专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2002089190A2 VERFAHREN ZUR MINIMIERUNG DER WOLFRAMOXIDAUSDAMPFUNG BEI DER SELEKTIVEN SEITENWANDOXIDATION VON WOLFRAM-SILIZIUM-GATES 审中-公开
标题翻译：程序，以尽量减少WOLFRAMOXIDAUSDAMPFUNG钨硅门选择性侧壁氧化
公开(公告)号：WO2002089190A2
公开(公告)日：2002-11-07
申请号：PCT/DE2002/001321
申请日：2002-04-10
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , MATTSON THERMAL PRODUCTS GMBH , FRIGGE, Steffen , KEGEL, Wilhelm , SACHSE, Jens-Uwe , STADTMÜLLER, Michael , HAYN, Regina , ROTERS, Georg , SCHOER, Erwin , STORBECK, Olaf
发明人： FRIGGE, Steffen , KEGEL, Wilhelm , SACHSE, Jens-Uwe , STADTMÜLLER, Michael , HAYN, Regina , ROTERS, Georg , SCHOER, Erwin , STORBECK, Olaf
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/32105 , H01L21/28061
摘要： Bei der an sich bekannten selektiven Oxidation von Gatestrukturen, die eine polykristalline Siliziumschicht und eine Wolframschicht enthalten, wird die Wolframoxidausdampfung durch eine spezielle Prozessführung verhindert oder zumindest stark reduziert. Dabei wird vor und gegebenenfalls nach einem Behandlungsschritt mit einem Wasserstoff/Wasser-Gemisch die Gatestruktur mit einem Wasserstoff enthaltenden, nichtwäßrigen Inertgas beaufschlagt.
摘要翻译：在包括多晶硅层和钨层是通过特殊工艺控制防止Wolframoxidausdampfung栅极结构的已知的选择性氧化，或至少大大降低。与氢/水混合物中的处理步骤之后含有之前和任选该非水惰性气体，具有氢的栅极结构，采取行动。

2. 发明申请

WO2012042500A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR LASTSTABILISIERUNG 审中-公开
标题翻译：方法和装置用于稳定LAST
公开(公告)号：WO2012042500A1
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/IB2011/054301
申请日：2011-09-29
申请人： ROTH & RAU AG , FRIGGE, Steffen , MÜLLER, Robert , RUNGE, Markus , BUCHERT, Jens
发明人： FRIGGE, Steffen , MÜLLER, Robert , RUNGE, Markus , BUCHERT, Jens
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67253 , H01L21/67276 , H01L21/6776
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Kompensation von Substratbearbeitungsinhomogenitäten in einer Durchlauf-Substratbearbeitungs- anlage, bei welcher Substrate auf mehreren Spuren durch einen Anlageneingang in die Durchlauf-Substratbearbeitungsanlage eingeführt und entlang dieser Spur zur Substratbearbeitung durch die Durchlauf-Substratbearbeitungsanlage transportiert werden. Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Kompensation von Substratbearbeitungsinhomogenitäten in einer Durchlauf-Substratbear- beitungsanlage zur Verfügung zu stellen, mit welchen unabhängig vom Zeitpunkt der Substratbeladung, der Anzahl der in die Anlage eingeführten Substrate und der Beladung der einzelnen Spuren der Durchlauf-Substratbearbeitungsanlage gleiche Bearbeitungsergebnisse für alle Substrate erzielt werden können. Die Aufgabe wird durch ein Verfahren und eine Vorrichtung der oben genannten Gattung gelöst, wobei an dem Anlageneingang zeit- und ortsabhängig an jeder Spur jeweils gleichzeitig detektiert wird, ob und wie viele Substrate in die Durchlauf-Substratbearbeitungsanlage eingeführt werden, die Detektionsdaten an eine Anlagensteuerung übermittelt werden und die Anlagensteuerung aktuelle Prozessparameter der Durchlauf-Substratbearbeitungsanlage unmittelbar derart an die Detektionsdaten modellbasiert anpasst, dass für alle in der Durchlauf- Substratbearbeitungsanlage bearbeiteten Substrate gleiche Prozessbedingungen eingestellt werden.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在连续的衬底处理系统，其中，基板的多个通过中的吞吐量的基板处理系统的系统的输入引入的道中，且沿着这条轨道的基板处理由通基板处理系统被运送补偿Substratbearbeitungsinhomogenitäten的方法和装置。本发明的目的是提供一种方法和用于在连续Substratbear- beitungsanlageSubstratbearbeitungsinhomogenitäten的补偿设备，以提供，通过该无论基板加载的定时，在植物基板插入的数目和个体的装载的引线的基板处理系统同样的处理结果迹线可以用于所有的基材而获得。该目的通过一种方法和一种上述类型的装置，其中，时间至系统输入达到和是在同一时间在每种情况下在每道检测到的位置的功能，是否以及如何许多衬底被引入到流动的基板处理系统中，检测数据发送到系统控制器是和当前处理可以通过基板处理系统的系统控制参数适应这样的基于模型的直接的是，在通过基板处理系统的基板相同的工艺条件进行调整工作对于所有的检测数据。

