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1. 发明申请

WO2008126625A1 上層反射防止膜形成用樹脂及び上層反射防止膜形成用組成物並びにレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：用于形成上层抗反射膜的树脂，用于形成上层抗反射膜的组合物和耐蚀图案形成方法
公开(公告)号：WO2008126625A1
公开(公告)日：2008-10-23
申请号：PCT/JP2008/054658
申请日：2008-03-13
申请人： JSR株式会社 , 夏目紀浩 , 杉江紀彦 , 高橋純一
发明人：夏目紀浩 , 杉江紀彦 , 高橋純一
IPC分类号： C08F12/32 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0276 , C08F212/32 , G03F7/091 , C08F220/04 , C08F2220/385 , C08F222/02 , C08F212/14 , C08F2220/282 , C08F220/24
摘要：　本発明の目的は、リソグラフィーにおいて、定在波効果を十分に低減することができ、且つアルカリ現像液に対する溶解性に優れた上層反射防止膜形成用樹脂及び上層反射防止膜形成用組成物並びにレジストパターン形成方法を提供することである。本上層反射防止膜形成用樹脂は、下式（１）の繰り返し単位、及び下式（２）の繰り返し単位のうちの少なくとも一方を含み、ＧＰＣ法により測定される重量平均分子量が１０００～１０００００であり、且つアルカリ現像液に可溶なものである。　〔式中、Ｒ１～Ｒ１４は、それぞれ、水素原子、－ＯＨ、－ＣＯＯＨ、又は－ＳＯ３Ｈであり、且つＲ１～Ｒ７若しくはＲ８～Ｒ１４の全てが水素原子になることはない。〕
摘要翻译：公开了一种用于形成上抗反射膜的树脂，其可以令人满意地降低驻波效应并且在光刻中在碱性显影剂中具有优异的溶解性; 用于形成上部抗反射膜的组合物; 以及形成抗蚀剂图案的方法。具体地说，用于形成上部抗反射膜的树脂具有选自由式（1）表示的重复单元和式（2）表示的重复单元中的至少一个单元，其重均分子量为1000至100000，重均分子量为1000至100000 通过GPC法测量，并且可溶于碱性显影剂。（1）（2）其中R 1至R 14独立地表示氢原子，-OH，-COOH或-SO 3 H，条件是R 1至R 7或R 8至R 14之间的全部不表示氢原子一个分子

2. 发明申请

WO2008047678A1 上層膜形成用組成物及びフォトレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：用于形成上层膜的组合物和形成光电子图案的方法
公开(公告)号：WO2008047678A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/JP2007/069858
申请日：2007-10-11
申请人： JSR株式会社 , 西村幸生 , 杉江紀彦 , 中島浩光 , 夏目紀浩 , 河野大太
发明人：西村幸生 , 杉江紀彦 , 中島浩光 , 夏目紀浩 , 河野大太
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/2041
摘要：　十分に高い後退接触角を有する上層膜を形成可能であり、フォトレジスト膜の表面上に上層膜を形成するために用いられる上層膜形成用組成物であって、下記一般式（１－１）の繰り返し単位を含有し、かつ下記一般式（１－２）の繰り返し単位を含有しない樹脂（Ａ）と、下記一般式（１－２）の繰り返し単位を含有し、かつ下記一般式（１－１）の繰り返し単位を含有しない樹脂（Ｂ）と、を含む上層膜形成用組成物。（前記一般式（１－１）、（１－２）中、Ｒ１は水素等を、Ｒ２は単結合等を、Ｒ３はフッ素置換された炭素数１～１２の直鎖状または分岐状のアルキル基等を示す）
摘要翻译：公开了一种用于形成上层膜的组合物，其可以形成具有令人满意的高后退接触角的上层膜，并且可用于在光致抗蚀剂膜的表面上形成上层膜。该组合物包括具有由通式（1-1）表示的重复单元并且不具有由通式（1-2）表示的任何重复单元的树脂（A）和具有重复的单元由通式（1-2）表示，并且不具有由通式（1-1）表示的任何重复单元。（1-1）（1-2）其中R 1表示氢等; R 2表示单键或类似物; R 3表示具有1〜12个碳原子的氟取代的直链或支链烷基等。

