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1. 发明公开

EP0046525A3 Package comprising a substrate, a conductive interconnection pattern and a superposed conductive structure and a method to form part of such a package 失效
标题翻译：包含基板，导电互连图案和超导导电结构的封装以及形成这种封装的一部分的方法
公开(公告)号：EP0046525A3
公开(公告)日：1984-07-25
申请号：EP81106121
申请日：1981-08-05
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Logan, Joseph Skinner , Mauer IV, John Lester , Rothman, Laura Beth , Schwartz, Geraldine Cogin , Standley, Charles Lambert
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/90 , H01L23/54
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/4846 , H01L21/7688 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , Y10S438/951 , H01L2924/00
摘要： The package has at least two levels of conductive interconnected patterns (26, 50A. 50B). The insulation containing the metal filled via openings (36) between the different levels consists of a lower layer (30) of an electrically insulating organic polymer and an overlying oxygen plasma resistant inorganic insulating layer (23). In the formation of the interconnection metallurgy inorganic insulating layer (23) prohibits overetching in producing the hole pattern in the organic insulating layer (42) laterally surrounding the conductive pattern (50A, 50B) in the next level. The entirety of the insulation between the levels is thus ensured.

2. 发明公开

EP0025129A2 Verfahren zur Herstellung von Isolationsbereichen in Silicium 失效
标题翻译：在Silicium的Verfahren zur Herstellung von Isolationsbereichen。
公开(公告)号：EP0025129A2
公开(公告)日：1981-03-18
申请号：EP80104760.6
申请日：1980-08-12
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Lever, Reginald Frank , Mauer, John Lester , Michel, Alwin Earl , Rothman, Laura Beth
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/312 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02282 , H01L21/02323 , H01L21/02351 , H01L21/3121 , H01L21/316 , H01L21/76229 , Y10S148/131
摘要： Bei dem Verfahren zur Herstellung von Isolationsbereichen in Silicium werden tiefe, breite Gräben in die planare Oberfläche eines Siliciumsubstrats geätzt; eine dünne SiO 2 -Schicht auf der planaren Oberfläche des Substrats und auf den Oberflächen der Gräben gebildet; eine Glasharzschicht auf die planare Oberfläche des Substrats aufgetragen und die Gräben mit Glasharz ausgefüllt und ein Teil des Glasharzes von der planaren Oberfläche des Substrats mittels Schleudern entfernt. Nach dem Härten des Substrats erfolgt eine Bestrahlung des Glasharzes in den Gräben mit Elektronenstrahlen, eine Entwicklung mit Lösungsmittel und Erhitzen des Substrats in Sauerstoffatmosphäre zur Umwandlung des Glasharzes in den Gräben in Siliciumdioxid. Um eine planare Oberfläche zu erhalten, wird eine Siliciumdioxidschicht auf die Oberfläche des Substrats aufgetragen und diese anschließend biszum Siliciumsubstratwiederabgetragen.
Das Verfahren wird in integrierten Schaltungen verwendet, um Schaltungselementevoneinanderzu isolieren.
摘要翻译：一种用于在硅半导体衬底的平面表面中提供深宽二氧化硅填充沟槽的平面深氧化物隔离工艺，所述方法包括以下步骤：（a）在硅衬底的平面表面中形成深宽沟槽; （b）在硅衬底的平面表面和所述深宽沟槽的暴露的硅表面上形成二氧化硅薄层; （c）将树脂玻璃（聚硅氧烷）施加到所述深宽沟槽的所述半导体衬底的平面上; （d）在基板的平面上脱出树脂玻璃的至少一部分; （e）在低温下烘烤基材; （f）将包含在基底的深宽沟槽内的树脂玻璃暴露于电子束的能量; （g）在溶剂中显影所述基板上所含的树脂玻璃; （h）在氧气中加热所述衬底以将包含在所述深宽沟槽内的所述树脂玻璃转化为二氧化硅; （i）沉积二氧化硅层以在所述衬底的暴露表面上提供平面二氧化硅表面; 和（j）将暴露的二氧化硅表面平坦化到衬底的硅。一种用于在前面段落中提供的硅半导体衬底的平坦表面中提供深宽二氧化硅填充沟槽的平面深氧化物隔离工艺，其中执行以下步骤代替权利要求1的步骤i，所述步骤包括：（ i-1）应用树脂玻璃的第二薄层; 和（i-2）将所述树脂玻璃转化为二氧化硅。

