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1. 发明授权

US06344085B2 Device and method for producing at least one SiC single crystal 有权
标题翻译：用于生产至少一种SiC单晶的装置和方法
公开(公告)号：US06344085B2
公开(公告)日：2002-02-05
申请号：US09761809
申请日：2001-01-16
申请人： Harald Kuhn , Roland Rupp , Rene Stein , Johannes Völkl
发明人： Harald Kuhn , Roland Rupp , Rene Stein , Johannes Völkl
IPC分类号： C30B3500
CPC分类号： C30B23/00 , C30B29/36 , Y10T117/10 , Y10T117/1092
摘要： A device for producing a silicon carbide (SiC) single crystal contains a crucible having a storage region for holding a stock of solid SiC and having a crystal region for holding a SiC seed crystal. An insert made from glassy carbon is disposed in the crucible. In the method, solid SiC is sublimed as a result of the stock being heated and SiC in the gas phase is generated, which is conveyed to the SiC seed crystal, on which it grows as an SiC single crystal. A heat flux is controlled by an insert made from glassy carbon.
摘要翻译：用于制造碳化硅（SiC）单晶的装置包括具有用于保持固体SiC的原料并具有用于保持SiC晶种的晶体区域的存储区域的坩埚。由玻璃碳制成的插入件设置在坩埚中。在该方法中，由于原料被加热而产生固体SiC，气相中的SiC被输送到作为SiC单晶生长的SiC晶种上。热通量由玻璃碳制成的插件控制。

2. 发明授权

US5968265A Method for producing silicon carbide monocrystals 失效
标题翻译：生产碳化硅单晶的方法
公开(公告)号：US5968265A
公开(公告)日：1999-10-19
申请号：US13990
申请日：1998-01-27
申请人： Rene Stein , Roland Rupp , Johannes Volkl
发明人： Rene Stein , Roland Rupp , Johannes Volkl
IPC分类号： C30B29/36 , C01B31/36 , C30B7/00 , C30B7/04 , C30B7/10
CPC分类号： C30B7/00 , C30B29/02 , C30B29/36
摘要： A method for producing cubic SiC monocrystals includes dissolving SiC powder or other starting material in a solvent at high overpressures and growing the monocrystals on a seed crystal.
摘要翻译：一种生产立方晶系SiC单晶的方法包括将SiC粉末或其它起始材料以高超压力溶解在溶剂中，并将单晶生长在晶种上。

3. 发明授权

US5964943A Method of producing boron-doped monocrystalline silicon carbide 失效
标题翻译：制造硼掺杂单晶碳化硅的方法
公开(公告)号：US5964943A
公开(公告)日：1999-10-12
申请号：US860434
申请日：1997-06-25
申请人： Rene Stein , Roland Rupp
发明人： Rene Stein , Roland Rupp
IPC分类号： C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/02 , C30B25/16
CPC分类号： C30B25/02 , C30B29/36
摘要： A CVD process or a sublimation process for doping an SiC monocrystal uses an organic boron compound whose molecules contain at least one boron atom chemically bonded to at least one carbon atom. Boron trialkyls are preferred organic boron compounds.
摘要翻译： PCT No.PCT / DE95 / 01787 Sec。 371日期：1997年6月25日 102（e）日期1997年6月25日PCT提交1995年12月13日PCT公布。公开号WO96 / 20298 日期1996年7月4日CVD法或用于掺杂SiC单晶的升华方法使用分子含有至少一个与至少一个碳原子键合的硼原子的有机硼化合物。硼三烷基是优选的有机硼化合物。

4. 发明授权

US08906420B2 Pharmaceutical formulation comprising one or more fumaric acid esters in an erosion matrix 有权
标题翻译：在侵蚀基质中包含一种或多种富马酸酯的药物制剂
公开(公告)号：US08906420B2
公开(公告)日：2014-12-09
申请号：US13143498
申请日：2010-01-08
申请人： Henrik Nilsson , Roland Rupp
发明人： Henrik Nilsson , Roland Rupp
IPC分类号： A61K9/16 , A61K9/20 , A61K9/28 , A61K31/225 , A61K31/215
CPC分类号： A61K9/28 , A61K9/2054 , A61K9/2846 , A61K9/2866 , A61K9/2886 , A61K31/215 , A61K31/225
摘要： A pharmaceutical formulation comprising an erosion matrix comprising one or more fumaric acid esters as well as one or more rate-controlling agents, wherein erosion of said erosion matrix permits controlled release of said fumaric acid ester(s).
摘要翻译：包含含有一种或多种富马酸酯的腐蚀基质以及一种或多种速率控制剂的药物制剂，其中所述腐蚀基质的侵蚀允许所述富马酸酯的受控释放。

