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1. 发明申请

WO2007079726A2 VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN VON SCHICHTEN TRANSPARENTER LEITENDER OXIDE AUF EINE UNTERLAGE AUS ORGANISCHEM HALBLEITERMATERIAL ODER KOHLENSTOFFMODIFIKATIONEN 审中-公开
标题翻译：申请的程序LAYERS透明导电氧化物到文档由有机半导体材料或碳变
公开(公告)号：WO2007079726A2
公开(公告)日：2007-07-19
申请号：PCT/DE2007/000031
申请日：2007-01-10
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , FOSTIROPOULOS, Konstantinos , MOHR, Martina , ELLMER, Klaus , LUX-STEINER, Martha, Christina
发明人： FOSTIROPOULOS, Konstantinos , MOHR, Martina , ELLMER, Klaus , LUX-STEINER, Martha, Christina
CPC分类号： H01L51/442 , H01L51/4253 , H01L51/5234 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , Y02E10/549
摘要： Dem Stand der Technik nach bekannt sind Verfahren zum Aufbringen von TCO-Schichten, bei denen zusätzliche Pufferschichten, die für die Funktion eines photovoltaischen Bauelements an sich nicht gebraucht werden, als „Opferschicht" zur Realisierung der gewünschten Funktion aufgebracht werden. Dadurch wird wegen der zusätzlichen Grenzflächen die Fehlerhäufigkeit erhöht, denn dort können wegen schlechter Bandanpassung für den Ladungstransport störende Potentialbarrieren entstehen, die wiederum durch zusätzliche Pufferschichten verhindert werden müssten. Gemäß der Erfindung wird deshalb vorgeschlagen, das Material des transparenten leitenden Oxids direkt auf die Unterlage zu sputtern. Das Sputtern erfolgt vorzugsweise bei einer Sputterleistung von weniger als 100 Watt, einem Druck zwischen 2*10 -3 und 10 -2 mbar und einer Substrattemperatur, die durch die Stabilität der organischen Struktur der Unterlage begrenzt ist. Von Vorteil hat sich erwiesen, eine hoch strukturierte Unterlage zu verwenden.
摘要翻译：根据已知的方法用于施加TCO层，其中该不需要用于在自身的光电转换装置的功能附加的缓冲层，被施加以实现期望的功能为“牺牲层”的现有技术的状态。因此，误差率是由于附加的接口增加，因为有干扰的潜在障碍可能由于频带调整差为电荷传输，这将反过来通过附加缓冲层来防止。根据本发明，因此，建议以溅射在基底上的透明导电氧化物的材料。溅射是优选在低于100瓦的溅射功率下进行，压力2之间×10 ^{-3 和10 ^{-2 毫巴和由有机的稳定性的基板温度垫的结构是有限的。优势已发现使用高度结构化的表面。}}

