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1. 发明专利

JP6512994B2 化学増幅型レジスト材料有权
公开(公告)号：JP6512994B2
公开(公告)日：2019-05-15
申请号：JP2015163254
申请日：2015-08-20
申请人：国立大学法人大阪大学 , 東京エレクトロン株式会社 , JSR株式会社
发明人：中川恭志 , 成岡岳彦 , 永井智樹 , 田川精一 , 大島明博 , 永原誠司
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/38 , G03F7/20 , G03F7/004

2. 发明专利

JP6809843B2 パターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6809843B2
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：JP2016160898
申请日：2016-08-18
申请人：国立大学法人大阪大学 , 東京エレクトロン株式会社 , JSR株式会社
发明人：中川恭志 , 成岡岳彦 , 永井智樹 , 田川精一 , 大島明博 , 永原誠司
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/039 , G03F7/004 , G03F7/26 , G03F7/20 , G03F7/38

3. 发明专利

JP2019168475A 化学増幅型レジスト材料及びレジストパターン形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019168475A
公开(公告)日：2019-10-03
申请号：JP2016156024
申请日：2016-08-08
申请人： JSR株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 東京エレクトロン株式会社
发明人：中川恭志 , 成岡岳彦 , 永井智樹 , 田川精一 , 大島明博 , 永原誠司
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/38 , C09K3/00 , G03F7/20 , G03F7/004
摘要：【課題】高い感度及び優れたリソグラフィ性能を得ることが可能な化学増幅型レジスト材料及びこの化学増幅型レジスト材料を用いたレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】本発明に係る化学増幅型レジスト材料は、(1)酸の作用により現像液に可溶又は不溶となる重合体成分と、(2)露光により感放射線性増感体及び酸を発生する成分と、(3)上記(2)成分が発生する酸に対して相対的に塩基性を有する成分とを含み、上記(2)成分が、下記(a)成分、下記(a)〜(c)成分中の任意の2つの成分、又は下記(a)〜(c)成分の全てを含有し、上記(a)成分又は(c)成分が、感放射線性酸発生基を有する第1化合物を有し、上記(3)成分が、下記(d)成分である第2化合物を含有する。 (a)感放射線性酸−増感体発生剤 (b)感放射線性増感体発生剤 (c)感放射線性酸発生剤 (d)感放射線性光崩壊性塩基【選択図】なし

4. 发明专利

JP6774814B2 化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6774814B2
公开(公告)日：2020-10-28
申请号：JP2016159765
申请日：2016-08-16
申请人：国立大学法人大阪大学 , 東京エレクトロン株式会社 , JSR株式会社
发明人：中川恭志 , 成岡岳彦 , 永井智樹 , 田川精一 , 大島明博 , 永原誠司
IPC分类号： G03F7/38 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20 , C09K3/00 , C07D493/08 , C07D317/06 , C07D493/10 , C07D335/16 , G03F7/004

