株式会社デンソー , Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社 , Toyota Central R&D Labs Inc , 株式会社豊田中央研究所
发明人： ITO HIDEKI , SUZUKI KUNIHIKO , SATO HIROSUKE , TSUCHIDA SHUICHI , KAMATA ISAO , ITO MASAHIKO , NAITO MASAMI , FUJIBAYASHI HIROAKI , ADACHI AYUMI , NISHIKAWA KOICHI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
CPC分类号： C30B25/165 , C30B25/14
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a deposition apparatus and a deposition method, which inhibit reaction of a source gas on a shower plate.SOLUTION: A deposition apparatus 100 supplies a plurality of kinds of gases toward a substrate 101 in a chamber 103 by using a shower plate 124. The shower plate 124 includes: a plurality of gas passages 121 which extend in the shower plate along a first surface on the substrate 101 side and which are connected to gas tubes 131 for supplying the plurality of kinds of gases, respectively; and a plurality of gas jetting ports 129 which are pierced so as to communicate the plurality of gas passages 121 and the inside of the chamber 103 on the first surface side. In the deposition apparatus 100, the plurality of kinds of gases which are respectively supplied from the gas tubes 131 to the gas passages 121 of the shower plate 124, and which are supplied from the gas jetting ports 129 to the substrate 101, respectively, without being mixed near and inside the shower plate 124.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种抑制源气体在喷淋板上的反应的沉积设备和沉积方法。解决方案：沉积设备100通过使用多个气体朝向室103中的基板101提供多种气体淋浴板124.淋浴板124包括：多个气体通道121，其沿着基板101侧的第一表面在淋浴板中延伸并分别连接到用于供应多种气体的气体管131 ; 以及多个气体喷射口129，其被刺穿以便在第一表面侧上连通多个气体通道121和室103的内部。在沉积装置100中，分别从气体管131向喷淋板124的气体通道121供给并从气体喷射口129分别供给到基板101的多种气体，没有在淋浴板124附近和内部混合。

4. 发明专利

JP2014187282A Film deposition apparatus and a film forming method 有权
标题翻译：薄膜成型装置和薄膜成型方法
公开(公告)号：JP2014187282A
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：JP2013062150
申请日：2013-03-25
申请人： Nuflare Technology Inc , 株式会社ニューフレアテクノロジー , Central Research Institute Of Electric Power Industry , 一般財団法人電力中央研究所 , Denso Corp , 株式会社デンソー , Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社 , Toyota Central R&D Labs Inc , 株式会社豊田中央研究所
发明人： ITO HIDEKI , TSUCHIDA SHUICHI , KAMATA ISAO , ITO MASAHIKO , NAITO MASAMI , FUJIBAYASHI HIROAKI , ADACHI AYUMI , NISHIKAWA KOICHI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/42 , C23C16/44 , C23C16/46
CPC分类号： H01L21/68785 , C23C16/4408 , C30B25/10 , C30B25/14 , C30B25/16 , H01L21/67109
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film forming apparatus and a film forming method, capable of preventing a corrosive gas from contaminating a space including a lower heater and preventing the lower heater from being corroded by the corrosive gas when a substrate is carried in or carried out, and increasing productivity by making it possible to carry in or carry out the substrate at a high temperature.SOLUTION: When a substrate is carried in or carried out, a space in which film forming process is performed, a space including a lower heater 16, and a space including an upper heater 19 are made to be an atmosphere of an inert gas.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种成膜设备和成膜方法，其能够防止腐蚀性气体污染包括下加热器的空间，并且当衬底被携带时防止下加热器被腐蚀性气体腐蚀，或实现并且通过使得可以在高温下携带或执行基板来提高生产率。解决方案：当衬底被携带或执行时，进行成膜处理的空间包括较低的加热器16和包括上加热器19的空间被制成惰性气体的气氛。