2. 发明申请

WO2005022646A1 VERTIKALER NANO-TRANSISTOR, VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG UND SPEICHERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：直立式纳米晶体管，制造方法和存储器结构
公开(公告)号：WO2005022646A1
公开(公告)日：2005-03-10
申请号：PCT/DE2004/001838
申请日：2004-08-16
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , CHEN, Jie , LUX-STEINER, Martha, Christina
发明人： CHEN, Jie , LUX-STEINER, Martha, Christina
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78696 , B82Y10/00 , H01L29/24 , H01L29/78642
摘要： Es soll ein vertikaler Nano-Transistor angegeben werden, der mechanischen Beanspruchungen gut widersteht und in seiner Herstellung weniger aufwändig ist, als bisher dem Stand der Technik nach bekannt. Die Aufgabe wird erfindungsgemäss dadurch gelöst, dass ein vertikaler Nano-Transistor angegeben wird mit einem Source-Bereich, mit einem Drain-Bereich, mit einem Gate-Bereich und mit einem halbleitenden Kanalbereich zwischen dem Source-Bereich und dem Drain-Bereich, wobei der Gate-Bereich durch eine Metallfolie gebildet ist, in die der Transistor derart eingebettet ist, dass der Gate-Bereich und der halbleitende Kanalbereich eine koaxiale Struktur bilden und der Source-Bereich, der halbleitende Kanalbereich und der Drain-Bereich in vertikaler Richtung angeordnet sind und der Gate-Bereich eine elektrische Isolierung zum Source-Bereich, zum Drain-Bereich und zum halbleitenden Kanalbereich aufweist. Ein Verfahren zur Herstellung derartiger Transistoren ist angegeben, sowie eine Speicheranordnung.
摘要翻译：应当给出的垂直纳米晶体管，其承受机械应力，并且其在其制造比现有技术中迄今已知的更便宜。该目的创造性地实现，即一个垂直的纳米晶体管标有一个源极区，漏极区，栅极区和源极区和漏极区之间的半导体沟道区，其中，所述栅极区域是由金属箔，其中，所述晶体管被嵌入使得栅极区和所述半导体沟道区形成一同轴结构和半导体沟道区和漏区的源极区被布置在垂直方向上形成栅极区具有从所述源极区域，漏极区域和所述半导体沟道区电绝缘。一种用于这样的晶体管的制备方法被指定，以及一个存储器阵列。

3. 发明申请

WO2004034478A2 SCHICHTANORDUNG AUS HETEROVERBUNDENEN HALBLEITERSCHICHTEN MIT ZUMINDEST EINER ZWISCHENGELAGERTEN TRENNSCHICHT UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译： SCHICHTANORDUNG从至少一个存储的之间的界面和流程用于生产异质相关半导体层
公开(公告)号：WO2004034478A2
公开(公告)日：2004-04-22
申请号：PCT/DE2003/003371
申请日：2003-10-09
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , FUERTES MARRÓN, David , MEEDER, Alexander , WÜRZ, Roland , SCHEDEL-NIEDRIG, Thomas , LUX-STEINER, Martha, Christina
发明人： FUERTES MARRÓN, David , MEEDER, Alexander , WÜRZ, Roland , SCHEDEL-NIEDRIG, Thomas , LUX-STEINER, Martha, Christina
IPC分类号： H01L31/0256
CPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0324
摘要： Bekannte Schichtanordnungen weisen mechanisch aufbrechbare Trennschichten auf, bei denen jedoch kein rückstandsfreies Abziehen der abzutrennenden Halbleiterschicht von der Trennschicht gewährleistet werden kann. Die Schichtanordnung (1) nach der Erfindung sieht deshalb eine Trennschicht (4) in Form einer Schichtgitterlagen aufweisenden Metalldichalkogenidschicht vor, deren Struktur über die Prozessparameter und beteiligten Materialien präzise mit einer kontinuierlichen, gebogenen Vasenstruktur (5) definiert ist. Dabei sind die Schichtgitterlagen (7) zum Substrat (2) hin senkrecht (Typ I), zur Halbleiterschicht (6) hin parallel orientiert (Typ II). Durch das Verbiegen der oberflächennah parallel verlaufenden Schichtgitterlagen (7) zu einem im Volumen der Trennschicht (7) senkrechten Verlauf der einzelnen Schichtgitterlagen (7) kommen auch im an die Halbleiterschicht (6) angrenzenden Schichtbereich der Trennschicht (4) die atomaren Bindungen zwischen den Atomen innerhalb der Schichtgitterlagen (7) zum Tragen. Somit wird eine Trennfläche zum rückstandsfreien Abziehen der Halbleiterschicht (6) von der Trennschicht (4) gebildet. Die Schichtanordnung (1) nach der Erfindung wird bevorzugt mit dem kostengünstigen CVD-Verfahren in einem offenen System hergestellt und insbesondere in der Photovoltaik-Technologie zur Herstellung flexibler Dünnschicht- oder Tandem-Solarzellen eingesetzt.
摘要翻译：已知的层布置具有机械可破坏的分离层，但是其中不能确保从分离层中分离出半导体层的无残留物去除。因此，根据本发明的层布置（1）在具有Metalldichalkogenidschicht其结构OVER涉及的过程参数和材料PR＆AUML的层晶格层的形式提供的释放层（4）;姿色具有连续的，弯曲的花瓶结构（5）被定义。在这种情况下，层栅格层（7）垂直于衬底（2）（类型I）定向，平行于半导体层（6）（类型II）。由于表面BEAR chennah平行层晶格层（7）垂直的弯曲到分离层（7）在所述单层光栅层的体积（7）在半导体层中的原子键（6）隔离层的相邻层区域（4）层网格层（7）内的原子能够承受。因此，形成了用于从分离层（4）中无耗尽地剥离半导体层（6）的分离表面。（1）根据本发明的层布置为优选地在光伏技术在开放系统中的成本导航用途和制造nstigen CVD工艺，特别是用于制造柔性d导航用途nnschicht-或串联使用太阳能电池。

