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1. 发明申请

WO2004030103A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VERGRABENEN STOPPZONE IN EINEM HALBLEITERBAUELEMENT UND HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER VERGRABENEN STOPPZONE 审中-公开
标题翻译：方法用于制造半导体元件埋止动区和半导体元件具有埋入STOP ZONE
公开(公告)号：WO2004030103A1
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/EP2003/009494
申请日：2003-08-27
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , EUPEC EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LESTUNGSHALBLEITER MBH , SCHULZE, Hans-Joachim , BARTHELMESS, Reiner , MAUDER, Anton , NIEDERNOSTHEIDE, Franz-Josef
发明人： SCHULZE, Hans-Joachim , BARTHELMESS, Reiner , MAUDER, Anton , NIEDERNOSTHEIDE, Franz-Josef
IPC分类号： H01L29/36
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/263 , H01L29/0878 , H01L29/167 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/66136 , H01L29/66333 , H01L29/66712 , H01L29/7395 , H01L29/861
摘要： Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Stoppzone in einem Halbleiterbauelement und Halbleiterbauelement mit einer vergrabenen Stoppzone Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Stoppzone in einer dotierten Zone eines Halbleiterkörpers, der eine erste Seite und eine zweite Seite aufweist, wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte umfasst: - Aufbringen einer Aussparungen aufweisenden Maske auf eine der Seiten des Halbleiterkörpers, - Bestrahlen der die Maske aufweisende Seite mit einer Protonenstrahlung, - Durchführen eines Temperverfahrens zur Erzeugung wasser stoffinduzierter Domtoren in dem Halbleiterkörper. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Halbleiterbauelement mit einer vergrabenen Stoppzone.
摘要翻译：一种用于在半导体装置及半导体装置制造的掩埋停止区具有掩埋停止区本发明涉及一种用于制造在具有第一侧和第二侧，所述方法包括以下步骤的半导体本体的掺杂区域中的停止区的过程： - 施加具有在半导体本体的侧部中的一个掩模的凹部， - 照射所述掩模与具有侧质子束， - 执行用于在半导体本体中产生的氢引起的Domtoren退火工艺。本发明还涉及一种具有掩埋停止区的半导体器件。

2. 发明申请

WO2004040654A1 THYRISTORBAUELEMENT MIT VERBESSERTEM SPERRVERHALTEN IN RÜCKWÄRTSRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：具有改进的锁定行为THYRISTORBAUELEMENT BACKWARDS
公开(公告)号：WO2004040654A1
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/EP2003/012005
申请日：2003-10-29
申请人： EUPEC EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LEISTUNGSHALBLEITER MBH , INFINEON TECHNOLOGIES AG , BARTHELMESS, Reiner , KELLNER-WERDEHAUSEN, Uwe , NIEDERNOSTHEIDE, Franz-Josef , SCHULZE, Hans-Joachim
发明人： BARTHELMESS, Reiner , KELLNER-WERDEHAUSEN, Uwe , NIEDERNOSTHEIDE, Franz-Josef , SCHULZE, Hans-Joachim
IPC分类号： H01L29/74
CPC分类号： H01L29/74 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/0661 , H01L29/102
摘要： Die Erfindung betrifft ein Thyristorbauelement, das folgende Merkmale aufweist: a) einen Halbleiterkörper (100) mit einer Vorderseite (101), einer Rückseite (102) und einem Rand (103), einer ersten Halbleiterzone (20) eines ersten Leitungstyps, die im Bereich der Rückseite (102) ausgebildet ist, und einer sich an die erste Halbleiterzone (20) anschliessenden zweiten Halbleiterzone (30) eines zweiten Leitungstyps, wobei der Rand (103) im Bereich des Übergangs zwischen der ersten und zweiten Halbleiterzone (20, 30) abgeschrägt verlaufend ausgebildet ist, b) wenigstens eine im Bereich der Vorderseite (101) des Halbleiterkörpers (100) angeordnete dritte Halbleiterzone (50) des zweiten Leistungstyps und wenigstens eine vierte Halbleiterzone (40) des ersten Leistungstyps, die zwischen der wenigstens einen dritten Halbleiterzone (50) und der zweiten Halbleiterzone (30) angeordnet ist, c) wobei die vierte Halbleiterzone (40) in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers (100) vor dem Rand (103) endet, um die Verstärkung eines durch die vierte Halbleiterzone (40), die zweite Halbleiterzone (30) und die erste Halbleiterzone (20) gebildeten parasitären Bipolartransistors im Bereich des Randes zu reduzieren.
摘要翻译：本发明涉及一种Thyristorbauelement，包括以下特征：a）一个半导体主体（100）具有第一导电类型的区域中的前面（101），一后侧（102）和边缘（103），第一半导体区域（20）背面（102）形成，并且在第一半导体区（20）邻接的第二导电类型的第二半导体区（30），其中在第一和第二半导体区之间的过渡区域中的边缘（103）（20，30）倾斜的被设计为运行，b）至少至少之间布置一个（在半导体本体的前侧101）的区域（100）的第三半导体，第二导电型的第一导电类型的区域（50）和至少一个第四半导体区域（40）（第3半导体区域50 ）和第二半导体区域（30）布置，c）该边缘之前，其中，所述在所述半导体主体（100）的横向方向上第四半导体区域（40）（103），以减少的通过第四半导体区域（40）所形成的增益结束时，所述第二半导体区域（30）和第一半导体区（20）中，在边缘的区域中的寄生双极晶体管。

