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    • 4. 发明专利
    • Überspannungsschutzschaltung
    • DE10315176B4
    • 2014-04-24
    • DE10315176
    • 2003-04-03
    • FUJI ELECTRIC CO LTD
    • NISHIKAWA MUTSUOUEYANAGI KATSUMICHIUEMATSU KATSUYUKIKITAMURA AKIO
    • H01L23/60H01L27/04G05F1/10H01L21/822H01L21/8238H01L23/62H01L27/02H01L27/06H01L27/088H01L27/092H01L29/866H02H3/20H02H9/00
    • Überspannungsschutzschaltung, umfassend: einen externen Speisespannungsanschluß (11) zum Anlegen einer von außen gelieferten Speisespannung Vcc; einen Masseanschluß (12) zum Anlegen eines Massepotentials von außen; einen internen Speisespannungsanschluß (13) zur Lieferung der von außen angelegten Speisespannung Vcc an eine zu schützende integrierte Schaltung (5); eine aus der Reihenschaltung einer Zenerdiode (23) mit einem ersten Widerstandselement (21) bestehende Spannungsteilereinheit (2) zwischen dem externen Speisespannungsanschluß (11) und dem Masseanschluß (12); wobei die Anode der Zenerdiode (23) mit dem Masseanschluß (12) verbunden ist und die Kathode der Zenerdiode (23) mit einem Ende des ersten Widerstandselements (21) verbunden ist, und wobei das andere Ende des ersten Widerstandselements (21) mit dem externen Speisespannungsanschluß (11) verbunden ist; eine Signalgeneratoreinheit (3) bestehend aus einer zwischen den externen Speisespannungsanschluß (11) und den Masseanschluß (12) geschalteten Reihenschaltung eines zweiten Widerstandselements (32) mit einem ersten MOS-Transistor (31) hoher Durchbruchsspannung, dessen Sourceanschluß mit dem externen Speisespannungsanschluß (11) verbunden ist, dessen Drainanschluß mit dem zweiten Widerstandselement (32) verbunden ist und dessen Gateanschluß mit der Kathode der Zenerdiode (23) der Spannungsteilereinheit (2) direkt leitend verbunden ist; und einen zweiten MOS-Transistor (41) mit hoher Durchbruchsspannung als Schalteinheit (4), dessen Sourceanschluß mit dem externen Speisespannungsanschluß (11) verbunden ist, dessen Drainanschluß mit dem internen Speisespannungsanschluß (13) verbunden ist und dessen Gateanschluß mit dem Drainanschluß des ersten MOS-Transistors (31) direkt leitend verbunden ist, derart dass der zweite MOS-Transistor (41) dadurch in den Sperrzustand versetzbar ist, dass die Speisespannung Vcc gleich oder größer einer Überspannungsschwellenspannung Vovp wird ...
    • 8. 发明专利
    • Leiterbruchfehlerdetektorschaltung
    • DE10315178B4
    • 2016-06-09
    • DE10315178
    • 2003-04-03
    • FUJI ELECTRIC CO LTD
    • UEMATSU KATSUYUKINISHIKAWA MUTSUOUEYANAGI KATSUMICHI
    • G01R31/02H02H3/24G01R31/316H02H5/10
    • Leiterbruchfehler-Detektorschaltung umfassend eine mit einer übergeordneten Schaltung (4; 104; 204) verbundene Funktionsschaltung (101, 201, 301), von denen die übergeordnete Schaltung eine erste Stromversorgungsleitung (41), eine mit einem Signalausgang (45) verbundene erste Signalleitung (42) und eine erste Masseleitung (43) aufweist und die Funktionsschaltung eine zweite Stromversorgungsleitung (11), eine zweite Signalleitung (12) und eine zweite Masseleitung (13) aufweist, wobei die erste Stromversorgungsleitung (41) mit der zweiten Stromversorgungsleitung (11) verbunden ist, die erste Signalleitung (42) mit der zweiten Signalleitung (12) verbunden ist, die erste Masseleitung (43) mit der zweiten Masseleitung (13) verbunden ist, und eine erste Widerstandsanordnung (21) zwischen die zweite Stromversorgungsleitung (11) und die zweite Signalleitung (12) geschaltet ist und/oder eine zweite Widerstandsanordnung (22) zwischen die zweite Signalleitung (12) und die zweite Masseleitung (13) geschaltet ist, und wobei ferner eine dritte Widerstandsanordnung (23) zwischen die zweite Stromversorgungsleitung (11) und die zweite Masseleitung (13) geschaltet ist.