专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

US08524426B2 Method of manufacturing a photomask 有权
标题翻译：制造光掩模的方法
公开(公告)号：US08524426B2
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：US13458722
申请日：2012-04-27
申请人： Jin Choi , Dong-Seok Nam
发明人： Jin Choi , Dong-Seok Nam
IPC分类号： G03F9/00
CPC分类号： G03F9/7049 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F9/7003 , G03F9/7011 , G03F9/7019 , G03F9/7088 , H01J37/3045 , H01J37/3174 , H01J2237/2482 , H01J2237/30438 , Y10S430/146
摘要： A method for correcting a position error of a lithography apparatus comprises inputting position data of exposure pattern, irradiating laser light onto a position reference mask from a position measurement laser system, calculating actual position data of the laser light irradiated onto the position reference mask, and comparing the position data of the exposure pattern with the actual position data of the laser light irradiated onto the position reference mask. With this method, circuit patterns can be accurately formed at predetermined positions on a photomask, and the circuit patterns on the photomask can be accurately formed at predetermined positions on a wafer.
摘要翻译：一种用于校正光刻设备的位置误差的方法，包括：输入曝光图案的位置数据，从位置测量激光系统将激光照射到位置参考掩模上，计算照射到位置参考掩模上的激光的实际位置数据，以及将曝光图案的位置数据与照射到位置参考掩模上的激光的实际位置数据进行比较。利用该方法，可以在光掩模上的预定位置精确地形成电路图案，并且可以在晶片上的预定位置精确地形成光掩模上的电路图案。

2. 发明申请

US20100209831A1 Method for correcting a position error of lithography apparatus 有权
标题翻译：用于校正光刻设备的位置误差的方法
公开(公告)号：US20100209831A1
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：US12656817
申请日：2010-02-17
申请人： Jin Choi , Dong-Seok Nam
发明人： Jin Choi , Dong-Seok Nam
IPC分类号： G03F7/20 , G01B11/14 , G03B27/32
CPC分类号： G03F9/7049 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F9/7003 , G03F9/7011 , G03F9/7019 , G03F9/7088 , H01J37/3045 , H01J37/3174 , H01J2237/2482 , H01J2237/30438 , Y10S430/146
摘要： A method for correcting a position error of a lithography apparatus comprises inputting position data of exposure pattern, irradiating laser light onto a position reference mask from a position measurement laser system, calculating actual position data of the laser light irradiated onto the position reference mask, and comparing the position data of the exposure pattern with the actual position data of the laser light irradiated onto the position reference mask. With this method, circuit patterns can be accurately formed at predetermined positions on a photomask, and the circuit patterns on the photomask can be accurately formed at predetermined positions on a wafer.
摘要翻译：一种用于校正光刻设备的位置误差的方法，包括：输入曝光图案的位置数据，从位置测量激光系统将激光照射到位置参考掩模上，计算照射到位置参考掩模上的激光的实际位置数据，以及将曝光图案的位置数据与照射到位置参考掩模上的激光的实际位置数据进行比较。利用该方法，可以在光掩模上的预定位置精确地形成电路图案，并且可以在晶片上的预定位置精确地形成光掩模上的电路图案。

3. 发明授权

US08187778B2 Method for correcting a position error of lithography apparatus 有权
标题翻译：用于校正光刻设备的位置误差的方法
公开(公告)号：US08187778B2
公开(公告)日：2012-05-29
申请号：US12656817
申请日：2010-02-17
申请人： Jin Choi , Dong-Seok Nam
发明人： Jin Choi , Dong-Seok Nam
IPC分类号： G03F9/00
CPC分类号： G03F9/7049 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F9/7003 , G03F9/7011 , G03F9/7019 , G03F9/7088 , H01J37/3045 , H01J37/3174 , H01J2237/2482 , H01J2237/30438 , Y10S430/146
摘要： A method for correcting a position error of a lithography apparatus comprises inputting position data of exposure pattern, irradiating laser light onto a position reference mask from a position measurement laser system, calculating actual position data of the laser light irradiated onto the position reference mask, and comparing the position data of the exposure pattern with the actual position data of the laser light irradiated onto the position reference mask. With this method, circuit patterns can be accurately formed at predetermined positions on a photomask, and the circuit patterns on the photomask can be accurately formed at predetermined positions on a wafer.
摘要翻译：一种用于校正光刻设备的位置误差的方法，包括：输入曝光图案的位置数据，从位置测量激光系统将激光照射到位置参考掩模上，计算照射到位置参考掩模上的激光的实际位置数据，以及将曝光图案的位置数据与照射到位置参考掩模上的激光的实际位置数据进行比较。利用该方法，可以在光掩模上的预定位置精确地形成电路图案，并且可以在晶片上的预定位置精确地形成光掩模上的电路图案。

