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1. 发明授权

CN104221130B 与化合物半导体的铜互连相关的改善的结构、装置和方法有权
公开(公告)号：CN104221130B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201380016231.5
申请日：2013-02-20
申请人：天工方案公司
发明人： K.程
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/469 , H01L21/768 , H01L21/76816 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76847 , H01L21/76852 , H01L21/76895 , H01L21/8252 , H01L23/485 , H01L23/4855 , H01L23/5283 , H01L23/532 , H01L23/53223 , H01L23/535 , H01L23/66 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0605 , H01L29/41 , H01L29/452 , H01L29/475 , H01L2223/6677 , H01L2224/04042 , H01L2224/05666 , H01L2224/48463 , H01L2224/4911 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/181 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：本申请公开了与诸如化合物半导体的半导体的铜互连金属化相关的改进的结构、装置和方法。在示例性构造中，金属化结构可包括设置在化合物半导体之上的第一钛(Ti)层、设置在第一Ti层之上的第一阻挡层、设置在第一阻挡层之上的第二Ti层和设置在第二Ti层之上的铜(Cu)层。在另一个示例性构造中，金属化结构可包括设置在化合物半导体之上的Ti层、设置在第一Ti层之上的第一氮化钛(TiN)层和设置在第一TiN层之上的Cu层。在再一个示例性构造中，金属化结构可包括设置在化合物半导体之上的堆叠，并且该堆叠包括势垒、设置在势垒之上的Cu层和设置在Cu层之上的第一Ti层。该金属化结构还可包括设置在第一Ti层之上的溅射的钛钨(TiW)层。

2. 发明公开

CN104221130A 与化合物半导体的铜互连相关的改善的结构、装置和方法有权
公开(公告)号：CN104221130A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201380016231.5
申请日：2013-02-20
申请人：天工方案公司
发明人： K.程
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/469 , H01L21/768 , H01L21/76816 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76847 , H01L21/76852 , H01L21/76895 , H01L21/8252 , H01L23/485 , H01L23/4855 , H01L23/5283 , H01L23/532 , H01L23/53223 , H01L23/535 , H01L23/66 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0605 , H01L29/41 , H01L29/452 , H01L29/475 , H01L2223/6677 , H01L2224/04042 , H01L2224/05666 , H01L2224/48463 , H01L2224/4911 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/181 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：本申请公开了与诸如化合物半导体的半导体的铜互连金属化相关的改进的结构、装置和方法。在示例性构造中，金属化结构可包括设置在化合物半导体之上的第一钛(Ti)层、设置在第一Ti层之上的第一阻挡层、设置在第一阻挡层之上的第二Ti层和设置在第二Ti层之上的铜(Cu)层。在另一个示例性构造中，金属化结构可包括设置在化合物半导体之上的Ti层、设置在第一Ti层之上的第一氮化钛(TiN)层和设置在第一TiN层之上的Cu层。在再一个示例性构造中，金属化结构可包括设置在化合物半导体之上的堆叠，并且该堆叠包括势垒、设置在势垒之上的Cu层和设置在Cu层之上的第一Ti层。该金属化结构还可包括设置在第一Ti层之上的溅射的钛钨(TiW)层。

3. 发明公开

CN105514072A 功率模块低电感引线端子无效
公开(公告)号：CN105514072A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610062337.4
申请日：2016-01-29
申请人：南京银茂微电子制造有限公司
发明人：庄伟东 , 姚二现
IPC分类号： H01L23/485
CPC分类号： H01L23/485 , H01L23/4855
摘要：本发明公开了功率模块低电感引线端子，包括与功率模块外部电源正、负母排相连的第一引线端子和第二引线端子，第一引线端子包括依次连接的若干个第一引线端脚、第一支撑部和第一固连接部；第二引线端子包括依次连接的若干个第二引线端脚、第二支撑部和第二固连接部；其中第一引线端子的第一引线端脚与第二引线端子的第二引线端脚交错设置。两个端子的引脚处在同一直线上，以减小端子寄生电感，相应地，DBC上的铜箔被设计成交错状，以实现互连。正负端子通过采用平行交叉结构，减小功率引线端子回路面积，大大减小了功率端子的寄生电感，约为11.9nH，仅为通用功率引线端子的二分之一。并且同时节省了两个引线端子在功率模块上的占用距离。