5. 发明专利

JP2012031014A Silicon carbide single crystal and method for manufacturing the same 有权
标题翻译：单晶碳化硅单晶及其制造方法
公开(公告)号：JP2012031014A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：JP2010172287
申请日：2010-07-30
申请人： Denso Corp , National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology , Toyota Central R&D Labs Inc , Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー , 株式会社豊田中央研究所 , 独立行政法人産業技術総合研究所
发明人： HIROSE FUSAO , KOJIMA ATSUSHI , KOJIMA KAZUSATO , KATO TOMOHISA , ADACHI AYUMI , NISHIKAWA KOICHI
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06
CPC分类号： H01B1/04 , C30B23/00 , C30B23/02 , C30B29/36 , C30B31/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a SiC single crystal capable of achieving a specific resistance desirable for a device while reducing stacking fault.SOLUTION: When doping the SiC single crystal with nitrogen at a nitrogen concentration of higher than 2×10cm, stacking fault can be reduced by doping the single crystal with Al at the same time and adjusting the Al/N ratio adjusted to ≥5%. By further adjusting the Al/N ratio to ≤40%, a low specific resistance can be achieved, thereby yielding a specific resistance desirable for a device. Thus, the resulting SiC single crystal achieves the specific resistance desirable for the device and realizes reduced stacking fault.
摘要翻译：要解决的问题：为了获得能够在减少堆垛层错的同时实现装置所期望的特定电阻的SiC单晶。
解决方案：当氮浓度高于2×10 3 时用氮掺杂SiC单晶时， >，同时通过用Al掺杂单晶可以减少堆垛错误，并调整Al / N比调整至≥5％。通过进一步将Al / N比调节至≤40％，可以实现低电阻率，从而产生器件所需的电阻率。因此，所得到的SiC单晶达到了器件所需的特定电阻，实现了堆叠故障的减少。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2012030994A Apparatus and method for producing silicon carbide single crystal 有权
标题翻译：用于生产碳化硅单晶的装置和方法
公开(公告)号：JP2012030994A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：JP2010170404
申请日：2010-07-29
申请人： Denso Corp , National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology , Toyota Central R&D Labs Inc , Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー , 株式会社豊田中央研究所 , 独立行政法人産業技術総合研究所
发明人： KOJIMA ATSUSHI , HIROSE FUSAO , KOJIMA KAZUSATO , KATO TOMOHISA , NISHIKAWA KOICHI , ADACHI AYUMI
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06 , H01L21/203
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress variation in dopant concentration when growing an SiC single crystal.SOLUTION: In the method for producing the SiC single crystal, an SiC raw material powder 3 and a dopant element 4 are arranged in different locations and the dopant element 4 is arranged in a separated position from a seed crystal 2 relative to the SiC raw material powder 3, and the temperature of an arrangement location of the dopant element 4 is lower than the arrangement location of the SiC raw material powder 3. Thereby, full evaporation of the dopant element 4 before the SiC raw material powder 3 starts sublimating is prevented and the dopant to be segregated only in the growth first stage of an ingot of the grown SiC single crystal is suppressed. Thus the SiC single crystal suppressible of the variation in the dopant concentration can be produced.
摘要翻译：要解决的问题：为了抑制生长SiC单晶时的掺杂剂浓度的变化。解决方案：在SiC单晶的制造方法中，SiC原料粉末3和掺杂剂元素4配置在不同的位置，掺杂剂元素4相对于晶种2配置在与晶种2分离的位置 SiC原料粉末3，并且掺杂剂元素4的配置位置的温度低于SiC原料粉末3的配置位置。由此，在SiC原料粉末3开始升华之前，掺杂剂元素4的充分蒸发并且仅在生长的SiC单晶的锭的生长第一阶段中偏析的掺杂剂被抑制。因此，可以制造抑制掺杂剂浓度变化的SiC单晶。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2012006817A Carbon/nitrogen-containing fibrous aggregate and method for producing the same 有权
标题翻译：含碳/含氮的纤维素聚合物及其生产方法
公开(公告)号：JP2012006817A
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：JP2010146933
申请日：2010-06-28
申请人： Denso Corp , Toyota Central R&D Labs Inc , 株式会社デンソー , 株式会社豊田中央研究所
发明人： OTA RIICHIRO , OKAMOTO ATSUHITO , GUNJISHIMA TSUKURU , NISHIKAWA KOICHI , OSHIMA HISAZUMI , SHIMAZU TOMOHIRO
IPC分类号： C01B31/02
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a carbon/nitrogen-containing fibrous aggregate in which tube type nitrogen-containing carbon nanotubes with a small diameter are aggregated, and a method for producing the same.SOLUTION: The carbon/nitrogen-containing fibrous aggregate includes the following constitution: (1) each nitrogen-containing carbon nanotube has a single layer structure made of one layer of tubular graphene or a multilayer structure where two or more layers of the tubular graphenes are superimposed so as to be a nest shape; (2) in each nitrogen-containing carbon nanotube, a space surrounded by the inner wall of the tubular graphene at the innermost layer has a hollow through-hole continuously present from the one end to the other end; and (3) each nitrogen-containing carbon nanotube has a diameter of 0.4 to