5. 发明申请

US20120083098A1 Method for Manufacturing a Composite Wafer Having a Graphite Core, and Composite Wafer Having a Graphite Core 有权
标题翻译：制造具有石墨芯的复合晶片的方法和具有石墨芯的复合晶片
公开(公告)号：US20120083098A1
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：US13206029
申请日：2011-08-09
申请人： Rudolf Berger , Hermann Gruber , Wolfgang Lehnert , Guenther Ruhl , Raimund Foerg , Anton Mauder , Hans-Joachim Schulze , Karsten Kellermann , Michael Sommer , Christian Rottmair , Roland Rupp
发明人： Rudolf Berger , Hermann Gruber , Wolfgang Lehnert , Guenther Ruhl , Raimund Foerg , Anton Mauder , Hans-Joachim Schulze , Karsten Kellermann , Michael Sommer , Christian Rottmair , Roland Rupp
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/76254 , C30B25/186 , H01L21/02115 , H01L21/02282 , H01L21/02598 , H01L21/2007 , H01L21/265 , H01L21/3212 , H01L21/324 , H01L21/76251 , H01L29/1608 , H01L29/20 , H01L29/2003
摘要： According to an embodiment, a composite wafer includes a carrier substrate having a graphite layer and a monocrystalline semiconductor layer attached to the carrier substrate.
摘要翻译：根据实施例，复合晶片包括具有石墨层和附着到载体衬底的单晶半导体层的载体衬底。

6. 发明申请

US20100264467A1 TRANSISTOR COMPONENT HAVING A SHIELDING STRUCTURE 有权
标题翻译：具有屏蔽结构的晶体管元件
公开(公告)号：US20100264467A1
公开(公告)日：2010-10-21
申请号：US12426008
申请日：2009-04-17
申请人： Dethard Peters , Peter Friedrichs , Rudolf Elpelt , Larissa Wehrhahn-Kilian , Michael Treu , Roland Rupp
发明人： Dethard Peters , Peter Friedrichs , Rudolf Elpelt , Larissa Wehrhahn-Kilian , Michael Treu , Roland Rupp
IPC分类号： H01L29/812
CPC分类号： H01L29/8083 , H01L29/0657 , H01L29/1066 , H01L29/8122
摘要： A transistor component having a shielding structure. One embodiment provides a source terminal, a drain terminal and control terminal. A source zone of a first conductivity type is connected to the source terminal. A drain zone of the first conductivity type is connected to the drain terminal. A drift zone is arranged between the source zone and the drain zone. A junction control structure is provided for controlling a junction zone in the drift zone between the drain zone and the source zone, at least including one control zone. A shielding structure is arranged in the drift zone between the junction control structure and the drain zone and at least includes a shielding zone of a second conductivity type being complementarily to the first conductivity type. The shielding zone is connected to a terminal for a shielding potential. The at least one control zone and the at least one shielding zone have different geometries or different orientations in a plain that is perpendicular to a current flow direction of the component.
摘要翻译：具有屏蔽结构的晶体管组件。一个实施例提供了源极端子，漏极端子和控制端子。第一导电类型的源极区域连接到源极端子。第一导电类型的漏极区域连接到漏极端子。漂移区设置在源区和排水区之间。提供了结点控制结构，用于控制在漏区和源区之间的漂移区中的接合区，至少包括一个控制区。屏蔽结构布置在结点控制结构和漏区之间的漂移区中，并且至少包括与第一导电类型互补的第二导电类型的屏蔽区。屏蔽区域与屏蔽电位端子相连。所述至少一个控制区域和所述至少一个屏蔽区域在垂直于所述部件的当前流动方向的平原中具有不同的几何形状或不同取向。

7. 发明申请

US20080002737A1 CONTROL SYSTEM HAVING A PLURALITY OF SPATIALLY DISTRIBUTED STATIONS, AND METHOD FOR TRANSMITTING DATA IN SUCH A CONTROL SYSTEM 有权
标题翻译：具有多个空间分布式站台的控制系统以及用于在这种控制系统中发送数据的方法
公开(公告)号：US20080002737A1
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：US11767165
申请日：2007-06-22
申请人： Hans Schwenkel , Klaus Wohnhaas , Reinhard Sperrer , Matthias Holzaepfel , Roland Rupp
发明人： Hans Schwenkel , Klaus Wohnhaas , Reinhard Sperrer , Matthias Holzaepfel , Roland Rupp
IPC分类号： H04L12/66
CPC分类号： G05B19/4185 , G05B19/042 , G05B2219/21039 , G05B2219/31137 , G05B2219/31145 , Y02P90/18 , Y02P90/185
摘要： In a method for transmitting data in a control system, a first station generates a data frame having a plurality of data fields. At least one data field to be filled with transmission data is clearly assigned to each further station. The data frame is transmitted as an outgoing data frame from one station to the next, with every further station filling the respectively assigned data field with transmission data. The last station returns the data frame as a returning data frame to the series of stations. The stations read extraneous transmission data from the data fields in the returning data frame. Preferably, the respective data fields are individually assigned to the stations.
摘要翻译：在用于在控制系统中发送数据的方法中，第一站产生具有多个数据域的数据帧。要填充传输数据的至少一个数据字段被明确地分配给每个另外的站。数据帧作为输出数据帧从一个站发送到下一个站，每隔一个站用传输数据填充分配的数据域。最后一个站将数据帧作为返回数据帧返回到一系列站。站点在返回的数据帧中从数据域读取无关的传输数据。优选地，将各个数据字段分别分配给站。