4. 发明授权

CN102969289B 半导体装置及其制造方法有权
公开(公告)号：CN102969289B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201210317464.6
申请日：2012-08-31
申请人：三菱电机株式会社
发明人：野上洋一 , 小山英寿 , 山本佳嗣
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/4855 , H01L23/481 , H01L23/482 , H01L23/4821 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：防止高频特性的恶化，提高耐湿性。在半导体衬底(1)的主表面上的元件区域内，设置有漏极电极(2)。一端和漏极电极连接的漏极布线(5)设置于主表面上。在主表面上的元件区域外，设置有和漏极布线分离的漏极电极垫(12)。Au镀层(9)设置于主表面上，在和主表面之间形成空隙(10)。空隙内包漏极布线的一端和漏极电极。已固化的聚酰亚胺膜(14)阻塞空隙的开口部(11)，覆盖漏极布线的另一端，而不覆盖漏极电极垫。在空隙的内表面设置有拒液膜(15)。经由在已固化的聚酰亚胺膜(14)设置的开口(16)，通过Au镀层(18)，漏极布线的另一端和漏极电极垫连接。漏极布线的另一端不从聚酰亚胺膜露出。

5. 发明公开

CN102969289A 半导体装置及其制造方法有权
公开(公告)号：CN102969289A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210317464.6
申请日：2012-08-31
申请人：三菱电机株式会社
发明人：野上洋一 , 小山英寿 , 山本佳嗣
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/4855 , H01L23/481 , H01L23/482 , H01L23/4821 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：防止高频特性的恶化，提高耐湿性。在半导体衬底（1）的主表面上的元件区域内，设置有漏极电极（2）。一端和漏极电极（2）连接的漏极布线（5）设置于主表面上。在主表面上的元件区域外，设置有和漏极布线（5）分离的漏极电极垫（12）。Au镀层（9）设置于主表面上，在和主表面之间形成空隙（10）。空隙（10）内包漏极布线（5）的一端和漏极电极（2）。已固化的聚酰亚胺膜（14）阻塞空隙（10）的开口部（11），覆盖漏极布线（5）的另一端，而不覆盖漏极电极垫（12）。在空隙（10）的内表面设置有拒液膜（15）。经由在已固化的聚酰亚胺膜（14）设置的开口（16），通过Au镀层（18），漏极布线（5）的另一端和漏极电极垫（12）连接。漏极布线（5）的另一端不从聚酰亚胺膜（14）露出。

6. 发明公开

EP0019781A2 Method to produce a metal thin film pattern 失效
标题翻译： Verfahren zum Herstellen eines metallischenDünnschichtmusters。
公开(公告)号：EP0019781A2
公开(公告)日：1980-12-10
申请号：EP80102577.6
申请日：1980-05-09
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Rothman, Laura Beth , Totta, Paul Anthony , White, James Francis
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/285
CPC分类号： H01L29/66848 , H01L21/0272 , H01L21/28 , H01L21/28512 , H01L23/4855 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , Y10S438/951 , H01L2924/00
摘要： On a substrate blanket coatings of a metal thin film (5) and an organic polymer (6) are auccessively deposited. A pattern of openings (10) is formed through polymer (6). A blanket layer of matter (11) is deposited in the presence of which thin film (5) and polymer (6) are removable selectively. Polymer (6) is dissolved where the layers thereon are lifted off. The exposed portions of thin film (5) are removed.
Owing to being protected by metal thin film (5) during the lift-off process the substrate is not contaminated in the application of the method especially if dry-etching is used.
The method is employed effectively in semiconductor processing and can be used to fabricate Schottky barrier diodes and/or the metallization for integrated circuits on silicon wafers (1) containing semiconductor devices.
摘要翻译：在金属薄膜（5）和有机聚合物（6）的基底上涂层涂层被沉积。通过聚合物（6）形成开口（10）的图案。在其上可选择性地除去薄膜（5）和聚合物（6）的存在下沉积物质层（11）。聚合物（6）溶解，其上提起其上的层。去除薄膜（5）的暴露部分。由于在剥离过程中被金属薄膜（5）保护，所以在施加该方法时，基材不会被污染，特别是如果使用干法蚀刻。该方法在半导体处理中有效地使用，并且可以用于在包含半导体器件的硅晶片（1）上制造用于集成电路的肖特基势垒二极管和/或金属化。

