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1. 发明申请

US20120177077A1 DIODE LASER AND LASER RESONATOR FOR A DIODE LASER HAVING IMPROVED LATERAL BEAM QUALITY 有权
标题翻译：二极管激光和激光二极管激光器具有改进的横向光束质量
公开(公告)号：US20120177077A1
公开(公告)日：2012-07-12
申请号：US13390837
申请日：2009-08-21
申请人： Goetz Erbert , Martin Spreemann , Hans Wenzel , Joerg Fricke
发明人： Goetz Erbert , Martin Spreemann , Hans Wenzel , Joerg Fricke
IPC分类号： H01S5/125
CPC分类号： H01S5/125 , H01S5/1064 , H01S5/1089 , H01S5/1215 , H01S5/2036 , H01S2301/166
摘要： A diode laser and a laser resonator for a diode laser are provided, which has high lateral beam quality at high power output, requires little adjustment effort and is inexpensive to produce. The laser resonator according to the invention comprises a gain section (GS), a first planar Bragg reflector (DBR1) and a second planar Bragg reflector (DBR2), wherein the gain section (GS) has a trapezoidal design and the first planar Bragg reflector (DBR1) is arranged on a first base side of the trapezoidal gain section (GS) and the second planar Bragg reflector (DBR2) is arranged on the opposing base side of the trapezoidal gain section (GS), wherein the width (D1) of the first planar Bragg reflector (DBR1) differs from the width (D2) of the second planar Bragg reflector (DBR2).
摘要翻译：提供二极管激光器和用于二极管激光器的激光谐振器，其在高功率输出下具有高横向光束质量，需要很少的调整工作并且制造成本低廉。根据本发明的激光谐振器包括增益部分（GS），第一平面布拉格反射器（DBR1）和第二平面布拉格反射器（DBR2），其中增益部分（GS）具有梯形设计，并且第一平面布拉格反射器（DBR1）布置在梯形增益部分（GS）的第一基极侧上，并且第二平面布拉格反射器（DBR2）布置在梯形增益部分（GS）的相对基底侧上，其中宽度（D1）第一平面布拉格反射器（DBR1）与第二平面布拉格反射器（DBR2）的宽度（D2）不同。

2. 发明授权

US08675705B2 Diode laser and laser resonator for a diode laser having improved lateral beam quality 有权
标题翻译：二极管激光器和二极管激光器的激光谐振器具有改进的横向光束质量
公开(公告)号：US08675705B2
公开(公告)日：2014-03-18
申请号：US13390837
申请日：2010-08-23
申请人： Goetz Erbert , Martin Spreemann , Hans Wenzel , Joerg Fricke
发明人： Goetz Erbert , Martin Spreemann , Hans Wenzel , Joerg Fricke
IPC分类号： H01S5/125
CPC分类号： H01S5/125 , H01S5/1064 , H01S5/1089 , H01S5/1215 , H01S5/2036 , H01S2301/166
摘要： A diode laser and a laser resonator for a diode laser are provided, which has high lateral beam quality at high power output, requires little adjustment effort and is inexpensive to produce. The laser resonator according to the invention comprises a gain section (GS), a first planar Bragg reflector (DBR1) and a second planar Bragg reflector (DBR2), wherein the gain section (GS) has a trapezoidal design and the first planar Bragg reflector (DBR1) is arranged on a first base side of the trapezoidal gain section (GS) and the second planar Bragg reflector (DBR2) is arranged on the opposing base side of the trapezoidal gain section (GS), wherein the width (D1) of the first planar Bragg reflector (DBR1) differs from the width (D2) of the second planar Bragg reflector (DBR2).
摘要翻译：提供二极管激光器和用于二极管激光器的激光谐振器，其在高功率输出下具有高横向光束质量，需要很少的调整努力并且制造成本低廉。根据本发明的激光谐振器包括增益部分（GS），第一平面布拉格反射器（DBR1）和第二平面布拉格反射器（DBR2），其中增益部分（GS）具有梯形设计，并且第一平面布拉格反射器（DBR1）布置在梯形增益部分（GS）的第一基极侧上，并且第二平面布拉格反射器（DBR2）布置在梯形增益部分（GS）的相对基底侧上，其中宽度（D1）第一平面布拉格反射器（DBR1）与第二平面布拉格反射器（DBR2）的宽度（D2）不同。

