专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

US20080232671A1 MASK PATTERN VERIFYING METHOD 有权
标题翻译：掩模图验证方法
公开(公告)号：US20080232671A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：US12052066
申请日：2008-03-20
申请人： Mitsuyo ASANO , Shinji Yamaguchi , Satoshi Tanaka , Soichi Inoue , Masamitsu Itoh , Osamu Ikenaga
发明人： Mitsuyo ASANO , Shinji Yamaguchi , Satoshi Tanaka , Soichi Inoue , Masamitsu Itoh , Osamu Ikenaga
IPC分类号： G06K9/00
CPC分类号： G06T7/001 , G03F1/86 , G06T2207/10056 , G06T2207/30148
摘要： A mask pattern verifying method include obtaining first information about a hot spot from design data of a mask pattern, obtaining second information about the mask pattern actually formed on a photo mask, and determining a measuring spot of the mask pattern actually formed on the photo mask, based on the first and second information.
摘要翻译：掩模图案验证方法包括从掩模图案的设计数据获得关于热点的第一信息，获得关于实际形成在光掩模上的掩模图案的第二信息，以及确定实际形成在光掩模上的掩模图案的测量点基于第一和第二信息。

2. 发明授权

US08121387B2 Mask pattern verifying method 有权
标题翻译：掩模图案验证方法
公开(公告)号：US08121387B2
公开(公告)日：2012-02-21
申请号：US12052066
申请日：2008-03-20
申请人： Mitsuyo Asano , Shinji Yamaguchi , Satoshi Tanaka , Soichi Inoue , Masamitsu Itoh , Osamu Ikenaga
发明人： Mitsuyo Asano , Shinji Yamaguchi , Satoshi Tanaka , Soichi Inoue , Masamitsu Itoh , Osamu Ikenaga
IPC分类号： G06Q10/00
CPC分类号： G06T7/001 , G03F1/86 , G06T2207/10056 , G06T2207/30148
摘要： A mask pattern verifying method include obtaining first information about a hot spot from design data of a mask pattern, obtaining second information about the mask pattern actually formed on a photo mask, and determining a measuring spot of the mask pattern actually formed on the photo mask, based on the first and second information.
摘要翻译：掩模图案验证方法包括从掩模图案的设计数据获得关于热点的第一信息，获得关于实际形成在光掩模上的掩模图案的第二信息，以及确定实际形成在光掩模上的掩模图案的测量点基于第一和第二信息。

3. 发明申请

US20050265592A1 Image data correction method, lithography simulation method, image data correction system, program , mask and method of manufacturing a semiconductor device 失效
标题翻译：图像数据校正方法，光刻模拟方法，图像数据校正系统，程序，掩模和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：US20050265592A1
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：US11138408
申请日：2005-05-27
申请人： Mitsuyo Asano , Masamitsu Itoh , Eiji Yamanaka , Shinji Yamaguchi
发明人： Mitsuyo Asano , Masamitsu Itoh , Eiji Yamanaka , Shinji Yamaguchi
IPC分类号： G03F1/00 , G03F1/14 , G06F17/50 , G06K9/00
CPC分类号： G03F1/84 , G03F1/44 , G03F1/68
摘要： An image data correction method includes preparing correction data for correcting a distortion of an image obtained by an image acquiring section, acquiring outline data of a desired pattern obtained by the image acquiring section, and correcting the outline data of the desired pattern using the correction data.
摘要翻译：图像数据校正方法包括：准备用于校正图像获取部分获得的图像失真的校正数据，获取由图像获取部分获得的期望图案的轮廓数据，并使用校正数据校正所需图案的轮廓数据。

4. 发明申请

US20080028361A1 Pattern evaluation method and evaluation apparatus and pattern evaluation program 失效
标题翻译：模式评估方法和评估装置及模式评价程序
公开(公告)号：US20080028361A1
公开(公告)日：2008-01-31
申请号：US11878018
申请日：2007-07-20
申请人： Eiji Yamanaka , Masamitsu Itoh , Mitsuyo Asano , Shinji Yamaguchi
发明人： Eiji Yamanaka , Masamitsu Itoh , Mitsuyo Asano , Shinji Yamaguchi
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G03F1/84
摘要： A pattern evaluation method for evaluating a mask pattern includes generating desired wafer pattern data corresponding to the evaluation position of a mask pattern, generating mask pattern contour data based on an image of the mask pattern, and performing a lithography/simulation process based on the mask pattern contour data and generating predicted wafer pattern data when the mask pattern is transferred to a wafer. Further, it includes deriving positional offset between the mask pattern contour data and mask pattern data, correcting a positional error between the desired wafer pattern data and the predicted wafer pattern data based on the positional offset, and comparing the desired wafer pattern data with the predicted wafer pattern data with the positional error corrected.
摘要翻译：用于评估掩模图案的图案评估方法包括生成与掩模图案的评估位置相对应的期望的晶片图形数据，基于掩模图案的图像生成掩模图案轮廓数据，以及基于掩模执行光刻/模拟处理图案轮廓数据，并且当掩模图案被转印到晶片时产生预测的晶片图形数据。此外，其包括导出掩模图案轮廓数据和掩模图案数据之间的位置偏移，基于位置偏移校正期望的晶片图案数据和预测的晶片图案数据之间的位置误差，并将期望的晶片图案数据与预测的晶片图案数据进行比较具有校正位置误差的晶片图形数据。

