专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2019168475A 化学増幅型レジスト材料及びレジストパターン形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019168475A
公开(公告)日：2019-10-03
申请号：JP2016156024
申请日：2016-08-08
申请人： JSR株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 東京エレクトロン株式会社
发明人：中川恭志 , 成岡岳彦 , 永井智樹 , 田川精一 , 大島明博 , 永原誠司
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/38 , C09K3/00 , G03F7/20 , G03F7/004
摘要：【課題】高い感度及び優れたリソグラフィ性能を得ることが可能な化学増幅型レジスト材料及びこの化学増幅型レジスト材料を用いたレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】本発明に係る化学増幅型レジスト材料は、(1)酸の作用により現像液に可溶又は不溶となる重合体成分と、(2)露光により感放射線性増感体及び酸を発生する成分と、(3)上記(2)成分が発生する酸に対して相対的に塩基性を有する成分とを含み、上記(2)成分が、下記(a)成分、下記(a)〜(c)成分中の任意の2つの成分、又は下記(a)〜(c)成分の全てを含有し、上記(a)成分又は(c)成分が、感放射線性酸発生基を有する第1化合物を有し、上記(3)成分が、下記(d)成分である第2化合物を含有する。 (a)感放射線性酸−増感体発生剤 (b)感放射線性増感体発生剤 (c)感放射線性酸発生剤 (d)感放射線性光崩壊性塩基【選択図】なし

2. 发明专利

JP2017040918A パターン形成方法审中-公开
标题翻译：的图案形成方法
公开(公告)号：JP2017040918A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2016160898
申请日：2016-08-18
申请人：国立大学法人大阪大学 , 東京エレクトロン株式会社
发明人：中川恭志 , 成岡岳彦 , 永井智樹 , 田川精一 , 大島明博 , 永原誠司
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/039 , G03F7/004 , G03F7/26 , G03F7/20 , G03F7/38
CPC分类号： G03F7/2022 , G03F7/0397 , G03F7/162 , G03F7/2032 , G03F7/30 , G03F7/322 , G03F7/38
摘要：【課題】EUV光等の電離放射線等を利用したパターン形成技術の実用化に有用なパターン形成方法を提供する。【解決手段】本発明のパターン形成方法は、基板上に形成された反射膜上にレジスト材料を用いてレジスト材料膜を形成する膜形成工程と、レジスト材料膜の所定の箇所に電離放射線又は非電離放射線を照射するパターン露光工程と、上記レジスト材料膜に非電離放射線を照射する一括露光工程と、上記レジスト材料膜を加熱するベーク工程と、レジストパターンを形成する現像工程とを備え、一括露光工程で照射する非電離放射線における上記反射防止膜の消衰係数が0.1以上であり、上記レジスト材料が、(1)酸の作用により現像液に可溶又は不溶となるベース成分と(2)露光により感放射線性増感体及び酸を発生する成分とを含み、上記(2)成分が、(a)成分、(a)〜(c)成分中の任意の2つの成分、又は(a)〜(c)成分の全てを含有する。【選択図】図1
摘要翻译：提供有用的图案形成方法，实际使用的利用电离辐射的图案化技术，例如EUV光或类似物。本发明的一种图案形成方法，成膜形成使用形成在衬底上的反射膜的抗蚀剂材料的抗蚀剂材料的膜的步骤中，在预定位置处的抗蚀剂的电离辐射或非材料膜包括照射电离放射线，照射非电离辐射在抗蚀剂材料的膜，加热该抗蚀材料膜的烘烤工序，的全面曝光步骤的图案曝光工序和形成上述抗蚀剂图案的显影步骤中，拍摄的曝光和在非电离辐射的防反射膜的消光系数在上述步骤0.1被照射时，抗蚀剂材料（1）由酸和碱成分的作用的水溶性或显影剂变得不溶于（2）曝光和由上述（2）成分，（a）成分，产生一辐射敏感的敏化剂和酸的成分的（a）〜（c）中所述的部件，或任意两个组分（a）〜（c）含所有组件。点域1

3. 发明专利

JP6293645B2 基板処理システム有权
公开(公告)号：JP6293645B2
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：JP2014233370
申请日：2014-11-18
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人大阪大学
发明人：永原誠司 , 白石豪介 , 志村悟 , 吉原孝介 , 川上真一路 , 友野勝 , 田川精一 , 大島明博
IPC分类号： G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/2004 , G03F7/20 , H01L21/67098 , H01L21/67115 , H01L21/67196 , H01L21/67225