3. 发明授权

US08537869B2 Broad area diode laser with high efficiency and small far-field divergence 有权
标题翻译：广域二极管激光器具有效率高，远场偏差小
公开(公告)号：US08537869B2
公开(公告)日：2013-09-17
申请号：US13464495
申请日：2012-05-04
申请人： Paul Crump , Goetz Erbert , Hans Wenzel , Joerg Fricke
发明人： Paul Crump , Goetz Erbert , Hans Wenzel , Joerg Fricke
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/2036 , H01S5/20 , H01S5/205 , H01S2301/18
摘要： A broad area laser, with high efficiency and small far-field divergence, has an active layer, a first contact and a second contact, each having a width larger than 10 μm. An anti-wave guiding layer, which is positioned laterally with respect to the active region, is enclosed between the first and second contacts, wherein a refractive index of the anti-wave guiding layer is larger than a minimum refractive index of cladding layers. A minimum distance between the anti-wave guiding layer and a projection of one of the contacts on the plane of the anti-wave guiding layer is between 0 and 100 μm.
摘要翻译：具有高效率和小的远场散度的广域激光器具有宽度大于10um的有源层，第一接触和第二接触。相对于有源区域侧向定位的反波导层被包围在第一和第二触点之间，其中反射波导层的折射率大于包覆层的最小折射率。抗波导层与抗波导层平面上的触点之间的最小距离在0和100μm之间。

4. 发明申请

US20120287957A1 BROAD AREA DIODE LASER WITH HIGH EFFICIENCY AND SMALL FAR-FIELD DIVERGENCE 有权
标题翻译：宽带二极管激光器具有高效率和小的场地分歧
公开(公告)号：US20120287957A1
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：US13464495
申请日：2012-05-04
申请人： Paul CRUMP , Goetz Erbert , Hans Wenzel , Joerg Fricke
发明人： Paul CRUMP , Goetz Erbert , Hans Wenzel , Joerg Fricke
IPC分类号： H01S5/10
CPC分类号： H01S5/2036 , H01S5/20 , H01S5/205 , H01S2301/18
摘要： The present invention relates to a broad area laser with high efficiency and small far-field divergence, as well as high output power.According to the invention, the active layer (10), the first contact (22) and the second contact (24) each have a width (W) larger than 10 μm, and there is also an anti-wave guiding layer (20) which is positioned laterally in relation to the active region enclosed between the contacts (22, 24), wherein the refractive index of the anti-wave guiding layer (20) is larger than the minimum refractive index of the cladding layers (14, 18), and wherein the minimum distance (dx) between the anti-wave guiding layer (20) and a projection of one of the contacts (24) on the plane of the anti-wave guiding layer (20) lies between 0 and 100 μm.
摘要翻译：本发明涉及具有高效率和小的远场散度以及高输出功率的广域激光器。根据本发明，有源层（10），第一触点（22）和第二触点（24）各自具有大于10μm的宽度（W），还有抗波引导层（20）其相对于封闭在所述触头（22,24）之间的有源区域横向定位，其中所述反射波导层（20）的折射率大于所述包覆层（14,18）的最小折射率，并且其中所述反波导层（20）与所述反波导层（20）平面上的所述触点（24）中的一个的突起之间的最小距离（dx）在0和100μm之间。

5. 发明授权

US09343873B2 Laser diode with high efficiency 有权
标题翻译：激光二极管效率高
公开(公告)号：US09343873B2
公开(公告)日：2016-05-17
申请号：US13823277
申请日：2011-09-12
申请人： Paul Crump , Goetz Erbert , Hans Wenzel
发明人： Paul Crump , Goetz Erbert , Hans Wenzel
IPC分类号： H01S5/00 , H01S5/20 , H01S5/22 , A61B18/20 , A61B18/00 , A61B19/00 , H01S5/32
CPC分类号： H01S5/20 , A61B18/203 , A61B2018/00476 , A61B2090/049 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3213 , H01S2301/185
摘要： It is the object of the present invention to specify a light source with high efficiency and high eye safety at the same time.For this purpose, the active layer (10), the first cladding layer (14), the first waveguide layer (12), the second waveguide layer (16), and the second cladding layer (18) should be designed such that 0.01 μm≦dwL≦1.0 μm and Δn≧0.04, where dwL is the sum total of the layer thickness of the first waveguide layer (12), the layer thickness of the active layer (10), and the layer thickness of the second waveguide layer (16) and Δn is a maximum of the refractive index difference between the first cladding layer (14) and the first waveguide layer (12) and the refractive index difference between the second waveguide layer (16) and the second cladding layer (18).
摘要翻译：本发明的目的是同时具有高效率和高眼睛安全性的光源。为此，应设计有源层（10），第一覆层（14），第一波导层（12），第二波导层（16）和第二覆层（18），使得0.01μm＆ ; dwL＆nlE;1.0μm和＆Dgr;n≥0.04，其中dwL是第一波导层（12）的层厚度的总和，有源层（10）的层厚度和第二波导的层厚度层（16）和＆Dgr; n是第一包层（14）和第一波导层（12）之间的折射率差的最大值和第二波导层（16）与第二包层之间的折射率差（18）。