3. 发明申请

WO2012036250A1 感放射線性樹脂組成物、重合体及びレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：辐射敏感性树脂组合物，聚合物和形成耐火图案的方法
公开(公告)号：WO2012036250A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/JP2011/071163
申请日：2011-09-15
申请人： JSR株式会社 , 松田恭彦 , 杉江紀彦 , 柿澤友洋 , 木元孝和
发明人：松田　恭彦 , 杉江　紀彦 , 柿澤　友洋 , 木元　孝和
IPC分类号： G03F7/039 , C08F220/18 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/004 , C08F220/30 , C08F224/00 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , Y10S430/114
摘要：　本発明は、［Ａ］同一又は異なる重合体中に、下記式（１）で表される構造単位（Ｉ）と下記式（２）で表される構造単位（ＩＩ）とを有する重合体成分、［Ｂ］感放射線性酸発生剤、及び［Ｃ］環構造を有する窒素含有化合物を含有する感放射線性樹脂組成物である。下記式（１）中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基である。Ｚは、Ｒ２と共に２価の単環の脂環式炭化水素基を形成する基である。Ｒ２は、炭素原子である。Ｒ３は、メチル基又はエチル基である。下記式（２）中、Ｒ４は、水素原子又はメチル基である。Ｘは、Ｒ５と共に炭素数１０以上の２価の有橋の脂環式炭化水素基を形成する基である。Ｒ５は、炭素原子である。Ｒ６は、炭素数３又は４の分岐状のアルキル基である。
摘要翻译：本发明提供一种辐射敏感性树脂组合物，其含有：[A]具有由式（1）表示的结构单元（I）的聚合物组分和由式（2）表示的结构单元（II）在相同或不同的聚合物 ; [B]辐射敏感酸产生剂; 和[C]具有环状结构的含氮化合物。在式（1）中，R 1表示氢原子或甲基; Z表示与R2一起形成二价单环脂肪族烃基的基团， R2是碳原子; 并且R 3是甲基或乙基。在式（2）中，R 4是氢原子或甲基; X是与R5一起形成C10或更多个二价桥连脂环烃基的基团; R5是碳原子; R6是C3或C4支链烷基。

4. 发明申请

WO2011118644A1 上層膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：表面层成膜组合物和耐蚀图案形成方法
公开(公告)号：WO2011118644A1
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：PCT/JP2011/057012
申请日：2011-03-23
申请人： JSR株式会社 , 草開一憲 , 羽山孝弘 , 杉江紀彦 , 島基之 , 田中希佳
发明人：草開　一憲 , 羽山　孝弘 , 杉江　紀彦 , 島　基之 , 田中　希佳
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要：　アルカリ性水溶液に可溶であり、且つフッ素原子を含有する樹脂（Ａ）と、１０１．３ｋＰａにおける沸点が１５０℃以上であり、且つ静的表面張力が２３．０ｍＮ／ｍ以下である溶剤（Ｂ１）を含有する溶剤成分（Ｂ）と、を含み、フォトレジスト膜上に上層膜を被覆形成するために用いられる上層膜形成用組成物を提供する。
摘要翻译：公开了一种用表面层膜涂覆光致抗蚀剂膜的表面的表面层成膜组合物，其包含溶解在碱性水溶液中并含有氟原子的树脂（A）和溶解成分（B），其中，在101.3kPa下含有沸点为150℃以上，静态表面张力为23.0mN / m以下的溶剂（B1）。

5. 发明申请

WO2007142209A1 パターン形成方法および高炭素含有樹脂組成物审中-公开
标题翻译：图案形成方法和高含碳树脂组合物
公开(公告)号：WO2007142209A1
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：PCT/JP2007/061322
申请日：2007-06-05
申请人： JSR株式会社 , 杉田光 , 杉江紀彦 , 石田英光 , 夏目紀浩 , 田中正人
发明人：杉田光 , 杉江紀彦 , 石田英光 , 夏目紀浩 , 田中正人
IPC分类号： G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/40
摘要：　リソグラフィープロセスにおいて、被加工基板をエッチングする条件で十分なエッチング耐性を有するパターンを形成する。被加工基板にレジストパターンを形成する工程と、このレジストパターン間に該レジストパターンよりもエッチング耐性に優れ、かつ分子内にシリコン原子を含まない重合体を埋め込む工程と、上記レジストパターンのみを選択的にエッチング除去して上記重合体のパターンを上記被加工基板に形成する工程とを含み、上記埋め込む工程において埋め込まれる重合体が分子内に芳香環を含有する重合体であり、上記重合体を埋め込む工程後に放射線照射処理を施す。
摘要翻译：本发明提供了一种图案形成方法，其在光刻工艺中在对象基板的蚀刻条件下形成具有令人满意的耐腐蚀性的图案。该方法包括在对象基板上形成抗蚀剂图案的步骤，在图案和步骤的凹部中嵌入具有比抗蚀剂图案更好的抗蚀剂图案并且在其分子中不含有任何硅原子的聚合物的步骤选择性地蚀刻和去除抗蚀剂图案以在对象基板上形成聚合物的图案。嵌入步骤中的聚合物是在其分子中具有芳环的聚合物，并且在嵌入聚合物的步骤之后，进行放射线照射处理。

