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1. 发明专利

DE102018201334A1 Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Fertigung derselben 未知
公开(公告)号：DE102018201334A1
公开(公告)日：2018-10-25
申请号：DE102018201334
申请日：2018-01-29
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： EBIIKE YUJI , YUTANI NAOKI
IPC分类号： H01L29/861 , G01R31/26 , H01L21/329 , H01L21/82 , H01L27/06 , H01L29/161 , H01L29/78
摘要： Zur Verfügung gestellt wird eine Halbleitervorrichtung, die einen aktiven Bereich, der in einer Halbleiterschicht einer ersten Leitfähigkeitsart vorgesehen ist, und einen Terminierungsbereich, der um den aktiven Bereich vorgesehen ist, aufweist. Ein MOS-Transistor, durch welchen ein Hauptstrom in einer Dickenrichtung der Halbleiterschicht fließt, ist in dem aktiven Bereich ausgebildet. Der Terminierungsbereich weist eine Defekterkennungsvorrichtung auf, die entlang des aktiven Bereichs vorgesehen ist. Die Defekterkennungsvorrichtung weist eine Diode auf, die eine erste Hauptelektrode, die entlang des aktiven Bereichs auf einer ersten Hauptoberfläche der Halbleiterschicht vorgesehen ist, und eine zweite Hauptelektrode, die auf einer zweiten Hauptoberflächenseite der Halbleiterschicht vorgesehen ist, aufweist.

2. 发明专利

DE112012005039T5 Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112012005039T5
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：DE112012005039
申请日：2012-09-24
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： MIURA NARUHISA , WATANABE TOMOKATSU , OHTSUKA KENICHI , WATANABE HIROSHI , EBIIKE YUJI , HINO SHIRO , FURUKAWA AKIHIKO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739
摘要： Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Halbleitervorrichtung vorzusehen, welche bei gleichzeitiger Unterdrückung einer Zunahme von Leitungsverlusten oder von Schaltverlusten die Zuverlässigkeit der Vorrichtung verbessern kann. In der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung sind, wenn eine zweidimensionale Form auf einer Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (10) eine Elementarzelle ist, wobei die Form eine sich wiederholende Einheit einer Vielzahl von in einer Oberflächenschicht einer Driftschicht (20) in periodischen Abständen angeordneten Muldenbereichen (30) ist, eine Elementarzelle und eine weitere, in einer x-Achsen-Richtung angrenzende Elementarzelle in einer y-Achsen-Richtung versetzt angeordnet, und es sind eine Elementarzelle und eine weitere, in der y-Achsen-Richtung angrenzende Elementarzelle in der x-Achsen-Richtung versetzt angeordnet.

3. 发明专利

DE112011102926B4 Halbleiterbauteil 未知
公开(公告)号：DE112011102926B4
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：DE112011102926
申请日：2011-08-26
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： KINOUCHI SHINICHI , NAKATAKE HIROSHI , EBIIKE YUJI , FURUKAWA AKIHIKO , IMAIZUMI MASAYUKI
IPC分类号： H01L23/62 , G01K7/01 , H01L29/161 , H01L29/201 , H01L29/78
摘要： Halbleiterbauteil (20, 21), Folgendes umfassend:einen Halbleitertransistor (1), der sich aus mehreren Zellen zusammensetzt, undeine Sensorschaltung (10), die Temperaturinformation bezüglich der Temperatur des Halbleitertransistors (1) abgreift, wobeider Halbleitertransistor (1) eine Hauptzellengruppe (2), die unter den mehreren Zellen eine Zelle zum Zuführen eines Stroms zu einer Last (L) umfasst, und eine Abfühlzellengruppe (3) umfasst, die unter diesen eine Zelle zum Abgreifen der Temperaturinformation umfasst,die Hauptzellengruppe (2) und die Abfühlzellengruppe (3) unterschiedliche spezifische Temperaturkennlinien haben, die Veränderungen bei spezifischen elektrischen Kennlinien in Bezug auf Veränderungen bei der Temperatur des Halbleitertransistors (1) wiedergeben, unddie Sensorschaltung (10) die Temperaturinformation auf Grundlage eines Werts eines durch die Hauptzellengruppe (2) fließenden Hauptstroms und eines Werts eines durch die Abfühlzellengruppe (3) fließenden Abfühlstroms abgreift.