4. 发明申请

WO2004092442A1 ELEKTROCHEMISCHES VERFAHREN ZUR DIREKTEN NANOSTRUKTURIERBAREN MATERIALABSCHEIDUNG AUF EINEM SUBSTRAT UND MIT DEM VERFAHREN HERGESTELLTES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：直接存款NANOSTRUKTURIERBAREN材料电化学过程，在基板与生产过程制备半导体部件
公开(公告)号：WO2004092442A1
公开(公告)日：2004-10-28
申请号：PCT/DE2004/000748
申请日：2004-04-07
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , SADEWASSER, Sascha , GLATZEL, Thilo , LUX-STEINER, Martha, Christina
发明人： SADEWASSER, Sascha , GLATZEL, Thilo , LUX-STEINER, Martha, Christina
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/047 , H01L21/02521 , H01L21/02562 , H01L21/02568 , H01L21/0259 , H01L21/0262 , H01L21/02636
摘要： Die bekannten Verfahren zur Abscheidung einer einzigen Materialkomponente insbesondere im Nanobereich arbeiten mit einem elektrischen Feld zwischen der Sondenspitze eines Mikroskops und dem Substrat, in das ein Precursorgas mit einer die Materialkomponente enthaltenden chemischen Verbindung eingebracht wird. Unter Feldeinwirkung wird die chemische Verbindung aufgespalten und die Materialkomponente freigegeben, die sich dann im eng begrenzten Gebiet unter der Sondenspitze auf dem Substrat abscheidet. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden simultan oder sequenziell mehrere Precursorgase (PG) mit jeweils einer anderen, eine andere Materialkomponente (Cd, Te) enthaltenden chemischen Verbindung (DMCd, DETe) in einem Gasgemisch mit einem einstellbaren Mischungsverhältnis eingesetzt, wobei die aus den aufgespaltenen, verschiedenen chemischen Verbindungen (DMCd, DETe) herausgetrennten Materialkomponenten (Cd, Te) entsprechend dem gewählten Mischungsverhältnis eine gemeinsame chemische Verbindung (CdTe) eingehen, die auf dem Substrat (S) abgelagert wird. Somit können parametergesteuert Verbindungsmaterialien, insbesondere auch Verbindungs halbleiter, mit unterschiedlichen Materialkomponenten in veränderbaren Konzentrationen abgeschieden werden. Vorteilhaft kann ein Halbleiterbauelement mit Photodioden oder Leuchtdioden aus nanostrukturiert abgeschiedenen Nanopunkten mit unterschiedlichen spektralen Bandlücken aufgebaut sein.
摘要翻译：对于单一组分材料的沉积用显微镜的探针尖端之间，并且其中的电场工作的已知方法，特别是纳米级的用含有化合物的材料成分的前体气体被引入到基板上。子场曝光，化学化合物被分解和释放的材料组分，其然后在基板上的探针尖端下的狭窄的区域分离出来。在本发明方法同时或依次的多个前驱物气体（PG）彼此，以气体混合物与可调节的混合比例中使用的材料不同的材料成分（镉，Te）的含化学化合物（DMCD，DETE）的，其中，所述分割的，各种化学化合物（DMCD，DETE）根据被接收的是沉积在衬底（S）上的共同的化学化合物（碲化镉）的所选择的混合比分离出来的材料组分（CD，Te）的。因此，参数控制的连接材料，尤其是化合物半导体，可以与可变浓度的不同材料部件沉积。有利地，具有光电二极管或发光二极管的半导体器件可以从具有不同光谱的带隙的纳米结构的纳米点幽来构造。