5. 发明授权

US07313781B2 Image data correction method, lithography simulation method, image data correction system, program, mask and method of manufacturing a semiconductor device 失效
标题翻译：图像数据校正方法，光刻模拟方法，图像数据校正系统，程序，掩模和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：US07313781B2
公开(公告)日：2007-12-25
申请号：US11138408
申请日：2005-05-27
申请人： Mitsuyo Asano , Masamitsu Itoh , Eiji Yamanaka , Shinji Yamaguchi
发明人： Mitsuyo Asano , Masamitsu Itoh , Eiji Yamanaka , Shinji Yamaguchi
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G03F1/84 , G03F1/44 , G03F1/68
摘要： An image data correction method includes preparing correction data for correcting a distortion of an image obtained by an image acquiring section, acquiring outline data of a desired pattern obtained by the image acquiring section, and correcting the outline data of the desired pattern using the correction data.
摘要翻译：图像数据校正方法包括：准备用于校正图像获取部分获得的图像失真的校正数据，获取由图像获取部分获得的期望图案的轮廓数据，并使用校正数据校正所需图案的轮廓数据。

6. 发明授权

US07673281B2 Pattern evaluation method and evaluation apparatus and pattern evaluation program 失效
标题翻译：模式评估方法和评估装置及模式评价程序
公开(公告)号：US07673281B2
公开(公告)日：2010-03-02
申请号：US11878018
申请日：2007-07-20
申请人： Eiji Yamanaka , Masamitsu Itoh , Mitsuyo Asano , Shinji Yamaguchi
发明人： Eiji Yamanaka , Masamitsu Itoh , Mitsuyo Asano , Shinji Yamaguchi
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G03F1/84
摘要： A pattern evaluation method for evaluating a mask pattern includes generating desired wafer pattern data corresponding to the evaluation position of a mask pattern, generating mask pattern contour data based on an image of the mask pattern, and performing a lithography/simulation process based on the mask pattern contour data and generating predicted wafer pattern data when the mask pattern is transferred to a wafer. Further, it includes deriving positional offset between the mask pattern contour data and mask pattern data, correcting a positional error between the desired wafer pattern data and the predicted wafer pattern data based on the positional offset, and comparing the desired wafer pattern data with the predicted wafer pattern data with the positional error corrected.
摘要翻译：用于评估掩模图案的图案评估方法包括生成与掩模图案的评估位置相对应的期望的晶片图形数据，基于掩模图案的图像生成掩模图案轮廓数据，以及基于掩模执行光刻/模拟处理图案轮廓数据，并且当掩模图案被转印到晶片时产生预测的晶片图形数据。此外，其包括导出掩模图案轮廓数据和掩模图案数据之间的位置偏移，基于位置偏移校正期望的晶片图案数据和预测的晶片图案数据之间的位置误差，并将期望的晶片图案数据与预测的晶片图案数据进行比较具有校正位置误差的晶片图形数据。

7. 发明申请

US20090202924A1 METHOD OF EVALUATING A PHOTO MASK AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
标题翻译：评估照相掩模的方法和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：US20090202924A1
公开(公告)日：2009-08-13
申请号：US12360929
申请日：2009-01-28
申请人： Hiroki YAMAMOTO , Masamitsu Itoh , Osamu Ikenaga , Shoji Mimotogi , Hideki Kanai , Yukiyasu Arisawa
发明人： Hiroki YAMAMOTO , Masamitsu Itoh , Osamu Ikenaga , Shoji Mimotogi , Hideki Kanai , Yukiyasu Arisawa
IPC分类号： G03F1/00 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/84
摘要： A method of evaluating a photo mask, includes measuring each dimension of a plurality of pattern portions of a mask pattern formed on a photo mask, obtaining an inter-pattern distance between the pattern portion and a pattern different from the pattern portion with respect to each of the pattern portions, obtaining a dimensional difference between the measured dimension of the pattern portion and a target dimension of the pattern portion with respect to each of the pattern portions, grouping the dimensional difference obtained for each pattern portion into a plurality of groups in accordance with the inter-pattern distance obtained for each pattern portion, obtaining an evaluation value based on the dimensional difference in each group with respect to each of the groups, and evaluating the photo mask based on the evaluation value.
摘要翻译：一种评估光掩模的方法，包括测量形成在光掩模上的掩模图案的多个图案部分的每个尺寸，获得图案部分与不同于图案部分的图案之间的图案间距离获得图形部分的测量尺寸与图案部分相对于每个图案部分的目标尺寸之间的尺寸差，将根据每个图案部分获得的尺寸差分成多组对于每个图案部分获得的图案间距离，基于每个组中的每个组的尺寸差获得评估值，并且基于评估值来评估光罩。

