专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

US06961358B2 Semiconductor laser 有权
标题翻译：半导体激光器
公开(公告)号：US06961358B2
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：US10381177
申请日：2001-09-20
申请人： Götz Erbert , Günther Tränkle , Hans Wenzel
发明人： Götz Erbert , Günther Tränkle , Hans Wenzel
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/323 , H01S5/00
CPC分类号： H01S5/20 , H01S5/2004 , H01S2301/18
摘要： A semiconductor laser has an antiresonant waveguide (10), which is formed by a layer sequence applied to a substrate (1). The layer sequence has outer waveguide regions (2, 8), reflection layers (3, 7), and a waveguide core (11) with an active layer (5). With this structure, semiconductor lasers with only slight vertical beam divergence and with a large beam cross section can be produced.
摘要翻译：半导体激光器具有由施加到基板（1）的层序列形成的反谐振波导（10）。层序列具有外波导区域（2,8），反射层（3,7）和具有有源层（5）的波导芯体（11）。利用这种结构，可以产生仅具有轻微的垂直光束发散和大的横截面的半导体激光器。

2. 发明申请

US20110228805A1 TWO-CAVITY SURFACE-EMITTING LASER 有权
标题翻译：双孔表面发射激光
公开(公告)号：US20110228805A1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：US12968727
申请日：2010-12-15
申请人： Günther TRÄNKLE , Joachim PIPREK , Hans WENZEL , Götz ERBERT , Markus WEYERS , Andrea KNIGGE
发明人： Günther TRÄNKLE , Joachim PIPREK , Hans WENZEL , Götz ERBERT , Markus WEYERS , Andrea KNIGGE
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/183 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/14 , H01S5/4025 , H01S5/4087
摘要： A the vertical-cavity surface-emitting laser includes a stripe-shaped active medium (10) having an emission maximum at a first wavelength (λ1), wherein a first reflector (18) is arranged below the stripe-shaped active medium (10) and a second reflector (20) is arranged above the stripe-shaped active medium (10), with the first reflector (18) facing the second reflector (20), wherein the first reflector (18) and a second reflector (20) have a reflectivity maximum in the region of the first wavelength (λ1), wherein a third reflector (12) and a fourth reflector (13) are each arranged on a side above or next to the stripe-shaped active medium (10), wherein the third reflector (12) faces the fourth reflector (13), and wherein the third reflector (12) and the fourth reflector (13) have a reflectivity maximum in the region of a second wavelength (λ2), wherein the first wavelength (λ1)) is greater than the second wavelength (λ2).
摘要翻译：垂直腔表面发射激光器包括具有第一波长（λ1）的发射最大值的条形有源介质（10），其中第一反射器（18）布置在条形活性介质（10）的下方，并且第二反射器（20）布置在条形有源介质（10）的上方，第一反射器（18）面向第二反射器（20），其中第一反射器（18）和第二反射器（20）具有在第一波长区域（λ1）的反射率最大值，其中第三反射器（12）和第四反射器（13）分别布置在条状活性介质（10）上方或旁边的一侧，其中，第三反射器（12）面向第四反射器（13），并且其中第三反射器（12）和第四反射器（13）在第二波长（λ2）的区域中具有反射率最大值，其中第一波长（λ1））大于第二波长（λ2）。

3. 发明授权

US08824518B2 Two-cavity surface-emitting laser 有权
标题翻译：双腔表面发射激光器
公开(公告)号：US08824518B2
公开(公告)日：2014-09-02
申请号：US12968727
申请日：2010-12-15
申请人： Günther Tränkle , Joachim Piprek , Hans Wenzel , Götz Erbert , Markus Weyers , Andrea Knigge
发明人： Günther Tränkle , Joachim Piprek , Hans Wenzel , Götz Erbert , Markus Weyers , Andrea Knigge
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/14 , H01S5/04 , H01S5/026 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/183 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/14 , H01S5/4025 , H01S5/4087
摘要： A the vertical-cavity surface-emitting laser includes a stripe-shaped active medium (10) having an emission maximum at a first wavelength (λ1), wherein a first reflector (18) is arranged below the stripe-shaped active medium (10) and a second reflector (20) is arranged above the stripe-shaped active medium (10), with the first reflector (18) facing the second reflector (20), wherein the first reflector (18) and a second reflector (20) have a reflectivity maximum in the region of the first wavelength (λ1), wherein a third reflector (12) and a fourth reflector (13) are each arranged on a side above or next to the stripe-shaped active medium (10), wherein the third reflector (12) faces the fourth reflector (13), and wherein the third reflector (12) and the fourth reflector (13) have a reflectivity maximum in the region of a second wavelength (λ2), wherein the first wavelength (λ1) is greater than the second wavelength (λ2).
摘要翻译：垂直腔表面发射激光器包括具有第一波长（λ1）的发射最大值的条形有源介质（10），其中第一反射器（18）布置在条形活性介质（10）的下方，并且第二反射器（20）布置在条形有源介质（10）的上方，第一反射器（18）面向第二反射器（20），其中第一反射器（18）和第二反射器（20）具有在第一波长区域（λ1）的反射率最大值，其中第三反射器（12）和第四反射器（13）分别布置在条状活性介质（10）上方或旁边的一侧，其中，第三反射器（12）面向第四反射器（13），并且其中第三反射器（12）和第四反射器（13）在第二波长（λ2）的区域中具有反射率最大值，其中第一波长（λ1）大于第二波长（λ2）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式