5. 发明申请

WO2002076910A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON METALLOXIDEN UND METALLCHALKOGENIDEN MIT EINER DEFINIERTEN MIKROSTRUKTURIERUNG 审中-公开
标题翻译：用于生产金属氧化物和具有确定金属硫族化合物微观组织
公开(公告)号：WO2002076910A2
公开(公告)日：2002-10-03
申请号：PCT/DE2002/001146
申请日：2002-03-27
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , DLOCZIK, Larissa , KÖNENKAMP, Rolf , ENGELHARD, Rolf , ERNST, Katja , LUX-STEINER, Martha, Christina
发明人： DLOCZIK, Larissa , KÖNENKAMP, Rolf , ENGELHARD, Rolf , ERNST, Katja , LUX-STEINER, Martha, Christina
IPC分类号： C04B41/80
CPC分类号： C01B13/145 , C01B17/20 , C01B19/007 , C01G1/02 , C01G1/12 , C01P2004/40 , C01P2004/61
摘要： Auf den verschiedensten Anwendungsgebieten werden mikro- und nanostrukturierte Oberflächen benötigt, die eine bestimmte chemische Eigenschaft und eine bestimmte Oberflächenstruktur haben sollen, die bisher in gesonderten Verfahren, wie beispielsweise "Embossing"-Verfahren oder lithographischen Verfahren hergestellt wurden. Das erfindungsgemäße Verfahren gestattet Metalloxide oder Metallchalkogenide mit einer vorherbestimmbaren Nano- bzw. Mikrostruktur herzustellen. Dazu werden die auf einem Substrat abgeschiedenen Metalloxide oder Metallchalkogenide, die eine gewünschte Nano- bzw. Mikrostruktur aber nicht die gewünschten mechanischen oder chemischen Eigenschaften aufweisen, bei Vorhandensein von Chalkogenid-lonen oder Metall-lonen oder Sauerstoff-lonen, einer Temperatur von 300 °C bis 500 °C und einem Druck zwischen 10 mbar und 2 bar über einen Zeitraum von 10 min bis 5 Stunden ausgesetzt, wodurch ein Austausch einzelner Komponenten des Metalloxids oder des Metallchalkogenids stattfindet, indem entweder der Sauerstoff durch Chalkogenid-lonen ersetzt oder die Chalkogenid-lonen durch Sauerstoff ersetzt werden. Es ist aber auch möglich, ein Metall-lon durch ein anderes Metall-lon zu ersetzen. Während dieses lonenaustausches bleibt die Nano- bzw. Mikrostruktur der jeweiligen Ausgangsverbindung erhalten. Somit erhält man neue Verbindungen, die andere Eigenschaften als die Ausgangsverbindung, aber die gleiche Mikrostruktur der Oberfläche aufweisen.
摘要翻译：在各种的微米和纳米结构表面的应用需要，其应该具有特定的化学性质和一定的表面结构，这在以前在分开的程序中，诸如“压花”方法或光刻工艺，分别制造。本发明的方法允许以产生金属氧化物或金属硫族化合物与可预定的纳米或微米结构。为此，在沉积在衬底的金属氧化物或金属硫族化合物，但其具有期望的纳米或微米结构不是硫属化物离子或金属离子或氧离子，在300℃的温度的情况下所需的机械或化学性质至500℃并历时10分钟至5小时暴露于2 10毫巴和巴之间的压力，从而使金属氧化物或金属硫属化物的各个组分的交换通过任一氧发生由硫族化物离子或硫族化物离子取代被氧替代。但它也可以通过另一种金属离子替换的金属离子。在各自的起始化合物的这种离子交换纳米或微结构保持。因此，可以得到具有比起始化合物不同的性质的新化合物，但表面的相同微观结构。