摘要翻译：要解决的问题：提供一种其中聚集具有小直径的管式含氮碳纳米管聚集的含碳/氮的纤维集合体及其制造方法。解决方案：含碳/含氮纤维集合体包括以下构成：（1）每个含氮碳纳米管具有由一层管状石墨烯制成的单层结构或多层结构，其中两层或多层管状石墨烯叠加成巢形; （2）在每个含氮碳纳米管中，由最内层的管状石墨烯的内壁包围的空间具有从一端到另一端连续存在的中空通孔; 和（3）每个含氮碳纳米管的直径为0.4至<10nm。还提供了制造含碳/氮的纤维集合体的方法。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2013026158A Microstructure material and method for manufacturing the same, and membrane-electrode assembly for fuel cell 有权
标题翻译：微结构材料及其制造方法以及燃料电池用电极组件
公开(公告)号：JP2013026158A
公开(公告)日：2013-02-04
申请号：JP2011162516
申请日：2011-07-25
申请人： Toyota Central R&D Labs Inc , 株式会社豊田中央研究所
发明人： OTA RIICHIRO , HATANAKA TATSUYA , OKAMOTO ATSUHITO , NISHIKAWA KOICHI
IPC分类号： H01M4/86 , C01B31/02 , D01F9/127 , H01M4/88 , H01M4/90 , H01M4/96 , H01M8/10
CPC分类号： Y02P70/56
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress aggregation between fibers in supporting an ionomer on a fiber surface of an array body in which carbon-containing fibers having a fiber outer diameter of less than 10 nm are arranged substantially in parallel.SOLUTION: There is provided a microstructure material including: an array body comprising a plurality of carbon-containing fibers having a fiber outer diameter of 0.4 nm or more and less than 10 nm while fiber axes of the carbon-containing fibers are arranged substantially in parallel; an ionomer in contact with side walls of the carbon-containing fibers; and a space where the carbon-containing fibers and the ionomer are not present. In the microstructure material, a summation of areas of regions where a distance between adjacent carbon-containing fibers is less than 1 μm in a given cross section substantially vertical to the fiber axis direction of the array body is larger than 20% of the total cross sectional area. A method for manufacturing the microstructure material, and a membrane-electrode assembly for a fuel cell, manufactured using the microstructure material are also provided.
摘要翻译：要解决的问题：为了抑制纤维外径小于10nm的含碳纤维基本上平行布置的阵列体的纤维表面上支撑离聚物的纤维之间的聚集。解决方案：提供了一种显微组织材料，其包括：包含多个含有纤维外径为0.4nm以上且小于10nm的含碳纤维的阵列体，同时配置含碳纤维的纤维轴基本上平行; 与含碳纤维的侧壁接触的离聚物; 以及不存在含碳纤维和离聚物的空间。在微结构材料中，在与阵列体的纤维轴方向大致垂直的给定横截面中，相邻含碳纤维之间的距离小于1μm的区域的面积的总和大于总交叉点的20％截面积。还提供了使用微结构材料制造的微结构材料的制造方法和燃料电池的膜 - 电极组件。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2009119414A Substrate for cnt (carbon nanotube) growth and method of manufacturing cnt 审中-公开
标题翻译：碳纳米管（碳纳米管）生长基材和制造CNT的方法
公开(公告)号：JP2009119414A
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：JP2007298517
申请日：2007-11-16
申请人： Toyota Central R&D Labs Inc , 株式会社豊田中央研究所
发明人： GUNJISHIMA TSUKURU , NISHIKAWA KOICHI , OKAMOTO ATSUHITO
IPC分类号： B01J23/745 , C01B31/02
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate for CNT growth capable of continuously growing CNT with relatively long length and a method for manufacturing CNT. SOLUTION: The substrate 20 for CNT growth comprises an anodized alumina film 12 having gas permeability, a porous protection layer 16 having gas permeability and formed on the surface of the anodized alumina film 12, and a catalyst 14 for CNT growth deposited on the porous protection layer 16. The method of manufacturing CNT involves a growth step of supplying raw material gases containing a carbon source to the surface of the substrate 20 for CNT growth as described above and growing CNT 30 on the surface of the substrate 20 for CNT growth. The substrate for CNT growth is preferable to further comprise a porous base material 22 for supporting the anodized alumina film 12. Further, the growth step is preferable to supply the raw material gases toward the rear face from the deposition face of the catalyst 14 for CNT growth in the substrate 20 for CNT growth. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供能够连续生长CNT长度相对较长的CNT的CNT生长用基板和制造CNT的方法。解决方案：用于CNT生长的基板20包括具有透气性的阳极氧化氧化铝膜12，具有透气性的多孔保护层16并形成在阳极化氧化铝膜12的表面上，以及沉积在CNT上的催化剂14 多孔保护层16.制造CNT的方法包括如下所述的生长步骤：如上所述向CNT生长用的基板20的表面供给含有碳源的原料气体，并在CNT的基板20的表面上生长CNT 30 成长。用于CNT生长的基板优选还包括用于支撑阳极氧化的氧化铝膜12的多孔基材22.此外，生长步骤优选从用于CNT的催化剂14的沉积面向后表面供应原料气体用于CNT生长的衬底20中的生长。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

