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1. 发明申请

WO2012007143A3 PHOTOVOLTAISCHE SOLARZELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER PHOTOVOLTAISCHEN SOLARZELLE 审中-公开
公开(公告)号：WO2012007143A3
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：PCT/EP2011/003451
申请日：2011-07-11
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , THAIDIGSMANN, Benjamin , CLEMENT, Florian , BIRO, Daniel , WOLF, Andreas , PREU, Ralf
发明人： THAIDIGSMANN, Benjamin , CLEMENT, Florian , BIRO, Daniel , WOLF, Andreas , PREU, Ralf
IPC分类号： H01L31/0224
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle mit einer zur Lichteinkopplung ausgebildeten Vorderseite, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Erzeugen einer Mehrzahl von Ausnehmungen in einem Halbleitersubstrat eines Basisdotierungstyps, B Erzeugen eines oder mehrerer Emitterbereiche eines Emitterdotierungstyps zumindest an der Vorderseite des Halbleitersubstrates, wobei der Emitterdotierungstyp entgegengesetzt zu dem Basisdotierungstyp ist, C Aufbringen einer elektrisch isolierenden Isolierungsschicht und D Erzeugen von metallischen Durchleitungsstrukturen in den Ausnehmungen, von mindestens einer metallischen Basiskontaktstruktur an der Rückseite der Solarzelle, welche elektrisch leitend mit dem Halbleitersubstrat in einem Basisdotierbereich ausgebildet wird, von mindestens einer metallischen Vorderseitenkontaktstruktur an der Vorderseite der Solarzelle, welche elektrisch leitend mit dem Emitterbereich an der Vorderseite des Halbleitersubstrates ausgebildet wird und von mindestens einer Rückseitenkontaktstruktur an der Rückseite der Solarzelle, welche mit der Durchleitungskontaktstruktur elektrisch leitend verbunden ausgebildet wird. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass in Verfahrensschritt B und/oder einem weiteren Verfahrensschritt zusätzlich in dem Halbleitersubstrat an den Wänden der Ausnehmungen jeweils ein sich von der Vorder- zur Rückseite erstreckender Durchleitungsemitterbereich des Emitterdotierungstyps ausgebildet wird, dass in Verfahrensschritt C die Isolierungsschicht die Rückseite des Halbleitersubstrates, gegebenenfalls weitere zwischenliegende Zwischenschichten, bedeckend aufgebracht wird, dass in Verfahrensschritt D die Rückseitenkontaktstruktur auf die Isolierungsschicht, gegebenenfalls auf weitere Zwischenschichten, aufgebracht wird, derart, dass die Rückseitenkontaktstruktur Bereiche des Halbleitersubstrates mit Basisdotierung erstreckt und in diesen Bereichen aufgrund der dazwischenliegenden Isolierungsschicht eine elektrische Isolierung zwischen Rückseitenkontaktstruktur und Halbleitersubstrat ausgebildet wird und die Basiskontaktstruktur auf die Isolierungsschicht, gegebenenfalls auf weitere Zwischenschichten, aufgebracht wird, derart, dass die Basiskontaktstruktur die Isolierungsschicht zumindest Bereichsweise durchdringt, so dass eine elektrisch leitende Verbindung zwischen Basiskontaktstruktur und Halbleitersubstrat erzeugt wird. Die Erfindung betrifft weiterhin eine photovoltaische Solarzelle.