6. 发明申请

WO2008074298A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON IN EINER MATRIX EINGEBETTETEN QUANTENPUNKTEN UND MIT DEM VERFAHREN HERGESTELLTE IN EINER MATRIX EINGEBETTETE QUANTENPUNKTE 审中-公开
标题翻译：用于生产在矩阵嵌入式量子点以及与所述方法在矩阵嵌入式量子点
公开(公告)号：WO2008074298A1
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：PCT/DE2007/002230
申请日：2007-12-11
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , FUERTES MARRÓN, David , LEHMANN, Sebastian , SADEWASSER, Sascha , LUX-STEINER, Martha, Christina
发明人： FUERTES MARRÓN, David , LEHMANN, Sebastian , SADEWASSER, Sascha , LUX-STEINER, Martha, Christina
IPC分类号： C23C14/00 , C23C14/04 , C23C30/00 , C23C16/04 , C23C14/06 , C23C16/30
CPC分类号： C23C14/042 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C23C8/02 , C23C10/02 , C23C14/0623 , C23C14/46 , C23C16/0281 , C23C16/305 , C23C26/00 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/0352 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： Bekannt ist, einen metallischen Precursor, der in einer ein Polymer enthaltenden Lösung gelöst ist, mittels Tröpfchensprühverteilung auf einem Substrat zu deponieren. Eine anschließende Gasphasenreaktion mit einem chalkogenhaltigen Reagens erzeugt Quantenpunkte in einer Polymermatrix. Zur Erzeugung beliebiger, jedoch polymerfreier Matrizen sieht das erfindungsgemäße Verfahren nach Aufbringen von Quantenpunkten (QD) aus einem Precursor (PC) das anschließende Inkontaktbringen der aufgebrachten Quantenpunkte (QD) und des unbedeckten Substrats (SU) mit einem gasphasigen Reagens (RG) vor, das alle Bestandteile der zu erzeugenden Matrix (MA) enthält, wobei eine chemische Reaktion zwischen dem Precursor (PC) und dem Reagens (RG) durch eine zum Inkontaktbringen gleichzeitige oder nachfolgende Temperaturerhöhung herbeigeführt wird. Somit kann eine konkordierende Zusammensetzung zwischen Quantenpunkten (QD) und Matrix (MA) erzeugt werden, wobei die Quantenpunkte (QD) eine additive Zusammensetzung aus den Elementen von Precursor (PC) und Reagens (RG) und die Matrix (MA) eine Zusammensetzung ausschließlich aus den Elementen des Reagens (RG) aufweist. Durch entsprechende Elementwahl können binäre, ternäre oder multinäre Verbindungshalbleiter erzeugt werden, die in der Nanooptik und -elektronik, aber auch bei Solarzellen Anwendung finden.
摘要翻译：已知的是，沉积其溶解在含有在基板上的聚合物Tröpfchensprühverteilung溶剂中的金属前体。与含硫族元素的试剂随后的气相反应产生在聚合物基质中的量子点。为了生成任意的，但是，无聚合物基质，本发明的方法提供，由前体（PC）应用的量子点（QD）的随后用在前面的气相试剂（RG）接触涂覆的量子点（QD）和未覆盖衬底（SU）后，包含要被产生的矩阵的所有部件（MA），其特征在于，所述前体（PC）和试剂（RG）之间的化学反应所带来的一个同时或随后给所述接触温度升高。因而，生成量子点（QD）及基质（MA）之间的konkordierende组合物，其中所述量子点（QD）的前体（PC）和试剂（RG）和基质（MA）从专门的组合物的元件的添加剂组合物包括所述试剂（RG）的元素。通过适当的元件选择的二进制，可以生成三元或多元化合物半导体，其在纳米光学和电子使用，也可在太阳能电池。