6. 发明申请

US20130208748A1 LASER DIODE WITH HIGH EFFICIENCY 有权
标题翻译：激光二极管效率高
公开(公告)号：US20130208748A1
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：US13823277
申请日：2011-09-12
申请人： Paul Crump , Goetz Erbert , Hans Wenzel
发明人： Paul Crump , Goetz Erbert , Hans Wenzel
IPC分类号： H01S5/20
CPC分类号： H01S5/20 , A61B18/203 , A61B2018/00476 , A61B2090/049 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3213 , H01S2301/185
摘要： It is the object of the present invention to specify a light source with high efficiency and high eye safety at the same time.For this purpose, the active layer (10), the first cladding layer (14), the first waveguide layer (12), the second waveguide layer (16), and the second cladding layer (18) should be designed such that 0.01 μm≦dWL≦1.0 μm and Δn≧0.04, where dWL is the sum total of the layer thickness of the first waveguide layer (12), the layer thickness of the active layer (10), and the layer thickness of the second waveguide layer (16) and Δn is a maximum of the refractive index difference between the first cladding layer (14) and the first waveguide layer (12) and the refractive index difference between the second waveguide layer (16) and the second cladding layer (18).
摘要翻译：本发明的目的是同时具有高效率和高眼睛安全性的光源。为此，应设计有源层（10），第一覆层（14），第一波导层（12），第二波导层（16）和第二覆层（18），使得0.01μm @ dWL @ 1.0mum和Deltan> = 0.04，其中dWL是第一波导层（12）的层厚度的总和，有源层（10）的层厚度和第二波导层的层厚度（16）和Deltan是第一包层（14）和第一波导层（12）之间的折射率差和第二波导层（16）与第二包层（18）之间的折射率差的最大值，。

7. 发明授权

US08824518B2 Two-cavity surface-emitting laser 有权
标题翻译：双腔表面发射激光器
公开(公告)号：US08824518B2
公开(公告)日：2014-09-02
申请号：US12968727
申请日：2010-12-15
申请人： Günther Tränkle , Joachim Piprek , Hans Wenzel , Götz Erbert , Markus Weyers , Andrea Knigge
发明人： Günther Tränkle , Joachim Piprek , Hans Wenzel , Götz Erbert , Markus Weyers , Andrea Knigge
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/14 , H01S5/04 , H01S5/026 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/183 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/14 , H01S5/4025 , H01S5/4087
摘要： A the vertical-cavity surface-emitting laser includes a stripe-shaped active medium (10) having an emission maximum at a first wavelength (λ1), wherein a first reflector (18) is arranged below the stripe-shaped active medium (10) and a second reflector (20) is arranged above the stripe-shaped active medium (10), with the first reflector (18) facing the second reflector (20), wherein the first reflector (18) and a second reflector (20) have a reflectivity maximum in the region of the first wavelength (λ1), wherein a third reflector (12) and a fourth reflector (13) are each arranged on a side above or next to the stripe-shaped active medium (10), wherein the third reflector (12) faces the fourth reflector (13), and wherein the third reflector (12) and the fourth reflector (13) have a reflectivity maximum in the region of a second wavelength (λ2), wherein the first wavelength (λ1) is greater than the second wavelength (λ2).
摘要翻译：垂直腔表面发射激光器包括具有第一波长（λ1）的发射最大值的条形有源介质（10），其中第一反射器（18）布置在条形活性介质（10）的下方，并且第二反射器（20）布置在条形有源介质（10）的上方，第一反射器（18）面向第二反射器（20），其中第一反射器（18）和第二反射器（20）具有在第一波长区域（λ1）的反射率最大值，其中第三反射器（12）和第四反射器（13）分别布置在条状活性介质（10）上方或旁边的一侧，其中，第三反射器（12）面向第四反射器（13），并且其中第三反射器（12）和第四反射器（13）在第二波长（λ2）的区域中具有反射率最大值，其中第一波长（λ1）大于第二波长（λ2）。

