专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2007105776A1 下層膜形成用組成物及びパターン形成方法审中-公开
标题翻译：用于形成下层薄膜和图案形成方法的组合物
公开(公告)号：WO2007105776A1
公开(公告)日：2007-09-20
申请号：PCT/JP2007/055147
申请日：2007-03-14
申请人： JSR株式会社 , 能村仲篤 , 今野洋助 , 杉田光 , 高橋純一
发明人：能村仲篤 , 今野洋助 , 杉田光 , 高橋純一
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , Y10S430/106
摘要：　下記一般式（１）（Ｒ１は水酸基等、Ｘは炭素数１～２０の置換可能なアルキレン基等を示す。ｎは０～６、ｍは１～８で、ｎ＋ｍは１～８の整数であり、複数のＲ１及びＸは異同を問わない）で示されるナフタレン誘導体構造単位を有する重合体（Ａ）を含有する下層膜形成用組成物である。
摘要翻译：公开了一种用于形成下层膜的组合物。该组合物含有具有下述通式（1）表示的萘衍生物结构单元的聚合物（A）（其中R 1表示羟基等; X表示可以具有取代基的亚烷基， 1-20个碳原子等; n表示0-6，m表示1-8，n + m表示1-8的整数，多个R 1，X，分别相同或不同。）

2. 发明申请

WO2007046453A1 ビニルナフタレン誘導体の重合体、反射防止膜形成組成物及び反射防止膜审中-公开
标题翻译：乙烯基衍生物的聚合物，形成抗反射涂层的组合物和抗反射涂层
公开(公告)号：WO2007046453A1
公开(公告)日：2007-04-26
申请号：PCT/JP2006/320811
申请日：2006-10-19
申请人： JSR株式会社 , 田中正人 , 杉田光 , 高橋純一 , 能村仲篤
发明人：田中正人 , 杉田光 , 高橋純一 , 能村仲篤
IPC分类号： C08F12/02 , C08F12/32 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C08F212/32 , C08L2201/00 , C08F212/08
摘要：　下記一般式（１）と、（２）及び／又は（３）とで表される繰り返し単位を有し、ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量が１，０００～１００，０００の、ビニルナフタレン誘導体の重合体。リソグラフィープロセスにおいて、フォトレジスト層への反射及びインターミキシングを防ぐことが可能な反射防止膜に含有されるビニルナフタレン誘導体の重合体を提供する。（式（１）～（３）において、Ｒ１及びＲ４は水素原子又はメチル基を示す。Ｒ２は同一又は非同一の水素原子、炭素数１～６の置換可アルキル基等を示す。Ｒ３は水素原子又はグリシジル基を示す。Ｘは単結合又はメチレン基を示す。ｐ、ｑは０～７の整数であり、ｐ＋ｑ＝７である。Ｙは架橋可能な炭素数１～１０の１価の有機基を示す。）
摘要翻译：包含由通式（1）表示的重复单元和由通式（2）和/或通式（3）表示的重复单元的重均分子量为1,000至100,000的乙烯基萘衍生物的聚合物通过GPC测定的聚苯乙烯术语，其将包含在能够抑制光刻胶层上的反射和在光刻中混合的抗反射涂层中：其中R 1和R 4各自氢或甲基; R 2相同或不同，每个氢，任选取代的具有1至6个碳原子的烷基等; R 3是氢或缩水甘油基; X是单键或亚甲基; p和q各自为0至7的整数，条件是p和q之和为7; Y为碳原子数为1〜10的一价交联性有机基团。

3. 发明申请

WO2008038544A1 レジスト下層膜形成方法及びそれに用いるレジスト下層膜用組成物並びにパターン形成方法审中-公开
标题翻译：用于抵抗下层膜形成的方法，用于在该方法中使用的较低层膜的组合物，以及用于图案形成的方法
公开(公告)号：WO2008038544A1
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：PCT/JP2007/068105
申请日：2007-09-18
申请人： JSR株式会社 , 今野洋助 , 能村仲篤 , 豊川郁宏 , 杉田光
发明人：今野洋助 , 能村仲篤 , 豊川郁宏 , 杉田光
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/168
摘要：　本発明の目的は、反射防止膜としての機能を有するとともに、パターン転写性能及びエッチング耐性に優れ、微細化したパターンの転写時においてもパターンが曲がらないレジスト下層膜形成方法及びそれに用いるレジスト下層膜用組成物並びにパターン形成方法を提供することである。本レジスト下層膜形成方法は、レジスト下層膜用組成物（例えば、フェノール性水酸基を有する化合物、溶剤及び促進剤を含有する組成物等）を被加工基板に塗布する塗布工程と、得られた塗膜を、酸素濃度が１容量％以上、且つ温度が３００°C以上の酸化性雰囲気下において成膜させる成膜工程と、を備えるものである。
摘要翻译：本发明提供一种抗蚀剂下层成膜方法，其可以形成可用作抗反射膜的抗蚀剂下层膜，图案转印性能和耐蚀刻性优异，并且不会引起图案的弯曲精细图案的转印和用于该方法的抗蚀剂下层膜的组合物和图案形成方法。抗蚀剂下层膜形成方法包括以下步骤：在待处理的基材上涂覆抗蚀剂下层成膜用组合物（例如，含有酚羟基的化合物的组合物，溶剂和促进剂）在氧浓度不低于1体积％，温度为300℃以上的氧化气氛下处理形成的涂膜，形成抗蚀剂下层膜。