3. 发明公开

EP0617573A1 Vapor drain system 失效
标题翻译：蒸汽排水系统
公开(公告)号：EP0617573A1
公开(公告)日：1994-09-28
申请号：EP94102707.0
申请日：1994-02-23
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Baseman, Robert Jeffrey , Brown, Charles Allan , Eldridge, Benjamin Niles , Rothman, Laura Beth , Wendt, Herman Russel , Yeh, James Tien-Cheng , Zingher, Arthur R.
IPC分类号： H05K13/00 , B65G1/00
CPC分类号： H01L21/67366 , B65G1/00 , H01L21/67393
摘要： During wafer fabrication, a transportable enclosure, such as a Standard Manufacturing InterFace (SMIF) pod encloses a nascent product, such as a semiconductor wafer, to protect the wafer against contamination during manufacture, storage or transportation. However chemical vapors emitted inside the pod can accumulate in the air and degrade wafers during subsequent fabrication. In order to absorb the vapors inside a closed pod, a vapor removal element typically including an activated carbon absorber, covered by a particulate-filtering vapor-permeable barrier, and covered by a guard plate with holes is disposed within the enclosure. A vapor removal element is disposed closely adjacent to each respective wafer. Alternatively, a single vapor removal element is located inside the enclosure. In certain instances, a fan or thermo-buoyant circulation causes any vapors located inside the enclosure to a vapor removal element for removal. Alternatively a porous vapor removal element may be disposed for removing vapors from air entering the enclosure. In another embodiment a vapor removal element is integrated with the back face of each wafer.
摘要翻译：在晶圆制造期间，诸如标准制造接口（SMIF）晶圆盒的可移动外壳封闭诸如半导体晶圆的新生产品，以保护晶圆在制造，储存或运输期间免受污染。然而，在晶圆盒内发射的化学蒸汽会积聚在空气中，并在随后的制造过程中使晶圆降解。为了吸收封闭容器内的蒸气，通常包括活性碳吸收剂的蒸气去除元件被覆盖有颗粒过滤蒸气可渗透屏障并且被具有孔的护板覆盖，该蒸汽去除元件被设置在外壳内。蒸汽去除元件紧靠每个相应的晶片设置。或者，单个蒸汽去除元件位于外壳内部。在某些情况下，风扇或热浮力循环会使位于外壳内部的任何蒸气去除蒸汽去除元件。或者，可设置多孔蒸气去除元件以从进入封闭空间的空气中去除蒸气。在另一个实施例中，蒸汽去除元件与每个晶片的背面集成。

4. 发明公开

EP0019781A2 Method to produce a metal thin film pattern 失效
标题翻译： Verfahren zum Herstellen eines metallischenDünnschichtmusters。
公开(公告)号：EP0019781A2
公开(公告)日：1980-12-10
申请号：EP80102577.6
申请日：1980-05-09
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Rothman, Laura Beth , Totta, Paul Anthony , White, James Francis
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/285
CPC分类号： H01L29/66848 , H01L21/0272 , H01L21/28 , H01L21/28512 , H01L23/4855 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , Y10S438/951 , H01L2924/00
摘要： On a substrate blanket coatings of a metal thin film (5) and an organic polymer (6) are auccessively deposited. A pattern of openings (10) is formed through polymer (6). A blanket layer of matter (11) is deposited in the presence of which thin film (5) and polymer (6) are removable selectively. Polymer (6) is dissolved where the layers thereon are lifted off. The exposed portions of thin film (5) are removed.
Owing to being protected by metal thin film (5) during the lift-off process the substrate is not contaminated in the application of the method especially if dry-etching is used.
The method is employed effectively in semiconductor processing and can be used to fabricate Schottky barrier diodes and/or the metallization for integrated circuits on silicon wafers (1) containing semiconductor devices.
摘要翻译：在金属薄膜（5）和有机聚合物（6）的基底上涂层涂层被沉积。通过聚合物（6）形成开口（10）的图案。在其上可选择性地除去薄膜（5）和聚合物（6）的存在下沉积物质层（11）。聚合物（6）溶解，其上提起其上的层。去除薄膜（5）的暴露部分。由于在剥离过程中被金属薄膜（5）保护，所以在施加该方法时，基材不会被污染，特别是如果使用干法蚀刻。该方法在半导体处理中有效地使用，并且可以用于在包含半导体器件的硅晶片（1）上制造用于集成电路的肖特基势垒二极管和/或金属化。

5. 发明公开

EP0836895A3 Residue removal by supercritical fluids 失效
标题翻译：通过超临界流体去除残余物
公开(公告)号：EP0836895A3
公开(公告)日：1998-09-16
申请号：EP97307272.1
申请日：1997-09-18
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人： McCullough, Kenneth John , Purtell, Robert Joseph , Rothman, Laura Beth , Wu, Jin-Jwang
IPC分类号： B08B7/00 , H01L21/00
CPC分类号： H01L21/02071 , B08B7/0021 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , Y10S134/902
摘要： A method for the removal of residue from an etched precision surface such as a semiconductor sample is provided which comprises exposing said precision surface to a supercritical fluid or liquid CO 2 under appropriate conditions that are sufficient to remove the residue from the precision surface. Cryogenic aerosol may be used in conjunction with either the supercritical fluid or liquid CO 2 .

