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1. 发明授权

US08798109B2 High-efficiency diode laser 有权
标题翻译：高效二极管激光器
公开(公告)号：US08798109B2
公开(公告)日：2014-08-05
申请号：US13978222
申请日：2011-12-28
申请人： Erbert Götz , Hans Wenzel , Paul Crump
发明人： Erbert Götz , Hans Wenzel , Paul Crump
IPC分类号： H01S5/10
CPC分类号： H01S5/2018 , H01S5/2031 , H01S5/3213 , H01S2301/166 , H01S2301/18
摘要： A laser diode has a first n-conducting cladding layer, a first n-conducting waveguide layer arranged therein, an active layer is suitable for generating radiation arranged on the first waveguide layer, a second p-conducting waveguide layer, arranged on the active layer, and a second p-conducting cladding layer, arranged on the second waveguide layer the sum of the layer thickness of the first waveguide layer, the layer thickness of the active layer and the layer thickness of the second waveguide layer is greater than 1 μm and the layer thickness of the second waveguide layer is less than 150 nm. The maximum mode intensity of the fundamental mode is in a region outside the active layer, and the difference between the refractive index of the first waveguide layer and the refractive index of the first cladding layer is between 0.04 and 0.01.
摘要翻译：激光二极管具有第一n导电包覆层，布置在其中的第一n导电波导层，有源层适于产生布置在第一波导层上的辐射，布置在有源层上的第二导电波导层以及第二导电包覆层，布置在第二波导层上，第一波导层的层厚度之和，有源层的层厚度和第二波导层的层厚度之和大于1μm，第二波导层的层厚小于150nm。基模的最大模式强度在有源层外侧的区域中，第一波导层的折射率与第一包层的折射率之差为0.04〜0.01。

2. 发明申请

WO2003096498A2 VERFAHREN ZUR PASSIVIERUNG DER SPIEGELFLÄCHEN VON OPTISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN 审中-公开
标题翻译：光学半导体元件的方法钝化镜面
公开(公告)号：WO2003096498A2
公开(公告)日：2003-11-20
申请号：PCT/EP2003/004836
申请日：2003-05-08
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. , RESSEL, Peter , ERBERT, Götz
发明人： RESSEL, Peter , ERBERT, Götz
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/0281 , H01S5/0282
摘要： Ziel des Verfahrens ist eine Vereinfachung bisher bekannter Passivierungsverfahren. Nach dem Verfahren werden die Halbleiterbauelemente erwärmt und unter Hochvakuum mit einem gasförmigen, reaktiven und niederenergetischen Medium gereinigt und in-situ wird eine geschlossene, isolierende oder niedrigleitende, lichtdurchlässige Schutzschicht aufgebracht, die in Bezug auf das Material an der Spiegelfläche sowie verbliebener Komponenten des Eigenoxids inert ist. In einer bevorzugten Realisierung ist das optische Halbleiterbauelement ein GaAs-basierende Halbleiterlaser, das reaktive und niederenergetische Medium ist atomarer Wasserstoff und die Schutzschicht besteht aus ZnSe.
摘要翻译：该过程的目的是已知的钝化的简化。根据该方法，该半导体器件被加热并与气态反应性和低能量介质和原位施加一个封闭的，绝缘的或低导电性的，半透明的保护层的高真空下清洗，惰性相对于在反射镜表面的材料，以及本征氧化物的其余部件是。在一个优选的实施方式中，光半导体装置是基于GaAs的半导体激光器，和反应性低能量介质是氢原子，和所述保护层由硒化锌的。

