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1. 发明专利

DE112017001729B4 Halbleitermodule 未知
公开(公告)号：DE112017001729B4
公开(公告)日：2022-11-03
申请号：DE112017001729
申请日：2017-03-13
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： YANO SHINYA , KINOUCHI SHINICHI , NAKAYAMA YASUSHI
IPC分类号： H01L25/18 , G01K7/01 , H02M1/00 , H02M7/48
摘要： Halbleitermodul (1, 41, 51), das Folgendes aufweist:- einen ersten bis N-ten Halbleiterchip (C1, C2), die auf einer Leiterschicht (22A) angeordnet sind; und- einen ersten und einen zweiten externen Anschluss (T1a, T2k, T2a), wobei N eine ganze Zahl gleich oder größer als zwei ist, wobei jeder von dem ersten bis N-ten Halbleiterchip (C1, C2) Folgendes aufweist:- ein schaltendes Element (2),- einen ersten internen Anschluss und einen zweiten internen Anschluss (P1a, P2a, P1k, P2k) und- ein eine Temperatur detektierendes Element (3), das zwischen den ersten internen Anschluss und den zweiten internen Anschluss (P1a, P2a, P1k, P2k) geschaltet ist und einen Widerstandswert aufweist, der sich gemäß der Temperatur des schaltenden Elements (2) ändert,wobei der erste interne Anschluss (P1a) des ersten Halbleiterchips (C1) mit dem ersten externen Anschluss (T1a) verbunden ist,wobei der zweite interne Anschluss (P2k, P2a) des N-ten Halbleiterchips (C2) mit dem zweiten externen Anschluss (T2k, T2a) verbunden ist, wobei n eine ganze Zahl gleich oder größer als eins und gleich oder kleiner als (N-1) ist, und einer von dem ersten und dem zweiten internen Anschluss (P1a, P1k) eines n-ten Halbleiterchips (C1) und einer von dem ersten und dem zweiten internen Anschluss (P2a, P2k) eines (n+1)-ten Halbleiterchips (C2) miteinander verbunden sind, und wobeidas Halbleitermodul (1, 41, 51) ferner einen streifenartigen Verdrahtungsbereich (23A, 25A) aufweist, der an den n-ten und (n+1)-ten Halbleiterchip (C1, C2) und räumlich zwischen den ersten und zweiten internen Anschlüssen (P1a, P2a, P1k, P2k) des n-ten und (n+1)-ten Halbleiterchips (C1, C2) und den ersten und zweiten externen Anschlüssen (T1a, T2k, T2a) in einer Richtung parallel zu einer ersten Oberfläche angeordnet und von der Leiterschicht (22A) isoliert ist, und wobei einer des ersten und zweiten internen Anschlusses (P1a, P1k) des n-ten Halbleiterchips (C1) und einer des ersten und zweiten internen Anschlusses (P2a, P2k) des (n+1)-ten Halbleiterchips (C2) beide elektrisch mit dem streifenartigen Verdrahtungsbereich (23A, 25A) verbunden sind.

2. 发明专利

DE102013212698A1 Antriebssteuervorrichtung und Antriebssteuerverfahren 未知
公开(公告)号：DE102013212698A1
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：DE102013212698
申请日：2013-06-28
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： KINOUCHI SHINICHI , NAKANO KOSUKE
IPC分类号： H02P25/22 , H02P21/05 , H02P23/04 , H02P27/06 , H02P29/00
摘要： Die vorliegende Erfindung stelle eine Antriebssteuervorrichtung bereit, die umfasst: Inverter (1, 2), die mit einem Motor (5) verbunden sind; ein variables Widerstandselement (3, 4), das zwischen dem Motor und jedem der Inverter (1, 2) verbunden ist; eine Strom-/Spannungserfassungsvorrichtung (6, 7), die zwischen dem Motor und jedem der Inverter (1, 2) verbunden ist; und eine Steuerung (9), die, wenn ein Fehler eines Inverters erfasst wird, der den Motor antreibt, basierend auf einem Erfassungssignal von der Strom-/Spannungserfassungsvorrichtung (6, 7), allmählich einen Widerstandswert eines variablen Widerstandselements (3, 4) erhöht, das zwischen dem fehlerhaften Inverter und dem Motor bereitgestellt wird, mit einer Geschwindigkeit einer Widerstandsvariation, so dass eine Stoßspannung einen Spannungswert aufweist, bei dem das variable Widerstandselement (3, 4) und der Motor nicht beschädigt werden, und eine Antriebssteuerung des Motors durch einen normalen Inverter verschieden von dem fehlerhaften Inverter ausführt,

