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1. 发明专利

DE112016006331B4 Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112016006331B4
公开(公告)日：2021-07-22
申请号：DE112016006331
申请日：2016-01-29
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： MURAI RYOJI , AIKO MITSUNORI , SHIRASAWA TAKAAKI
IPC分类号： H01L23/34
摘要： Halbleitervorrichtung, aufweisend:- ein Halbleiterelement (100);- eine Zuleitungselektrode (102, 102A, 102B, 102C) mit einer unteren Oberfläche, die mit einer oberen Oberfläche des Halbleiterelements (100) an einem Ende der Zuleitungselektrode (102, 102A, 102B, 102C) verbunden ist;- einen Kühlmechanismus (109), der auf einer Seite einer unteren Oberfläche des Halbleiterelements (100) angeordnet ist; und- einen Wärmeableitungsmechanismus, der so ausgebildet ist, dass er zwischen der unteren Oberfläche der Zuleitungselektrode (102, 102A, 102B, 102C), wobei die untere Oberfläche einer Seite eines anderen Endes der Zuleitungselektrode (102, 102A, 102B, 102C) benachbarter als dem einen Ende ist, und dem Kühlmechanismus (109) thermisch verbunden ist, wobei der Wärmeableitungsmechanismus zumindest eine isolierende Schicht (104, 104A, 104B, 104C, 104D, 104E, 104F, 104G) aufweist. wobei der Wärmeableitungsmechanismus aufweist:- einen ersten Wärmeableitungsblock (103, 103A, 103B, 103C, 103D), der mit der unteren Oberfläche der Zuleitungselektrode (102, 102A, 102B, 102C) verbunden ist, wobei die untere Oberfläche der Seite eines Endes benachbarter als dem einen Ende ist,- die isolierende Schicht (104, 104A, 104B, 104C), die zumindest teilweise mit einer unteren Oberfläche des ersten Wärmeableitungsblocks (103, 103A, 103B, 103C, 103D) verbunden ist, und- ein Wärmeableitungsmaterial (108, 108A, 108B, 108C), das mit einer unteren Oberfläche der isolierenden Schicht (104, 104A, 104B, 104C) verbunden ist, wobei die Zuleitungselektrode (102A) ein Loch (200) aufweist, das von einer oberen Oberfläche der Zuleitungselektrode (102A) zur unteren Oberfläche der Zuleitungselektrode (102A) durchgeht, und wobei eine obere Oberfläche des ersten Wärmeableitungsblocks (103A) ein Schraubenloch (201) an einer Position aufweist, die auf dem Loch (200) der Zuleitungselektrode (102A) in Draufsicht überlagert ist.

2. 发明专利

DE112018007782T5 Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112018007782T5
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：DE112018007782
申请日：2018-06-29
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： KIMOTO NOBUYOSHI , AIKO MITSUNORI , SHIRASAWA TAKAAKI
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/495
摘要： Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine einheitliche Lebensdauer für Halbleitervorrichtungen sicherzustellen. Eine Halbleitervorrichtung (101) enthält ein Halbleiterelement (1) mit einem vorderseitigen Metall (11), einen Leiterrahmen (2) mit einem ersten Teilbereich (21), eine Bondingschicht (5) mit einer ersten Schicht (51) und einer zweiten Schicht (52) und ein Lot (31), das dicker als die Bondingschicht ist. Das vorderseitige Metall und der erste Teilbereich sind aus einem ersten Metall bzw. einem zweiten Metall geschaffen. Die erste Schicht und die zweite Schicht sind eine Legierung aus dem ersten Metall und Zinn bzw. eine Legierung aus dem zweiten Metall und Zinn. Die Bondingschicht ist zwischen dem ersten Teilbereich und dem vorderseitigen Metall angeordnet. Die erste Schicht ist auf der Seite des vorderseitigen Metalls gelegen, und die zweite Schicht ist auf der Seite des ersten Teilbereichs gelegen. Im ersten Teilbereich erstreckt sich eine Vielzahl von Löchern dort hindurch, wobei die Außenkontur des vorderseitigen Metalls gemieden wird. Das Lot grenzt an die Bondingschicht innerhalb der Vielzahl von Löchern. Die Vielzahl von Löchern umfasst eine Vielzahl erster Löcher (211), die sich durch den ersten Teilbereich in Richtung dessen Dicke erstrecken. Die ersten Löcher sind in einem ringförmigen Bereich (213) innerhalb der Außenkontur des vorderseitigen Metalls gelegen.