3. 发明申请

US20130287057A1 HIGH-EFFICIENCY DIODE LASER 有权
标题翻译：高效二极管激光
公开(公告)号：US20130287057A1
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：US13978222
申请日：2011-12-28
申请人： Erbert Götz , Hans Wenzel , Paul Crump
发明人： Erbert Götz , Hans Wenzel , Paul Crump
IPC分类号： H01S5/20
CPC分类号： H01S5/2018 , H01S5/2031 , H01S5/3213 , H01S2301/166 , H01S2301/18
摘要： A laser diode has a first n-conducting cladding layer, a first n-conducting waveguide layer arranged therein, an active layer is suitable for generating radiation arranged on the first waveguide layer, a second p-conducting waveguide layer, arranged on the active layer, and a second p-conducting cladding layer, arranged on the second waveguide layer the sum of the layer thickness of the first waveguide layer, the layer thickness of the active layer and the layer thickness of the second waveguide layer is greater than 1 μm and the layer thickness of the second waveguide layer is less than 150 nm. The maximum mode intensity of the fundamental mode is in a region outside the active layer, and the difference between the refractive index of the first waveguide layer and the refractive index of the first cladding layer is between 0.04 and 0.01.
摘要翻译：激光二极管具有第一n导电包覆层，布置在其中的第一n导电波导层，有源层适于产生布置在第一波导层上的辐射，布置在有源层上的第二导电波导层和第二导电包覆层，布置在第二波导层上，第一波导层的层厚度之和，有源层的层厚度和第二波导层的层厚度之和大于1μm，第二波导层的层厚小于150nm。基模的最大模式强度在有源层外侧的区域中，第一波导层的折射率与第一包层的折射率之差为0.04〜0.01。

4. 发明申请

WO2007141207A1 VORRICHTUNG ZUR PUNKTFÖRMIGEN FOKUSSIERUNG VON STRAHLUNG 审中-公开
标题翻译：设备辐射点状FOCUS
公开(公告)号：WO2007141207A1
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：PCT/EP2007/055391
申请日：2007-06-01
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. , GÜTHER, Reiner , ERBERT, Götz
发明人： GÜTHER, Reiner , ERBERT, Götz
IPC分类号： G02B3/08 , G02B27/09
CPC分类号： G02B27/0955 , G02B6/1228 , G02B6/124 , G02B19/0014 , G02B19/0052
摘要： Die Erfindung betrifft eine Strahlformungsoptik, die Strahlung, welche durch eine Punktlichtquelle in einem planaren Wellenleiter emittiert wird, stigmatisch fokussiert. Derartige Lichtquellen liegen beispielsweise in der Form bestimmter Hochleistungshalbleiter-Laser-Dioden vor, insbesondere bei den Taperlasern. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Lichtaustrittsfläche (S 1 ) des Wellenleiters (11) und dem Bildpunkt (P B ) mindestens eine geschlossene, durch Brechung abbildend wirkende Grenzfläche (S 2 ) der Flächenform z 2 =z 2 (x 2 ,y 2 ) angeordnet ist, wobei entlang der optischen Achse (Z) hinter der Grenzfläche (S 2 ) ein optisches Medium (22) angeordnet ist, und wobei die Lichtaustrittsfläche (S 1 ) und die Grenzfläche (S 2 ) in einem ersten paraxialen Abstand (a 1 ) zueinander und die Grenzfläche (S 2 ) und der Bildpunkt (P B ) in einem zweiten paraxialen Abstand (a 2 ) zueinander angeordnet sind, und die Grenzfläche (S 2 ) über die Lösung eines Gleichungssystems definiert ist.
摘要翻译：本发明涉及一种光学光束整形系统，这是由在一个平面波导的点光源发射的辐射，stigmatically聚焦。这种光源是，例如，在某些高功率半导体激光二极管的形式，特别是在Taperlasern。（S _{1 ）本发明的特征在于，所述光出射表面之间的波导（11）和像素（P _{乙）中的至少一个封闭的，映射作用通过折射界面（表面形状ž_{2 = Z _{2 （X _{2 ，Y _{2 2 ）布置>），其中> 2 ），光学介质（22）被布置成沿光轴（Z）的界面后面（S 1 ）及接口（S _{2 ）（在第一近轴距离的_{1 ）对于彼此和所述接口（S _{2 ）和像素（由等式系统的解定义P _{乙）（在第二近轴距离的_{2 ）被布置成彼此，和接口（S _{2 ）是。}}}}}}}}}}}}