3. 发明申请

WO2005114752A1 ELEKTRISCH UND DURCH STRAHLUNG ZÜNDBARER THYRISTOR UND VERFAHREN ZU DESSEN KONTAKTIERUNG 审中-公开
标题翻译：电气和辐射点燃晶闸管和方法，用于接触
公开(公告)号：WO2005114752A1
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：PCT/EP2005/005049
申请日：2005-05-10
申请人： EUPEC EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LEISTUNGSHALBLEITER MBH , KELLNER-WERDEHAUSEN, Uwe , NIEDERNOSTHEIDE, Franz-Josef , SCHULZE, Hans-Joachim , DORN, Jörg
发明人： KELLNER-WERDEHAUSEN, Uwe , NIEDERNOSTHEIDE, Franz-Josef , SCHULZE, Hans-Joachim , DORN, Jörg
IPC分类号： H01L31/111
CPC分类号： H01L31/1113 , H01L29/0626 , H01L29/102 , H01L29/7408 , H01L29/7424 , H01L29/7428
摘要： Die Erfindung betrifft einen Thyristor mit einer strahlungsempfindlichen Durchbruchstruktur (20) und eine in lateraler Richtung dazu beabstandete Gateelektrode (92) sowie mit einer Zündstufenstruktur, die wenigstens eine Zündstufe (51, 91) mit einem n-dotierten Hilfsemitter (51) aufweist, der mit der p-dotierten Basis (6) einen pn-Übergang (55) ausbildet, wobei der Thyristor sowohl elektrisch als auch durch Strahlung zündbar ist. Des weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Kontaktierung eines durch Strahlung zündbaren Thyristors mit einer Gateelektrode (92), bei dem ein an die Geometrie der Gateelektrode (92) angepasster Kontaktstempel (200) an den Thyristor angepresst wird, sowie ein Verfahren zur Überwachung Zündvorgangs eines durch einfallende Strahlung gezündeten Thyristors, wobei die an der Gateelektrode (92) bzw. der elektrisch leitfähigen Elektrode (105, 201) anliegende elektrische Spannung überwacht wird.
摘要翻译：本发明涉及一种具有辐射敏感分解结构（20）和在横向方向上与栅极电极（92）间隔开的一个晶闸管和具有Zündstufenstruktur，所述至少一个点火电路（51，91）与连接到n型辅助发射器（51） p型掺杂的基座（6）形成一个pn结（55），其中所述晶闸管被点燃，在电气上和通过辐射。本发明还涉及一种方法，用于与栅极电极（92），其中所述匹配的一个到栅电极的几何形状接触可点燃由辐射晶闸管（92）接触标记（200）被压向晶闸管，以及用于监视的点火方法其中，在栅电极（92）和导电电极（105，201）上的电压被监测由入射辐射晶闸管，点燃。