5. 发明专利

JP2017040918A パターン形成方法审中-公开
标题翻译：的图案形成方法
公开(公告)号：JP2017040918A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2016160898
申请日：2016-08-18
申请人：国立大学法人大阪大学 , 東京エレクトロン株式会社
发明人：中川恭志 , 成岡岳彦 , 永井智樹 , 田川精一 , 大島明博 , 永原誠司
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/039 , G03F7/004 , G03F7/26 , G03F7/20 , G03F7/38
CPC分类号： G03F7/2022 , G03F7/0397 , G03F7/162 , G03F7/2032 , G03F7/30 , G03F7/322 , G03F7/38
摘要：【課題】EUV光等の電離放射線等を利用したパターン形成技術の実用化に有用なパターン形成方法を提供する。【解決手段】本発明のパターン形成方法は、基板上に形成された反射膜上にレジスト材料を用いてレジスト材料膜を形成する膜形成工程と、レジスト材料膜の所定の箇所に電離放射線又は非電離放射線を照射するパターン露光工程と、上記レジスト材料膜に非電離放射線を照射する一括露光工程と、上記レジスト材料膜を加熱するベーク工程と、レジストパターンを形成する現像工程とを備え、一括露光工程で照射する非電離放射線における上記反射防止膜の消衰係数が0.1以上であり、上記レジスト材料が、(1)酸の作用により現像液に可溶又は不溶となるベース成分と(2)露光により感放射線性増感体及び酸を発生する成分とを含み、上記(2)成分が、(a)成分、(a)〜(c)成分中の任意の2つの成分、又は(a)〜(c)成分の全てを含有する。【選択図】図1
摘要翻译：提供有用的图案形成方法，实际使用的利用电离辐射的图案化技术，例如EUV光或类似物。本发明的一种图案形成方法，成膜形成使用形成在衬底上的反射膜的抗蚀剂材料的抗蚀剂材料的膜的步骤中，在预定位置处的抗蚀剂的电离辐射或非材料膜包括照射电离放射线，照射非电离辐射在抗蚀剂材料的膜，加热该抗蚀材料膜的烘烤工序，的全面曝光步骤的图案曝光工序和形成上述抗蚀剂图案的显影步骤中，拍摄的曝光和在非电离辐射的防反射膜的消光系数在上述步骤0.1被照射时，抗蚀剂材料（1）由酸和碱成分的作用的水溶性或显影剂变得不溶于（2）曝光和由上述（2）成分，（a）成分，产生一辐射敏感的敏化剂和酸的成分的（a）〜（c）中所述的部件，或任意两个组分（a）〜（c）含所有组件。点域1

6. 发明专利

JP2017040916A 化学増幅型レジスト材料、パターン形成方法、化合物及び化合物の製造方法审中-公开
标题翻译：化学放大的抗蚀剂材料，图案形成方法，化合物和化合物的制造方法
公开(公告)号：JP2017040916A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2016159765
申请日：2016-08-16
申请人：国立大学法人大阪大学 , 東京エレクトロン株式会社
发明人：中川恭志 , 成岡岳彦 , 永井智樹 , 田川精一 , 大島明博 , 永原誠司
IPC分类号： G03F7/38 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20 , C09K3/00 , C07D493/08 , C07D317/06 , C07D493/10 , C07D335/16 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/203 , C07C43/164 , C07C45/515 , C07C45/59 , C07D317/22 , C07D317/72 , C07D335/16 , C07D493/10 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/2022 , G03F7/322 , G03F7/38
摘要：【課題】EUV光等の電離放射線等を利用したパターン形成技術の実用化に有用な化学増幅型レジスト材料を提供する。【解決手段】レジスト材料膜の所定の箇所に電離放射線又は非電離放射線を照射するパターン露光工程と、上記レジスト材料膜に非電離放射線を照射する一括露光工程と、上記レジスト材料膜を加熱するベーク工程と、レジストパターンを形成する現像工程とを備えるプロセスにおいて使用される化学増幅型レジスト材料であって、(1)ベース成分と(2)露光により感放射線性増感体及び酸を発生する成分とを含み、上記(2)成分は、(a)感放射線性酸−増感体発生剤、(b)感放射線性増感体発生剤、及び(c)感放射線性酸発生剤のうち、(a)成分及び(b)成分、(b)成分及び(c)成分又は(a)〜(c)成分の全てを含有し(b)成分が式(A)で表される化合物を含む。【選択図】なし
摘要翻译：提供一种有用的化学放大型抗蚀剂材料图案化实际使用电离辐射如EUV光等技术。照射电离辐射或非电离辐射在抗蚀剂材料的膜，照射非电离辐射在抗蚀剂材料的膜，加热该抗蚀材料膜的烘焙分批曝光步骤的预定位置的A和图案曝光步骤的步骤，化学放大抗蚀剂的方法中使用的材料和形成抗蚀图案的显影工序，（1）的基体组分和（2）成分产生的在暴露的辐射敏感的敏化剂和酸其中，所述门（2）组分，（a）一种对辐射敏感的酸 - 敏化剂发生器，（b）该对辐射敏感的酸产生剂的辐射敏感的敏化剂发生器，和（c），（a）组分和组分（b）包括含有所有组分的组分（b）和（c）成分或（A）〜（C）表示的化合物（b）成分具有式（a）中。系统技术领域

