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1. 发明申请

WO2008020403A2 METHOD FOR IMPROVING INTERFACE REACTIONS AT SEMICONDUCTOR SURFACES 审中-公开
标题翻译：用于改善半导体表面的界面反应的方法
公开(公告)号：WO2008020403A2
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：PCT/IB2007/053240
申请日：2007-08-14
申请人： MATTSON TECHNOLOGY, INC. , NENYEI, Zsolt , THEILER, Thomas , ROTERS, Georg , MEYER, Hans-Joachim
发明人： NENYEI, Zsolt , THEILER, Thomas , ROTERS, Georg , MEYER, Hans-Joachim
CPC分类号： H01L21/3185 , C23C8/02 , C23C8/24 , H01L21/28202 , H01L21/28282 , H01L21/3003 , H01L21/3144
摘要： The present invention describes a method for producing ultra-thin thermally stoichiometric or almost stoichiometric nitrides on semiconductor wafers. The method according to the invention includes the H+- or D+-passivation of the free semiconductor surface, followed by nitriding either in an RTP system, an oven or in plasma. Compounds containing deuterium are preferred in all of the method steps of the invention in order to passivate the interface layer between the silicon surface and the dielectric.
摘要翻译：本发明描述了一种在半导体晶片上制造超薄热化学计量或几乎化学计量的氮化物的方法。根据本发明的方法包括自由半导体表面的H +或D + - 钝化，然后在RTP系统，烘箱或等离子体中氮化。为了钝化硅表面和电介质之间的界面层，本发明的所有方法步骤都优选含有氘的化合物。

2. 发明申请

WO2010015385A1 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG DIELEKTRISCHER SCHICHTEN IM MIKROWELLENPLASMA 审中-公开
标题翻译：装置及方法微波等离子生成的电介质层
公开(公告)号：WO2010015385A1
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：PCT/EP2009/005644
申请日：2009-08-04
申请人： GSCHWANDTNER, Alexander , LERCH, Wilfried , NENYEI, Zsolt , THEILER, Thomas
发明人： LERCH, Wilfried , NENYEI, Zsolt , THEILER, Thomas
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/511
CPC分类号： H01J37/32211 , C23C8/36 , H01J37/32192 , H01J2237/2001
摘要： Vorrichtung zum Erzeugen eines Mikrowellenplasmas, sowie eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von Halbleitersubstraten mit einem Mikrowellenplasma, wobei die Mikrowellenplasmavorrichtung, wenigstens eine Elektrode (21, 22, 23) umfaßt, eine Elektrode (21, 22, 23) einen koaxialen Innenleiter (21) aus elektrisch leitendem Material, sowie einen diesen zumindest teilweise umgebenden und von ihm beabstandeten koaxialen Außenleiter (22) aus elektrisch leitendem Material aufweist, sowie eine Plasmazündvorrichtung (23), die mit dem koaxialen Innenleiter (21) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß der koaxiale Außenleiter (22) wenigstens einen ersten Teilbereich (31) aufweist, in welchem er den koaxialen Innenleiter (21) entlang dessen Längsachse vollständig umschließt, und wenigstens einen weiteren Teilbereich (32) aufweist, in welchem er den koaxialen Innenleiter (21) teilweise so umschließt, daß eine vom Mikrowellengenerator (20) erzeugte Mikrowellenstrahlung in dem wenigstens einen weiteren Teilbereich (32) im Wesentlichen senkrecht zur Längsachse des koaxialen Innenleiters (21) austreten kann.
摘要翻译：装置，用于产生微波等离子体，以及用于与微波等离子体，微波等离子体装置中，至少一个电极（21，22，23）的处理半导体基板的设备和方法，包括一个电极（21，22，23）具有同轴的内导体（21 ）导电材料，以及所述至少部分地包围和由导电材料的它同轴外导体（22），其具有，以及等离子体点火（23）（与同轴中心导体21）连接间隔开，其特征在于，所述同轴外导体（22）的至少第一部分（31），其中，它完全包围沿其纵向轴线同轴的内导体（21），和至少一个另外的部分区域（32），其中他的同轴内导体（21）部分地这样涵盖一个由微波发生器（20），以微波辐射在所生成的至少一个另外的部分区域（32）可以垂直于同轴内导体（21）的纵向轴线基本上出现。