4. 发明专利

DE112015005901T5 Siliciumcarbid-Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung derselben 未知
公开(公告)号：DE112015005901T5
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：DE112015005901
申请日：2015-01-07
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： EBIIKE YUJI
IPC分类号： H01L27/04 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/872
摘要： In Anbetracht des oben genannten Problems ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Rückfluss zu ermöglichen, ohne eine Körperelektrode in einem SiC-MOSFET zu betreiben. Eine Siliciumcarbid-Halbleiteranordnung der vorliegenden Erfindung umfasst eine Drain-Elektrode 27; eine ohmsche Elektrode 25 und eine Schottky-Elektrode 26, die an der Drain-Elektrode 27 jeweils in Kontakt mit der Drain-Elektrode 27 sind und nebeneinander sind; einen ersten Stehspannungshaltebereich 13 eines ersten Leitfähigkeitstyps, der an der ohmschen Elektrode in Kontakt mit der ohmschen Elektrode 25 ist; einen zweiten Stehspannungshaltebereich 14 eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der an der Schottky-Elektrode in Kontakt mit der Schottky-Elektrode 26 ist und neben dem ersten Stehspannungshaltebereich ist; einen Quellbereich 15 des zweiten Leitfähigkeitstyps in Kontakt auf dem ersten Stehspannungshaltebereich 13 und dem zweiten Stehspannungshaltebereich 14; einen Source-Bereich 16 des ersten Leitfähigkeitstyps, der selektiv an einer Oberflächenschicht des Quellbereichs 15 vorhanden ist; und eine Gate-Elektrode 22 gegenüberliegend zu einem Kanalbereich, der durch den zwischen dem Source-Bereich 16 und dem ersten Stehspannungshaltebereich 13 aufgenommenen Quellbereich definiert ist, mit einer Gate-Oxidschicht dazwischen angeordnet.

5. 发明专利

DE102020124491A1 Halbleitertesteinrichtung, Testverfahren für Halbleitervorrichtungen und Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen 未知
公开(公告)号：DE102020124491A1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：DE102020124491
申请日：2020-09-21
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： EBIIKE YUJI , NOGUCHI TAKAYA , ITO YOSHINORI , IKUTA YOSHIKAZU , TAKAYAMA KOICHI
IPC分类号： G01R31/28 , G01R31/26
摘要： Eine Halbleitertesteinrichtung umfasst: eine Stromversorgung; einen Hochspannungsdraht, der Hochspannungsanschlüsse einer Vielzahl von Halbleitervorrichtungen, welche zu testende Objekte sind, mit einer Hochspannungsseite der Stromversorgung verbindet; einen Niederspannungsdraht, der Niederspannungsanschlüsse der Halbleitervorrichtungen mit einer Niederspannungsseite der Stromversorgung verbindet; erste Schalter, die jeweils mit den Halbleitervorrichtungen in Reihe geschaltet sind, wobei jeder der ersten Schalter ein Ende, das über den Niederspannungsdraht mit der Niederspannungsseite der Stromversorgung verbunden ist, und ein anderes Ende, das mit dem Niederspannungsanschluss verbunden ist, aufweist; zweite Schalter, die jeweils mit den Halbleitervorrichtungen verbunden sind, wobei jeder der zweiten Schalter ein Ende, das mit dem Hochspannungsanschluss verbunden ist, und ein anderes Ende, das mit dem Niederspannungsanschluss verbunden ist, aufweist; und eine Steuerungsschaltung, die die ersten Schalter und die zweiten Schalter enthält.