3. 发明申请

WO2004023529A2 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM THERMISCHEN BEHANDELN VON HALBLEITERWAFERN 审中-公开
标题翻译：用于热处理半导体晶片的装置和方法
公开(公告)号：WO2004023529A2
公开(公告)日：2004-03-18
申请号：PCT/EP2003/008220
申请日：2003-07-25
申请人： MATTSON THERMAL PRODUCTS GMBH , INFINEON TECHNOLOGIES AG , ROTERS, Georg , FRIGGE, Steffen , TAY, Sing, Pin , HU, Yao, Zhi , HAYN, Regina , SACHSE, Jens-Uwe , SCHOER, Erwin , KEGEL, Wilhelm
发明人： ROTERS, Georg , FRIGGE, Steffen , TAY, Sing, Pin , HU, Yao, Zhi , HAYN, Regina , SACHSE, Jens-Uwe , SCHOER, Erwin , KEGEL, Wilhelm
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/28247 , H01L21/32105
摘要： Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Halbleiterwafern mit wenigstens einer zu oxidierenden Siliziumschicht und einer nicht zu oxidierenden Metallschicht, vorzugsweise einer Wolframschicht, wobei die Vorrichtung folgendes aufweist: wenigstens eine Strahlungsquelle; eine das Substrat aufnehmende Behandlungskammer, mit wenigstens einem benachbart zu den Strahlungsquellen liegenden Wandteil, der für die Strahlung der Strahlungsquelle im wesentlichen durchsichtig ist; und wenigstens eine Abdeckplatte zwischen dem Substrat und dem benachbart zu den Strahlungsquellen liegenden durchsichtigen Wandteil der Behandlungskammer, wobei die Abdeckplatte so bemessen ist, dass sie den durchsichtigen Wandteil der Behandlungskammer vollständig gegenüber dem Substrat abdeckt, um zu verhindern, dass von dem Substrat sich abscheidendes bzw. abdampfendes Material, welches ein Metall, ein Metalloxid oder ein Metallhydroxid umfasst, wie Wolfram, Wolframoxid oder Wolframhydroxid, auf den durchsichtigen Wandteil der Behandlungskammer gelangt.
摘要翻译：
具有至少一个氧化硅层和非氧化金属层，优选地钨层，所述设备包括用于半导体晶片的热处理的装置：至少一个辐射源; 接收所述基板的处理室，所述处理室具有与所述辐射源相邻的至少一个壁部分，所述壁部分对所述辐射源的辐射基本上是透明的; 和BEAR衬底和位于邻近所述处理室，所述辐射源透明壁部分之间的至少一个盖板，其中所述盖板的尺寸使得它完全在处理室的透明壁部分;不断对导航用途覆盖基板从防止过到沉积在衬底和蒸发材料包括金属，金属氧化物或金属氢氧化物，如钨，钨氧化物或氢氧化物钨，到达处理室的透明壁的一部分。

