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    • 2. 发明申请
    • ELEKTROCHEMISCHES VERFAHREN ZUR DIREKTEN NANOSTRUKTURIERBAREN MATERIALABSCHEIDUNG AUF EINEM SUBSTRAT UND MIT DEM VERFAHREN HERGESTELLTES HALBLEITERBAUELEMENT
    • 直接存款NANOSTRUKTURIERBAREN材料电化学过程,在基板与生产过程制备半导体部件
    • WO2004092442A1
    • 2004-10-28
    • PCT/DE2004/000748
    • 2004-04-07
    • HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBHSADEWASSER, SaschaGLATZEL, ThiloLUX-STEINER, Martha, Christina
    • SADEWASSER, SaschaGLATZEL, ThiloLUX-STEINER, Martha, Christina
    • C23C16/44
    • C23C16/047H01L21/02521H01L21/02562H01L21/02568H01L21/0259H01L21/0262H01L21/02636
    • Die bekannten Verfahren zur Abscheidung einer einzigen Materialkomponente insbesondere im Nanobereich arbeiten mit einem elektrischen Feld zwischen der Sondenspitze eines Mikroskops und dem Substrat, in das ein Precursorgas mit einer die Materialkomponente enthaltenden chemischen Verbindung einge­bracht wird. Unter Feldeinwirkung wird die chemische Verbindung aufgespalten und die Materialkomponente freigegeben, die sich dann im eng begrenzten Gebiet unter der Sondenspitze auf dem Substrat abscheidet. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden simultan oder sequenziell mehrere Precursorgase (PG) mit jeweils einer anderen, eine andere Materialkom­ponente (Cd, Te) enthaltenden chemischen Verbindung (DMCd, DETe) in einem Gasgemisch mit einem einstellbaren Mischungsverhältnis eingesetzt, wobei die aus den aufgespaltenen, verschiedenen chemischen Verbindungen (DMCd, DETe) herausgetrennten Materialkomponenten (Cd, Te) entsprechend dem gewählten Mischungsverhältnis eine gemeinsame chemische Verbindung (CdTe) eingehen, die auf dem Substrat (S) abgelagert wird. Somit können parametergesteuert Verbindungsmaterialien, insbesondere auch Verbindungs­ halbleiter, mit unterschiedlichen Materialkomponenten in veränderbaren Konzentrationen abgeschieden werden. Vorteilhaft kann ein Halbleiter­bauelement mit Photodioden oder Leuchtdioden aus nanostrukturiert abgeschiedenen Nanopunkten mit unterschiedlichen spektralen Bandlücken aufgebaut sein.
    • 对于单一组分材料的沉积用显微镜的探针尖端之间,并且其中的电场工作的已知方法,特别是纳米级的用含有化合物的材料成分的前体气体被引入到基板上。 子场曝光,化学化合物被分解和释放的材料组分,其然后在基板上的探针尖端下的狭窄的区域分离出来。 在本发明方法同时或依次的多个前驱物气体(PG)彼此,以气体混合物与可调节的混合比例中使用的材料不同的材料成分(镉,Te)的含化学化合物(DMCD,DETE)的,其中,所述分割的,各种 化学化合物(DMCD,DETE)根据被接收的是沉积在衬底(S)上的共同的化学化合物(碲化镉)的所选择的混合比分离出来的材料组分(CD,Te)的。 因此,参数控制的连接材料,尤其是化合物半导体,可以与可变浓度的不同材料部件沉积。 有利地,具有光电二极管或发光二极管的半导体器件可以从具有不同光谱的带隙的纳米结构的纳米点幽来构造。