6. 发明专利

DE102019206090A1 Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung, Leistungswandler und Verfahren zum Herstellen einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102019206090A1
公开(公告)日：2019-11-14
申请号：DE102019206090
申请日：2019-04-29
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： EBIIKE YUJI , KAGAWA YASUHIRO
IPC分类号： H01L23/60 , H01L29/739 , H01L29/78
摘要： Eine Driftschicht (12) weist einen ersten Leitfähigkeitstyp auf und ist auf einem Siliziumcarbidsubstrat (11) vorgesehen. Ein Wannenbereich (13) weist einen zweiten Leitfähigkeitstyp auf und ist auf der Driftschicht (12) vorgesehen. Ein Sourcebereich (14) weist den ersten Leitfähigkeitstyp auf und ist auf dem Wannenbereich (13) vorgesehen. Ein Gategraben (31) weist eine innere Oberfläche mit einem Boden, der bei einer tieferen Position als der Wannenbereich (13) gelegen ist, und einem mit dem Boden zusammenhängenden lateralen Teil auf. Ein Bereich (16) zur Relaxation eines elektrischen Feldes weist den zweiten Leitfähigkeitstyp auf und hat zumindest einen Teil, der unter dem Boden des Gategrabens (31) gelegen ist. Ein Bereich (17) zur Relaxation einer Überspannung weist den ersten Leitfähigkeitstyp auf, berührt zumindest einen Teil des Bodens des Gategrabens (31) und ist durch den Bereich (16) zur Relaxation eines elektrischen Feldes von der Driftschicht (12) getrennt.

7. 发明专利

DE112012002603T5 Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112012002603T5
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：DE112012002603
申请日：2012-03-07
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： HINO SHIRO , MIURA NARUHISA , FURUKAWA AKIHIKO , NAKAO YUKIYASU , TARUTANI MASAYOSHI , EBIIKE YUJI , IMAIZUMI MASAYUKI , WATANABE TOMOKATSU , AYA SUNAO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/12 , H01L29/41 , H01L29/417
摘要： Ein Ziel der vorliegenden Erfindung besteht in der Schaffung einer Halbleitervorrichtung, mit der sich zeitliche Änderungen einer Schwellenspannung unterdrücken lassen, sowie in der Schaffung eines Verfahrens zum Herstellen derselben. Eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung weist Folgendes auf: eine auf einem Halbleitersubstrat (20) gebildete Driftschicht (21), erste Wannenbereiche (41), die in einer Oberflächenschicht der Driftschicht (21) gebildet sind und voneinander beabstandet sind, eine Gateisolierschicht (30), die sich auf der Driftschicht (21) und jedem der ersten Wannenbereiche (41) erstreckend gebildet ist, eine Gateelektrode (50), die auf der Gateisolierschicht (30) selektiv gebildet ist, eine Sourcekontaktöffnung (61), die die Gateisolierschicht (30) durchsetzt und bis ins Innere von jedem der ersten Wannenbereiche (41) hineinreicht, sowie eine zumindest an einer Seitenfläche der Sourcekontaktöffnung (61) gebildete Druckeigenspannungsschicht (90), in der eine Druckspannung verbleibt.

8. 发明专利

DE112011104713T5 Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112011104713T5
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：DE112011104713
申请日：2011-06-09
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： EBIIKE YUJI , NAKATANI TAKAHIRO , FUJII YOSHIO , NAKATA SHUHEI , WATANABE HIROSHI , NAKAKI YOSHIYUKI , AYA SUNAO , KAWAKAMI TSUYOSHI
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872
摘要： Ein Ziel der vorliegenden Erfindung besteht in der Angabe einer Halbleitervorrichtung, bei der die Entstehung eines hohen elektrischen Feldes unterdrückt werden kann und das Auftreten eines die elektrischen Durchbruchs verhindert werden kann, sowie eines Verfahrens zum Herstellen einer solchen Halbleitervorrichtung. Das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung weist folgende Schritte auf: (a) Bereitstellen eines n+-leitenden Substrats (1) als Basis, das durch einen Siliciumcarbid-Halbleiter eines ersten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, (b) Bilden einer Vertiefungsstruktur (14), die einen Elementbereich umgibt, auf dem n+-leitenden Substrat (1) unter Verwendung einer Resist-Struktur (13), und (c) Bilden einer Schutzring-Injektionsschicht (3) als Dotierstoffschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps in einer Vertiefungs-Bodenfläche (15) und einer Vertiefungs-Seitenfläche (20) in der Vertiefungsstruktur (14) durch Dotierstoffinjektion durch die Resist-Struktur (13) hindurch, wobei ein Kantenbereich der Vertiefungsstruktur (14) mit der Dotierstoffschicht (3) bedeckt wird.

