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1. 发明申请

WO2009057484A1 感放射線性樹脂組成物及び重合体审中-公开
标题翻译：辐射敏感性树脂组合物和聚合物
公开(公告)号：WO2009057484A1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：PCT/JP2008/069062
申请日：2008-10-21
申请人： JSR株式会社 , 榊原宏和 , 志水誠 , 成岡岳彦 , 大泉芳史 , 原田健太郎 , 江畑琢磨
发明人：榊原宏和 , 志水誠 , 成岡岳彦 , 大泉芳史 , 原田健太郎 , 江畑琢磨
IPC分类号： C08L33/14 , C08F220/22 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/18 , C08L2312/06 , C09D133/14 , C09D133/16 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/2041 , C08F220/24 , C08F220/38
摘要：　本発明の目的は、得られるパターン形状が良好であり、液浸露光時に接触した液浸露光用液体への溶出物の量が少なく、レジスト被膜と液浸露光用液体との後退接触角が大きく、且つ現像欠陥が少ない感放射線性樹脂組成物及びそれに用いられる重合体を提供することである。本組成物は、重合体、酸不安定基を含有する樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有するものであって、前記重合体は、下記式（１）及び（２）で表される繰り返し単位を含有する。〔Ｒ１及びＲ２は、各々、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示し、Ｒ３は少なくとも一つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された、炭素数１～６のアルキル基又は炭素数４～２０の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体を示し、Ｚは光照射により酸を発生する基を含有する基を示す。〕
摘要翻译：旨在提供一种能够产生令人满意的图案形状的辐射敏感性树脂组合物，在浸没曝光期间接触的浸没曝光液中溶解的成分的量减少，抗蚀剂膜与浸渍曝光之间的后退接触角大液体，可以减少发展缺陷; 和用于组合物的聚合物。该组合物含有聚合物，具有酸不稳定基团的树脂，产酸剂和溶剂。聚合物含有由下式（1）和（2）表示的重复单元。 R1和R2各自表示氢原子，甲基或三氟甲基; R3表示具有1〜6个碳原子的烷基，其中至少一个氢原子被氟原子取代，或具有4〜20个碳原子的脂环族烃基或其衍生物; Z表示含有通过光照射生成酸的基团。

2. 发明申请

WO2008149701A1 感放射線性樹脂組成物审中-公开
标题翻译：辐射敏感性树脂组合物
公开(公告)号：WO2008149701A1
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/JP2008/059625
申请日：2008-05-26
申请人： JSR株式会社 , 榊原宏和 , 志水誠 , 成岡岳彦 , 永井智樹 , 大泉芳史
发明人：榊原宏和 , 志水誠 , 成岡岳彦 , 永井智樹 , 大泉芳史
IPC分类号： G03F7/039 , C08F220/28 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/18 , C08F220/30 , C08F2220/1808 , G03F7/0045 , G03F7/0392
摘要：感度に優れると共に、ＭＥＥＦを良好に維持することができる。下記式（１－１）で示される繰り返し単位および下記式（１－２）で示される繰り返し単位からなる樹脂（Ａ１）と、感放射線性酸発生剤（Ｂ）とを含有するマスクエラーファクターを小さくできる感放射線性樹脂組成物。　Ｒ 1 、Ｒ 2 、Ｒ 3 はそれぞれ炭素数１～４の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を表し、Ｒ 4 は、水素原子、炭素数２～４の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数１～４の直鎖状若しくは分岐状のフッ素化アルキル基、または、炭素数１～４の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基を表し、ｑは０～３の整数を表す。
摘要翻译：公开了具有优异的灵敏度并且可以使MEEF值保持在令人满意的水平的辐射敏感性树脂组合物。具体公开的是一种辐射敏感性树脂组合物，其包含：具有由式（1-1）表示的重复单元的树脂（A1）和由式（1-2）表示的重复单元; 和辐射敏感的酸发生剂（B），并且能够减少掩模误差因子。（1-1）（1-2）其中R1，R2和R3独立地表示具有1至4个碳原子的直链或支链烷基; R4表示氢原子，碳原子数2〜4的直链或支链烷基，碳原子数1〜4的直链或支链氟代烷基，碳原子数1〜4的直链或支链烷氧基。 q表示0〜3的整数。

