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1. 发明申请

WO2010007971A1 感放射線性樹脂組成物审中-公开
标题翻译：辐射敏感性树脂组合物
公开(公告)号：WO2010007971A1
公开(公告)日：2010-01-21
申请号：PCT/JP2009/062697
申请日：2009-07-13
申请人： JSR株式会社 , 下川努 , 江畑琢磨 , 酒井香織 , 大泉芳史 , 征矢野晃雅 , 大塚昇
发明人：下川　努 , 江畑　琢磨 , 酒井　香織 , 大泉　芳史 , 征矢野　晃雅 , 大塚　昇
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397
摘要：　解像性能に優れ、かつ、ナノエッジラフネスの小さい化学増幅型レジストを形成可能な感放射線性樹脂組成物を提供する。　（Ａ）下記一般式（１）で示される部分構造を有する感放射線性酸発生剤と、（Ｂ）樹脂とを含有する感放射線性樹脂組成物。〔一般式（１）において、Ｒ１は１価の炭化水素基等を示す。〕
摘要翻译：公开了能够制造具有优异的分辨率性能和小的纳米边缘粗糙度的化学放大抗蚀剂的辐射敏感性树脂组合物。辐射敏感性树脂组合物包含（A）具有由通式（1）表示的部分结构和（B）树脂的辐射敏感性酸发生剂。 [通式（1）中，R 1表示一价烃基等。]

2. 发明申请

WO2009022540A1 化合物及び感放射線性組成物审中-公开
标题翻译：化合物和辐射敏感组合物
公开(公告)号：WO2009022540A1
公开(公告)日：2009-02-19
申请号：PCT/JP2008/063653
申请日：2008-07-30
申请人： JSR株式会社 , 清水大輔 , 丸山研 , 甲斐敏之 , 下川努
发明人：清水大輔 , 丸山研 , 甲斐敏之 , 下川努
IPC分类号： C07C69/736 , C07C69/96 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： C07C69/736 , C07C43/23 , C07C2603/92 , G03F7/0392
摘要：　下記一般式（１）で表される化合物。
摘要翻译：公开了由以下通式（1）表示的化合物。

3. 发明申请

WO2008143301A1 パターン形成方法及びそれに用いる樹脂組成物审中-公开
标题翻译：方法中使用的图案形成方法和树脂组合物
公开(公告)号：WO2008143301A1
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：PCT/JP2008/059386
申请日：2008-05-21
申请人： JSR株式会社 , 中村敦 , 下川努 , 高橋純一 , 安陪毅由 , 永井智樹 , 柿澤友洋
发明人：中村敦 , 下川努 , 高橋純一 , 安陪毅由 , 永井智樹 , 柿澤友洋
IPC分类号： G03F7/40 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0035 , G03F7/0397 , G03F7/40 , H01L21/0273 , Y10S430/106
摘要：　（１）第一のレジスト層を選択的に露光した後、現像して第一のパターンを形成する工程と、（２）第一のパターン上に、ベークすることで現像液に対して不溶化又は難溶化する水酸基を有する樹脂、及び溶媒を含有する所定の樹脂組成物を塗布し、ベーク後、洗浄して第二のパターンを形成する工程と、（３）第二のパターンを、全面露光又は選択的に露光することによって部分的に現像液に可溶にした後、現像して、穴及び溝の少なくともいずれかが第二のパターンに形成された第三のパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法である。
摘要翻译：本发明提供了一种图案形成方法，包括（1）选择性地暴露第一抗蚀剂层，然后使曝光的第一抗蚀剂层显影以形成第一图案的步骤，（2）涂覆含有树脂的预定树脂组合物的步骤含有羟基，其在烘烤时可使树脂在显影溶液和溶剂中不溶或微溶于第一图案，烘烤涂层，并洗涤烘烤的涂层以形成第二图案，和（3）使第二图案经受整个图像曝光或选择性曝光以使第二图案部分地溶解在显影液中的步骤，然后显影该图案以形成包括形成在第二图案中的孔和槽中的至少一个的第三图案。