7. 发明专利

JP2017040833A 化学増幅型レジスト材料有权
标题翻译：化学放大抗蚀材料
公开(公告)号：JP2017040833A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015163254
申请日：2015-08-20
申请人：国立大学法人大阪大学 , 東京エレクトロン株式会社
发明人：中川恭志 , 成岡岳彦 , 永井智樹 , 田川精一 , 大島明博 , 永原誠司
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/38 , G03F7/20 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/203 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2022 , G03F7/322 , G03F7/38
摘要：【課題】EUV光等の電離放射線等を利用したパターン形成技術の実用化に有用な化学増幅型レジスト材料の提供。【解決手段】レジスト材料膜の所定の箇所に電離放射線又は非電離放射線である第一の放射線を照射するパターン露光工程と、上記レジスト材料膜に非電離放射線である第二の放射線を照射する一括露光工程と、上記レジスト材料膜を加熱するベーク工程と、レジストパターンを形成する現像工程とを備えるプロセスにおいて使用される化学増幅型レジスト材料であって、(1)酸の作用により現像液に可溶又は不溶となるベース成分と(2)露光により感放射線性増感体及び酸を発生する成分とを含み、上記(2)成分が、(a)成分、(a)〜(c)成分中の任意の2つの成分、又は(a)〜(c)成分の全てを含有し、上記(2)成分から発生する酸のファンデルワールス体積が、3.0×10 −28 m 3 以上である化学増幅型レジスト材料。【選択図】なし
摘要翻译：提供一种有用的化学放大型抗蚀剂材料图案化实际使用电离辐射如EUV光等技术。在预定的点A照射所述第一辐射的图案曝光工序的抗蚀剂材料的膜的电离辐射或非电离辐射，散装照射第二辐射是非电离辐射，以该抗蚀剂材料的膜曝光工序中，加热该抗蚀材料膜，的烘烤步骤的化学放大抗蚀剂的方法中使用的材料和形成由（1）酸的作用抗蚀剂图案，可溶于显影剂的显影步骤可溶的或包括由基体组分和（2）使所述不溶性，（2）成分，（a）成分产生辐射敏感的敏化剂和酸的成分中，（a）〜（c）成分的任何两个部件，或（a）包含所有〜（c）成分，从组件产生的酸的范德华体积（2）是一种化学放大型抗蚀剂是3.0×10-28m3以上材料。系统技术领域

8. 发明申请

WO2008149701A1 感放射線性樹脂組成物审中-公开
标题翻译：辐射敏感性树脂组合物
公开(公告)号：WO2008149701A1
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/JP2008/059625
申请日：2008-05-26
申请人： JSR株式会社 , 榊原宏和 , 志水誠 , 成岡岳彦 , 永井智樹 , 大泉芳史
发明人：榊原宏和 , 志水誠 , 成岡岳彦 , 永井智樹 , 大泉芳史
IPC分类号： G03F7/039 , C08F220/28 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/18 , C08F220/30 , C08F2220/1808 , G03F7/0045 , G03F7/0392
摘要：感度に優れると共に、ＭＥＥＦを良好に維持することができる。下記式（１－１）で示される繰り返し単位および下記式（１－２）で示される繰り返し単位からなる樹脂（Ａ１）と、感放射線性酸発生剤（Ｂ）とを含有するマスクエラーファクターを小さくできる感放射線性樹脂組成物。　Ｒ 1 、Ｒ 2 、Ｒ 3 はそれぞれ炭素数１～４の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を表し、Ｒ 4 は、水素原子、炭素数２～４の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数１～４の直鎖状若しくは分岐状のフッ素化アルキル基、または、炭素数１～４の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基を表し、ｑは０～３の整数を表す。
摘要翻译：公开了具有优异的灵敏度并且可以使MEEF值保持在令人满意的水平的辐射敏感性树脂组合物。具体公开的是一种辐射敏感性树脂组合物，其包含：具有由式（1-1）表示的重复单元的树脂（A1）和由式（1-2）表示的重复单元; 和辐射敏感的酸发生剂（B），并且能够减少掩模误差因子。（1-1）（1-2）其中R1，R2和R3独立地表示具有1至4个碳原子的直链或支链烷基; R4表示氢原子，碳原子数2〜4的直链或支链烷基，碳原子数1〜4的直链或支链氟代烷基，碳原子数1〜4的直链或支链烷氧基。 q表示0〜3的整数。