3. 发明申请

WO2006035790A1 共重合体および上層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：共聚物和上胶膜组合物
公开(公告)号：WO2006035790A1
公开(公告)日：2006-04-06
申请号：PCT/JP2005/017790
申请日：2005-09-28
申请人： JSR株式会社 , 千葉隆 , 木村徹 , 宇高友広 , 中川大樹 , 榊原宏和 , 堂河内寛
发明人：千葉隆 , 木村徹 , 宇高友広 , 中川大樹 , 榊原宏和 , 堂河内寛
IPC分类号： C08F220/10 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08F220/18 , C08F220/26 , C08F220/38 , C08F228/00 , G03F7/2041
摘要： Disclosed is an upper film-forming composition which enables to form a coating film on a photoresist without causing intermixing with the photoresist film and to maintain a stable coating film without dissolving into a medium used during immersion exposure. The upper film-forming composition is also capable to form an upper layer which enables to obtain a pattern shape that is not inferior to the one obtained by a process other than immersion exposure, namely a dry exposure and can be easily dissolved in an alkaline developer. Also disclosed is a copolymer containing a repeating unit having a group represented by the general formula (1) below, a repeating unit having a group represented by the general formula (2) below, at least one repeating unit (I) selected from repeating units having a carboxyl group, and a repeating unit (II) having a sulfo group, and having a weight average molecular weight of 2,000-100,000 determined by gel permeation chromatography. (1) (2) At least one of R
摘要翻译：公开了一种能够在光致抗蚀剂上形成涂膜而不会与光致抗蚀剂膜混合并且保持稳定的涂膜而不溶解于浸渍曝光期间使用的介质的上成膜组合物。上部成膜组合物也能够形成上层，其能够获得不劣于通过浸渍曝光以外的方法获得的图案形状，即干燥曝光并且可以容易地溶解在碱性显影剂中。还公开了含有具有下述通式（1）所示基团的重复单元，具有下述通式（2）所示基团的重复单元，至少一个选自重复单元具有羧基的重复单元（II）和具有磺基的重复单元（II），并且通过凝胶渗透色谱测定其重均分子量为2,000-100,000。（1）（2）至少有一个R

4. 发明申请

WO2005116776A1 微細パターン形成用樹脂組成物および微細パターン形成方法审中-公开
标题翻译：用于形成精细图案的树脂组合物和形成细小图案的方法
公开(公告)号：WO2005116776A1
公开(公告)日：2005-12-08
申请号：PCT/JP2005/009394
申请日：2005-05-24
申请人： JSR株式会社 , 榊原宏和 , 安陪毅由 , 千葉隆 , 木村徹
发明人：榊原宏和 , 安陪毅由 , 千葉隆 , 木村徹
IPC分类号： G03F7/40
CPC分类号： G03F7/40 , H01L21/0274
摘要：　フォトレジストを用いて形成されたレジストパターンを熱処理することにより微細パターンを形成するに際し、該レジストパターン上に設けられ、熱処理により、レジストパターンを円滑に収縮させることができると共に、その後のアルカリ水溶液処理により容易に除去し得る樹脂組成物、およびこれを用いて効率よく微細レジストパターンを形成できる。　水酸基を含有する樹脂と、架橋成分と、全溶媒に対して１０重量％以下の水を含むアルコール溶媒とを含有し、また、上記アルコール溶媒が炭素数１～８の１価アルコールである。
摘要翻译：公开了一种树脂组合物，其在通过抗蚀剂图案的热处理形成微细图案时，设置在使用光致抗蚀剂形成的抗蚀剂图案上。树脂组合物能够使抗蚀剂图案通过热处理而平滑地收缩，并且可以通过使用碱水溶液的后续处理容易地除去。还公开了一种有效地形成使用这种树脂组合物的精细抗蚀剂图案的方法。树脂组合物含有相对于总溶剂含有不超过10重量％水的羟基，交联组分和醇溶剂的树脂。醇溶剂是具有1-8个碳原子的一元醇。

5. 发明专利

JP6776920B2 メッキ造形物の製造方法、およびメッキ造形物製造用感光性組成物有权
公开(公告)号：JP6776920B2
公开(公告)日：2020-10-28
申请号：JP2017019502
申请日：2017-02-06
申请人： JSR株式会社
发明人：榊原宏和 , 桂山真 , 李瑞 , 西岡清隆 , 佐藤慶一 , 松本太一
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/031 , G03F7/20 , H05K3/18 , B32B27/18 , B32B27/30 , C25D5/02

6. 发明专利

JPWO2018163602A1 メッキ造形物の製造方法、及びメッキ造形物製造用感光性樹脂組成物审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018163602A1
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：JP2018001058
申请日：2018-01-16
申请人： JSR株式会社
发明人：榊原宏和 , 伊東宏和 , 松本朋之 , 渡部和人
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/40 , G03F7/20 , G03F7/004
摘要：【課題】メッキ処理の際におけるメッキの染み込みを抑制することができるメッキ造形物の製造方法、及び当該メッキ造形物の製造方法に用いられ、メッキの染みこみが抑制されたレジストを基板上に形成することが可能なメッキ造形物製造用感光性樹脂組成物を提供する。【解決手段】本発明のメッキ造形物の製造方法は、基材上に、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(A)と、光酸発生剤(B)と、酸の作用により分解し1級又は2級アミンを生成する化合物(C)と、を含有する感光性樹脂組成物の感光性樹脂塗膜を形成する工程(1)、感光性樹脂塗膜を露光する工程(2)、露光後の感光性樹脂塗膜を現像してレジストパターンを形成する工程(3)、及びレジストパターンをマスクとしてメッキ処理を行う工程(4)を備える。【選択図】図1