6. 发明授权

EP0002669B1 Verfahren zum Entfernen von Material von einem Substrat durch selektive Trockemätzung und Anwendung dieses Verfahrens bei der Herstellung von Leitungsmustern 失效
标题翻译：通过选择性干蚀刻从基板上去除特征的方法和将该方法应用于导电图案的制造
公开(公告)号：EP0002669B1
公开(公告)日：1981-10-28
申请号：EP78101460.0
申请日：1978-11-27
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Schaible, Paul Martin , Schwartz, Geraldine Cogin , Rothman, Laura Beth
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02175 , H01L21/02263 , H01L21/0272 , H01L21/31608 , H01L21/32136 , Y10S438/945

7. 发明公开

EP0002669A1 Verfahren zum Entfernen von Material von einem Substrat durch selektive Trockemätzung und Anwendung dieses Verfahrens bei der Herstellung von Leitungsmustern 失效
标题翻译：一种用于从在生产的布线图案此方法通过选择性Trockemätzung基板和应用去除材料的方法。
公开(公告)号：EP0002669A1
公开(公告)日：1979-07-11
申请号：EP78101460.0
申请日：1978-11-27
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Schaible, Paul Martin , Schwartz, Geraldine Cogin , Rothman, Laura Beth
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02175 , H01L21/02263 , H01L21/0272 , H01L21/31608 , H01L21/32136 , Y10S438/945
摘要： in einem Verfahren für das selektive Entfernen von Material von einem Substrat bei der Herstellung von Leitungsmustern auf integrierten Halbleiterschaltungen durch trockene Ätzverfahren oder reaktives lonen-Ätzen wird eine Maske aus Magnesium-Oxid verwendet, welche sich gerade beim Plasma-Ätzen dadurch auszeichnet, daß sie nur langsam abgeätzt wird, keine Rückstände durch Rückstreuung bildet, das Plasma nicht verschlechtert, bei erhöhten Temperaturen nicht fließt und sich nicht verformt und über die ganze Fläche mit gleichförmiger Dicke reproduzierbar ist.
摘要翻译：在用于对通过干蚀刻或反应离子蚀刻的半导体集成电路中选择性地除去材料的方法，由氧化镁构成的掩模从衬底在导电图案的制剂，其可以是直链，其特征在于在等离子体刻蚀所述事实使用，只有他们缓慢地蚀刻，通过反向散射不会降低等离子体为代表的无残留，不在高温下流动，并且不会变形，并且可以在具有均匀厚度的整个表面被再现。

8. 发明公开

EP0836895A2 Residue removal by supercritical fluids 失效
标题翻译： Entfernung vonRückständendurchüberkritischeFluids
公开(公告)号：EP0836895A2
公开(公告)日：1998-04-22
申请号：EP97307272.1
申请日：1997-09-18
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人： McCullough, Kenneth John , Purtell, Robert Joseph , Rothman, Laura Beth , Wu, Jin-Jwang
IPC分类号： B08B7/00 , H01L21/00
CPC分类号： H01L21/02071 , B08B7/0021 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , Y10S134/902
摘要： A method for the removal of residue from an etched precision surface such as a semiconductor sample is provided which comprises exposing said precision surface to a supercritical fluid or liquid CO 2 under appropriate conditions that are sufficient to remove the residue from the precision surface. Cryogenic aerosol may be used in conjunction with either the supercritical fluid or liquid CO 2 .
摘要翻译：提供了用于从诸如半导体样品的蚀刻精密表面去除残余物的方法，其包括在足以从精密表面除去残余物的合适条件下将所述精密表面暴露于超临界流体或液体CO 2。低温气溶胶可以与超临界流体或液体二氧化碳结合使用。

9. 发明授权

EP0617573B1 Vapor drain system 失效
标题翻译：蒸汽排水系统
公开(公告)号：EP0617573B1
公开(公告)日：1996-12-04
申请号：EP94102707.0
申请日：1994-02-23
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Baseman, Robert Jeffrey , Brown, Charles Allan , Eldridge, Benjamin Niles , Rothman, Laura Beth , Wendt, Herman Russel , Yeh, James Tien-Cheng , Zingher, Arthur R.
IPC分类号： H05K13/00 , B65G1/00
CPC分类号： H01L21/67366 , B65G1/00 , H01L21/67393

10. 发明授权

EP0019781B1 Method to produce a metal thin film pattern 失效
标题翻译：生产金属薄膜图案的方法
公开(公告)号：EP0019781B1
公开(公告)日：1987-01-28
申请号：EP80102577.6
申请日：1980-05-09
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Rothman, Laura Beth , Totta, Paul Anthony , White, James Francis
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/285
CPC分类号： H01L29/66848 , H01L21/0272 , H01L21/28 , H01L21/28512 , H01L23/4855 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , Y10S438/951 , H01L2924/00

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