6. 发明申请

WO2011034099A1 上層膜形成組成物及びフォトレジストパターンの形成方法审中-公开
标题翻译：上层膜形成组合物和形成光电子图案的方法
公开(公告)号：WO2011034099A1
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：PCT/JP2010/065957
申请日：2010-09-15
申请人： JSR株式会社 , 杉江紀彦 , 草開一憲 , 田中希佳 , 島基之 , 山口佳一
发明人：杉江　紀彦 , 草開　一憲 , 田中　希佳 , 島　基之 , 山口　佳一
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/038 , G03F7/11 , G03F7/2041
摘要：　（Ａ）現像液に可溶な樹脂と、（Ｂ）１０１．３ｋＰａにおける沸点が１８０～２８０℃、及び２０℃における蒸気圧が０．００１～０．１ｋＰａである（Ｂ１）溶剤を１～１５質量％含有する溶剤成分と、を含み、フォトレジスト膜上に上層膜を被覆形成するために用いられる上層膜形成組成物である。
摘要翻译：公开了一种上层成膜组合物，其用于在光致抗蚀剂膜上形成上层膜以覆盖光致抗蚀剂膜。上层成膜组合物含有（A）可溶于显影剂溶液的树脂和（B）含有1-15质量％（B1）沸点为180-280℃的溶剂的溶剂成分在101.3kPa下，在20℃下蒸气压为0.001-0.1kPa。

7. 发明申请

WO2009041270A1 液浸用上層膜形成用組成物及び液浸用上層膜並びにフォトレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：用于形成上层暴露的上层膜的组合物，用于浸没曝光的上层膜和形成光电子图案的方法
公开(公告)号：WO2009041270A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/JP2008/066351
申请日：2008-09-10
申请人： JSR株式会社 , 杉浦誠 , 河野大太 , 杉江紀彦 , 若松剛史 , 夏目紀浩 , 西村幸生
发明人：河野大太 , 杉江紀彦 , 若松剛史 , 夏目紀浩 , 西村幸生
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/2041
摘要：　本発明の目的は、ウォーターマーク欠陥や溶け残り欠陥等の液浸露光プロセス由来の欠陥発生を効果的に抑制できる上層膜を形成可能な液浸用上層膜形成用組成物及び液浸用上層膜並びにレジストパターン形成方法を提供することである。本発明の上層膜形成用組成物は、樹脂成分と溶剤とを含むものであり、樹脂成分として、式（１－１）～（１－３）で表される繰り返し単位のうちの少なくとも１種と、式（２－１）及び（２－２）で表される繰り返し単位のうちの少なくとも一方と、を含有する樹脂（Ａ）を含む。［式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ２及びＲ３はメチレン基、炭素数２～６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、又は炭素数４～１２の脂環式のアルキレン基を示し、Ｒ４は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ５は単結合、メチレン基、又は炭素数２～６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を示す。］
摘要翻译：一种用于形成浸渍曝光用上层膜的组合物。可以通过浸没曝光工艺（如水印缺陷和溶解残留缺陷）形成上层膜，从而有效抑制显影缺陷。还提供了用于浸渍曝光的上层膜和形成抗蚀剂图案的方法。用于形成上层膜的组合物包括树脂成分和溶剂。树脂成分包括含有选自由式（1-1）〜（1-3）表示的重复单元中的至少一种重复单元的树脂（A）和由式（2-1）和（2-2）。（1-1）（1-2）（1-3）（2-1）（2-2）[式中，R1表示氢或甲基; R2和R3各自表示亚甲基，直链或支链C 2-6亚烷基或脂环族C 4-12亚烷基; R4代表氢或甲基; 并且R 5表示单键，亚甲基或直链或支链C 2-6亚烷基。]

8. 发明申请

WO2007066653A1 ポリシロキサン及び感放射線性樹脂組成物审中-公开
标题翻译：聚硅氧烷和辐射敏感性树脂组合物
公开(公告)号：WO2007066653A1
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：PCT/JP2006/324249
申请日：2006-12-05
申请人： JSR株式会社 , 西村功 , 杉江紀彦 , 夏目紀浩 , 高橋純一
发明人：西村功 , 杉江紀彦 , 夏目紀浩 , 高橋純一
IPC分类号： C08G77/12 , G03F7/039 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0757 , C08G77/12 , C08G77/14 , G03F7/0045
摘要：　下記の一般式（Ｉ）、及び一般式（ＩＩ）で表されるシラン化合物を、水の存在下、重縮合することにより得られる、下記の一般式（ＩＩＩ）、及び下記の式（ＩＶ）で表される構造単位を有するポリシロキサン、並びに当該ポリシロキサン、及び感放射線性酸発生剤を含有してなる感放射線性樹脂組成物。（式中、各Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及び各Ｒ４の定義は明細書に記載のとおりである。）
摘要翻译：公开了具有下述通式（III）或通式（IV）表示的结构单元的聚硅氧烷，其通过以下通式（I）或通式（II）表示的硅烷化合物的缩聚获得：的水。还公开了含有这种聚硅氧烷和辐射敏感性酸发生剂的辐射敏感性树脂组合物。（式中，R 1，R 2，R 3，R 4和R 4如在说明书中所定义）。）

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