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    • 4. 发明专利
    • Halbleitervorrichtung und Halbleiterelement
    • DE102012203595B4
    • 2016-03-10
    • DE102012203595
    • 2012-03-07
    • MITSUBISHI ELECTRIC CORP
    • HUSSEIN KHALID HASSANSAITO SHOJI
    • H03K17/567H01L27/06H01L29/16H01L29/20H01L29/36H01L29/739
    • Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterelement (20, 80, 90), das einen ersten Elementabschnitt (10, 82, 92) mit einem ersten Gate (G1) und einen zweiten Elementabschnitt (12, 84, 94) mit einem zweiten Gate (G2) enthält, wobei das Ein- und Ausschalten des ersten Elementabschnitts (10, 82, 92) durch ein Signal an dem ersten Gate (G1) gesteuert wird und das Ein- und Ausschalten des zweiten Elementabschnitts (12, 84, 94) durch ein Signal an dem zweiten Gate (G2) gesteuert wird, und einem Signalübertragungsmittel (14), das mit dem ersten Gate (G1) und dem zweiten Gate (G2) verbunden ist und ein Signal an das erste Gate (G1) und das zweite Gate (G2) so überträgt, dass der erste Elementabschnitt (10, 82, 92) und der zweite Elementabschnitt (12, 84, 94) gleichzeitig eingeschaltet werden, wenn das Halbleiterelement (20, 80, 90) eingeschaltet werden soll, und dass der zweite Elementabschnitt (12, 84, 94) um eine Verzögerungszeit später ausgeschaltet wird, nachdem der erste Elementabschnitt (10, 82, 92) ausgeschaltet wurde, wenn das Halbleiterelement (20, 80, 90) ausgeschaltet werden soll, bei der der zweite Elementabschnitt (84, 94) so gebildet ist, dass er den ersten Elementabschnitt (82, 92) umgibt.