3. 发明专利

DE112017007319T5 Halbleitervorrichtung, Leistungsumwandlungsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112017007319T5
公开(公告)日：2020-01-02
申请号：DE112017007319
申请日：2017-03-27
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： KIMOTO NOBUYOSHI , AIKO MITSUNORI , SHIRASAWA TAKAAKI
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60 , H01L23/48 , H01L23/50
摘要： Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Technik zum Reduzieren von Prozessschritten und einer Spannung vorzusehen, die am peripheren Teilbereich des Verbindungsteilbereichs zwischen einer Elektrode eines Halbleiterelements und einem Leiterrahmen erzeugt wird. Eine Halbleitervorrichtung (30) umfasst das Folgende: ein Halbleiterelement (3), das auf einem Wärmespreizer (1) angeordnet ist; einen Leiterrahmen (6), der mit einer Emitterelektrode (3a) des Halbleiterelements (3) über ein Lot (2b) verbunden ist, das ein Verbindungsmaterial ist; einen Metallfilm (4), der auf einer Oberfläche der Emitterelektrode (3a) angeordnet ist; und einen Antioxidationsfilm (5), der auf einer Oberfläche des Metallfilms (4) angeordnet ist, Der Metallfilm (4) weist einen peripheren Teilbereich auf, der vom Antioxidationsfilm (5) ganz freigelegt ist.

4. 发明专利

DE112012007270T5 Halbleitervorrichtung und Kraftfahrzeug 未知
公开(公告)号：DE112012007270T5
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：DE112012007270
申请日：2012-12-28
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： ARAKI SHINTARO , AIKO MITSUNORI
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/58 , H01L25/18
摘要： Eine Halbleitervorrichtung enthält ein Halbleiterelement, das ein Gate aufweist und mit einer Gatespannung gesteuert ist, eine Gateansteuerschaltung, die die Gatespannung steuert, eine Elektrode, die mit dem Halbleiterelement verbunden ist, wobei ein Hauptstrom in dem Halbleiterelement durch die Elektrode fließt, einen Temperaturerfassungsteil, der die Temperatur der Elektrode erfasst, einen Erzeugungsteil, der auf Grundlage der durch den Temperaturerfassungsteil erfassten Temperatur ein erstes Steuersignal erzeugt zum Vorgeben einer maximalen Menge an Energiezufuhr zu dem Halbleiterelement in einem solchen Bereich, dass die Temperatur der Elektrode eine vorbestimmte Temperatur nicht überschreitet und einen Vergleichsteil, der das erste Steuersignal mit einem von außen zum Zwecke des Steuerns der Gatespannung übertragenen zweiten Steuersignal vergleicht und ein selektives Steuersignal auswählt, bei dem es sich um eines der Steuersignale handelt, mittels dem die Temperatur der Elektrode begrenzt werden kann. Die Gateansteuerschaltung steuert die Gatespannung entsprechend dem selektiven Steuersignal.

5. 发明专利

DE102012223136B4 Verfahren zum Betrieb einer Halbleitervorrichtung und eines Kühlsystem für die Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102012223136B4
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：DE102012223136
申请日：2012-12-13
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： MIYAMOTO NOBORU , AIKO MITSUNORI
IPC分类号： H01L23/34 , B60W20/15 , F01N3/10 , F01N5/02 , H05K7/20
摘要： Verfahren zum Betrieb einer Halbleitervorrichtung (1), die an einem mit elektrischer Leistung versorgten Element angebracht ist, das mit elektrischer Leistung angetrieben wird, und die das mit elektrischer Leistung versorgte Element betreibt und die in einem Kühlsystem einsetzbar ist, das einen Einstellabschnitt (7), der eine Zieltemperatur eines Kühlmittels einstellt, das zum Kühlen der Halbleitervorrichtung (1) verwendet wird, und einen Detektor (24), der eine Temperatur dieses Kühlmittels als Kühlmitteltemperatur erfasst, enthält,wobei die Halbleitervorrichtung (1) einen variablen Wärmeverlust erzeugt unddie Halbleitervorrichtung (1) einen Erwärmungscontroller (22) enthält, der den Wärmeverlust in der Halbleitervorrichtung (1) so steuert, dass die Zieltemperatur und die Kühlmitteltemperatur dieselbe werden,der Erwärmungscontroller (22) den Wärmeverlust in der Halbleitervorrichtung (1) lediglich während der Regeneration des mit elektrischer Leistung versorgten Elements steuert,ein Halbleiterelement (12, 112) der Halbleitervorrichtung (1) aus Siliziumcarbid verwendet wird, das in der Lage ist, zum Erhöhen der Kühlmitteltemperatur bei hohen Temperaturen zu arbeiten, unddas mit elektrischer Leistung versorgte Element ein elektrisches Fahrzeug oder ein Fahrzeug, das Elektrizität verwendet und mit einem Verbrennungsmotor ausgerüstet ist, ist.