9. 发明申请

WO2008133270A1 感放射線性樹脂組成物审中-公开
标题翻译：辐射敏感性树脂组合物
公开(公告)号：WO2008133270A1
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：PCT/JP2008/057839
申请日：2008-04-23
申请人： JSR株式会社 , 志水誠 , 成岡岳彦 , 大泉芳史 , 川上峰規 , 松村信司 , 大塚昇
发明人：志水誠 , 成岡岳彦 , 大泉芳史 , 川上峰規 , 松村信司 , 大塚昇
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045
摘要：　一般式（１）（２０モル％以上）、（２）及び（３）の繰り返し単位を有する樹脂（Ａ）と、感放射線性酸発生剤（Ｂ）とを含有する感放射線性樹脂組成物。レジストとしての基本物性に優れ、且つ、孤立ラインの性能および欠陥性能に優れた化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。
摘要翻译：包含具有通式（1），（2）和（3）的重复单元的辐射敏感性酸产生剂（B）和树脂（A））的辐射敏感性树脂组合物，其中通式 1）为20摩尔％以上。该放射线敏感性树脂组合物可用作抗蚀剂的基本性能优异的化学放大型抗蚀剂，隔离线性能和缺陷性能优异。（1）（2）（3）

10. 发明申请

WO2009057484A1 感放射線性樹脂組成物及び重合体审中-公开
标题翻译：辐射敏感性树脂组合物和聚合物
公开(公告)号：WO2009057484A1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：PCT/JP2008/069062
申请日：2008-10-21
申请人： JSR株式会社 , 榊原宏和 , 志水誠 , 成岡岳彦 , 大泉芳史 , 原田健太郎 , 江畑琢磨
发明人：榊原宏和 , 志水誠 , 成岡岳彦 , 大泉芳史 , 原田健太郎 , 江畑琢磨
IPC分类号： C08L33/14 , C08F220/22 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/18 , C08L2312/06 , C09D133/14 , C09D133/16 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/2041 , C08F220/24 , C08F220/38
摘要：　本発明の目的は、得られるパターン形状が良好であり、液浸露光時に接触した液浸露光用液体への溶出物の量が少なく、レジスト被膜と液浸露光用液体との後退接触角が大きく、且つ現像欠陥が少ない感放射線性樹脂組成物及びそれに用いられる重合体を提供することである。本組成物は、重合体、酸不安定基を含有する樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有するものであって、前記重合体は、下記式（１）及び（２）で表される繰り返し単位を含有する。〔Ｒ１及びＲ２は、各々、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示し、Ｒ３は少なくとも一つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された、炭素数１～６のアルキル基又は炭素数４～２０の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体を示し、Ｚは光照射により酸を発生する基を含有する基を示す。〕
摘要翻译：旨在提供一种能够产生令人满意的图案形状的辐射敏感性树脂组合物，在浸没曝光期间接触的浸没曝光液中溶解的成分的量减少，抗蚀剂膜与浸渍曝光之间的后退接触角大液体，可以减少发展缺陷; 和用于组合物的聚合物。该组合物含有聚合物，具有酸不稳定基团的树脂，产酸剂和溶剂。聚合物含有由下式（1）和（2）表示的重复单元。 R1和R2各自表示氢原子，甲基或三氟甲基; R3表示具有1〜6个碳原子的烷基，其中至少一个氢原子被氟原子取代，或具有4〜20个碳原子的脂环族烃基或其衍生物; Z表示含有通过光照射生成酸的基团。

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