3. 发明公开

EP2434627A4 GATE DRIVING CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：栅极驱动电路
公开(公告)号：EP2434627A4
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：EP10777516
申请日：2010-05-07
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： NAKATAKE HIROSHI , KINOUCHI SHINICHI , KITAMURA TATSUYA
IPC分类号： H02M1/08 , H03K17/16
CPC分类号： H03K17/168 , H02M1/08 , H03K17/163

4. 发明公开

EP2546972A4 POWER SEMICONDUCTOR MODULE, ELECTRIC POWER CONVERTER, AND RAILWAY VEHICLE 审中-公开
标题翻译：半导体电源模块，功率转换器和轨道车辆
公开(公告)号：EP2546972A4
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：EP10847489
申请日：2010-10-29
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TANAKA TAKESHI , KINOUCHI SHINICHI
IPC分类号： H02M7/5387 , B60L9/22 , H02M5/458 , H03K17/12
CPC分类号： H02M5/4585 , B60L9/22 , B60L2200/26 , H03K17/127

5. 发明专利

DE112007000857B4 Drei Treiberschaltungen für Halbleiterelemente mit Kurzschlusserfassung 未知
公开(公告)号：DE112007000857B4
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：DE112007000857
申请日：2007-04-04
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： NAKATAKE HIROSHI , ISHIBASHI SATOSHI , IDENOUE SHINSUKE , OI TAKESHI , KINOUCHI SHINICHI , HORIGUCHI TAKESHI
IPC分类号： H02M1/08 , H02M1/00 , H03K17/08
摘要： Treiberschaltung (500; 500a; 500b) für ein Halbleiterelement (1), die folgendes aufweist: eine Steuerschaltung (2), die das Halbleiterelement (1) in Abhängigkeit von Einschalt- und Ausschaltsignalen von außen ein- bzw. ausschaltet; eine Abtastschaltung (6), die einen Erfassungsvorgang für eine Regelgröße des Halbleiterelements (1) nur innerhalb einer Periode zuläßt, die einer Regelgröße Qon des Halbleiterelements (1) zu einem Zeitpunkt entspricht, in dem die Steuerschaltung (2) das Einschaltsignal eingegeben hat; sowie eine Regelgrößen-Erfassungsschaltung (7; 7a), die eine Regelgröße Qt des Halbleiterelements (1), wie diese innerhalb der von der Abtastschaltung (6) zugelassenen Periode erfaßt wird, und einen zuvor festgesetzten Regelgrößen-Vergleichswert Qs vergleicht, um dadurch ein Anomaliesignal für das Auftreten einer Anomalie bei dem Halbleiterelement (1) abzugeben.

6. 发明专利

DE112011102926T5 Halbleiterbauteil 未知
公开(公告)号：DE112011102926T5
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：DE112011102926
申请日：2011-08-26
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： KINOUCHI SHINICHI , NAKATAKE HIROSHI , EBIIKE YUJI , FURUKAWA AKIHIKO , IMAIZUMI MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/822 , G01K7/01 , H01L27/04 , H01L29/78
摘要： Ein Ziel der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Halbleiterbauteil bereitzustellen, das in der Lage ist, die Information bezüglich der Temperatur eines darin enthaltenen Halbleitertransistors schnell und genau abzugreifen. In der vorliegenden Erfindung setzt sich ein MOSFET (1) aus mehreren Zellen zusammen, und enthält eine Hauptzellengruppe (2), die unter den mehreren Zellen eine Zelle zum Zuführen eines Stroms zu einer Last umfasst, und eine Abfühlzellengruppe (3), die unter diesen eine Zelle zum Abgreifen von Temperaturinformation bezüglich der Temperatur des MOSFETs (1) umfasst. Die Hauptzellengruppe (2) und die Abfühlzellengruppe (3) haben unterschiedliche spezifische Temperaturkennlinien, die Veränderungen bei spezifischen elektrischen Kennlinien in Bezug auf Veränderungen bei der Temperatur des Halbleitertransistors (1) wiedergeben. Eine Temperaturabfühlschaltung (10) fühlt die Temperatur des MOSFETs (1) beispielsweise auf Grundlage eines Werts eines durch die Hauptzellengruppe (2) fließenden Hauptstroms und eines Werts eines durch die Abfühlzellengruppe (3) fließenden Abfühlstroms ab.