7. 发明公开

EP0303812A1 Chip contacts without oxide discontinuities 失效
标题翻译： Chip-Kontakte ohne Oxid-Unstetigkeiten。
公开(公告)号：EP0303812A1
公开(公告)日：1989-02-22
申请号：EP88110698.3
申请日：1988-07-05
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Gajda, Joseph John , Srikrishnan, Kris Venkataman , Totta, Paul Anthony , Trudeau, Francis Georges
IPC分类号： H01L21/90
CPC分类号： H01L21/76897 , H01L23/4855 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An integrated circuit chip including a first surface (64) and a higher second surface (68), with an abrupt sidewall step transition (71) therebetween (71), and having a first layer (36) of a first conductive material disposed over the first surface and over the second surface , but terminating on the first surface level in a first end portion which extends up to but does not touch the sidewall. This end portion comprises a conductive material (74) which has been converted to an insulator. A second layer of a second conductive material (40) is disposed on top of the first conductive layer with essentially no conductive material conversion to insulator therein adjacent to the abrupt sidewall transition.
In a preferred embodiment, the conductive material is an alloy of aluminum and the end portion is aluminum oxide.
摘要翻译：一种集成电路芯片，包括第一表面（64）和较高的第二表面（68），其间具有突然的侧壁阶跃转变（71），并且具有设置在所述第一表面上的第一导电材料的第一层（36）第一表面和第二表面上，但是在第一端部终止于第一表面水平面，该第一端部部分向上延伸但不接触侧壁。该端部包括已经转换成绝缘体的导电材料（74）。第二导电材料层（40）被设置在第一导电层的顶部上，基本上没有导电材料转换成邻近突变侧壁转变的绝缘体。在优选实施例中，导电材料是铝的合金，并且端部是氧化铝。

8. 发明申请

WO2013126458A1 IMPROVED STRUCTURES, DEVICES AND METHODS RELEATED TO COPPER INTERCONNECTS FOR COMPOUND SEMICONDUCTORS 审中-公开
标题翻译：用于化合物半导体的铜互连的改进的结构，器件和方法
公开(公告)号：WO2013126458A1
公开(公告)日：2013-08-29
申请号：PCT/US2013/026953
申请日：2013-02-20
申请人： SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人： CHENG, Kezia
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/469 , H01L21/768 , H01L21/76816 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76847 , H01L21/76852 , H01L21/76895 , H01L21/8252 , H01L23/485 , H01L23/4855 , H01L23/5283 , H01L23/532 , H01L23/53223 , H01L23/535 , H01L23/66 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0605 , H01L29/41 , H01L29/452 , H01L29/475 , H01L2223/6677 , H01L2224/04042 , H01L2224/05666 , H01L2224/48463 , H01L2224/4911 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/181 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： Disclosed are improved structures, devices and methods related to copper interconnect metallization of semiconductors such as compound semiconductors. In an example configuration, a metalized structure can include a first titanium (Ti) layer disposed over a compound semiconductor, a first barrier layer disposed over the first Ti layer, a second Ti layer disposed over the first barrier layer, and a copper (Cu) layer disposed over the second Ti layer. In another example configuration, a metalized structure can include a Ti layer disposed over a compound semiconductor, a first titanium nitride (TiN) layer disposed over the first Ti layer, and a Cu layer disposed over the first TiN layer. In yet another example configuration, a metalized structure can include a stack disposed over a compound semiconductor, with the stack including a barrier, a Cu layer disposed over the barrier, and a first Ti layer disposed over the Cu layer. The metalized structure can further include a sputtered titanium tungsten (TiW) layer disposed over the first Ti layer.
摘要翻译：公开了与诸如化合物半导体的半导体的铜互连金属化相关的改进的结构，器件和方法。在示例性配置中，金属化结构可以包括设置在化合物半导体上的第一钛（Ti）层，设置在第一Ti层上的第一势垒层，设置在第一阻挡层上的第二Ti层和铜（Cu ）层设置在第二Ti层上。在另一示例性配置中，金属化结构可以包括设置在化合物半导体上的Ti层，设置在第一Ti层上的第一氮化钛（TiN）层和设置在第一TiN层上的Cu层。在又一示例性配置中，金属化结构可以包括设置在化合物半导体上的堆叠，其中堆叠包括势垒，设置在势垒上的Cu层和设置在Cu层上的第一Ti层。金属化结构还可以包括设置在第一Ti层之上的溅射钛钨（TiW）层。