4. 发明申请

WO2012073196A1 TRANSPORTROLLE 审中-公开
标题翻译：进纸辊
公开(公告)号：WO2012073196A1
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：PCT/IB2011/055375
申请日：2011-11-30
申请人： ROTH & RAU AG , MEYER, Mirko , FRIGGE, Steffen , STAUDE, Mirko
发明人： MEYER, Mirko , FRIGGE, Steffen , STAUDE, Mirko
IPC分类号： H01L21/677 , B65G39/02
CPC分类号： B65G39/02 , H01L21/67706
摘要： Die Erfindung betrifft eine Transportrolle eines Rollentransportsystems für den Transport von wenigstens einem flächigen Siliziumsubstrat durch eine temperierte Prozesskammer einer Photovoltaik-Substratbearbeitungsanlage, in welcher das Siliziumsubstrat während seines Durchlaufs durch die Prozesskammer bearbeitet wird. Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine in der Photovoltaik-Industrie zum Transport von Siliziumsubstraten geeignete Transportrolle aufzuzeigen, bei der ein sicherer Transport der Siliziumsubstrate in einer gewünschten Transportrichtung erfolgt, bei der ein Abrieb von den Siliziumsubstraten durch Reibung an der Transportrolle vermieden bzw. auf ein unkritisches Maß reduziert wird und die für den Einsatz bei hohen Temperaturen geeignet ist. Die Aufgabe wird durch eine Transportrolle der genannten Gattung gelöst, wobei die Transportrolle unter Ausbildung wenigstens eines einstückig mit der Transportrolle ausgebildeten Substratführungsbereiches profiliert ist, wobei der wenigstens eine Substratführungsbereich seitliche Endbereiche aufweist, auf welchen das Siliziumsubstrat aufliegt und welche einen größeren Durchmesser als die zwischen den Endbereichen liegenden Zwischenbereiche des Substratführungsbereiches aufweisen, sodass ein Kontakt der Auflageseite des Siliziumsubstrates mit der Transportrolle in diesem Zwischenbereich verhindert oder minimiert wird, ohne dass die Transportrolle hierfür eine Unterbrechung aufweist.
摘要翻译：本发明涉及一种辊子传送系统的输送辊通过在该硅衬底在其光伏基板处理系统的通道期间，通过处理腔室中处理的温度受控处理室输送至少一个平面的硅衬底。本发明的目的，在光伏产业硅衬底的传输合适的输送辊，其中硅衬底的安全运输发生在期望的输送方向上突出，其中，由摩擦硅衬底的避免磨损抵靠输送辊和减小到一个非临界水平和其适合于在高温下使用。该目的通过上述类型的输送辊，其特征在于，所述输送辊成型为形成至少一个与所述传送辊基板引导部一体地形成，实现，其中在其上的硅衬底放置，并且所述至少一个衬底引导部侧的端部，其具有比之间有较大的直径从而防止硅衬底的支撑侧的接触与传送辊在该中间区域或最小化而不会在输送辊具有位于该基片引导部的中间区域的端部具有用于此目的的中断。

5. 发明申请

WO2006015620A1 METHOD FOR THE THERMAL TREATMENT OF DISK-SHAPED SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：盘形基板热处理方法
公开(公告)号：WO2006015620A1
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：PCT/EP2004/012181
申请日：2004-10-28
申请人： MATTSON THERMAL PRODUCTS GMBH , NENYEI, Zsolt , FRIGGE, Steffen , SCHMID, Patrick , HÜLSMANN, Thorsten , THEILER, Thomas
发明人： NENYEI, Zsolt , FRIGGE, Steffen , SCHMID, Patrick , HÜLSMANN, Thorsten , THEILER, Thomas
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/324 , F27B5/04 , F27B17/0025 , H01L21/67115
摘要： For the purposes of reducing the number of particles on substrates and especially on semiconductor wafers which are being thermally treated, there is provided a method for the thermal treatment of the substrate in at least one process chamber, wherein the substrate is heated in a first process step to a temperature which is greater than that of the immediate environment whilst being kept static, and wherein the substrate continues to be heated in a second process step and is additionally set in motion. Furthermore, it is possible for a gas not to be introduced into the process chamber during the first process step, whereas a gas is introduced in the second process step.
摘要翻译：为了减少基板上，特别是在被热处理的半导体晶片上的颗粒数量，提供了一种用于在至少一个处理室中对基板进行热处理的方法，其中基板在第一工艺中被加热在保持静止的情况下步进到大于直接环境的温度，并且其中基板在第二工艺步骤中继续被加热并且另外设置成运动。此外，在第一工艺步骤期间，不能将气体引入处理室，而在第二工艺步骤中引入气体。