7. 发明专利

DE4332890A1 Raw material for vaporising dielectric thin layers - comprises organic metal cpd. dissolved in THF 未知
公开(公告)号：DE4332890A1
公开(公告)日：1994-03-24
申请号：DE4332890
申请日：1993-09-22
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： UCHIKAWA FUSAOKI , MATSUNO SHIGERU , KINOUCHI SHINICHI , WATARAI HISAO
IPC分类号： C01G23/00 , C23C16/40 , C23C16/448 , C30B29/32 , H01L21/02 , H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/822 , H01L21/8242 , H01L21/8246 , H01L27/04 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L21/72
摘要： Raw material for vaporising dielectric thin layers of the oxide system is claimed, in which the organic metal cpd. is dissolved in THF. The organic metal cpd. is dissolved in a solvent contg. THF. The metal atom of the organic metal-raw material is a metal selected from Pb, Ti, Zr and alkaline earths. The material is a cpd., in which the metal atom is coupled via oxygen atoms to the organic gps.. The metal atom is esp. Sr, Ba or Ti. The cpd. is esp. metal-acetylacetonate, -dipivaloylmethanate, -alkoxide, -hexafluoroacetylacetonate, -pentafluoropropanoyl pivaloylmethanate, -cyclopentadienyl or one or more derivs. of these cpds., in which the metal is Pb, Ti, Zr or alkaline earth; or Sr- and/or Ba-, or Ti-dipivaloylmethanate cpd. and Ti dipivaloylmethanate; or Si- and/or Ba-dipivaloylmethanate and Ti isopropoxide. USE - Used to mfr. capacitors for storage appts. using a CVD process (claimed).

8. 发明专利

DE112007000857T5 未知
公开(公告)号：DE112007000857T5
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：DE112007000857
申请日：2007-04-04
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： NAKATAKE HIROSHI , ISHIBASHI SATOSHI , IDENOUE SHINSUKE , OI TAKESHI , KINOUCHI SHINICHI , HORIGUCHI TAKESHI
IPC分类号： H02M1/08 , H02M1/00 , H03K17/08
摘要： A drive circuit wherein any abnormality of a semiconductor element is prevented from being erroneously sensed in a case where a gate “ON” command has entered in a state in which a gate voltage of the semiconductor element has not lowered fully. A detection process for a controlled variable of the semiconductor element is permitted only within a period which corresponds to a controlled variable of the semiconductor element at the time when an “ON” signal has been inputted to a control circuit, and a detected controlled variable which is detected within the period and a comparison controlled variable which is set in correspondence with the controlled variable are compared so as to output an abnormality signal, whereby the semiconductor element is turn-off at a speed lower than in normal turn-off.

9. 发明专利

NL195038C Bronmateriaal voor het aanbrengen van dunne lagen metaaloxide door chemisch opdampen. 未知
公开(公告)号：NL195038C
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：NL9301640
申请日：1993-09-22
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： UCHIKAWA FUSAOKI , MATSUNO SHIGERU , KINOUCHI SHINICHI , WATARAI HISAO
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/448 , C01G23/00 , C30B29/32 , H01L21/02 , H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/822 , H01L21/8242 , H01L21/8246 , H01L27/04 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/108 , C23C16/455

10. 发明专利

DE112017001729T5 Halbleitermodul 未知
公开(公告)号：DE112017001729T5
公开(公告)日：2018-12-20
申请号：DE112017001729
申请日：2017-03-13
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： YANO SHINYA , KINOUCHI SHINICHI , NAKAYAMA YASUSHI
IPC分类号： H01L25/07 , G01K7/01 , H01L25/18 , H02M1/00 , H02M7/48
摘要： Bei dem vorliegenden Halbleitermodul (1) weisen ein erster und ein zweiter Halbleiterchip (C1, C2) jeweils einen Transistor (2) und eine eine Temperatur detektierende Diode (3) auf, die zwischen das erste und das zweite Steuer-Pad geschaltet ist. Das erste Steuer-Pad des ersten Halbleiterchips (C1) ist mit einem ersten Steueranschluss (Tla) verbunden, das zweite Steuer-Pad des ersten Halbleiterchips (C1) und das erste Steuer-Pad des zweiten Halbleiterchips (C2) sind mit einem zweiten Steueranschluss (T1ak) verbunden, und das zweite Steuer-Pad des zweiten Halbleiterchips (C2) ist mit einem dritten Steueranschluss (T2k) verbunden.

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