4. 发明申请

WO2008015969A1 パターン形成方法、上層膜形成用組成物、及び下層膜形成用組成物审中-公开
标题翻译：形成图案的方法，形成上层膜的组合物和形成下层膜的组合物
公开(公告)号：WO2008015969A1
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：PCT/JP2007/064756
申请日：2007-07-27
申请人： JSR株式会社 , 杉田光 , 松村信司 , 清水大輔 , 甲斐敏之 , 下川努
发明人：杉田光 , 松村信司 , 清水大輔 , 甲斐敏之 , 下川努
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/075 , G03F7/11 , G03F7/38
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/0045 , G03F7/0757 , G03F7/265
摘要：　電子線（以下、ＥＢと略称する）、Ｘ線、極紫外線（以下、ＥＵＶと略称する）による微細パターン形成に好適なパターン形成方法等を提供する。本発明の方法は、（１）放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤を含有する下層膜を基板上に硬化形成する工程と、（２）マスクを介して前記下層膜に放射線を照射して、前記下層膜の放射線照射部に選択的に酸を発生させる工程と、（３）前記下層膜上に、感放射線性酸発生剤を含まず酸によって重合または架橋する組成物を含有する上層膜を形成する工程と、（４）前記上層膜の、前記下層膜における酸が発生した部位に対応する部位において選択的に重合または架橋硬化膜を形成する工程と、（５）前記上層膜の、前記下層膜における酸が発生していない部位に対応する部位を除去する工程と、を前記の順で含む。
摘要翻译：适合于用电子束（以下简写为EB），X射线或极紫外（以下简称为EUV）形成精细图案的图案形成方法。该方法按以下顺序包括以下步骤：（1）在基材上形成含有辐射敏感酸产生剂的下层膜，该下层膜产生酸，并固化; （2）通过掩模对下层膜照射辐射的步骤，以选择性地在被辐射的下层膜的那些区域中产生酸; （3）在下层膜上形成不含有辐射敏感性酸发生剂的上层膜，其中含有通过酸作用聚合或交联的组合物的上层膜; （4）在与产生酸的下层膜的那些区域相对应的上层膜的那些区域中选择性地形成聚合或交联/固化膜的步骤; 和（5）除去上层膜的与没有产生酸的下层膜的那些区域对应的那些区域的步骤。

5. 发明申请

WO2005101129A1 感放射線性樹脂組成物审中-公开
标题翻译：辐射敏感性树脂组合物
公开(公告)号：WO2005101129A1
公开(公告)日：2005-10-27
申请号：PCT/JP2005/007123
申请日：2005-04-13
申请人： JSR株式会社 , 西村功 , 千葉隆 , 下川努
发明人：西村功 , 千葉隆 , 下川努
IPC分类号： G03F7/075
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0045 , G03F7/0757
摘要：　１９３ｎｍ以下の波長において透明性が高く、特に、焦点深度（ＤＯＦ）に優れた化学増幅型レジストとして、保存後の感度変化が著しく抑制された感放射線性樹脂組成物を提供する。　感放射線性樹脂組成物は、（イ）下記式（Ｉ）で表される構造単位（Ｉ）および／または下記式（II）で表される構造単位（II）を有するシロキサン樹脂、（ロ）感放射線性酸発生剤、並びに（ハ）溶剤を含有し、樹脂組成物中の（イ）～（ハ）成分以外の含窒素化合物の含有率が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。　　【化１】（ＡおよびＢは直鎖状、分岐状もしくは環状の２価の（置換）炭化水素基を示し、Ｒ 1 は１価の酸解離性基を示し、Ｒ 2 は水素原子または１価の酸解離性基を示す。）
摘要翻译：公开了对波长不大于193nm高度透明的特别适合于具有优异的焦深（DOF）的化学放大型抗蚀剂的辐射敏感性树脂组合物。此外，在该放射线敏感性树脂组合物中，抑制了储存后的灵敏度变化。辐射敏感性树脂组合物的特征在于，其含有（i）具有由下式（I）表示的结构单元（I）和/或由下式（II）表示的结构单元（II））的硅氧烷树脂，（ii）辐射敏感性酸产生剂和（iii）溶剂，除了组分（i） - （iii）以外的含氮化合物的含量不超过100ppm。（I）（II）（上式中，A和B分别表示直链，支链或环状二价（取代）烃基，R 1表示一价酸可裂解基团，R 2表示氢原子或一价酸可裂解基团。）