7. 发明申请

WO2006018013A1 VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN EINER ZINKSULFID-PUFFERSCHICHT AUF EIN HALBLEITERSUBSTRAT MITTELS CHEMISCHER BADABSCHEIDUNG, INSBESONDERE AUF DIE ABSORBERSCHICHT EINER CHALKOPYRIT-DÜNNSCHICHT-SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：方法用于将硫化锌缓冲层的半导体衬底通过化学浴沉积，特别是吸收层的黄铜矿薄膜太阳能电池
公开(公告)号：WO2006018013A1
公开(公告)日：2006-02-23
申请号：PCT/DE2005/001431
申请日：2005-08-11
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , ENNAOUI, Ahmed , KROPP, Timo , LUX-STEINER, Martha, Christina
发明人： ENNAOUI, Ahmed , KROPP, Timo , LUX-STEINER, Martha, Christina
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/368 , C23C18/00 , C30B29/10
CPC分类号： H01L31/0749 , C23C18/1865 , C23C18/1893 , C23C18/31 , H01L21/02422 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02557 , H01L21/02628 , H01L31/1836 , Y02E10/541
摘要： Am günstigsten erweist sich zum Aufbringen einer Pufferschicht auf Halbleitersubstrate, zum Beispiel von Chalkopyrit-Dünnschicht-Solarzellen, die chemische Badabscheidung (Chemical Bath Deposition - CBD), bei der bisher Cadmiumsulfid (CdS) abgeschieden wird. Da Cadmium ein sehr giftiges Schwermetall ist, wurde bereits nach Alternativen gesucht. Vorgeschlagen wird nunmehr, dass das Halbleitersubstrat nach Auflösen von Zinksulfat (0,05 bis 0,5 mol/I) und Thioharnstoff (0,2 bis 1,5 mol/I) in destilliertem Wasser bei einer Temperatur von 70 °C bis 90 °C und nach Klarwerden der Lösung zugegebenem Ammoniak (ca. 25 %) für etwa 10 Minuten in die Lösung getaucht wird, deren Temperatur in dieser Zeit im wesentlichen konstant gehalten wird. Mit der ZnS-Schicht ist es erstmals möglich, vergleichbare bzw. Höhere Wirkungsgrade zu erzielen als sie zur Zeit nur mit giftigen Cadmiumverbindungen möglich sind. Das Verfahren ist somit bei gleichem Erfolg sehr viel umweltfreundlicher.
摘要翻译：祢原来是在半导体衬底上，如黄铜矿薄膜太阳能电池应用的缓冲层，化学浴沉积（化学浴沉积 - CBD），是在远硫化镉（CdS）沉积。由于镉是一种毒性很强的重金属，一直在寻找替代品。现在建议硫酸锌（0.05〜0.5摩尔/ I）和硫脲（0.2〜1.5摩尔/ I）在蒸馏水中在70℃的温度下溶解到90°后的半导体基板 C和后的溶液加入清除氨（约25％）中浸渍约10分钟在其温度此时保持恒定基本溶液。与硫化锌层，现在有可能实现类似或更高的效率比目前仅与有毒镉化合物可能的。因此，该方法是更加环保的同样成功。