2. 发明申请

WO2012104198A3 PHOTOVOLTAISCHE SOLARZELLE SOWIE VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2012104198A3
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：PCT/EP2012/051243
申请日：2012-01-26
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , THAIDIGSMANN, Benjamin , CLEMENT, Florian , WOLF, Andreas , BIRO, Daniel
发明人： THAIDIGSMANN, Benjamin , CLEMENT, Florian , WOLF, Andreas , BIRO, Daniel
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0224
摘要： Die Erfindung betrifft eine photovoltaische Solarzelle zur Umwandlung einfallender elektromagnetischer Strahlung in elektrische Energie, umfassend mindestens einen in einem Siliziumsubstrat ausgebildeten Basisbereich eines Basisdotierungstyps; mindestens einen Emitterbereich eines Emitterdotierungstyps, welcher Emitterdotierungstyp ein zu dem Basisdotierungstyp entgegengesetzter Dotierungstyp ist; mindestens eine metallische Basiskontaktierungsstruktur, welche Basiskontaktierungsstruktur elektrisch leitend mit dem Basisbereich verbunden ist und mindestens eine metallische Emitterkontaktierungsstruktur, welche Emitterkontaktierungsstruktur elektrisch leitend mit dem Emitterbereich verbunden ist, wobei Basisbereich und Emitterbereich derart angeordnet sind, dass sich zwischen Basis- und Emitterbereich zumindest bereichsweise ein pn-Übergang ausbildet. Wesentlich ist, dass in einem Basisbypassbereich die Basiskontaktierungsstruktur den Emitterbereich überlappt und in diesem Überlappungsbereich ein diodenartiger Halbleiterkontakt zwischen Basiskontaktierungsstruktur und Emitterbereich ausgebildet ist, welcher Halbleiterkontakt als Metall-Halbleiterkontakt oder Metall-Isolator-Halbleiterkontakt ausgebildet ist und/oder dass in einem Emitterbypassbereich die Emitterkontaktierungsstruktur den Basisbereich überlappt und in diesem Überlappungsbereich ein diodenartiger Halbleiterkontakt zwischen Emitterkontaktierungsstruktur und Basisbereich ausgebildet ist, welcher Halbleiterkontakt als Metall-Halbleiterkontakt oder Metall-Isolator-Halbleiterkontakt ausgebildet ist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle.

3. 发明申请

WO2010081505A2 SOLARZELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLARZELLE AUS EINEM SILIZIUMSUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其方法从硅衬底制造太阳能电池
公开(公告)号：WO2010081505A2
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：PCT/EP2009/008605
申请日：2009-12-03
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , BIRO, Daniel , SCHULTZ-WITTMANN, Oliver , LEMKE, Anke , RENTSCH, Jochen , CLEMENT, Florian , HOFMANN, Marc , WOLF, Andreas , GAUTERO, Luca , MACK, Sebastian , PREU, Ralf
发明人： BIRO, Daniel , SCHULTZ-WITTMANN, Oliver , LEMKE, Anke , RENTSCH, Jochen , CLEMENT, Florian , HOFMANN, Marc , WOLF, Andreas , GAUTERO, Luca , MACK, Sebastian , PREU, Ralf
IPC分类号： H01L31/068
CPC分类号： H01L31/1868 , H01L31/02245 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einer Vorder- und einer Rückseite aus einem Siliziumsubstrat (1), insbesondere einem Siliziumwafer, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Texturierung mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1) zur Verbesserung der Absorption bei Beaufschlagung der Solarzelle mit elektromagnetischer Strahlung und/oder Entfernen des Sägeschadens an mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1), B Erzeugen zumindest eines Emitterbereiches (2) zumindest an Teilbereichen zumindest einer Seite des Siliziumsubstrates (1 ) durch Eindiffundieren mindestens eines Dotierstoffes, zur Ausbildung mindestens eines pn-Überganges, C Entfernen einer Glasschicht auf mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1), wobei die Glasschicht den Dotierstoff enthält, D Aufbringen einer Maskierungsschicht (3) zumindest auf einem Teilbereich zumindest einer Seite des Siliziumsubstrates (1), wobei die Maskierungsschicht (3) eine dielektrische Schicht ist, E Abtragen zumindest eines Teil des Materials des Siliziumsubstrates (1) an mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1) und/oder Konditionieren mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1), F Aufbringen von Metallisierungsstrukturen (5, 6) auf Vorderseite (1a) und/oder Rückseite (1b) des Siliziumsubstrates (1), zur elektrischen Kontaktierung der Solarzelle. Wesentlich ist, dass zwischen den Verfahrensschritten E und F in einem Verfahrensschritt E2 eine thermische Oxidation durchgeführt wird, zur Ausbildung einer Oxidschicht (4) zumindest in einem Teilbereich der Vorder- und/oder Rückseite des Siliziumsubstrates (1), welcher nicht durch die in Schritt D aufgebrachte Maskierungsschicht (3) bedeckt ist und dass die Maskierungsschicht (3) und die Oxidschicht (4) im Wesentlichen in den nachfolgenden Prozessschritten auf dem Siliziumsubstrat (1) verbleiben.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于制造具有一个前侧和一个硅衬底（1）的背面侧的太阳能电池，特别是硅晶片，其步骤包括：一个纹理化的硅衬底（1）的至少一侧，以在施用时的太阳能电池的与提高吸收电磁辐射和/或在硅衬底的至少一个侧去除切割损伤的（1），B产生至少一个发射区（2）至少在硅衬底（1）的至少一侧的部分区域通过扩散至少一种掺杂剂，以形成至少一个pn结，C在硅衬底（1），其中，所述玻璃层中含有的掺杂剂的至少一个侧移除玻璃层，D至少在硅衬底（1）的至少一个侧面的一部分，其中，所述掩蔽层（3）介电施加一掩蔽层（3） IC层为E去除至少一个硅衬底（1）的材料的在硅衬底（1）和/或调节在硅衬底（1）的至少一个侧面的至少一个侧部，F施加的金属化（5，6）（在所述前 1a）和/或背面侧（1b）中的硅衬底（1），用于所述太阳能电池的电接触。至关重要的是，E和F在处理步骤之间的步骤E2对于其中未在工序中使用的硅衬底（1）的前侧和/或后侧的部分区域中形成至少一个氧化物层（4）进行热氧化 d应用掩蔽层（3）覆盖，并且所述掩模层（3）和氧化物层（4）基本上是在硅衬底上的随后的工艺步骤（1）保持。