5. 发明申请

WO2003096498A3 VERFAHREN ZUR PASSIVIERUNG DER SPIEGELFLÄCHEN VON OPTISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2003096498A3
公开(公告)日：2003-11-20
申请号：PCT/EP2003/004836
申请日：2003-05-08
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. , RESSEL, Peter , ERBERT, Götz
发明人： RESSEL, Peter , ERBERT, Götz
IPC分类号： H01S5/028
摘要： Ziel des Verfahrens ist eine Vereinfachung bisher bekannter Passivierungsverfahren. Nach dem Verfahren werden die Halbleiterbauelemente erwärmt und unter Hochvakuum mit einem gasförmigen, reaktiven und niederenergetischen Medium gereinigt und in-situ wird eine geschlossene, isolierende oder niedrigleitende, lichtdurchlässige Schutzschicht aufgebracht, die in Bezug auf das Material an der Spiegelfläche sowie verbliebener Komponenten des Eigenoxids inert ist. In einer bevorzugten Realisierung ist das optische Halbleiterbauelement ein GaAs-basierende Halbleiterlaser, das reaktive und niederenergetische Medium ist atomarer Wasserstoff und die Schutzschicht besteht aus ZnSe.

6. 发明申请

WO2012034972A2 LASERDIODE MIT HOHER EFFIZIENZ 审中-公开
标题翻译：激光二极管高效率
公开(公告)号：WO2012034972A2
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/EP2011/065751
申请日：2011-09-12
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. , CRUMP, Paul , ERBERT, Götz , WENZEL, Hans
发明人： CRUMP, Paul , ERBERT, Götz , WENZEL, Hans
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/20 , A61B18/203 , A61B2018/00476 , A61B2090/049 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3213 , H01S2301/185
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Laserdiode mit hoher Effizienz und hoher Augensicherheit. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Lichtquelle mit gleichzeitig hohem Wirkungsgrad und hoher Augensicherheit anzugeben. Dazu soll die aktive Schicht (10), die erste Mantelschicht (14), die erste Wellenleiterschicht (12), die zweite Wellenleiterschicht (16) und die zweite Mantelschicht (18) derart ausgebildet sein, dass 0,01 μm ≤ d wL ≤ 1,0 μm und Δn ≥ 0,04 gilt, wobei d wL die Summe der Schichtdicke der ersten Wellenleiterschicht (12), der Schichtdicke der aktiven Schicht (10) und der Schichtdicke der zweiten Wellenleiterschicht (16) ist und Δn ein Maximum der Brechzahldifferenz zwischen der ersten Mantelschicht (14) und der ersten Wellenleiterschicht (12) und der Brechzahldifferenz zwischen der zweiten Wellenleiterschicht (16) und der zweiten Mantelschicht (18) ist.
摘要翻译：本发明涉及一种高效率和高眼睛安全性的激光二极管。本发明的目的是提供同时具有高效率和高度安全性的光源。对于这一点，在有源层（10），所述第一包层（14），所述第一波导层（12），第二波导层（16）和所述第二包层（18）应该被构造成使得0.01微米≤d <子> WL ≤1.0微米和.DELTA.n≥0.04成立，其中d <子> WL 所述第一波导层（12），有源层（10）的层厚度的厚度之和与该层厚度是所述第二波导层（16）和.DELTA.n是一个最大的第一包层（14）和所述第一波导层（12）和所述第二波导层（16）和所述第二包层（18）之间的折射率差的折射率差的