8. 发明申请

WO2004106593A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON TRANSPARENTEM P-LEITENDEM CuAlO2 审中-公开
标题翻译：用于生产透明导电P CuAlO 2的
公开(公告)号：WO2004106593A2
公开(公告)日：2004-12-09
申请号：PCT/DE2004/001069
申请日：2004-05-18
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , DLOCZIK, Larissa , TOMM, Yvonne , DITTRICH, Thomas , LUX-STEINER, Martha, Christina
发明人： DLOCZIK, Larissa , TOMM, Yvonne , DITTRICH, Thomas , LUX-STEINER, Martha, Christina
IPC分类号： C30B
CPC分类号： H01L31/022466 , C01D15/04 , C01G3/00 , C01P2002/76 , C01P2006/40 , C23C14/08 , H01L31/0322 , H01L51/442 , H01L2251/305 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： Transparente leitfähige Materialien werden für optoelektronische Anwendungen benötigt. Jedoch sind die hier bisher bewährten Materialien Halbleiter vom n-Typ. Erforderlich sind auch transparente Halbleiter des pTyps, um pn-Übergänge zu realisieren. Es sind nur wenige solche Materialien bekannt, deren Langzeitstabilität fraglich ist. Oxide würden hier eine höhere Stabilität verheißen, jedoch sind die strukturellen Bedingungen, unter denen sie p-leitend sein können, sehr restriktiv. Die Synthese von CuAlO 2 wird durch die Bildung von binären Oxiden, CuAl 2 O 4 vom Spinell-Typ oder metallischem Kupfer erschwert. Zur Herstellung von pulverförmigem, reinem CuAlO 2 ist bisher die Reaktion der binären Oxide bei Temperaturen von mindestens 1000 ° C für mindestens 20 Stunden mit Unterbrechungen zum erneuten Vermischen und Verpressen beschrieben. Es soll ein Verfahren zur Herstellung von transparentem p-leitendem CuAlO 2 ohne störende Begleitprodukte vorgeschlagen werden, insbesondere für optoelektronische Anwendungen, das mit geringerer Temperatur eine wirtschaftliche Herstellung von langzeitstabilem CuAlO 2 in Pulverform ermöglicht. Im vorgeschlagenen Verfahren zur Herstellung von transparentem p-leitendem CuAlO 2 erfolgt eine Kristallstruktur-konforme Austauschreaktion. Danach reagieren die alpha-Modifikation des nichtleitenden, keramikartigen Materials LiAlO 2 und CuCl in einer Metathesereaktion durch Ionen-Austausch bei einer Temperatur ab etwa 330 °C zur gewünschten Kristallstruktur von CuAlO 2 und zu auswaschbarem LiCl. Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich zur Herstellung von transparentem p-leitendem CuAlO 2 für die verschiedensten optoelektronischen Anwendungen, insbesondere großflächige Flachbildschirme und Dünnschicht-Solarzellen.
摘要翻译：需要用于光电子应用的透明导电材料。然而，到这里为止证明材料是半导体n型。还需要是pTyps的透明半导体实现pn结。只有少数这样的材料是已知的，长期稳定性是值得怀疑的。氧化物在这里答应更高的稳定性，然而，在其下它们可以是p型的，非常严格的结构状况。 CuAlO 2的合成是通过二元氧化物，CuAl2O4尖晶石型或金属铜的形成复杂。的二元氧化物在温度至少为1000的反应<°> C至少20小时的中断到目前为止所描述的再混合和挤压用于生产粉状，纯的CuAlO 2的。它是用于生产透明的p型CuAlO 2的无干扰共产物，特别是提出了用于光电应用，这允许较低的温度下以粉末形式的经济生产长期稳定CuAlO 2的的方法。在用于制备透明p型CuAlO 2的晶体结构兼容的交换反应发生所提出的方法。此后，将非导电性，类陶瓷材料铝酸锂的α-修饰和氯化亚铜在通过离子交换的温度到CuAlO 2的和可洗的LiCl的所需晶体结构的复分解反应在约330℃反应。本发明的方法是适合于生产透明的p型CuAlO 2的用于各种光电子应用，特别是大面积的平板显示器和薄膜太阳能电池。