4. 发明专利

JP6512994B2 化学増幅型レジスト材料有权
公开(公告)号：JP6512994B2
公开(公告)日：2019-05-15
申请号：JP2015163254
申请日：2015-08-20
申请人：国立大学法人大阪大学 , 東京エレクトロン株式会社 , JSR株式会社
发明人：中川恭志 , 成岡岳彦 , 永井智樹 , 田川精一 , 大島明博 , 永原誠司
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/38 , G03F7/20 , G03F7/004

5. 发明专利

JP2019507382A 光増感化学増幅レジスト(PS−CAR)シミュレーション审中-公开
公开(公告)号：JP2019507382A
公开(公告)日：2019-03-14
申请号：JP2018544094
申请日：2017-02-17
申请人：東京エレクトロン株式会社 , トーキョーエレクトロンユーエスホールディングス,インコーポレーテッド , 国立大学法人大阪大学
发明人：カルカッシ,マイケル , ラスサック,ベンジャミン,エム. , サマヴェル,マーク,エイチ. , プリンツ,ウォレスピー. , 永原誠司 , 田川精一
IPC分类号： G03F1/70 , G03F7/20
摘要： PS−CARフォトレジストシミュレーションのための方法及びシステムが、記載されている。実施形態において、方法は、放射線感受性材料を用いるリソグラフィプロセスの少なくとも1つのプロセスパラメータをシミュレーションによって特定するステップを含む。かかる実施形態において、放射線感受性材料は、前記放射線感受性材料内において第1酸濃度まで酸の生成を制御し、前記放射線感受性材料内において光増感材分子の生成を制御する第1光波長活性化閾値と、前記第1酸濃度より大きい第2酸濃度を有する酸を生じる前記放射線感受性材料内の前記光増感材分子を励起することができる第2光波長活性化閾値であって、前記第2光波長は前記第1波長と異なる、第2光波長活性化閾値と、を備える。かかる実施形態において、方法は、予め特定された少なくとも1つのプロセスパラメータを用いてリソグラフィプロセスを実行するステップも含む。

7. 发明专利

JP6809843B2 パターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6809843B2
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：JP2016160898
申请日：2016-08-18
申请人：国立大学法人大阪大学 , 東京エレクトロン株式会社 , JSR株式会社
发明人：中川恭志 , 成岡岳彦 , 永井智樹 , 田川精一 , 大島明博 , 永原誠司
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/039 , G03F7/004 , G03F7/26 , G03F7/20 , G03F7/38

8. 发明专利

JP2015144244A 基板処理システム有权
标题翻译：基板加工系统
公开(公告)号：JP2015144244A
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：JP2014233370
申请日：2014-11-18
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人大阪大学
发明人：永原誠司 , 白石豪介 , 志村悟 , 吉原孝介 , 川上真一路 , 友野勝 , 田川精一 , 大島明博
IPC分类号： G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/2004 , G03F7/20 , H01L21/67098 , H01L21/67115 , H01L21/67196 , H01L21/67225
摘要：【課題】フォトリソグラフィー処理において、スループットの低下を抑制しつつ、基板上に微細なパターンを好適に形成する。【解決手段】レジスト塗布処理、現像処理、熱処理等の処理を行う処理ステーション11と、EUV光によってウェハWのレジスト膜にパターンの露光を行う露光装置15との間に、パターンのEUV露光が行なわれた後のウェハW上のレジスト膜に対して、UV光によるポスト露光を行う光照射装置102を有すポスト露光ステーション13とを有している。ポスト露光ステーション13内は、減圧または不活性ガス雰囲気に調整可能であり、露光装置15とは減圧または不活性ガス雰囲気に調整可能なインターフェイススーション14を介して接続されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：在光刻工艺中抑制生产量降低的同时，在基板上有利地形成精细图案。解决方案：提供了一种基板处理系统，其包括：处理站11，用于执行诸如抗蚀剂应用，开发，热处理等; 用于将晶片W的抗蚀剂膜暴露于EUV光以转印图案的曝光装置15; 以及设置在上述处理站和曝光装置之间的后曝光站13，并且具有用于在图案曝光到EUV光之后在晶片W上的抗蚀剂膜上进行后UV曝光的光照射装置102 完成了。后曝光站13的内部可以调节为在减压气氛或惰性气体气氛下; 并且后曝光站经由接口站14连接到曝光装置15，接口站14可被调节为处于减压气氛或惰性气体气氛中。

9. 发明专利

JP6774814B2 化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6774814B2
公开(公告)日：2020-10-28
申请号：JP2016159765
申请日：2016-08-16
申请人：国立大学法人大阪大学 , 東京エレクトロン株式会社 , JSR株式会社
发明人：中川恭志 , 成岡岳彦 , 永井智樹 , 田川精一 , 大島明博 , 永原誠司
IPC分类号： G03F7/38 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20 , C09K3/00 , C07D493/08 , C07D317/06 , C07D493/10 , C07D335/16 , G03F7/004

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式