8. 发明授权

US06649310B2 Method of manufacturing photomask 有权
标题翻译：制造光掩模的方法
公开(公告)号：US06649310B2
公开(公告)日：2003-11-18
申请号：US09940578
申请日：2001-08-29
申请人： Masamitsu Itoh , Shigeki Nojima , Shoji Mimotogi , Osamu Ikenaga
发明人： Masamitsu Itoh , Shigeki Nojima , Shoji Mimotogi , Osamu Ikenaga
IPC分类号： G03F900
CPC分类号： G03F1/32 , G03F7/70558 , G03F7/70591 , G03F7/70625
摘要： A method of manufacturing a photomask includes determining an average value of dimensions of a pattern in a photomask. determining an in-plane uniformity of the dimensions, determining an exposure latitude on the basis of the average value and the in-plane uniformity. The exposure latitude depends on dimensional accuracy of the pattern. Judging if the photomask is defective or non-defective is made on the basis of whether or not the exposure latitude falls within a prescribed exposure latitude
摘要翻译：制造光掩模的方法包括确定光掩模中图案的尺寸的平均值。确定尺寸的面内均匀性，基于平均值和平面内均匀性确定曝光宽容度。曝光宽容度取决于图案的尺寸精度。根据曝光宽容度是否落在规定的曝光宽容范围内，判断光掩模是否有缺陷或无缺陷

9. 发明授权

US07912275B2 Method of evaluating a photo mask and method of manufacturing a semiconductor device 有权
标题翻译：评估光掩模的方法和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：US07912275B2
公开(公告)日：2011-03-22
申请号：US12360929
申请日：2009-01-28
申请人： Hiroki Yamamoto , Masamitsu Itoh , Osamu Ikenaga , Shoji Mimotogi , Hideki Kanai , Yukiyasu Arisawa
发明人： Hiroki Yamamoto , Masamitsu Itoh , Osamu Ikenaga , Shoji Mimotogi , Hideki Kanai , Yukiyasu Arisawa
IPC分类号： G06K9/00 , G03F1/00
CPC分类号： G03F1/84
摘要： A method of evaluating a photo mask, includes measuring each dimension of a plurality of pattern portions of a mask pattern formed on a photo mask, obtaining an inter-pattern distance between the pattern portion and a pattern different from the pattern portion with respect to each of the pattern portions, obtaining a dimensional difference between the measured dimension of the pattern portion and a target dimension of the pattern portion with respect to each of the pattern portions, grouping the dimensional difference obtained for each pattern portion into a plurality of groups in accordance with the inter-pattern distance obtained for each pattern portion, obtaining an evaluation value based on the dimensional difference in each group with respect to each of the groups, and evaluating the photo mask based on the evaluation value.
摘要翻译：一种评估光掩模的方法，包括测量形成在光掩模上的掩模图案的多个图案部分的每个尺寸，获得图案部分与不同于图案部分的图案之间的图案间距离获得图形部分的测量尺寸与图案部分相对于每个图案部分的目标尺寸之间的尺寸差，将根据每个图案部分获得的尺寸差分成多组对于每个图案部分获得的图案间距离，基于每个组中的每个组的尺寸差获得评估值，并且基于评估值来评估光罩。

10. 发明授权

US06316163B1 Pattern forming method 失效
标题翻译：图案形成方法
公开(公告)号：US06316163B1
公开(公告)日：2001-11-13
申请号：US09163421
申请日：1998-09-30
申请人： Shunko Magoshi , Masamitsu Itoh , Shinji Sato , Soichi Inoue , Kazuyoshi Sugihara , Katsuya Okumura
发明人： Shunko Magoshi , Masamitsu Itoh , Shinji Sato , Soichi Inoue , Kazuyoshi Sugihara , Katsuya Okumura
IPC分类号： G03F900
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/78 , G03F7/7045 , H01J37/3174
摘要： A method for forming patterns, in which pattern transfer to the same photosensitive material on a first layer is carried out using both light exposure and charged particle beam exposure, comprises the steps of performing a predetermined geometric operation between data associated with a pattern to be transferred to the first layer and data associated with a pattern to be transferred to a second layer different from the first layer, separating the pattern data associated with the pattern to be transferred to the first layer into first exposure pattern data for charged particle beam exposure and second exposure pattern data for light exposure, and performing pattern transfer on to the first layer based on the result of the separation.
摘要翻译：一种用于形成图案的方法，其中使用曝光和带电粒子束曝光两者进行对第一层上的相同感光材料的图案转印，包括以下步骤：在与待转印图案相关联的数据之间执行预定的几何运算将与要传送到不同于第一层的第二层的图案相关联的数据相关联的数据与将要传送到第一层的图案相关联的图案数据分离成用于带电粒子束曝光的第一曝光图案数据和第二层用于曝光的曝光图案数据，以及基于分离结果将图案转印到第一层上。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式