9. 发明公开

EP1792348A1 VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN EINER ZINKSULFID-PUFFERSCHICHT AUF EIN HALBLEITERSUBSTRAT MITTELS CHEMISCHER BADABSCHEIDUNG, INSBESONDERE AUF DIE ABSORBERSCHICHT EINER CHALKOPYRIT-DÜNNSCHICHT-SOLARZELLE 有权
标题翻译：方法用于将硫化锌缓冲层的半导体衬底通过化学浴沉积，特别是吸收层的黄铜矿薄膜太阳能电池
公开(公告)号：EP1792348A1
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：EP05779024.8
申请日：2005-08-11
申请人： Hahn-Meitner-Institut Berlin GmbH
发明人： ENNAOUI, Ahmed , KROPP, Timo , LUX-STEINER, Martha, Christina
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/368 , C23C18/00 , C30B29/10
CPC分类号： H01L31/0749 , C23C18/1865 , C23C18/1893 , C23C18/31 , H01L21/02422 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02557 , H01L21/02628 , H01L31/1836 , Y02E10/541
摘要： Chemical bath deposition (CBD) has proved top be the most favorable method for application of a buffer layer to semiconductor substrates, for example, chalcopyrite thin-film solar cells, whereby previously cadmium sulphide (CdS) was deposited and as cadmium is a highly toxic heavy metal, alternatives have been required. According to the invention, the semiconductor substrate is dipped in a solution for approximately 10 minutes, produced by the dissolution of zinc sulphate (0.05-0.5 mol/l) and thiourea (0.2 to 1.5 mol/l) in distilled water at a temperature being held essentially constant throughout said period. For the first time, the ZnS layer permits comparable or higher efficiencies than conventionally only achieved with toxic cadmium compounds. The method is hence much more environmentally-friendly with the same result.

10. 发明公开

EP1169492A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DÜNNER, SCHWER LÖSLICHER BESCHICHTUNGEN 有权
标题翻译： VERFAHREN ZUR HERSTELLUNGDÜNNER，SCHWERLÖSLICHERBESCHICHTUNGEN
公开(公告)号：EP1169492A2
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：EP00934914.3
申请日：2000-04-06
申请人： Hahn-Meitner-Institut Berlin GmbH
发明人： FISCHER, Christian-Herbert , MUFFLER, Hans-Jürgen , LUX-STEINER, Martha, Christina
IPC分类号： C23C26/00 , H01L21/368 , H01L31/18
CPC分类号： C23C8/10 , C23C26/00 , Y10S501/906
摘要： Stable surface coatings can be produced by sputtering, evaporation coating, bath deposition or metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). With these methods it is not always possible to obtain homogeneous coatings which also reach internal surfaces. For the production of ceramic or oxidic layers (CL/OL) on substrates (S) the invention therefore provides that after application (I) and drying (II) of a suitable starting substance (P) the resulting starting-substance layer (PLD) is exposed (III) to a wet reactant gas (RG) to transform said layer into a corresponding hydroxide or complex layer (HL) and then heat treated (IV) for the formation of a ceramic or oxidic layer (CL/OL). For the alternative preparation of other chalcogenide layers presenting greater material conversion the layers are in addition exposed to a reactant gas containing a chalcogen hydrogen. Metallic layers can alternatively be produced using a reactant gas with reducing action. The methods provided for in the invention can be used in any application concerned with the protection and modification of surfaces, including shadow-cast structures, and the application of functional layers, notably in solar and materials technology.
摘要翻译：稳定的表面涂层可以通过溅射，蒸发涂覆，浴沉积或金属有机化学气相沉积（MOCVD）来生产。用这些方法，并不总是可能获得也达到内表面的均匀涂层。为了在基材（S）上生产陶瓷或氧化层（CL / OL），本发明因此规定，在施用（I）和干燥（II）合适的起始物质（P）之后，所得起始物质层（PLD）（III）暴露于湿反应气体（RG）以将所述层转化成相应的氢氧化物或复合层（HL），然后热处理（IV）以形成陶瓷或氧化层（CL / OL）。对于呈现更大物质转化的其他硫族化物层的替代制备，所述层另外暴露于含有硫属元素氢的反应物气体。或者可以使用具有还原作用的反应气体来生产金属层。本发明提供的方法可以用于涉及表面保护和修改的任何应用，包括阴影铸造结构，以及功能层的应用，特别是在太阳能和材料技术中。

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