7. 发明专利

JP5940455B2 レジストパターン形成方法有权
公开(公告)号：JP5940455B2
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：JP2012538604
申请日：2011-09-05
申请人： JSR株式会社
发明人：榊原宏和 , 古川泰一 , 木村礼子 , 堀雅史
IPC分类号： C08F20/10 , G03F7/039 , G03F7/32 , G03F7/038
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/0045 , G03F7/0046

8. 发明专利

JPWO2020039755A1 感光性樹脂組成物、レジストパターンの形成方法、メッキ造形物の製造方法、および半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020039755A1
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：JP2019026193
申请日：2019-07-01
申请人： JSR株式会社
发明人：谷口拓弘 , 西口直希 , 松本朋之 , 榊原宏和 , 廣昭人 , 秋丸尚徳
IPC分类号： C08F220/28 , C08F220/30 , G03F7/20 , G03F7/039
摘要：メッキ処理のマスクとして有用なレジストパターンを形成する感光性樹脂組成物、前記感光性樹脂組成物を用いたレジストパターンの形成方法、前記形成方法により形成したレジストパターンを用いたメッキ造形物の製造方法、および前記メッキ造形物を有する半導体装置を提供することを目的として、感光性樹脂組成物は、下記式(a1)に示す構造単位(a1)、下記式(a2)に示す構造単位(a2)、および下記式(a3)に示す構造単位(a3)を有する重合体(A)ならびに光酸発生剤(B)を含有する。式(a3)中、R 33 はヒドロキシアリール基を示す。

9. 发明专利

JPWO2020026607A1 メッキ造形物の製造方法、回路基板、および表面処理剤、ならびに表面処理剤キット审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020026607A1
公开(公告)日：2021-08-05
申请号：JP2019023609
申请日：2019-06-14
申请人： JSR株式会社
发明人：西口直希 , 桂山真 , 榊原宏和 , 松本朋之 , 遠藤彩子
IPC分类号： G03F7/40 , G03F7/039 , G03F7/027 , H01L21/027 , G03F7/09
摘要：本発明の課題は、メッキ液の染み込みなく、良好な形状のメッキ造形物を製造することできるメッキ造形物の製造方法を提供することである。本発明は、表面に銅含有膜を有する基板上に、トリアゾール(A1)およびベンゾトリアゾール系化合物(A2)から選ばれる少なくとも1種のトリアゾール化合物(A)を0.001〜2質量%および有機溶剤(B)を90〜99.999質量%を含有する表面処理剤を曝露し、表面処理基板を形成する工程(1);前記表面処理基板上にレジスト組成物の塗膜を形成する工程(2);前記塗膜を露光および現像し、レジストパターンを形成する工程(3);ならびに前記レジストパターンをマスクにしてメッキ液処理を行う工程(4);を有することを特徴とするメッキ造形物の製造方法である。

10. 发明专利

JP2016212145A レジストパターン形成方法及びめっき造形物の製造方法审中-公开
标题翻译：用于制备的抗蚀剂图案形成方法和电镀成形制品的方法
公开(公告)号：JP2016212145A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2015092828
申请日：2015-04-30
申请人： JSR株式会社
发明人：榊原宏和
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/40 , H05K3/18 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/60 , G03F7/11
摘要：【解決手段】本発明のレジストパターン形成方法は、基板上に、少なくとも、フェノール性水酸基及びカルボキシル基から選ばれる少なくとも1種の基を有する重合体(A)、並びにキノンジアジド化合物(B)を含有する組成物からなる塗膜(I)を形成する工程(1)、前記塗膜(I)上にネガレジスト組成物からなる塗膜(II)を形成する工程(2)、前記塗膜(II)をパターン状に選択的に露光し、露光後の塗膜(II)を現像する工程(3)、及び前記塗膜(I)における、前記露光及び現像により前記塗膜(II)に形成された開口部に対応する部分をエッチングにより除去する工程(4)を有する。【効果】本発明のレジストパターン形成方法によれば、レジストパターンがアンダーカット形状等にならず、適正な形状のレジストパターンを得ることができる。【選択図】図2
摘要翻译：至少具有一个酚性羟基和羧基的（A）中的至少一种基团，和醌二叠氮化合物（B）的聚合物用于形成抗蚀剂图案，本发明涉及在基板上的方法中，含步骤以形成所述组合物（1），该涂层膜（I）形成包括负型抗蚀剂上（2），该涂层膜组合物的涂膜（II）的工序的涂膜（I）（II）选择性地暴露的图案形状，显影曝光后的涂膜（II）的步骤（3），并且其中所述涂层（I）中，通过在涂层膜中的曝光和显影形成（II）对应于所述开口的部分具有步骤（4）通过蚀刻去除。在本发明的优点的抗蚀剂图案的形成方法，能够以抗蚀剂图案不会成为底切形状，抗蚀剂的合适的形状的图案。 .The

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