4. 发明授权

US08361679B2 Phase shift masks 有权
标题翻译：相移掩模
公开(公告)号：US08361679B2
公开(公告)日：2013-01-29
申请号：US12900691
申请日：2010-10-08
申请人： Se-Gun Moon , Dong-Seok Nam , Hoon Kim
发明人： Se-Gun Moon , Dong-Seok Nam , Hoon Kim
IPC分类号： G03F1/26
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/54 , G03F1/82
摘要： A phase shift mask having a first region and a second region in a transverse direction includes a transparent layer, a phase shift pattern disposed in the first region, a transmittance control layer pattern disposed in the second region, and a shading layer pattern disposed on the transmittance control layer pattern. The phase shift pattern has a first pattern including a transparent material and a second pattern including metal. The phase shift mask may prevent haze effects through a cleaning process using an alkaline cleaning solution.
摘要翻译：具有第一区域和第二区域的相移掩模包括透明层，设置在第一区域中的相移图案，设置在第二区域中的透射率控制层图案，以及设置在第二区域上的遮光层图案透光控制层图案。相移图案具有包括透明材料的第一图案和包括金属的第二图案。相移掩模可以通过使用碱性清洁溶液的清洁过程来防止雾度效应。

5. 发明授权

US06723607B2 Method of forming fine patterns of semiconductor device 有权
标题翻译：形成半导体器件精细图案的方法
公开(公告)号：US06723607B2
公开(公告)日：2004-04-20
申请号：US10440104
申请日：2003-05-19
申请人： Dong-Seok Nam , Ji-Soo Kim
发明人： Dong-Seok Nam , Ji-Soo Kim
IPC分类号： H01L218234
CPC分类号： H01L21/0337 , H01L21/2815 , H01L21/32139
摘要： In the method of forming fine patterns of a semiconductor integrated circuit, a mask layer is formed over a semiconductor structure having a first region and a second region. A portion of the mask layer over the first region is removed to expose the semiconductor structure, and sacrificial layer patterns are formed over the exposed semiconductor structure. Then, spacers are formed on sidewalls of the sacrificial layer patterns and the mask layer, and portions of the spacers are removed to create fine mask patterns. The semiconductor structure is then patterned using the fine mask patterns to create fine patterns.
摘要翻译：在形成半导体集成电路的精细图案的方法中，在具有第一区域和第二区域的半导体结构上形成掩模层。去除第一区域上的掩模层的一部分以暴露半导体结构，并且在暴露的半导体结构上形成牺牲层图案。然后，在牺牲层图案和掩模层的侧壁上形成间隔物，并且去除间隔物的部分以产生精细的掩模图案。然后使用精细掩模图案对半导体结构进行构图以产生精细图案。

6. 发明申请

US20110104591A1 Methods of Fabricating Halftone Phase Shift Blank Photomasks and Halftone Phase Shift Photomasks 有权
标题翻译：制造半色调相移空白光掩模和半色调相移光掩模的方法
公开(公告)号：US20110104591A1
公开(公告)日：2011-05-05
申请号：US12909395
申请日：2010-10-21
申请人： Il-Yong Jang , Hoon Kim , Hye-Kyoung Lee , Sang-Gyun Woo , Dong-Seok Nam
发明人： Il-Yong Jang , Hoon Kim , Hye-Kyoung Lee , Sang-Gyun Woo , Dong-Seok Nam
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/32
摘要： Halftone phase shift photomasks are provided including a substrate configured to transmit light; a shift pattern on the substrate, the shift pattern including a pattern area on a center portion of the substrate and a blind area disposed on a periphery of the substrate, the shift pattern of the blind area having a greater thickness than a thickness that of the pattern area, and being configured to partially transmit the light; and a light shielding pattern formed on the shift pattern in the blind area and being configured to shield the light. Related methods are also provided herein.
摘要翻译：提供了半色调相移光掩模，其包括被配置为透射光的基板; 基板上的移动图案，包括基板的中心部分上的图案区域和设置在基板的周边上的盲区的移动图案，盲区的移位图案的厚度大于基板的厚度图案区域，并且被配置为部分地透射光; 以及遮光图案，其形成在所述遮光区域中的所述移动图案上，并且被构造成屏蔽所述光。本文还提供了相关方法。

7. 发明申请

US20090239158A1 Method of maintaining mask for semiconductor process 审中-公开
标题翻译：保持半导体工艺掩模的方法
公开(公告)号：US20090239158A1
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：US12382782
申请日：2009-03-24
申请人： Sang-Gyun Woo , Dong-Hun Lee , Dong-Seok Nam , Hyung-Ho Ko , Seong-Yoon Kim
发明人： Sang-Gyun Woo , Dong-Hun Lee , Dong-Seok Nam , Hyung-Ho Ko , Seong-Yoon Kim
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F1/82 , G03F1/64
摘要： A method of maintaining a mask for a semiconductor process, the method includes providing a first structure and a second structure being attached to each other via a thermosetting material, detaching the first and second structures from each other, and performing an ashing process on the first structure.
摘要翻译：一种保持用于半导体工艺的掩模的方法，所述方法包括提供通过热固性材料彼此附接的第一结构和第二结构，将第一和第二结构彼此分离，并且在第一结构和第二结构上执行灰化处理结构体。

