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    • 8. 发明授权
    • Method for via etching in organo-silica-glass
    • 有机硅玻璃中经过蚀刻的方法
    • US06914004B2
    • 2005-07-05
    • US10237371
    • 2002-09-09
    • Keith J. Thompson
    • Keith J. Thompson
    • H01L21/28H01L21/3065H01L21/311H01L21/768H01L23/522
    • H01L21/76802H01L21/31116
    • According to one embodiment of the invention, a method for via etching in a dielectric material includes providing a wafer (200) having a substrate (202), an etch stop layer (210) disposed outwardly from the substrate, an Organo-Silica-Glass layer (212) disposed outwardly from the etch stop layer (210), and a photoresist layer (216) disposed outwardly from the Organo-Silica-Glass layer (212), and positioning the wafer (200) within a process chamber (114). The method further includes introducing a first source gas mixture (110) into the process chamber (114) to etch a first portion of the Organo-Silica-Glass layer (212) utilizing the first source gas mixture (110), and introducing a second source gas mixture (110) into the process chamber (114) to etch, for a predetermined time period, a second portion of the Organo-Silica-Glass layer (212) down to the etch stop layer (210). The second source gas mixture (110) includes a fluorocarbon, a noble gas, carbon monoxide, and nitrogen.
    • 根据本发明的一个实施例,用于电介质材料中的通孔蚀刻的方法包括提供具有衬底(202)的晶片(200),从衬底向外设置的蚀刻停止层(210),有机硅玻璃 从蚀刻停止层(210)向外设置的层(212)和从有机硅 - 玻璃层(212)向外设置的光致抗蚀剂层(216),并将晶片(200)定位在处理室(114)内, 。 该方法还包括将第一源气体混合物(110)引入处理室(114)中,以利用第一源气体混合物(110)蚀刻有机硅 - 玻璃层(212)的第一部分,并引入第二源气体混合物 源气体混合物(110)进入处理室(114),以在预定时间段内将有机硅 - 玻璃层(212)的第二部分蚀刻到蚀刻停止层(210)。 第二源气体混合物(110)包括碳氟化合物,惰性气体,一氧化碳和氮气。