6. 发明专利

DE102012201080B4 Leistungsmodul 未知
公开(公告)号：DE102012201080B4
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：DE102012201080
申请日：2012-01-25
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： ARAKI SHINTARO , OKAMOTO KOREHIDE , HUSSEIN KHALID HASSAN , AIKO MITSUNORI
IPC分类号： H01L25/11 , H01L23/047 , H01L23/48 , H01L29/73
摘要： Leistungsmodul, das umfasst:eine erste Halbleitervorrichtung (12) mit zumindest einem Halbleiterelement mit einem Kollektor und einem Emitter, wobei die erste Halbleitervorrichtung (12) weiter einen mit dem Kollektor verbundenen Kollektoranschluss (12b, 12c) und einen mit dem Emitter verbundenen Emitteranschluss (12d) enthält, die sich von einem geformten Harz (12a) aus nach außen erstrecken, wobei der Kollektor- und/oder der Emitteranschluss (12b, 12c) ein sich bilateral erstreckender Anschluss ist, der einen einzelnen sich erstreckenden Anschluss bildet, dessen zwei Enden sich jeweils von zwei entgegengesetzten Oberflächen des geformten Harzes (12a) aus nach außen erstrecken und innerhalb der Halbleitervorrichtung elektrisch miteinander verbunden sind, undeine zweite Halbleitervorrichtung (14) mit derselben Konstruktion wie die erste Halbleitervorrichtung (12);wobei der sich bilateral erstreckende Anschluss der ersten Halbleitervorrichtung (12) direkt durch Löten, Schweißen oder Schrauben mit einem sich bilateral erstreckenden Anschluss der zweiten Halbleitervorrichtung (14) verbunden ist.

7. 发明专利

DE112013007214T5 Halbleitervorrichtung-Herstellungsverfahren und Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112013007214T5
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：DE112013007214
申请日：2013-07-04
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： INOKUCHI SEIICHIRO , AIKO MITSUNORI , ARAKI SHINTARO , TSUJI NATSUKI
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/48 , H01L25/07 , H01L25/18
摘要： Die Schritte des Befestigens eines Halbleiterelements an einem Substrat, das elektrische verbinden eines Signalanschlusses und eines Hauptanschlusses am Halbleiterelement, wobei ein Anschlusskomplex einen Rahmenbereich, den Signalanschluss, den Hauptanschluss mit einer größeren Breite als der Signalanschluss und einen Dummy-Anschluss umfasst, und das Ausbilden des einzukapselnden Körpers, in dem das Substrat, das Halbleiterelement und der Anschluss-Komplex integriert sind, das Montieren des einzukapselnden Körpers auf einer unteren Formhälfte, sodass eine Vielzahl von Blöcken, die in der unteren Formhälfte ausgebildet sind, mit dem Signalanschluss, dem Hauptanschluss und dem Dummy-Anschluss ohne ein dazwischen verbleibenden Zwischenraum im Eingriff stehen, nach dem Montageschritt, das Platzieren einer Bodenfläche einer oberen Formhälfte auf Oberseiten der Vielzahl von Blöcken, einer Oberseite des Signalanschlusses, einer Oberseite des Hauptanschlusses und einer Oberseite des Dummy-Anschlusses ohne ein dazwischen verbleibenden Zwischenraum, um einen Hohlraum zum Platzieren des Substrats und des Halbleiterelements zu bilden, und das Ausführen eines Formens durch Einspritzen eines Formharzes in die Ausnehmung, sind enthalten.