4. 发明申请

WO2010022889A1 VERFAHREN ZUR LOKALEN KONTAKTIERUNG UND LOKALEN DOTIERUNG EINER HALBLEITERSCHICHT 审中-公开
标题翻译：方法的局部接触和局部掺杂的半导体层
公开(公告)号：WO2010022889A1
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：PCT/EP2009/006037
申请日：2009-08-20
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V , PREU, Ralf , GROHE, Andreas , BIRO, Daniel , RENTSCH, Jochen , HOFMANN, Marc , NEKARDA, Jan-Frederik , WOLF, Andreas
发明人： PREU, Ralf , GROHE, Andreas , BIRO, Daniel , RENTSCH, Jochen , HOFMANN, Marc , NEKARDA, Jan-Frederik , WOLF, Andreas
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L21/2254 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02E10/52
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur lokalen Kontaktierung und lokalen Dotierung einer Halbleiterschicht, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Erzeugen einer Schichtstruktur auf der Halbleiterschicht durch i. Aufbringen mindestens einer Zwischenschicht auf eine Seite der Halbleiterschicht und ii. Aufbringen mindestens einer Metallschicht auf die in Schritt i. zuletzt aufgebrachte Zwischenschicht, wobei die Metallschicht die zuletzt aufgebrachte Zwischenschicht zumindest teilweise bedeckt, B lokales Erhitzen der Schichtstruktur, derart, dass sich in einem lokalen Bereich kurzzeitig eine Schmelzmischung aus zumindest Teilbereichen zumindest der Schichten: Metallschicht, Zwischenschicht und Halbleiterschicht, bildet und nach Erstarren der Schmelzmischung eine Kontaktierung zwischen Metallschicht und Halbleiterschicht besteht. Wesentlich ist, dass in Schritt A, i. mindestens eine als Dotierungsschicht ausgeführte Zwischenschicht aufgebracht wird, welche einen Dotierstoff beinhaltet, wobei der Dotierstoff eine größere Löslichkeit in der Halbleiterschicht aufweist als das Metall der Metallschicht.
摘要翻译：本发明涉及一种用于半导体层的局部接触和局部掺杂的方法，包括以下方法步骤：通过I A形成在半导体层上的层结构。在半导体层的一侧上，以及ii施加至少一个中间层。施加在其上的至少一个金属层，在步骤i。施加最后的中间层，所述金属层，最后施加的中间层至少部分地覆盖，B本地的层结构的加热，使得在短时间的局部区域，在至少所述层的至少一些部分的熔体共混物：金属层，中间层和半导体层被形成，并后的凝固熔融混合物中，在金属层和半导体层之间的接触。至关重要的是，在步骤A，I。在施加的掺杂层，其包括掺杂剂，其中掺杂剂具有比所述金属层的金属的半导体层中的更大的溶解度至少一个中间层被设计。