9. 发明申请

WO2013126458A8 IMPROVED STRUCTURES, DEVICES AND METHODS RELATED TO COPPER INTERCONNECTS FOR COMPOUND SEMICONDUCTORS 审中-公开
标题翻译：与复合半导体铜箔互连相关的改进结构，器件和方法
公开(公告)号：WO2013126458A8
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：PCT/US2013026953
申请日：2013-02-20
申请人： SKYWORKS SOLUTIONS INC
发明人： CHENG KEZIA
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/469 , H01L21/768 , H01L21/76816 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76847 , H01L21/76852 , H01L21/76895 , H01L21/8252 , H01L23/485 , H01L23/4855 , H01L23/5283 , H01L23/532 , H01L23/53223 , H01L23/535 , H01L23/66 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0605 , H01L29/41 , H01L29/452 , H01L29/475 , H01L2223/6677 , H01L2224/04042 , H01L2224/05666 , H01L2224/48463 , H01L2224/4911 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/181 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： Disclosed are improved structures, devices and methods related to copper interconnect metallization of semiconductors such as compound semiconductors. In an example configuration, a metalized structure can include a first titanium (Ti) layer disposed over a compound semiconductor, a first barrier layer disposed over the first Ti layer, a second Ti layer disposed over the first barrier layer, and a copper (Cu) layer disposed over the second Ti layer. In another example configuration, a metalized structure can include a Ti layer disposed over a compound semiconductor, a first titanium nitride (TiN) layer disposed over the first Ti layer, and a Cu layer disposed over the first TiN layer. In yet another example configuration, a metalized structure can include a stack disposed over a compound semiconductor, with the stack including a barrier, a Cu layer disposed over the barrier, and a first Ti layer disposed over the Cu layer. The metalized structure can further include a sputtered titanium tungsten (TiW) layer disposed over the first Ti layer.
摘要翻译：公开了与诸如化合物半导体的半导体的铜互连金属化相关的改进的结构，器件和方法。在示例性配置中，金属化结构可以包括设置在化合物半导体上的第一钛（Ti）层，设置在第一Ti层上的第一势垒层，设置在第一阻挡层上的第二Ti层和铜（Cu ）层设置在第二Ti层上。在另一示例性配置中，金属化结构可以包括设置在化合物半导体上的Ti层，设置在第一Ti层上的第一氮化钛（TiN）层和设置在第一TiN层上的Cu层。在又一示例性配置中，金属化结构可以包括设置在化合物半导体上的堆叠，其中堆叠包括势垒，设置在势垒上的Cu层和设置在Cu层上的第一Ti层。金属化结构还可以包括设置在第一Ti层之上的溅射钛钨（TiW）层。

10. 发明授权

EP0019781B1 Method to produce a metal thin film pattern 失效
标题翻译：生产金属薄膜图案的方法
公开(公告)号：EP0019781B1
公开(公告)日：1987-01-28
申请号：EP80102577.6
申请日：1980-05-09
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Rothman, Laura Beth , Totta, Paul Anthony , White, James Francis
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/285
CPC分类号： H01L29/66848 , H01L21/0272 , H01L21/28 , H01L21/28512 , H01L23/4855 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , Y10S438/951 , H01L2924/00

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