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1. 发明专利

DE102011002398A1 Verfahren zum Herstellen einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102011002398A1
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：DE102011002398
申请日：2011-01-03
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： UDA YUKIO , SEKIYA KOICHI , KOBAYASHI KAZUO , TARUI YOICHIRO
IPC分类号： H01L21/265
摘要： Ein Wafer WF wird in einem Substrathalter (35) angebracht, und der Substrathalter (35) wird in einen filmbildenden Ofen (32) eingesetzt. Der filmbildende Ofen (32) wird durch eine Vakuumpumpe über ein Gasableitungsteil (33) evakuiert, um verbleibenden Sauerstoff so vollständig wie möglich zu entfernen. Dann wird die Temperatur im filmbildenden Ofen auf den Bereich von. 800°C bis 950°C unter verringertem Druck angehoben, während ein Inertgas, wie beispielsweise Argon (Ar) oder Helium (He) durch ein Gaseinleitungsteil (31) eingebracht wird. Wenn die Temperatur diesen Temperaturbereich erreicht, wird der Zustrom des Inertgases gestoppt. Verdampftes Ethanol wird als Quellengas in den filmbildenden Ofen (32) durch das Gaseinleitungsteil (31) eingebracht, wodurch ein Graphitfilm auf einer gesamten Oberfläche des Wafers WF ausgebildet wird.

2. 发明专利

DE102011002398B4 Verfahren zum Herstellen einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102011002398B4
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：DE102011002398
申请日：2011-01-03
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： UDA YUKIO , SEKIYA KOICHI , KOBAYASHI KAZUO , TARUI YOICHIRO
IPC分类号： H01L21/265
摘要： Verfahren zum Herstellen einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung, aufweisend die folgenden Schritte: (a) Ausbilden eines aktiven Bereichs einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung durch Ionenimplantierung einer Dotierung in eine Oberfläche eines Siliziumcarbid-Wafers (CW); (b) Ausbilden eines Graphitfilms (GF) auf einer gesamten Oberfläche des Siliziumcarbid-Wafers, welcher erhalten wird, nachdem der aktive Bereich ausgebildet ist, und auf einer gesamten Oberfläche eines Silizium-Wafers (SW), welcher als Kontrolleinheit für die Filmdicke verwendet wird, durch chemische Gasphasenabscheidung; und (c) Ermitteln der Dicke des Graphitfilms, wobei der Schritt (b) den Schritt des Ausbildens des Graphitfilms bei einer Filmbildungstemperatur von 800°C oder mehr und 950°C oder niedriger durch die chemische Gasphasenabscheidung umfasst, der Schritt (c) den Schritt des Bestimmens der Dicke des Graphitfilms, welcher auf dem Siliziumcarbid-Wafer ausgebildet ist, durch Messen der Dicke des Graphitfilms, der auf dem Silizium-Wafer ausgebildet ist, umfasst.

3. 发明专利

JP2011187675A Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device 有权
标题翻译：制造碳化硅半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2011187675A
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：JP2010051371
申请日：2010-03-09
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： UDA YUKIO , SEKIYA KOICHI , KOBAYASHI KAZUO , TARUI YOICHIRO
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/26 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： C23C16/325 , C23C16/56 , H01L21/046 , H01L22/12 , H01L29/0657 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7802 , Y10S438/931
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method capable of carrying out, with high accuracy and at low cost, the film thickness measurement of a protecting film which prevents the evaporation of silicon and carbon in annealing treatment in a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device. SOLUTION: A wafer WF is laid on a substrate holder 35 and then placed in a film formation furnace 32, the inside of the film formation furnace 32 is evacuated by a vacuum pump through a gas exhaust portion 33, after removing remaining oxygen as much as possible, a temperature in the film formation furnace 32 is heated in a range of 800-950°C under reduced pressure while introducing inert gas such as Ar, helium (He) through a gas introduction portion 31. When the furnace reaches the temperature, by stopping the inflow of the inert gas and then introducing evaporated ethanol as source gas into the film formation furnace 32 through the gas introduction portion 31, a graphite film is deposited on the whole surface of the wafer WF. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种能够以高精度和低成本执行在制造方法中防止退火处理中的硅和碳的蒸发的保护膜的膜厚度测量的制造方法碳化硅半导体器件。解决方案：将晶片WF放置在基板保持器35上，然后放置在成膜炉32中，在除去剩余的氧气之后，成膜炉32的内部通过真空泵通过排气部分33抽真空尽可能地将成膜炉32中的温度在减压下在800-950℃的范围内加热，同时通过气体引入部分31引入诸如Ar，氦（He）的惰性气体。当炉到达时通过停止惰性气体的流入，然后通过气体引入部分31将蒸发的乙醇作为源气体引入成膜炉32中，在晶片WF的整个表面上沉积石墨膜。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JPH0661154A SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE 失效
公开(公告)号：JPH0661154A
公开(公告)日：1994-03-04
申请号：JP20993592
申请日：1992-08-06
申请人： RYODEN SEMICONDUCTOR SYST ENG , MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： UDA YUKIO , OSAKI SABURO
IPC分类号： C30B25/14 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/302 , H01L21/31
摘要： PURPOSE:To obtain a semiconductor manufacturing device which is able to stably form a film and high in product yield by a method wherein source is surely controlled in flow rate by a mass flow controller even just after the feed of source is restarted by opening a valve located before a process chamber. CONSTITUTION:Carrier gas inside a source transport piping 3 is cooled down to partially liquidize source contained in it, and a low temperature trap 8 which recovers liquidized source in carrier gas inside the piping 3 and discharges it out of the piping 3 is provided to the front-stage of a mass flow controller 5.

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