9. 发明专利

DE112012005039B4 Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112012005039B4
公开(公告)日：2021-01-14
申请号：DE112012005039
申请日：2012-09-24
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： HINO SHIRO , MIURA NARUHISA , FURUKAWA AKIHIKO , WATANABE TOMOKATSU , OHTSUKA KENICHI , WATANABE HIROSHI , EBIIKE YUJI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/768
摘要： Halbleitervorrichtung, die Folgendes aufweist:- ein Halbleitersubstrat (10) von einem ersten Leitfähigkeitstyp oder zweiten Leitfähigkeitstyp;- eine auf dem Halbleitersubstrat (10) gebildete Driftschicht (20) vom ersten Leitfähigkeitstyp;- eine Vielzahl von in einer Oberflächenschicht der Driftschicht (20) in regelmäßigen Abständen angeordneten viereckförmigen Muldenbereichen (30) vom zweiten Leitfähigkeitstyp, wobei die Länge einer ersten Seite in der Draufsicht a ist und die Länge einer dazu orthogonalen zweiten Seite in der Draufsicht b ist;- einen in einer Oberflächenschicht jedes der Muldenbereiche (30) gebildeten Source-Bereich (40) vom ersten Leitfähigkeitstyp;- eine über eine Gate-Isolierschicht (50) von jedem Source-Bereich (40) bis zur Driftschicht (20) gebildete Gate-Elektrode (60); und- einen in den Muldenbereichen (30) gegenüber jeder Gate-Elektrode (60) vorgegebenen Kanalbereich, wobei,- wenn eine Richtung der ersten Seite eine x-Achsen-Richtung ist und eine Richtung der zweiten Seite eine y-Achsen-Richtung ist, und- wenn der Abstand zwischen jedem der Muldenbereiche (30) in der x-Achsen-Richtung Ljx ist und der Abstand zwischen jedem der Muldenbereiche (30) in der y-Achsen-Richtung Ljy ist,- ein in der x-Achsen-Richtung an einen ersten Muldenbereich angrenzender zweiter Muldenbereich von den Muldenbereichen (30) gegenüber dem ersten Muldenbereich in der y-Achsen-Richtung um eine Breite versetzt angeordnet ist, welche größer als Null und kleiner als b + Ljy ist, und- ein in der y-Achsen-Richtung an den ersten Muldenbereich angrenzender dritter Muldenbereich von den Muldenbereichen (30) gegenüber dem ersten Muldenbereich in der x-Achsen-Richtung um eine Breite versetzt angeordnet ist, welche größer als Null und kleiner als a + Ljx ist.

10. 发明专利

DE112016007382T5 Inspektionsvorrichtung und Inspektionsverfahren 未知
公开(公告)号：DE112016007382T5
公开(公告)日：2019-09-26
申请号：DE112016007382
申请日：2016-10-26
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： KAGUCHI NAOTO , EBIIKE YUJI
IPC分类号： G01R31/26 , G01R1/073
摘要： Eine Inspektionsvorrichtung gemäß der Erfindung der vorliegenden Anmeldung umfasst eine Befestigungsplatte (24), mehrere expandierende und kontrahierende Teile (11), deren eine Enden an der Befestigungsplatte (24) befestigt sind, mehrere Kontaktsonden (19), die jeweils an den anderen Enden der mehreren expandierenden und kontrahierenden Teile (11) befestigt sind, und mehrere Fixierteile (12), die jeweils zu den mehreren Kontaktsonden (19) vorgesehen sind, wobei jedes Fixierteil (12) ein Umschalten zwischen einem Fixierzustand, in dem ein oberes Ende einer entsprechenden Kontaktsonde aus den mehreren Kontaktsonden (19) bei einer ersten Position fixiert ist, und einem Lösezustand, in dem die Kontaktsonde nicht fixiert ist, durchführt, die Kontaktsonde (19) durch ein entsprechendes expandierendes und kontrahierendes Teil (11) aus den mehreren expandierenden und kontrahierenden Teilen (11) im Fixierzustand zur Befestigungsplatte (24) gezogen wird und das obere Ende der Kontaktsonde (19) bei einer zweiten Position, die näher zur Befestigungsplatte (24) als die erste Position liegt, im Lösezustand platziert wird.

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