8. 发明申请

US20130287057A1 HIGH-EFFICIENCY DIODE LASER 有权
标题翻译：高效二极管激光
公开(公告)号：US20130287057A1
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：US13978222
申请日：2011-12-28
申请人： Erbert Götz , Hans Wenzel , Paul Crump
发明人： Erbert Götz , Hans Wenzel , Paul Crump
IPC分类号： H01S5/20
CPC分类号： H01S5/2018 , H01S5/2031 , H01S5/3213 , H01S2301/166 , H01S2301/18
摘要： A laser diode has a first n-conducting cladding layer, a first n-conducting waveguide layer arranged therein, an active layer is suitable for generating radiation arranged on the first waveguide layer, a second p-conducting waveguide layer, arranged on the active layer, and a second p-conducting cladding layer, arranged on the second waveguide layer the sum of the layer thickness of the first waveguide layer, the layer thickness of the active layer and the layer thickness of the second waveguide layer is greater than 1 μm and the layer thickness of the second waveguide layer is less than 150 nm. The maximum mode intensity of the fundamental mode is in a region outside the active layer, and the difference between the refractive index of the first waveguide layer and the refractive index of the first cladding layer is between 0.04 and 0.01.
摘要翻译：激光二极管具有第一n导电包覆层，布置在其中的第一n导电波导层，有源层适于产生布置在第一波导层上的辐射，布置在有源层上的第二导电波导层和第二导电包覆层，布置在第二波导层上，第一波导层的层厚度之和，有源层的层厚度和第二波导层的层厚度之和大于1μm，第二波导层的层厚小于150nm。基模的最大模式强度在有源层外侧的区域中，第一波导层的折射率与第一包层的折射率之差为0.04〜0.01。

9. 发明授权

US08798109B2 High-efficiency diode laser 有权
标题翻译：高效二极管激光器
公开(公告)号：US08798109B2
公开(公告)日：2014-08-05
申请号：US13978222
申请日：2011-12-28
申请人： Erbert Götz , Hans Wenzel , Paul Crump
发明人： Erbert Götz , Hans Wenzel , Paul Crump
IPC分类号： H01S5/10
CPC分类号： H01S5/2018 , H01S5/2031 , H01S5/3213 , H01S2301/166 , H01S2301/18
摘要： A laser diode has a first n-conducting cladding layer, a first n-conducting waveguide layer arranged therein, an active layer is suitable for generating radiation arranged on the first waveguide layer, a second p-conducting waveguide layer, arranged on the active layer, and a second p-conducting cladding layer, arranged on the second waveguide layer the sum of the layer thickness of the first waveguide layer, the layer thickness of the active layer and the layer thickness of the second waveguide layer is greater than 1 μm and the layer thickness of the second waveguide layer is less than 150 nm. The maximum mode intensity of the fundamental mode is in a region outside the active layer, and the difference between the refractive index of the first waveguide layer and the refractive index of the first cladding layer is between 0.04 and 0.01.
摘要翻译：激光二极管具有第一n导电包覆层，布置在其中的第一n导电波导层，有源层适于产生布置在第一波导层上的辐射，布置在有源层上的第二导电波导层以及第二导电包覆层，布置在第二波导层上，第一波导层的层厚度之和，有源层的层厚度和第二波导层的层厚度之和大于1μm，第二波导层的层厚小于150nm。基模的最大模式强度在有源层外侧的区域中，第一波导层的折射率与第一包层的折射率之差为0.04〜0.01。

10. 发明授权

US06961358B2 Semiconductor laser 有权
标题翻译：半导体激光器
公开(公告)号：US06961358B2
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：US10381177
申请日：2001-09-20
申请人： Götz Erbert , Günther Tränkle , Hans Wenzel
发明人： Götz Erbert , Günther Tränkle , Hans Wenzel
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/323 , H01S5/00
CPC分类号： H01S5/20 , H01S5/2004 , H01S2301/18
摘要： A semiconductor laser has an antiresonant waveguide (10), which is formed by a layer sequence applied to a substrate (1). The layer sequence has outer waveguide regions (2, 8), reflection layers (3, 7), and a waveguide core (11) with an active layer (5). With this structure, semiconductor lasers with only slight vertical beam divergence and with a large beam cross section can be produced.
摘要翻译：半导体激光器具有由施加到基板（1）的层序列形成的反谐振波导（10）。层序列具有外波导区域（2,8），反射层（3,7）和具有有源层（5）的波导芯体（11）。利用这种结构，可以产生仅具有轻微的垂直光束发散和大的横截面的半导体激光器。

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