5. 发明申请

WO2013030171A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER PHOTOVOLTAISCHEN SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：一种用于生产光伏太阳能电池
公开(公告)号：WO2013030171A1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：PCT/EP2012/066638
申请日：2012-08-28
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , BIRO, Daniel , WOLF, Andreas , SCHEFFLER, Daniel , WOTKE, Edgar Allan , MACK, Sebastian
发明人： BIRO, Daniel , WOLF, Andreas , SCHEFFLER, Daniel , WOTKE, Edgar Allan , MACK, Sebastian
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle, folgende Verfahrensschritte umfassend: Bereitstellen einer Halbleiterstruktur (4), welche Halbleiterstruktur (4) eine Siliziumschicht umfasst und eine Vorstufe im Herstellungsprozess einer photovoltaischen Halbleiter-Solarzelle ist, Erzeugen mindestens eines pn-Übergangs in der Halbleiterstruktur (4), Aufbringen mindestens einer metallischen Kontaktierungsstruktur (1, 6) an einer Kontaktierungsoberfläche der Halbleiterstruktur (4) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterstruktur (4) und thermische Behandlung durch Temperaturbeaufschlagung zumindest der Halbleiterstruktur (4) und der aufgebrachten Kontaktierungsstruktur (1, 6) für eine Zeitdauer im Bereich 1 Sekunde bis 60 Minuten bei einer Temperatur im Bereich 200°C bis 800°C, welche sich dadurch auszeichnet, dass in Verfahrensschritt D die thermische Behandlung in einer Gasatmosphäre durchgeführt wird, welche weniger als 15 % Sauerstoff und mehr als 1 % Wasserdampf aufweist.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造光伏太阳能电池，其步骤包括：提供半导体结构（4），其中，所述半导体结构（4）包括一硅层，并在光生伏打半导体太阳能电池的生产过程的前体，产生在所述至少一个pn结半导体结构（4），沉积至少一个金属接触结构（1，6）的半导体结构（4）的用于半导体结构（4）和热处理由温度处理电接触的接合表面中，至少将半导体结构（4）和所施加的接触结构（1,6 ），用于在一段时间内的温度范围为200℃，从1秒至60分钟，以800℃，其特征在于，所述热处理是在方法步骤D，其小于15％的氧气的气氛中进行 f和具有超过1％的水蒸汽。