8. 发明申请

US20050105072A1 Optical system for providing a hexapole illumination and method of forming a photoresist pattern on a substrate using the same 有权
标题翻译：用于提供六极照明的光学系统和使用其形成光致抗蚀剂图案的方法
公开(公告)号：US20050105072A1
公开(公告)日：2005-05-19
申请号：US10867469
申请日：2004-06-14
申请人： Dong-Seok Nam , Chan Hwang , Young-Seog Kang
发明人： Dong-Seok Nam , Chan Hwang , Young-Seog Kang
IPC分类号： G03B27/42 , G03C5/00 , G03F7/20 , G03F9/00
CPC分类号： G03F7/70108 , G03B27/42
摘要： In an optical system for forming a photoresist pattern on a substrate, an optical element such as a holographic optical element and an aperture plate provides an off-axis illumination beam having a hexapole. The photoresist pattern is formed to form structures such as contact pads, and includes first holes and second holes repeatedly arranged on the substrate. The hexapole includes four first poles symmetrically disposed with respect to an x-axis and a y-axis, and two second poles disposed in the x-axis so as to be symmetric with respect to the y-axis. The off-axis illumination beam may improve a resolution of the photoresist pattern and a depth of focus (DOF) of a light beam to be projected onto the substrate.
摘要翻译：在用于在基板上形成光致抗蚀剂图案的光学系统中，诸如全息光学元件和孔板的光学元件提供具有六极的离轴照明光束。形成光致抗蚀剂图案以形成诸如接触焊盘的结构，并且包括重复地布置在基板上的第一孔和第二孔。六极包括相对于x轴和y轴对称设置的四个第一极和设置在x轴上以相对于y轴对称的两个第二极。离轴照明光束可以提高光致抗蚀剂图案的分辨率和要投影到基板上的光束的焦深（DOF）。

9. 发明授权

US08329363B2 Methods of fabricating halftone phase shift blank photomasks and halftone phase shift photomasks 有权
标题翻译：制造半色调相移空白光掩模和半色调相移光掩模的方法
公开(公告)号：US08329363B2
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：US12909395
申请日：2010-10-21
申请人： Il-Yong Jang , Hoon Kim , Hye-Kyoung Lee , Sang-Gyun Woo , Dong-Seok Nam
发明人： Il-Yong Jang , Hoon Kim , Hye-Kyoung Lee , Sang-Gyun Woo , Dong-Seok Nam
IPC分类号： G03F1/32
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/32
摘要： Halftone phase shift photomasks are provided including a substrate configured to transmit light; a shift pattern on the substrate, the shift pattern including a pattern area on a center portion of the substrate and a blind area disposed on a periphery of the substrate, the shift pattern of the blind area having a greater thickness than a thickness that of the pattern area, and being configured to partially transmit the light; and a light shielding pattern formed on the shift pattern in the blind area and being configured to shield the light. Related methods are also provided herein.
摘要翻译：提供了半色调相移光掩模，其包括被配置为透射光的基板; 基板上的移动图案，包括基板的中心部分上的图案区域和设置在基板的周边上的盲区的移动图案，盲区的移位图案的厚度大于基板的厚度图案区域，并且被配置为部分地透射光; 以及遮光图案，其形成在所述遮光区域中的所述移动图案上，并且被构造成屏蔽所述光。本文还提供了相关方法。

10. 发明申请

US20110086296A1 PHASE SHIFT MASKS 有权
标题翻译：相位移屏蔽
公开(公告)号：US20110086296A1
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：US12900691
申请日：2010-10-08
申请人： Se-Gun Moon , Dong-Seok Nam , Hoon Kim
发明人： Se-Gun Moon , Dong-Seok Nam , Hoon Kim
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/54 , G03F1/82
摘要： A phase shift mask having a first region and a second region in a transverse direction includes a transparent layer, a phase shift pattern disposed in the first region, a transmittance control layer pattern disposed in the second region, and a shading layer pattern disposed on the transmittance control layer pattern. The phase shift pattern has a first pattern including a transparent material and a second pattern including metal. The phase shift mask may prevent haze effects through a cleaning process using an alkaline cleaning solution.
摘要翻译：具有第一区域和第二区域的相移掩模包括透明层，设置在第一区域中的相移图案，设置在第二区域中的透射率控制层图案，以及设置在第二区域上的遮光层图案透光控制层图案。相移图案具有包括透明材料的第一图案和包括金属的第二图案。相移掩模可以通过使用碱性清洁溶液的清洁过程来防止雾度效应。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式