7. 发明申请

WO2011020923A2 DIODENLASER UND LASERRESONATOR FÜR EINEN DIODENLASER MIT VERBESSERTER LATERALER STRAHLQUALITÄT 审中-公开
标题翻译：二极管和激光谐振器具有改进横向光束质量二极管
公开(公告)号：WO2011020923A2
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：PCT/EP2010/062256
申请日：2010-08-23
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. , ERBERT, Götz , SPREEMANN, Martin , WENZEL, Hans , FRICKE, Jörg
发明人： ERBERT, Götz , SPREEMANN, Martin , WENZEL, Hans , FRICKE, Jörg
CPC分类号： H01S5/125 , H01S5/1064 , H01S5/1089 , H01S5/1215 , H01S5/2036 , H01S2301/166
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft einen Diodenlaser und Laserresonator für einen Diodenlaser mit verbesserter lateraler Strahlqualität ohne Verwendung eines externen Resonators, insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen Breitstreifenlaser mit hohen Ausgangsleistungen. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Diodenlaser und einen Laserresonator für einen Diodenlaser anzugeben, der bei hohen Ausgangsleistungen eine hohe laterale Strahlqualität aufweist, einen geringen Justageaufwand erfordert und preiswert herstellbar ist. Der erfindungsgemäße Laserresonator weist eine Gewinnsektion (GS), einen ersten planaren Bragg Reflektor (DBR1) und einen zweiten planaren Bragg Reflektor (DBR2) auf, wobei die Gewinnsektion (GS) trapezförmig ausgebildet ist und der erste planare Bragg Reflektor (DBR1) an einer ersten Grundseite der trapezförmigen Gewinnsektion (GS) und der zweite planare Bragg Reflektor (DBR2) an der gegenüberliegenden Grundseite der trapezförmigen Gewinnsektion (GS) angeordnet sind, wobei sich die Breite (D1) des ersten planaren Bragg Reflektors (DBR1) von der Breite (D2) des zweiten planaren Bragg Reflektors (DBR1) unterscheidet.
摘要翻译：本发明涉及一种二极管激光器和一个激光谐振器为具有改进的横向光束质量的二极管激光器，而无需使用外部谐振器，特别是，本发明涉及一种宽条形激光器具有高输出功率。本发明提供一种二极管激光器和一个激光谐振器为二极管激光器，其具有在高功率输出的高侧的光束质量的目的，要求在调整一个低的费用和制造成本低。根据本发明的激光谐振器包括一个增益部分（GS），第一平面布拉格反射器（DBR1）和第二平面布拉格反射器（DBR2），其中，所述增益部（GS）在形状上是梯形的，并且在第一第一平面布拉格反射器（DBR1）梯形增益部（GS）和在梯形增益部分（GS）的相对的基侧上的第二平面布拉格反射器（DBR2）的基端侧被布置，其中，所述宽度在第一平面反射镜的宽度的（DBR1）的（D1）（D2）第二平面布拉格反射器（DBR1）不同。