6. 发明申请

WO2012143512A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER METALLISCHEN KONTAKTSTRUKTUR EINER HALBLEITERSTRUKTUR MIT DURCHKONTAKTIERUNG UND PHOTOVOLTAISCHE SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：方法用于生产具有通过和光伏太阳能电池的金属触点结构的半导体结构
公开(公告)号：WO2012143512A1
公开(公告)日：2012-10-26
申请号：PCT/EP2012/057272
申请日：2012-04-20
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. , THAIDIGSMANN, Benjamin , CLEMENT, Florian , WOLF, Andreas , BIRO, Daniel , LOHMÜLLER, Elmar , BARTSCH, Jonas
发明人： THAIDIGSMANN, Benjamin , CLEMENT, Florian , WOLF, Andreas , BIRO, Daniel , LOHMÜLLER, Elmar , BARTSCH, Jonas
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/02245 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer metallischen Kontaktstruktur einer Halbleiterstruktur mit Durchkontaktierung, folgende Verfahrensschritte umfassend:a. Bereitsteilen einer Halbleiterstruktur, welche Halbleiterstruktur eine photovoltaische Solarzelle oder eine Vorstufe im Herstellungsprozess der photovoltaischen Solarzelle ist, b. Erzeugen mindestens einer die Halbleiterstruktur durchdringende Ausnehmung und c. Ausbilden einer Durchkontaktierung mittels galvanischem Abscheiden mindestens einer Metallschicht zumindest in der Ausnehmung. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass vor Verfahrenschritt c auf mindestens eine erste Oberfläche der Halbleiterstruktur eine dielektrische Schicht aufgebracht wird, welche dielektrische Schicht in einem an die Ausnehmung unmittelbar angrenzenden lokalen Zusatzöffnungsbereich der ersten Oberfläche vor Verfahrenschritt c wieder entfernt wird oder welche dielektrische Schicht diesen lokalen Zusatzöffnungsbereich aussparend aufgebracht wird und dass in Verfahrensschritt d zusätzlich zumindest auf dem Zusatzöffnungsbereich eine metallische Schicht galvanisch abgeschieden wird, welche metallische Schicht mit der metallischen Schicht der Durchkontaktierung elektrisch leitend verbunden ist.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于制造具有通孔电镀，下面的方法步骤，其包括一个半导体结构的一个金属接触结构：一。已经是一个半导体结构，其中所述半导体结构包括光伏太阳能电池或光伏太阳能电池，B的生产过程的前体的一部分。产生至少一个半导体结构穿透凹槽以及c。通过至少在所述凹部的至少一个金属层的电镀沉积的手段形成经由。本发明的特征在于，步骤c之前的电介质层，以至少所述半导体结构的第一表面上被施加，其介电层的区域中去除步骤c或介电层中的这些本地之前直接邻接第一表面的凹部局部辅助开口面积附加开口部aussparend施加和电沉积在步骤d，此外，至少在附加开口部，金属层，其金属层导电地连接至所述通孔的金属层。

7. 发明申请

WO2017108592A1 VERFAHREN ZUR DOTIERUNG VON HALBLEITERSUBSTRATEN MITTELS EINES CO-DIFFUSIONSPROZESSES SOWIE MIT DIESEM VERFAHREN HERGESTELLTES DOTIERTES HALBLEITERSUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：用于掺杂的半导体衬底使用共扩散过程和使用此工艺方法制备掺杂的半导体衬底
公开(公告)号：WO2017108592A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/EP2016/081335
申请日：2016-12-16
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.
发明人： ROTHHARDT, Philip , WOLF, Andreas , MEIER, Sebastian , BIRO, Daniel , WERNER, Sabrina
IPC分类号： H01L21/223 , H01L21/225 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/223 , H01L21/2255 , H01L21/2256 , H01L31/1804
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Dotierung von Halbleitersubstraten mittels eines Co-Diffusionsprozesses. Hierbei werden zunächst Halbleitersubstrate zumindest einseitig mit einer mindestens einen ersten Dotierstoff enthaltenden Schicht beschichtet. Jeweils zwei dieser Halbleitersubstrate werden so in einer Prozess- kammer angeordnet, dass zwei ihrer beschichteten Seiten in unmittel- baren Kontakt gebracht werden
摘要翻译：本发明涉及借助于共同扩散工艺掺杂半导体衬底的方法。在这种情况下，首先在半导体衬底的至少一侧上涂覆含有至少一种第一掺杂剂的层。这些半导体衬底的两个被安排在两个其涂布面的被带入直接接触现金室处理

