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1. 发明公开

CN87104843A 摄象管靶失效
公开(公告)号：CN87104843A
公开(公告)日：1988-01-27
申请号：CN87104843
申请日：1987-07-11
申请人：株式会社日立制作所
发明人：云内高明 , 野中育光 , 井上荣典
IPC分类号： H01J29/45
CPC分类号： H01J29/456 , H01L31/0224 , H01L31/0272 , H01L31/02725 , H01L31/09
摘要：本发明公开一种摄象管靶，它包括一层在透明基片上形成的N型导电薄膜、一层与该N型导电薄膜构成整流接触的P型光电导薄膜和一个电子束射击层；所述P型光电导薄膜包括含有砷和硒的、按次序命名的第一层、第二层和第三层，其中第一层中砷的平均浓度低于8％(按重量计)，第二层和第三层的砷的浓度在8％至20％的范围内(按重量计)，并且第三层的厚度在所述P型光电导薄膜的总厚度的5％至50％的范围内。

2. 发明授权

CN1004732B 摄象管靶失效
公开(公告)号：CN1004732B
公开(公告)日：1989-07-05
申请号：CN87104843
申请日：1987-07-11
申请人：株式会社日立制作所
发明人：云内高明 , 野中育光 , 井上荣典
IPC分类号： H01J29/45 , H01J31/26 , H01L31/08
CPC分类号： H01J29/456 , H01L31/0224 , H01L31/0272 , H01L31/02725 , H01L31/09
摘要：本发明公开一种摄象管靶，它包括一层在透明基片上形成的N型导电薄膜、一层与该N型导电薄膜构成整流接触的P型光电导薄膜和一个电子束射击层；所述P型光电导薄膜包括含有砷和硒的、按次序命名的第一层、第二层和第三层，其中第一层中砷的平均浓度低于8％(按重量计)，第二层和第三层的砷的浓度在8％至20％的范围内(按重量计)，并且第三层的厚度在所述P型光电导薄膜的总厚度的5％至50％的范围内。

3. 发明授权

EP0032847B1 Photoelectric conversion element and an image pick-up device 失效
标题翻译：光电转换元件和图像拾取器件
公开(公告)号：EP0032847B1
公开(公告)日：1985-05-08
申请号：EP81300269.8
申请日：1981-01-21
申请人： Hitachi, Ltd.
发明人： Shimomoto, Yasuharu , Tanaka, Yasuo , Takasaki, Yukio , Ishioka, Sachio , Tsukada, Toshihisa , Baji, Toru
IPC分类号： H01L31/02 , H01L27/14
CPC分类号： H01L27/14665 , H01J29/45 , H01J29/456 , H01L31/022408

4. 发明授权

EP0031663B1 Photoelectric device 失效
标题翻译：光电器件
公开(公告)号：EP0031663B1
公开(公告)日：1985-04-03
申请号：EP80304490.8
申请日：1980-12-12
申请人： Hitachi, Ltd.
发明人： Imamura, Yoshinori , Tanaka, Yasuo , Ataka, Saburo , Hirai, Tadaaki , Takasaki, Yukio , Maruyama, Elichi
IPC分类号： H01J29/45
CPC分类号： H01L31/095 , H01J9/233 , H01J29/456

5. 发明公开

EP0032847A3 Photoelectric conversion element and an image pick-up device 失效
标题翻译：光电转换元件和图像拾取器件
公开(公告)号：EP0032847A3
公开(公告)日：1982-04-28
申请号：EP81300269
申请日：1981-01-21
申请人： Hitachi, Ltd.
发明人： Shimomoto, Yasuharu , Tanaka, Yasuo , Takasaki, Yukio , Ishioka, Sachio , Tsukada, Toshihisa , Baji, Toru
IPC分类号： H01L31/02 , H01L27/14
CPC分类号： H01L27/14665 , H01J29/45 , H01J29/456 , H01L31/022408
摘要： A photoelectric conversion element including at least a first electrode 2 and a photoconductive layer 3 comprising an amorphous material whose indispensable constituent is silicon and which contains hydrogen as an essential constituent element wherein said layer of amorphous material is disposed on said first electrode via a light transmitting mettalic layer 8 for adhesion to said amorphous material. The adhesive metallic layer 8 is a layer consisting of at least one metal selected from the group consisting of Ta, Cr, W, Nd, Mo, V and Ti. Adhesion between said substrate and said amorphous material can be considerably improved in this manner and peeling of the amorphous material prevented.

6. 发明专利

JPS5937637A Image pickup target 失效
标题翻译：图像捕捉目标
公开(公告)号：JPS5937637A
公开(公告)日：1984-03-01
申请号：JP14626482
申请日：1982-08-25
申请人： Toshiba Corp
发明人： YANO KENSAKU
IPC分类号： H01J29/45 , H01J31/26
CPC分类号： H01J29/456
摘要： PURPOSE:To prevent reaction between H2 plasma and a transparent conductive film to keep a good image plane by increasing hydrogen contents continuously or in steps in direction from a hole blocking film to an electron beam landing film. CONSTITUTION:ITO52 as a transparent conductive film and SiOx as a hole blocking film are attached in a thickness of about 250Angstrom . Then an a-Si:H film 54 is attached in a thickness of 500-1,000Angstrom in a condition of a total pressure of 3X10 Torr, and H2/(H2+Ar)=
摘要翻译：目的：为了防止H2等离子体和透明导电膜之间的反应，通过连续地或从空穴阻挡膜到电子束着色膜的方向逐步增加氢含量来保持良好的图像平面。构成：作为透明导电膜的ITO52和作为空穴阻挡膜的SiO x以约250Ang的厚度附着。然后在3×10 -3 Torr的总压力和H 2 /（H 2 + Ar）= <30％的条件下，将a-Si：H膜54附着在500-1,000A的厚度。透明导电膜ITO52在该条件下不显示反应。在与上述条件相同的压力和H2 /（H2 + Ar）= <40％的条件下，a-Si：H膜55附着在500-1,000埃的厚度，此外，a-Si：H 在与上述相同的压力和H2 /（H2 + Ar）= <50％的条件下，膜56以约3mu的厚度附着。最后，作为电子束着色膜57附着约1000A的Sb2S3。图像拾取管的图像非常好，暗电流为目标电压的1nA以下至50-60V，光谱灵敏度性能良好并接近光谱发光效率。