10. 发明专利

DE112014002916T5 Vorrichtung zum Ausbilden eines Siliciumcarbidhalbleiterfilms und Filmbildungsverfahren, welches diese verwendet 未知
公开(公告)号：DE112014002916T5
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：DE112014002916
申请日：2014-06-19
申请人： CENTRAL RES INST ELECT , DENSO CORP , NUFLARE TECHNOLOGY INC , TOYOTA MOTOR CO LTD
发明人： FUJIBAYASHI HIROAKI , TSUCHIDA HIDEKAZU , ADACHI AYUMU , NAITO MASAMI , ITO MASAHIKO , KAMATA ISAHO , ITO HIDEKI , NISHIKAWA KOICHI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/42 , C23C16/455 , C30B29/36
摘要： In einer Vorrichtung zum Ausbilden eines Siliciumcarbidhalbleiterfilms werden durch erste bis dritte Einlässe (31–33) erste bis dritte Gase in jeweils erste bis dritte abgetrennte Kammern (41–43) eingeleitet. Die ersten und zweiten Gase sind Siliciumrohmaterial-enthaltendes Gas und Kohlenstoffrohmaterial-enthaltendes Gas, und das dritte Gas enthält weder Silicium noch Kohlenstoff. Die ersten und zweiten Gase werden unabhängig durch die ersten und zweiten Zuleitungspfade (41b, 42b), die sich jeweils von den ersten und zweiten abgetrennten Kammern erstrecken, dem Wachstumsraum zugeführt. Das dritte Gas wird von der dritten abgetrennten Kammer durch einen dritten Zuleitungspfad (43b) zwischen den ersten und zweiten Gasen zugeführt.

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