4. 发明申请

WO2008001679A1 パターン形成方法及びそれに用いる有機薄膜形成用組成物审中-公开
标题翻译：形成用于形成有机薄膜的图案和组合物的方法
公开(公告)号：WO2008001679A1
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：PCT/JP2007/062538
申请日：2007-06-21
申请人： JSR株式会社 , 清水大輔 , 杉田光 , 松村信司 , 甲斐敏之 , 下川努
发明人：清水大輔 , 杉田光 , 松村信司 , 甲斐敏之 , 下川努
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/004
CPC分类号： C07D333/18 , G03F7/0045 , G03F7/0757 , G03F7/265
摘要：　（１）基板上に、（Ｃ）放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤又は（Ｄ）放射線の照射により塩基を発生する感放射線性塩基発生剤を含有する下層膜を形成する工程と、（２）下層膜に、所定のパターンを有するマスクを介して放射線を照射して下層膜を露光させ、所定のパターンで選択的に露光された露光下層膜部分を形成する工程と、（３）下層膜上に（Ｅ）有機薄膜を形成して、露光下層膜部分と、露光下層膜部分上に形成された有機薄膜を化学的に結合させる工程と、（４）下層膜のうちの露光下層膜部分以外の部分上に形成された有機薄膜を除去する工程と、を有するパターン形成方法である。
摘要翻译：一种形成图案的方法，包括以下步骤：（1）在基底上形成含有能够在暴露于辐射线时产生酸的放射线敏感性酸产生剂（C）的底层膜或辐射敏感基质能够在暴露于辐射线时产生碱的发生剂（D）; （2）通过具有给定图案的掩模的辐射线照射下层膜，从而获得下层膜的曝光，从而获得通过给定图案选择性曝光的曝光下层膜部分; （3）在下层膜上形成有机薄膜（E），以使得曝光的下层膜部分与形成在曝光的下层膜部分上的有机薄膜化学结合; 以及（4）去除在露出的下层膜部以外的下层膜的区域上形成的有机薄膜。

5. 发明申请

WO2008015969A1 パターン形成方法、上層膜形成用組成物、及び下層膜形成用組成物审中-公开
标题翻译：形成图案的方法，形成上层膜的组合物和形成下层膜的组合物
公开(公告)号：WO2008015969A1
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：PCT/JP2007/064756
申请日：2007-07-27
申请人： JSR株式会社 , 杉田光 , 松村信司 , 清水大輔 , 甲斐敏之 , 下川努
发明人：杉田光 , 松村信司 , 清水大輔 , 甲斐敏之 , 下川努
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/075 , G03F7/11 , G03F7/38
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/0045 , G03F7/0757 , G03F7/265
摘要：　電子線（以下、ＥＢと略称する）、Ｘ線、極紫外線（以下、ＥＵＶと略称する）による微細パターン形成に好適なパターン形成方法等を提供する。本発明の方法は、（１）放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤を含有する下層膜を基板上に硬化形成する工程と、（２）マスクを介して前記下層膜に放射線を照射して、前記下層膜の放射線照射部に選択的に酸を発生させる工程と、（３）前記下層膜上に、感放射線性酸発生剤を含まず酸によって重合または架橋する組成物を含有する上層膜を形成する工程と、（４）前記上層膜の、前記下層膜における酸が発生した部位に対応する部位において選択的に重合または架橋硬化膜を形成する工程と、（５）前記上層膜の、前記下層膜における酸が発生していない部位に対応する部位を除去する工程と、を前記の順で含む。
摘要翻译：适合于用电子束（以下简写为EB），X射线或极紫外（以下简称为EUV）形成精细图案的图案形成方法。该方法按以下顺序包括以下步骤：（1）在基材上形成含有辐射敏感酸产生剂的下层膜，该下层膜产生酸，并固化; （2）通过掩模对下层膜照射辐射的步骤，以选择性地在被辐射的下层膜的那些区域中产生酸; （3）在下层膜上形成不含有辐射敏感性酸发生剂的上层膜，其中含有通过酸作用聚合或交联的组合物的上层膜; （4）在与产生酸的下层膜的那些区域相对应的上层膜的那些区域中选择性地形成聚合或交联/固化膜的步骤; 和（5）除去上层膜的与没有产生酸的下层膜的那些区域对应的那些区域的步骤。