8. 发明申请

WO2006045632A1 DBR LASERELEMENT MIT BRAGG-GITTER HOHER ORDNUNG UND RIPPENWELLENLEITER 审中-公开
标题翻译：具有Bragg格高阶和肋骨波导DBR激光器元件
公开(公告)号：WO2006045632A1
公开(公告)日：2006-05-04
申请号：PCT/EP2005/011656
申请日：2005-10-26
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. , ERBERT, Götz , FRICKE, Jörg , WENZEL, Hans , JOHN, Wilfried , GÜTHER, Reiner
发明人： ERBERT, Götz , FRICKE, Jörg , WENZEL, Hans , JOHN, Wilfried , GÜTHER, Reiner
IPC分类号： G02B6/124 , G02B6/136 , H01S5/125
CPC分类号： G02B6/136 , G02B6/124 , H01S5/1203 , H01S5/125 , H01S5/22
摘要： Die Erfindung betrifft ein optisches Element mit einer planaren vertikalen Wellenleiterstruktur (1), auf deren Oberfläche ein Braggsches Gitter (5) und ein Rippenwellenleiter (6) angeordnet sind sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein optisches Element mit einem Braggschen Gitter (5) mit Rippenwellenleiter (6) anzugeben, welches bei vorgegebenen optischen Anforderungen kostengünstiger und schneller als nach dem Stand der Technik hergestellt werden kann. Dazu wird eine Fotolackschichtstruktur (3) auf einer im Wesentlichen ebenen planaren vertikalen Wellenleiterstruktur (1) ausgebildet, wobei die Fotolackschichtstruktur (3) im Wesentlichen der Struktur des Braggschen Gitters (5) und des Rippenwellenleiters (6) entspricht und im Bereich des Braggschen Gitters (5) im Wesentlichen linienförmig mit einer Stegbreite ausgebildet wird, die mindestens 70 % des Abstandes zweier benachbarter Linien entspricht, nachfolgend die planare vertikale Wellenleiterstruktur (1) mit darauf angeordneter Fotolackschichtstruktur (3) geätzt und die Fotolackschichtstruktur (3) von der planaren vertikalen Wellenleiterstruktur (1) abgelöst.
摘要翻译：本发明涉及一种具有平面垂直波导结构的光学元件（1），其表面的布拉格光栅（5）和一个脊形波导（6）被布置，以及用于其生产的方法上。这是本发明的一个目的，具有布拉格光栅的光学元件（5）肋形波导（6），其可以制造更便宜，比在预定的光学要求在现有技术中更快提供。为了这个目的，一个光致抗蚀剂层结构（3）（1）上形成有大致平坦的平面垂直波导结构中，光致抗蚀剂层结构（3）基本上对应于布喇格光栅（5）和肋状波导（6）和结构（在布喇格光栅的区域在与web宽度是两条相邻线之间的距离的至少70％的基本上线性的方式形成5），随后被蚀刻，平面垂直波导结构（1）具有设置在其上的光致抗蚀剂层的结构（3）和所述光致抗蚀剂层结构（3）从平面垂直波导结构（ 1）分离。

9. 发明申请

WO2003058685A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BRAGGSCHEN GITTERS IN EINER HALBLEITERSCHICHTENFOLGE MITTELS ÄTZEN UND HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于生产布拉格光栅在半导体层序列通过蚀刻半导体元件
公开(公告)号：WO2003058685A2
公开(公告)日：2003-07-17
申请号：PCT/DE2003/000072
申请日：2003-01-08
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. , BRAUN, Matthias , ERBERT, Götz , WENZEL, Hans
发明人： BRAUN, Matthias , ERBERT, Götz , WENZEL, Hans
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01S5/12 , G02B5/1857 , H01S5/1228 , H01S5/1231
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Braggschen Gitters in einer Halbleiterschichtenfolge eines Halbleiterkörpers mit den zugehörigen Schichtdicken und Brechungsindices mittels Ätzen. Die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren und ein Bauelement zu entwickeln, mit dem Braggsche Gitter mit Tastverhältnissen, die deutlich von 1/2 verschieden sind, mit holografischer Belichtung hergestellt werden können, und mit dem eine genaue Einstellung und Kontrolle des Tastverhältnisses des Braggschen Gitters ohne die Maskierungsschicht im gleichen Tastverhältnis zu strukturieren und ohne die Verwendung bzw. Veränderung einer Elektronenstrahlbelichtung gewährleistet wird, wird dadurch gelöst, dass Schichtdicken und Brechungsindices einer Halbleiterschichtenfolge, in die das Braggsche Gitter geätzt wird, so gewählt werden, ein definiertes Tastverhältnis und eine definierte Differenz der effektiven Brechzahlen eingestellt wird.
摘要翻译：本发明涉及一种用于通过蚀刻来生产与相应的层厚度和折射率的半导体本体的半导体层序列的布拉格光栅。本发明的目的是开发一种方法和其可与从1/2全息曝光与布拉格光栅和与显著不同占空比被制造的装置的精确调节和控制所述布拉格光栅的占空比的不在相同的占空比结构化掩模层并保证在不使用或改变在电子束曝光在该层的厚度和半导体层序列，其中，所述布拉格光栅被蚀刻，的折射率实现是这样选择的，定义的脉冲占空因数，并在限定的差有效折射率设置。