7. 发明专利

JPS5780637A Target for image pickup tube 失效
标题翻译：图像抽吸管目标
公开(公告)号：JPS5780637A
公开(公告)日：1982-05-20
申请号：JP15708480
申请日：1980-11-10
申请人： Hitachi Ltd , Nippon Hoso Kyokai
发明人： NONAKA IKUMITSU , INOUE SHIGENORI , SHIDARA KEIICHI , TANIOKA KENKICHI
IPC分类号： H01J29/45 , H01L31/08
CPC分类号： H01J29/456
摘要： PURPOSE: To improve highlight sticking by doping fluoride to an Se-As-Te photoconductive film at a specified dope concentration and from the side of the light incident surface to the specified depth.
CONSTITUTION: An N type transparent electrode 3 consisting of a transparent electrode 2 whose principal component is SnO
2 and CeO
2 is formed on a glass substrate 1. Besides, a photoconductive film 4 (Se: 94wt%, As: 6wt%, T
1 = 30nm) of an Se-As P type noncrystal semiconductor, photoconductive film 5 (Se: 64wt%, As: 3wt%, Te: 33wt%, T
2 =60nm) of an Se-As-Te noncrystal semiconductor, and photoconductive film 7 (Se: 72→97wt%, As: 28→3wt%, T
3 =60nm) of an Se-As P type noncrystal semiconductor are formed on it. An LiF dope layer 6(LiF: 0.4± 0.1wt%, T
3 = 60±6nm) is formed on the region of the photoconductive films 4 and 5. As a result, image pickup current is raised and highlight sticking is improved.
COPYRIGHT: (C)1982,JPO&Japio
摘要翻译：目的：通过以特定的浓度浓度和从光入射表面一侧到指定深度，将氟化物掺杂到Se-As-Te光电导膜来改善高光斑。构成：在玻璃基板1上形成由主要成分为SnO 2和CeO 2的透明电极2构成的N型透明电极3.此外，光导膜4（Se：94重量％，As：6重量％，T1 = 30nm）的Se-As-Te非晶体半导体，Se-As-Te非晶体半导体的光电导膜5（Se：64重量％，As：3重量％，Te：33重量％，T2 = 60nm）和感光膜7（Se：在其上形成Se-As P型非晶半导体的72 97重量％，As：28 3重量％，T3 = 60nm）。在感光膜4和5的区域上形成LiF掺杂层6（LiF：0.4+或-0.1重量％，T3 = 60+或-6nm）。结果，摄像电流升高，突出显示粘附改进。

8. 发明授权

KR1019910000904B1 촬상관의 타기트 失效
标题翻译：拿着显像管
公开(公告)号：KR1019910000904B1
公开(公告)日：1991-02-12
申请号：KR1019870006578
申请日：1987-06-27
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 닛폰 호소 교카이
发明人： 시모모또야스하루 , 이시오까사찌오 , 다까사끼유끼오 , 히라이다다아끼 , 쓰지가즈다끼 , 마끼시마다쓰오 , 마쓰바라히로까즈 , 사메시마겐지 , 야마자끼쥰이찌 , 다니오까겐끼찌 , 고스기미쓰오 , 시다라게이이찌 , 히루마에이뀨우 , 야마시따다까시
IPC分类号： H01J31/26 , H01J29/45
CPC分类号： H01J29/456
摘要： 내용 없음.

9. 发明授权

KR1019890003183B1 광도전막(光導電膜) 失效
标题翻译：照片导电胶片
公开(公告)号：KR1019890003183B1
公开(公告)日：1989-08-25
申请号：KR1019850003364
申请日：1985-05-16
申请人： 닙뽄호오소오교오까이
发明人： 시다라게이이찌 , 구리야마다까오 , 노나까야스히꼬 , 다니오까겐끼찌 , 다까사끼유끼오 , 히라이다다아끼 , 이노우에에이스께
IPC分类号： H01J31/26
CPC分类号： H01J29/456
摘要： A photoconductive Se film has a Te-doped region contg. an oxide or fluoride which forms negative space charges in Se. The region and an adjacent region contain an element of gp. II, III or VII which forms negative space charges in Se and in an amt. of average wt. ratio of 10 ppm-1%. The dopant-contg. region is the film of thickness 20-90 A. the oxide is pref. CuO, In2O3, SeO2, V2O5, MoO3 or WO3, the fluoride is GaF3 or InF3 and the element is zn, Ga, In, Cl, I or Br.
摘要翻译：光导Se膜具有Te掺杂区域。在Se中形成负空间电荷的氧化物或氟化物。该区域和相邻区域包含gp的元素。 II，III或VII，在Se和amt中形成负空间费用。的平均重量比例为10ppm-1％。掺杂剂区域是厚度为20-90的膜。氧化物是优选的。 CuO，In2O3，SeO2，V2O5，MoO3或WO3，氟化物为GaF3或InF3，元素为zn，Ga，In，Cl，I或Br。

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