8. 发明专利

DE112013007243T5 Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112013007243T5
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：DE112013007243
申请日：2013-07-16
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： ARAKI SHINTARO , HUSSEIN KHALID HASSAN , AIKO MITSUNORI , SHIRASAWA TAKAAKI
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H02M7/04 , H02M7/48
摘要： Ein erstes Substrat, das aus einem elektrischen Leiter, einer ersten Diode, die eine erste Kathodenelektrode und eine erste Anodenelektrode aufweist, wobei die erste Kathodenelektrode mit dem ersten Substrat elektrisch verbunden ist, ein zweites Substrat, das aus einem elektrischen Leiter, einem ersten Schaltelement, das eine erste Emitter-Elektrode, eine erste Kollektor-Elektrode und eine erste Gate-Elektrode aufweist, wobei die erste Kollektor-Elektrode mit dem zweiten Substrat elektrisch verbunden ist, ein zweites Schaltelement, das eine zweite Emitter-Elektrode, eine zweite Kollektor-Elektrode und eine zweite Gate-Elektrode aufweist, wobei die zweite Kollektor-Elektrode mit dem zweiten Substrat elektrisch verbunden ist, ein erster Anschluss, der mit dem zweiten Substrat elektrisch verbunden ist, ein zweiter Anschluss, der mit der ersten Anodenelektrode elektrisch verbunden ist, ein dritter Anschluss, der mit der ersten Emitter-Elektrode, der zweiten Emitter-Elektrode und dem ersten Substrat elektrisch verbunden ist, und ein Formharz sind vorgesehen, welches das erste Substrat, die erste Diode, das zweite Substrat, das erste Schaltelement und das zweite Schaltelement ummantelt, wobei Bereiche des ersten Anschlusses, des zweiten Anschlusses und des dritten Anschlusses zur Außenseite freiliegen.

9. 发明专利

DE112019007498T5 Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112019007498T5
公开(公告)日：2022-03-10
申请号：DE112019007498
申请日：2019-06-25
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TAKAYAMA TSUYOSHI , SHIRASAWA TAKAAKI , AIKO MITSUNORI
IPC分类号： H01L23/40
摘要： Eine Aufgabe besteht darin, eine Technik bereitzustellen, die eine Unterdrückung der Höhe eines Überstands von der Oberfläche eines Halbleitermoduls aus ermöglicht. Eine Halbleitervorrichtung enthält: ein Halbleitermodul mit einer ersten Aussparung; eine Belleville-Unterlegscheibe, die eine Vertiefung in einer äußeren Oberfläche und einen Überstand auf einer inneren Oberfläche aufweist; und eine Schraube, die durch das Loch der Belleville-Unterlegscheibe und die erste Aussparung des Halbleitermoduls hindurchgeht, um das Halbleitermodul und einen angebrachten Körper zu befestigen. Ein Kopf der Schraube ist in der Vertiefung der Belleville-Unterlegscheibe untergebracht, und zumindest ein Teilbereich des Überstands der Belleville-Unterlegscheibe ist in der ersten Aussparung des Halbleitermoduls untergebracht.

10. 发明专利

DE112012007270B4 Halbleitervorrichtung und Kraftfahrzeug 未知
公开(公告)号：DE112012007270B4
公开(公告)日：2019-12-05
申请号：DE112012007270
申请日：2012-12-28
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： AIKO MITSUNORI , ARAKI SHINTARO
IPC分类号： H01L23/34 , H01L23/58 , H01L25/07 , H01L25/18
摘要： Halbleitervorrichtung mit:einem Halbleiterelement (12), das ein Gate (12a) aufweist und mit einer Gatespannung gesteuert ist;einer Gateansteuerschaltung (26), die die Gatespannung steuert;einer mit dem Halbleiterelement (12) verbundenen Elektrode (30), wobei ein Hauptstrom in dem Halbleiterelement (12) durch die Elektrode (30) fließt;einem Temperaturerfassungsteil (40), der die Temperatur der Elektrode (30) erfasst;einem Erzeugungsteil (60a), der auf Grundlage der durch den Temperaturerfassungsteil (40) erfassten Temperatur ein erstes Steuersignal erzeugt zum Vorgeben einer maximalen Menge an Energiezufuhr zu dem Halbleiterelement (12) in einem solchen Bereich, dass die Temperatur der Elektrode (30) eine vorbestimmte Temperatur nicht überschreitet; undeinem Vergleichsteil (60b), der das erste Steuersignal mit einem von außen zum Zwecke des Steuerns der Gatespannung übertragenen zweiten Steuersignal vergleicht und ein selektives Steuersignal auswählt, bei dem es sich um eines der Steuersignale handelt, mittels dem die Temperatur der Elektrode (30) begrenzt werden kann,wobei die Gateansteuerschaltung (26) die Gatespannung entsprechend dem selektiven Steuersignal steuert, wobei die Elektrode (30) einen von einem Hauptstrompfad abzweigenden Zweigabschnitt (30a) aufweist, und der Temperaturerfassungsteil (40) an dem Zweigabschnitt (30a) angebracht ist.

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