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    • 1. 发明专利
    • Target for image pickup tube
    • 图像抽吸管目标
    • JPS5780637A
    • 1982-05-20
    • JP15708480
    • 1980-11-10
    • Hitachi LtdNippon Hoso Kyokai
    • NONAKA IKUMITSUINOUE SHIGENORISHIDARA KEIICHITANIOKA KENKICHI
    • H01J29/45H01L31/08
    • H01J29/456
    • PURPOSE: To improve highlight sticking by doping fluoride to an Se-As-Te photoconductive film at a specified dope concentration and from the side of the light incident surface to the specified depth.
      CONSTITUTION: An N type transparent electrode 3 consisting of a transparent electrode 2 whose principal component is SnO
      2 and CeO
      2 is formed on a glass substrate 1. Besides, a photoconductive film 4 (Se: 94wt%, As: 6wt%, T
      1 = 30nm) of an Se-As P type noncrystal semiconductor, photoconductive film 5 (Se: 64wt%, As: 3wt%, Te: 33wt%, T
      2 =60nm) of an Se-As-Te noncrystal semiconductor, and photoconductive film 7 (Se: 72→97wt%, As: 28→3wt%, T
      3 =60nm) of an Se-As P type noncrystal semiconductor are formed on it. An LiF dope layer 6(LiF: 0.4± 0.1wt%, T
      3 = 60±6nm) is formed on the region of the photoconductive films 4 and 5. As a result, image pickup current is raised and highlight sticking is improved.
      COPYRIGHT: (C)1982,JPO&Japio
    • 目的:通过以特定的浓度浓度和从光入射表面一侧到指定深度,将氟化物掺杂到Se-As-Te光电导膜来改善高光斑。 构成:在玻璃基板1上形成由主要成分为SnO 2和CeO 2的透明电极2构成的N型透明电极3.此外,光导膜4(Se:94重量%,As:6重量%,T1 = 30nm) 的Se-As-Te非晶体半导体,Se-As-Te非晶体半导体的光电导膜5(Se:64重量%,As:3重量%,Te:33重量%,T2 = 60nm)和感光膜7(Se: 在其上形成Se-As P型非晶半导体的72 97重量%,As:28 3重量%,T3 = 60nm)。 在感光膜4和5的区域上形成LiF掺杂层6(LiF:0.4+或-0.1重量%,T3 = 60+或-6nm)。结果,摄像电流升高,突出显示粘附 改进。
    • 2. 发明专利
    • Target of pickup tube
    • 抽吸管目标
    • JPS5780638A
    • 1982-05-20
    • JP15708580
    • 1980-11-10
    • Hitachi LtdNippon Hoso Kyokai
    • NONAKA IKUMITSUINOUE SHIGENORISHIDARA KEIICHIUCHIDA TERUO
    • H01J29/45H01L31/08
    • H01J29/45
    • PURPOSE:To prevent deterioration of the characteristic of a pickup tube, by charging the density of As in the direction of film thickness, while keeping the set density of As of an Se-As photo conductive film as a peak value, after distributing the density of As of the Se-As photo conductive film touching an Se- As-Te photo conductive film with its specific quantity through a specific depth in the direction of film thickness. CONSTITUTION:A transparent electrode 2 (SnO2) and an N type trnsparent electrode 3 (CeO2) are formed on a base 1. Nexr, a P type photo conductive film 4 (Se: 90-97wt%, As: the remainder, T1: 30-60nm) and a P type photo conductive film 5 (Se: 64wt%, As : 3wt%, Te: remaineder, T2: 60-120nm) are formed. Then, a P type photo conductive film 7 composed of a portion 7(a) (T4: 10-30nm) in which the density of Se is kept in a specific value of 70-90wt% (the remainder: As) and a portion 7(b) (T5: 60-100nm) in which the density of se changes from a specific value to 97wt% is formed on the P type photo conductive film 5, and a P type photo conductive film 8 (Se: 97wt%, As: the remainder) is further formed. Thereby, the variation of the density distribution of As becomes small, and voltage-current characteristic is improved.
    • 目的:为了防止拾取管的特性劣化,通过在将膜的厚度方向充满As的密度,同时保持Se-As光导膜的As的设定浓度为峰值,在分配密度 作为Se-As光导电膜的Se-As-Te光导电膜,其特定量通过膜厚方向上的特定深度接触。 构成:在基底1上形成透明电极2(SnO 2)和N型透明电极3(CeO 2)。Nexr,P型光导膜4(Se:90-97wt%,As:余数T1: 30-60nm)和P型光导膜5(Se:64wt%,As:3wt%,Te:残留物,T2:60-120nm)。 然后,将由Se的密度保持在70〜90重量%的特定值(余量:As)的部分7(a)(T4:10〜30nm)构成的P型光导膜7和 在P型光电导膜5上形成有从特定值向97重量%变化的密度为7(b)(T5:60〜100nm)的P型光导膜8(Se:97重量% As:其余部分)进一步形成。 由此,As的密度分布的变化变小,电压 - 电流特性提高。
    • 4. 发明专利
    • Dispositivo de conversión de potencia
    • ES2676720T3
    • 2018-07-24
    • ES14192231
    • 2014-11-07
    • HITACHI LTD
    • YOSHIHARA TOHRUKATOH SHUJIINOUE SHIGENORIEGUCHI YOSHIOICHINOSE MASAYA
    • H02M7/483H02J3/18H02J3/32H02M7/49
    • Dispositivo (1, 1A, 1B) de conversión de potencia, que comprende: un grupo (12uv, 12vw, 12wu) en el que una o más celdas (121) unitarias, cada una de las cuales comprende medios (1215) de almacenamiento de potencia y medios (1211-1214) de conmutación para emitir la potencia de los medios (1215) de almacenamiento de potencia, están conectadas en serie; y un transformador (11) trifásico que tiene al menos tres ramas (113uv, 113vw, 113wu) en cada una de las cuales se enrolla un devanado (111uv, 111vw, 111wu) primario y un devanado (112uv, 112vw y 112wu) secundario para su acoplamiento magnético, en el que ambos extremos del devanado (112uv, 112vw, 112wu) secundario están conectados respectivamente a ambos extremos del grupo (12uv, 12vw, 12wu), en el que una unidad (13) de control activa o desactiva los medios (1211-1214) de conmutación incluidos en la celda (121) unitaria para controlar las tensiones (Vuv, Vvw, Vwu) de grupo, de manera que cada tensión de grupo se convierta en un valor de corriente deseado en base a las tensiones (Vsuv, Vsvw y Vswu) línea-a-línea. caracterizado por que cada celda (121) unitaria comprende además un primer voltímetro (1216) que está conectado a ambos extremos de los medios (1215) de almacenamiento de potencia para medir una tensión vckj y emite la información acerca de la tensión vckj medida a una unidad (13) de control, dicha unidad (13) de control está conectada además a segundos voltímetros (14uv, 14vw, 14wu) que miden cada una de las tensiones (Vsuv, Vsvw, Vswu) línea-a-línea entre las fases respectivas de un sistema (2) de potencia eléctrica, conectado al dispositivo (1) de conversión de potencia, la unidad (13) de control detecta la tensión de los medios (1215) de almacenamiento de potencia de cada celda (121) unitaria incluida en los grupos (12uv, 12vw, 122u) y controla las tensiones (Vuv, Vvw, Vwu) de grupo mediante una tensión V0 de fase cero, que es la suma de las tensiones (Vuv, Vvw, Vwu) de grupo, para limitar la corriente I0 de fase cero, que es la corriente que circula a través de todos los grupos y que fluye al interior del transformador (11) trifásico.