3. 发明申请

WO2006015620A1 METHOD FOR THE THERMAL TREATMENT OF DISK-SHAPED SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：盘形基板热处理方法
公开(公告)号：WO2006015620A1
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：PCT/EP2004/012181
申请日：2004-10-28
申请人： MATTSON THERMAL PRODUCTS GMBH , NENYEI, Zsolt , FRIGGE, Steffen , SCHMID, Patrick , HÜLSMANN, Thorsten , THEILER, Thomas
发明人： NENYEI, Zsolt , FRIGGE, Steffen , SCHMID, Patrick , HÜLSMANN, Thorsten , THEILER, Thomas
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/324 , F27B5/04 , F27B17/0025 , H01L21/67115
摘要： For the purposes of reducing the number of particles on substrates and especially on semiconductor wafers which are being thermally treated, there is provided a method for the thermal treatment of the substrate in at least one process chamber, wherein the substrate is heated in a first process step to a temperature which is greater than that of the immediate environment whilst being kept static, and wherein the substrate continues to be heated in a second process step and is additionally set in motion. Furthermore, it is possible for a gas not to be introduced into the process chamber during the first process step, whereas a gas is introduced in the second process step.
摘要翻译：为了减少基板上，特别是在被热处理的半导体晶片上的颗粒数量，提供了一种用于在至少一个处理室中对基板进行热处理的方法，其中基板在第一工艺中被加热在保持静止的情况下步进到大于直接环境的温度，并且其中基板在第二工艺步骤中继续被加热并且另外设置成运动。此外，在第一工艺步骤期间，不能将气体引入处理室，而在第二工艺步骤中引入气体。

4. 发明申请

WO2006128018A2 DEVICE AND METHOD FOR THE REDUCTION OF PARTICLES IN THE THERMAL TREATMENT OF ROTATING SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：用于减少旋转基板热处理颗粒的装置和方法
公开(公告)号：WO2006128018A2
公开(公告)日：2006-11-30
申请号：PCT/US2006/020497
申请日：2006-05-25
申请人： MATTSON TECHNOLOGY, INC. , ASCHNER, Helmut , SCHMID, Patrick , THEILER, Thomas , HEUDORFER, Ottmar
发明人： ASCHNER, Helmut , SCHMID, Patrick , THEILER, Thomas , HEUDORFER, Ottmar
IPC分类号： A61B17/02
CPC分类号： H01L21/67115 , F27B5/04 , F27B17/0025 , F27D5/0037 , H01L21/324 , H01L21/6719 , H01L21/68792
摘要： A device and a method for reducing particle exposure to substrates during thermal treatment are disclosed. Semiconductor wafers may be rotated on a device within a process chamber divided into two partial chambers such that a first partial chamber contains the substrate to be thermally treated and a second partial chamber contains at least parts of the rotation device. Between the partial chambers, a flow of gas is set such that gas from the second partial chamber is substantially prevented from passing into the first partial chamber. In this way, particles which are produced by rotation abrasion in the second partial chamber are largely prevented from passing onto the substrate to be thermally treated. This device and this method are particularly advantageous if the rotation is realized by means of a gas drive, wherein the gas used for the rotation can be introduced directly into the second partial chamber.
摘要翻译：公开了一种用于在热处理期间减少颗粒暴露于基板的装置和方法。半导体晶片可以在分成两个部分室的处理室内的装置上旋转，使得第一部分室包含待热处理的基板，并且第二部分室至少包含旋转装置的一部分。在部分室之间，设置气流，使得基本上防止来自第二部分室的气体进入第一部分室。以这种方式，通过第二部分室中的旋转磨损产生的颗粒被大大地防止被传递到待热处理的基板上。如果通过气体驱动实现旋转，则该装置和该方法是特别有利的，其中用于旋转的气体可以直接引入第二部分室。

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