6. 发明申请

WO2009142182A1 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法及びフォトレジスト膜审中-公开
标题翻译：辐射敏感性树脂组合物，形成电阻图案和光刻胶膜的方法
公开(公告)号：WO2009142182A1
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：PCT/JP2009/059151
申请日：2009-05-18
申请人： JSR株式会社 , 成岡岳彦 , 笠原一樹 , 中川大樹 , 榊原宏和 , 杉浦誠 , 下川努 , 志水誠 , 西村幸生 , 松村信司 , 浅野裕介
发明人：成岡　岳彦 , 笠原　一樹 , 中川　大樹 , 榊原　宏和 , 杉浦　誠 , 下川　努 , 志水　誠 , 西村　幸生 , 松村　信司 , 浅野　裕介
IPC分类号： C08F20/28 , C07C69/96 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： C07C69/96 , C08F220/24 , C08F220/30 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要：　本発明の目的は、液浸露光時に接触する液浸露光用液体への溶出物の量が少なく、液浸露光用液体との後退接触角が大きく、現像欠陥が少なく、且つ微細なレジストパターンを高精度に形成することが可能なレジスト膜を形成し得る感放射線性樹脂組成物等を提供することである。本発明の感放射線性樹脂組成物は、液浸露光工程を含むレジストパターン形成方法において、レジスト膜を形成するために用いられる樹脂組成物であって、樹脂成分と、酸発生剤と、溶剤とを含有しており、この樹脂成分は、側鎖にフッ素原子と酸解離性基とを有する繰り返し単位（ａ１）を含有する樹脂（Ａ１）を含み、且つ、前記樹脂組成物は、Ｋ１＝Ｆ１／Ｆ２（式中、Ｆ１はレジスト膜の最表面付近におけるフッ素含有率を示し、Ｆ２はレジスト膜の最表面側から膜厚の２０％付近におけるフッ素含有率を示す。）で定義されるＫ１の値が、１≦Ｋ１ ≦５を満たす。
摘要翻译：公开了一种辐射敏感性树脂组合物，其在溶液暴露期间几乎不溶解到用于浸渍曝光的液体中，树脂组合物接触，并且与用于浸渍曝光的液体具有大的后退接触角。辐射敏感性树脂组合物可以形成能够高度精确地形成具有较少显影缺陷的精细抗蚀剂图案的抗蚀剂膜。辐射敏感性树脂组合物用于在形成抗蚀剂图案的方法中形成抗蚀剂膜，该方法包括浸渍曝光步骤，并含有树脂组分，酸产生剂和溶剂。树脂成分含有侧链含有具有氟原子和酸分解性基团的重复单元（a1）的树脂（A1）。树脂组合物的特征在于，由下式定义的K1的值：K1 = F1 / F2（其中F1表示抗蚀剂膜的最外表面部分中的氟含量比，F2表示部分中的氟含量比从最外表面到抗蚀膜的厚度的约20％的位置）满足下式：1 = K1 = 5。

7. 发明申请

WO2009025335A1 感放射線性組成物及び化合物审中-公开
标题翻译：辐射敏感组合物和化合物
公开(公告)号：WO2009025335A1
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：PCT/JP2008/064948
申请日：2008-08-21
申请人： JSR株式会社 , 清水大輔 , 丸山研 , 甲斐敏之 , 下川努
发明人：清水大輔 , 丸山研 , 甲斐敏之 , 下川努
IPC分类号： C07C69/96 , C07C39/17 , C07C69/734 , G03F7/039
CPC分类号： C07C39/17 , C07C69/00 , C07C2603/74 , C07C2603/92 , G03F7/0392
摘要：　下記一般式（１）で表される化合物を提供する。（前記一般式（１）において、Ｒは水素原子等、Ｙはアルキル基等、ｑは０または１、ｎは０以上の整数である。）
摘要翻译：公开了由以下通式（1）表示的化合物。（通式（1）中，R表示氢原子等，Y表示烷基等; q表示0或1，n表示不小于0的整数）。