6. 发明申请

WO2007142209A1 パターン形成方法および高炭素含有樹脂組成物审中-公开
标题翻译：图案形成方法和高含碳树脂组合物
公开(公告)号：WO2007142209A1
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：PCT/JP2007/061322
申请日：2007-06-05
申请人： JSR株式会社 , 杉田光 , 杉江紀彦 , 石田英光 , 夏目紀浩 , 田中正人
发明人：杉田光 , 杉江紀彦 , 石田英光 , 夏目紀浩 , 田中正人
IPC分类号： G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/40
摘要：　リソグラフィープロセスにおいて、被加工基板をエッチングする条件で十分なエッチング耐性を有するパターンを形成する。被加工基板にレジストパターンを形成する工程と、このレジストパターン間に該レジストパターンよりもエッチング耐性に優れ、かつ分子内にシリコン原子を含まない重合体を埋め込む工程と、上記レジストパターンのみを選択的にエッチング除去して上記重合体のパターンを上記被加工基板に形成する工程とを含み、上記埋め込む工程において埋め込まれる重合体が分子内に芳香環を含有する重合体であり、上記重合体を埋め込む工程後に放射線照射処理を施す。
摘要翻译：本发明提供了一种图案形成方法，其在光刻工艺中在对象基板的蚀刻条件下形成具有令人满意的耐腐蚀性的图案。该方法包括在对象基板上形成抗蚀剂图案的步骤，在图案和步骤的凹部中嵌入具有比抗蚀剂图案更好的抗蚀剂图案并且在其分子中不含有任何硅原子的聚合物的步骤选择性地蚀刻和去除抗蚀剂图案以在对象基板上形成聚合物的图案。嵌入步骤中的聚合物是在其分子中具有芳环的聚合物，并且在嵌入聚合物的步骤之后，进行放射线照射处理。

7. 发明专利

JP2020201389A 感放射線性組成物、重合体及びパターン形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020201389A
公开(公告)日：2020-12-17
申请号：JP2019108261
申请日：2019-06-10
申请人： JSR株式会社
发明人：杉田光 , 石川暁 , 高橋至郎 , 和田光弘 , 松本仁成 , 松田健太朗 , 三浦拓也 , 一戸大吾
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/40 , C08F220/58 , C08F220/24 , G03F7/20 , G03F7/023
摘要：【課題】高膜厚の隔壁等を形成可能な新たなパターン形成方法、並びにこのようなパターン形成方法に好ましく使用できる感放射性組成物及び重合体を提供する。【解決手段】本発明は、下記式(1)で表される構造単位とフッ素原子を含む基を有する構造単位とを含む重合体、酸発生剤、及び溶剤を含有する感放射線性組成物である。式(1)中、Xは、単結合、−COO−、又は−CONH−である。R 1 は、単結合又は炭素数1から6のアルカンジイル基である。R 2 は、炭素数1から4のアルキル基である。R 3 は、水素原子又はメチル基である。nは、1から4の整数である。nが2以上の場合、複数のR 2 は、それぞれ独立して上記定義を満たす。【選択図】図1A

8. 发明专利

JP6607109B2 硬化膜、表示素子、硬化膜形成用材料及び硬化膜の形成方法有权
公开(公告)号：JP6607109B2
公开(公告)日：2019-11-20
申请号：JP2016057660
申请日：2016-03-22
申请人： JSR株式会社
发明人：成子朗人 , 清水政宏 , 杉田光
IPC分类号： G03F7/023 , G03F7/075 , G03F7/032 , G03F7/20 , G02F1/1333 , C08G59/58

9. 发明专利

JP2017171748A 硬化膜、表示素子、硬化膜形成用材料及び硬化膜の形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017171748A
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：JP2016057660
申请日：2016-03-22
申请人： JSR株式会社
发明人：成子朗人 , 清水政宏 , 杉田光
IPC分类号： G03F7/023 , G03F7/075 , G03F7/032 , G03F7/20 , G02F1/1333 , C08G59/58
摘要：【課題】低い誘電性及び高い耐熱透明性を有し、表示素子の表示性能等を高めることができる硬化膜、この硬化膜を備える表示素子、並びに上記硬化膜を形成することができる硬化膜形成用材料及び硬化膜の形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、同一又は異なる分子中に、下記式(1)又は式(2)で表される基及びカルボキシ基を有する化合物を含有する硬化膜形成用材料から形成され、10kHzにおける比誘電率が2.5以上3.0以下である硬化膜である。式(1)中、R 1 は、3,4−エポキシシクロヘキシル基等である。R 2 は、単結合又は2価の炭化水素基である。式(2)中、R 3 は、オキシラニル基である。R 4 は、炭素数2以上の3価の炭化水素基である。【選択図】なし

10. 发明专利

JP6064666B2 硬化性組成物、着色画素及びその形成方法、並びにカラーフィルタ有权
标题翻译：可固化组合物，彩色像素和形成方法和彩色滤光片，
公开(公告)号：JP6064666B2
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：JP2013031368
申请日：2013-02-20
申请人： JSR株式会社
发明人：工藤和生 , 嶋田遵生子 , 杉田光
IPC分类号： G02B5/20 , G02B5/22 , G02F1/1335 , G03F7/40 , G03F7/004

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式