8. 发明授权

US07020711B2 Method for adjusting the data transmission rate in a fieldbus system 有权
标题翻译：调整现场总线系统数据传输速率的方法
公开(公告)号：US07020711B2
公开(公告)日：2006-03-28
申请号：US10071035
申请日：2002-02-08
申请人： Roland Rupp , Klaus Wohnhaas , Hans Schwenkel
发明人： Roland Rupp , Klaus Wohnhaas , Hans Schwenkel
IPC分类号： G06F15/16
CPC分类号： H04L12/4013 , G05B2219/31135 , H04L12/403 , H04L2012/40215 , H04L2012/4026 , Y02D50/10
摘要： The invention relates to a method for adjusting the data transmission rate in a fieldbus system (10) which is suitable to control safety-critical processes and which comprises at least one subscriber (12, 14) connected to a fieldbus (20), wherein in a first phase the subscriber/subscribers log on at a unit (30/central unit) centrally connected to the fieldbus with a first low data transmission rate. In a second phase the central unit (30) sets the data transmission rate at the subscriber/subscribers (12, 14) to a predetermined higher second value. In a third phase the subscriber/subscribers (12, 14) log on again at the central unit with a higher data transmission rate; and the central unit (30) shuts down the fieldbus (20) if it detects a deviation of the number of subscribers (12, 14) logged on in the first and the third phase. The invention also relates to a fieldbus system for implementing said method
摘要翻译：本发明涉及一种用于调整现场总线系统（10）中的数据传输速率的方法，其适用于控制安全关键过程，并且包括至少一个连接到现场总线（20）的用户（12,14），其中，用户/用户以与第一低数据传输速率集中连接到现场总线的单元（30 /中央单元）登录的第一阶段。在第二阶段，中央单元（30）将用户/订户（12,14）处的数据传输速率设置为预定的较高的第二值。在第三阶段，用户/用户（12,14）在中央单元上再次登录具有较高的数据传输速率; 并且如果中央单元（30）检测到在第一和第三阶段中登录的用户数量（12,14）的偏差，则中央单元（30）关闭现场总线（20）。本发明还涉及一种用于实现所述方法的现场总线系统

9. 发明授权

US06320205B1 Edge termination for a semiconductor component, a schottky diode having an edge termination, and a method for producing the schottky diode 有权
标题翻译：用于半导体元件的边缘终端，具有边缘终止的肖特基二极管，以及用于产生肖特基二极管的方法
公开(公告)号：US06320205B1
公开(公告)日：2001-11-20
申请号：US09663570
申请日：2000-09-15
申请人： Frank Pfirsch , Roland Rupp
发明人： Frank Pfirsch , Roland Rupp
IPC分类号： H01L310312
CPC分类号： H01L29/405 , H01L29/1608 , H01L29/872
摘要： An edge termination for a semiconductor component containing a semiconductor body formed of silicon carbide. The edge termination has at least one diode chain that is insulated from the semiconductor body and provided with a plurality of semiconductor layers having alternating conductivity types.
摘要翻译：一种包含由碳化硅形成的半导体本体的半导体部件的边缘端接。边缘端接具有至少一个二极管链，其与半导体本体绝缘并且具有多个具有交替导电类型的半导体层。

10. 发明授权

US5821599A Temperature sensor having a p-n junction 失效
标题翻译：具有p-n结的温度传感器
公开(公告)号：US5821599A
公开(公告)日：1998-10-13
申请号：US571867
申请日：1996-01-05
申请人： Roland Rupp
发明人： Roland Rupp
IPC分类号： G01K7/01 , H01L31/058 , H01L31/0312
CPC分类号： G01K7/01 , H01L2924/0002
摘要： A temperature sensor has a doped first semiconductor region having a band gap greater than 2 eV and an oppositely doped second semiconductor region also having a band gap greater than 2 eV. The second semiconductor region is adjacent to the first semiconductor region, forming a p-n junction. A source and a drain electrode are connected to each other through the first semiconductor region. The electrical characteristics of the sensor are affected by temperature. Temperature is measured by applying a specified voltage across the electrodes and measuring the resulting current, or by applying a specified current and measuring the resulting voltage.
摘要翻译： PCT No.PCT / DE94 / 00347 Sec。 371日期1996年1月5日 102（e）日期1996年1月5日PCT 1994年3月28日PCT公布。公开号WO95 / 02172 日期1995年1月19日温度传感器具有带隙大于2eV的掺杂的第一半导体区域以及也具有大于2eV的带隙的相对掺杂的第二半导体区域。第二半导体区域与第一半导体区域相邻，形成p-n结。源极和漏极通过第一半导体区域彼此连接。传感器的电气特性受温度的影响。通过在电极两端施加规定的电压并测量所得到的电流，或者通过施加指定的电流并测量所得到的电压来测量温度。

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