8. 发明申请

WO2005037846A1 シラン化合物、ポリシロキサンおよび感放射線性樹脂組成物审中-公开
标题翻译：硅烷化合物，聚硅氧烷和辐射敏感性树脂组合物
公开(公告)号：WO2005037846A1
公开(公告)日：2005-04-28
申请号：PCT/JP2004/015150
申请日：2004-10-14
申请人： JSR株式会社 , 西村功 , 山原登 , 田中正人 , 下川努
发明人：西村功 , 山原登 , 田中正人 , 下川努
IPC分类号： C07F7/18
CPC分类号： G03F7/0757 , C07F7/0852 , C07F7/1836 , C08G77/14 , C08G77/24 , G03F7/0045
摘要： Disclosed is a novel polysiloxane which is suitable for a resin component in a chemically amplified resist that is particularly excellent in I-D bias, depth of focus (DOF) and the like. Also disclosed are a novel silane compound useful as a raw material for synthesizing such a polysiloxane, and a radiation-sensitive resin composition containing such a polysiloxane. The silane compound is represented by the following formula (I). (I) The polysiloxane has a constitutional unit represented by the following formula (1). (1) (R represents an alkyl group; R and R respectively represent a fluorine atom, a lower alkyl group or a lower fluorinated alkyl group; n is 0 or 1; k is 1 or 2; and i is an integer of 0-10.) The radiation-sensitive resin composition contains such a polysiloxane and a radiation-sensitive acid generator.
摘要翻译：公开了适用于I-D偏压，深度聚焦（DOF）等特别优异的化学增幅抗蚀剂中的树脂成分的新型聚硅氧烷。还公开了可用作合成这种聚硅氧烷的原料的新型硅烷化合物和含有这种聚硅氧烷的辐射敏感性树脂组合物。硅烷化合物由下式（I）表示。（I）聚硅氧烷具有由下式（1）表示的结构单元。（1）（R表示烷基; R 1和R 2分别表示氟原子，低级烷基或低级氟代烷基; n为0或1; k为1或2; i 是0-10的整数。）辐射敏感性树脂组合物含有这种聚硅氧烷和辐射敏感的酸发生剂。

9. 发明申请

WO2009016984A1 化合物及びその製造方法审中-公开
标题翻译：化合物及其制造方法
公开(公告)号：WO2009016984A1
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：PCT/JP2008/063069
申请日：2008-07-18
申请人： JSR株式会社 , 丸山研 , 清水大輔 , 西村幸生 , 甲斐敏之 , 下川努
发明人：丸山研 , 清水大輔 , 西村幸生 , 甲斐敏之 , 下川努
IPC分类号： C07C35/22 , C07C29/20 , C07C37/20 , C07C39/12 , C08G61/00 , G03F7/039
CPC分类号： C07C37/20 , C07C35/44 , C07C39/17 , C07C2603/92 , C08L61/12 , G03F7/0397
摘要：　高精度にかつ安定して微細パターンを形成可能なレジスト膜を形成できることに加え、塗布性に優れた感放射線性組成物の材料である化合物であり、一般式（１）で表される化合物及び一般式（２）で表される化合物を縮合反応させ、水素添加して得られる化合物。
摘要翻译：公开了作为能够形成能够以高精度稳定地形成精细图案的抗蚀剂膜的具有优异涂布性的辐射敏感性组合物的化合物。具体公开的是通过使下述通式（1）表示的化合物和下述通式（2）表示的化合物进行缩合反应而进行氢化而得到的化合物。

10. 发明申请

WO2008084786A1 化合物及び感放射線性組成物审中-公开
标题翻译：化合物和辐射敏感组合物
公开(公告)号：WO2008084786A1
公开(公告)日：2008-07-17
申请号：PCT/JP2008/050083
申请日：2008-01-08
申请人： JSR株式会社 , 清水大輔 , 丸山研 , 甲斐敏之 , 下川努
发明人：清水大輔 , 丸山研 , 甲斐敏之 , 下川努
IPC分类号： C07C43/23 , C07C39/17 , C07C69/712 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： C07C39/17 , C07C43/23 , C07C69/712 , G03F7/004 , G03F7/0392 , Y10S430/115 , Y10S430/12 , Y10S430/122
摘要：　電子線等に有効に感応し、低ラフネス等に優れ、微細パターンを高精度かつ安定して形成可能なレジスト膜を成膜できる感放射線性組成物の材料である化合物であり、下記一般式（１）で表される化合物。
摘要翻译：公开了以下通式（1）表示的化合物，其为能够形成对电子束等有效敏感的抗蚀剂膜的放射线敏感性组合物的原料，并且具有优异的低粗糙度等同时能够以高精度稳定地形成精细图案。

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