10. 发明申请

WO2012097947A1 DIODENLASER MIT HOHER EFFIZIENZ 审中-公开
标题翻译：高效率二极管
公开(公告)号：WO2012097947A1
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：PCT/EP2011/074133
申请日：2011-12-28
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. , ERBERT, Götz , WENZEL, Hans , CRUMP, Paul
发明人： ERBERT, Götz , WENZEL, Hans , CRUMP, Paul
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/32
CPC分类号： H01S5/2018 , H01S5/2031 , H01S5/3213 , H01S2301/166 , H01S2301/18
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Laserdiode mit hoher Effizienz. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Laserdiode mit hohem Wirkungsgrad, geringem optischen Verlust und geringem ohmschen Widerstand anzugeben. Darüber hinaus soll die erfindungsgemäße Laserdiode preiswert herstellbar sein. Die erfindungsgemäße Laserdiode weist eine erste n-leitend ausgebildete Mantelschicht (14), eine erste n-leitend ausgebildete Wellenleiterschicht (12), die auf der ersten Mantelschicht (14) angeordnet ist, eine aktive Schicht (10), die zur Strahlungserzeugung geeignet ist und die auf der ersten Wellenleiterschicht (12) angeordnet ist, eine zweite p-leitend ausgebildete Wellenleiterschicht (16), die auf der aktiven Schicht (10) angeordnet ist, und eine zweite p-leitend ausgebildete Mantelschicht (18), die auf der zweiten Wellenleiterschicht (16) angeordnet ist, auf, wobei erfindungsgemäß die Summe der Schichtdicke der ersten Wellenleiterschicht (12), der Schichtdicke der aktiven Schicht (10) und der Schichtdicke der zweiten Wellenleiterschicht (16) größer als 1 μm ist und die Schichtdicke der zweiten Wellenleiterschicht (16) kleiner als 150 nm ist, wobei die aktive Schicht (10), die erste Mantelschicht (14), die zweite Mantelschicht (18), die erste Wellenleiterschicht (12) und die zweite Wellenleiterschicht (16) derart ausgebildet sind, dass die maximale Modenintensität der Grundmode (24) in einem Bereich außerhalb der aktiven Schicht (10) liegt, und wobei die Differenz der Brechzahl der ersten Wellenleiterschicht (12) und der Brechzahl der ersten Mantelschicht (14) zwischen 0,04 und 0,01 beträgt.
摘要翻译：本发明涉及一种具有高效率的激光二极管。本发明提供具有高效率，低光学损耗和低欧姆电阻的激光二极管的一个目的。另外，本发明的激光二极管被廉价地制造。根据本发明的激光二极管包括：第一n型导电性形成鞘（14），（12），设置在所述第一n型导电性形成波导层的第一包层（14），有源层（10），其适合于产生辐射，并且与第一波导层（12）被布置在，形成在所述有源层上的p型导电性形成第二波导层（16）（10）被设置，并形成了p型导电性的第二覆盖层（18）形成在所述第二波导层上（16）设置在，其特征在于，根据本发明的大于1微米并且所述第二波导层的（层厚度的第一波导层（12），有源层（10）的层的厚度和所述第二波导层（16）的层厚度的厚度的总和 16）小于150纳米，其中所述活性层（10），所述第一包层（14），第二包层（18），所述第一波导层（12）和二 È第二波导层（16）被形成为使得所述基模的最大模强度（24）位于的区域中的有源层（10）的外部，并且其中，在所述第一波导层（12）和所述第一包层的折射率的折射率的差（ 14）为0.04〜0.01。

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