6. 发明申请

WO2004023529A3 DEVICE AND METHOD FOR THERMALLY TREATING SEMICONDUCTOR WAFERS 审中-公开
标题翻译：装置和方法用于半导体晶片进行热处理
公开(公告)号：WO2004023529A3
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/EP0308220
申请日：2003-07-25
申请人： MATTSON THERMAL PRODUCTS GMBH , INFINEON TECHNOLOGIES AG , ROTERS GEORG , FRIGGE STEFFEN , TAY SING PIN , HU YAO ZHI , HAYN REGINA , SACHSE JENS-UWE , SCHOER ERWIN , KEGEL WILHELM
发明人： ROTERS GEORG , FRIGGE STEFFEN , TAY SING PIN , HU YAO ZHI , HAYN REGINA , SACHSE JENS-UWE , SCHOER ERWIN , KEGEL WILHELM
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/28 , H01L21/321
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/28247 , H01L21/32105
摘要： A device for thermally treating semiconductor wafers having at least one silicon layer to be oxidized and a metal layer, preferably a tungsten layer, which is not to be oxidized. The inventive device comprises the following: at least one radiation source; a treatment chamber receiving the substrate, with at least one wall part located adjacent to the radiation sources and which is substantially transparent for the radiation of said radiation source; and at least one cover plate between the substrate and the wall part of the treatment chamber located adjacent to the radiation sources, the dimensions of said cover plate being selected such that it fully covers the transparent wall part of the treatment chamber in relation to the substrate in order to prevent tungsten evaporating from said substrate from becoming deposited on the transparent wall part of the treatment chamber.
摘要翻译：本发明涉及一种用于半导体晶片的具有至少一个氧化硅层和非氧化钨层，所述设备包括热处理的装置：至少一个辐射源; 基板接收处理室，与至少一个位于相邻的是透明的基本上辐射源的辐射的辐射源壁部; 和基板之间并位于邻近所述处理室的辐射源透明壁部分，其中所述盖板的尺寸使得它从衬底完全覆盖处理室的透明壁部分的至少一个覆盖板，以从衬底防止蒸发钨上进入处理室的透明壁的一部分。

7. 发明申请

WO02089190A3 METHOD FOR MINIMIZING TUNGSTEN OXIDE EVAPORATION DURING SELECTIVE SIDEWALL OXIDATION OF TUNGSTEN-SILICON GATES 审中-公开
标题翻译：程序，以尽量减少WOLFRAMOXIDAUSDAMPFUNG钨硅门选择性侧壁氧化
公开(公告)号：WO02089190A3
公开(公告)日：2003-01-09
申请号：PCT/DE0201321
申请日：2002-04-10
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , MATTSON THERMAL PRODUCTS GMBH , FRIGGE STEFFEN , KEGEL WILHELM , SACHSE JENS-UWE , STADTMUELLER MICHAEL , HAYN REGINA , ROTERS GEORG , SCHOER ERWIN , STORBECK OLAF
发明人： FRIGGE STEFFEN , KEGEL WILHELM , SACHSE JENS-UWE , STADTMUELLER MICHAEL , HAYN REGINA , ROTERS GEORG , SCHOER ERWIN , STORBECK OLAF
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/321 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/32105 , H01L21/28061
摘要： In selective oxidation of gate structures known per se, which contain a polycrystalline silicon layer and a tungsten layer, tungsten oxide evaporation is prevented or at least substantially reduced by means of a special process control, whereby the gate structure is exposed to a non-aqueous inert gas containing hydrogen before and optionally after a treatment step with a hydrogen/water mixture.
摘要翻译：在包括多晶硅层和钨层是通过特殊工艺控制防止Wolframoxidausdampfung栅极结构的已知的选择性氧化，或至少大大降低。与氢/水混合物中的处理步骤之后含有之前和任选该非水惰性气体，具有氢的栅极结构，采取行动。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式