4. 发明申请

WO2004008546A1 HALBLEITERBAUELEMENT MIT INTEGRIERTEM RADIALSYMMETRISCHEM WIDERSTAND 审中-公开
标题翻译：具有集成径向对称的电阻半导体COMPONENT
公开(公告)号：WO2004008546A1
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：PCT/EP2003/007059
申请日：2003-07-02
申请人： EUPEC EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LEISTUNGSHALBLEITER MBH , SCHULZE, Hans-Joachim , NIEDERNOSTHEIDE, Franz-Josef , KELLNER-WERDEHAUSEN , PFIRSCH, Frank
发明人： SCHULZE, Hans-Joachim , NIEDERNOSTHEIDE, Franz-Josef , KELLNER-WERDEHAUSEN , PFIRSCH, Frank
IPC分类号： H01L29/8605
CPC分类号： H01L29/7408 , H01L29/8605
摘要： Die Erfindung betrifft ein in einem Halbleiterkörper (1) angeordnetes Halbleiterbauelement mit mindestens einem integrierten radialsymmetrischen Lateralwiderstand (9) mit ortsabhängigem Schichtwiderstand, dessen radiale Abhängigkeit vorzugsweise so gestaltet ist, dass der differentielle Widerstand dR radial konstant ist oder die im Widerstand dissipierte Leistung radial konstant ist.
摘要翻译：本发明涉及一种在半导体本体（1）设置在具有至少一个集成电路的径向对称的侧向电阻器（9）与ortsabhängigem膜电阻器，其径向相关性优选地被设计为使得微分电阻的dR径向是恒定的或电阻性的功率耗散的功率是径向恒定半导体器件，

5. 发明公开

EP1540735A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VERGRABENEN STOPPZONE IN EINEM HALBLEITERBAUELEMENT UND HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER VERGRABENEN STOPPZONE 有权
标题翻译：方法用于制造半导体元件埋止动区和半导体元件具有埋入STOP ZONE
公开(公告)号：EP1540735A1
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：EP03798138.8
申请日：2003-08-27
申请人： Infineon Technologies AG , eupecEuropäische Gesellschaft fürLeistungshalbleiter mbH
发明人： SCHULZE, Hans-Joachim , BARTHELMESS, Reiner , MAUDER, Anton , NIEDERNOSTHEIDE, Franz-Josef
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/167 , H01L21/30 , H01L21/266 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/331 , H01L21/332
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/263 , H01L29/0878 , H01L29/167 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/66136 , H01L29/66333 , H01L29/66712 , H01L29/7395 , H01L29/861
摘要： The invention relates to a method for producing a stop zone in a doped zone of a semi-conductor body which comprises a first side and a second side. Said method comprises the following steps: applying a mask comprising a recess to one of the sides of the semi-conductor body; subjecting the side provided with the mask to proton radiation and carrying out a tempering method in order to produce hydrogen-induced dome gates in the semi-conductor body. The invention also relates to a semi-conductor body provided with a buried stop zone.
摘要翻译：。根据一个实施方案，用于生产在半导体本体中的掺杂区中的停止区的方法包括照射所述半导体主体与粒子辐射，以便产生在半导体本体的晶体的晶格缺陷。该半导体主体在环境含掺杂剂原子，掺杂剂原子中在升高的温度下被indiffused到半导体主体暴露于。

6. 发明公开

EP4102720A1 ACTIVELY TRACKING SWITCHING SPEED CONTROL AND REGULATING SWITCHING SPEED OF A POWER TRANSISTOR DURING TURN-ON 审中-实审
公开(公告)号：EP4102720A1
公开(公告)日：2022-12-14
申请号：EP22177529.9
申请日：2022-06-07
申请人： Infineon Technologies AG
发明人： LI, Zheming , BAKRAN, Mark-Matthias , DOMES, Daniel , MAIER, Robert , NIEDERNOSTHEIDE, Franz-Josef
IPC分类号： H03K17/16
摘要： A gate driver system includes a gate driver circuit coupled to a gate terminal of a transistor and configured to generate an on-current during a plurality of turn-on switching events to turn on the transistor, wherein the gate driver circuit includes a first driver configured to source a first portion of the on-current to the gate terminal to charge a first portion of the gate voltage and a second driver configured to, during a first boost interval, source a second portion of the on-current to the gate terminal to charge a second portion of the gate voltage; a measurement circuit configured to measure a transistor parameter indicative of an oscillation of a load current for a turn-on switching event; and a controller configured to receive the measured transistor parameter and regulate a length of the first boost interval based on the measured transistor parameter.

7. 发明授权

EP1540735B1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VERGRABENEN STOPPZONE IN EINEM HALBLEITERBAUELEMENT UND HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER VERGRABENEN STOPPZONE 有权
标题翻译：用于在半导体组件中生成传统停止区的方法以及用于传统停止区的半导体组件
公开(公告)号：EP1540735B1
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：EP03798138.8
申请日：2003-08-27
申请人： Infineon Technologies AG
发明人： SCHULZE, Hans-Joachim , BARTHELMESS, Reiner , MAUDER, Anton , NIEDERNOSTHEIDE, Franz-Josef
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/167 , H01L21/30 , H01L21/266 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/331 , H01L21/332
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/263 , H01L29/0878 , H01L29/167 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/66136 , H01L29/66333 , H01L29/66712 , H01L29/7395 , H01L29/861

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