8. 发明申请

WO2014044545A8 VERFAHREN ZUR DOTIERUNG VON HALBLEITERSUBSTRATEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2014044545A8
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/EP2013/068387
申请日：2013-09-05
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.
发明人： ROTHHARDT, Philip , WOLF, Andreas , STOFFELS, Thomas , BIRO, Daniel
IPC分类号： H01L21/225 , H01L31/18
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Dotierung von Halbleitersubstraten mittels eines Diffusionsprozesses, bei dem in einer ersten Belegungsphase auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats zumindest bereichsweise mindestens eine Dotierstoffquelle abgeschieden wird, anschließend in einer Eintreibphase mindestens ein Dotierstoff in das Halbleitersubstrat diffundiert und in einer zweiten Belegungsphase zumindest bereichsweise auf dem Halbleitersubstrat die mindestens eine Dotierstoffquelle bei gleichzeitiger Diffusion von mindestens einem Dotierstoff in das Halbleitersubstrat erneut abgeschieden wird. Bei diesem Verfahren ist dabei die Dotierstoffkonzentration im oberflächennahen Bereich unabhängig von der Diffusionstiefe des Dotierstoffs einstellbar. Die Erfindung betrifft ebenso derart dotierte Halbleitersubstrate.

9. 发明申请

WO2014096443A1 VERFAHREN ZUR DOTIERUNG VON HALBLEITERSUBSTRATEN SOWIE DOTIERTES HALBLEITERSUBSTRAT 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR半导体基板的掺杂和掺杂的半导体衬底
公开(公告)号：WO2014096443A1
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：PCT/EP2013/077879
申请日：2013-12-23
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.
发明人： ROTHHARDT, Philip , WOLF, Andreas , BIRO, Daniel , BELLEDIN, Udo
IPC分类号： H01L21/225 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/2252 , H01L21/2255 , H01L31/1804 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Dotierung von Halbleitersubstraten, bei dem ein Halbleitersubstrat mit einer einen Dotierstoffenthaltenden Schicht versehen wird, der Dotierstoff durch eine Temperaturbehandlung in das Halbleitersubstrat eingetrieben wird und anschließend eine feuchte Oxidation in einer Wasserdampf enthaltenden Atmosphäre erfolgt.
摘要翻译：本发明涉及一种用于半导体掺杂基板的方法，其中提供了一种具有Dotierstoffenthaltenden层的半导体衬底，所述掺杂剂是通过在半导体衬底中的温度处理驱动和随后的湿法氧化在含氧气氛的水蒸汽。

10. 发明申请

WO2012000612A2 VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG EINER SELEKTIVEN DOTIERSTRUKTUR IN EINEM HALBLEITERSUBSTRAT ZUR HERSTELLUNG EINER PHOTOVOLTAISCHEN SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：方法产生选择性DOTIERSTRUKTUR在半导体衬底用于生产光伏太阳能电池
公开(公告)号：WO2012000612A2
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：PCT/EP2011/002965
申请日：2011-06-16
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. , ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITÄT FREIBURG , JÄGER, Ulrich , BIRO, Daniel , VOLK, Anne-Kristin , SEIFFE, Johannes , MACK, Sebastian , WOLF, Andreas , PREU, Ralf
发明人： JÄGER, Ulrich , BIRO, Daniel , VOLK, Anne-Kristin , SEIFFE, Johannes , MACK, Sebastian , WOLF, Andreas , PREU, Ralf
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , H01L21/2254 , H01L21/268 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung einer selektiven Dotierstruktur in einem Halbleitersubstrat zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle, wobei die selektive Dotierstruktur mindestens an einer Dotierseite des Halbleitersubstrates ausgebildet wird, indem an der Dotierseite mindestens ein flächiger Niedrigdotierbereich (4) eines ersten Dotierprofils in dem Halbleitersubstrat erzeugt und innerhalb des ersten Niedrigdotierbereiches mindestens ein lokaler Hochdotierbereich (3) eines zweiten Dotierprofils erzeugt wird, wobei der Niedrigdotierbereich (4) und der Hochdotierbereich (3) mit demselben Dotierungstyp ausgebildet werden und der Hochdotierbereich (3) einen niedrigeren Querleitungswiderstand aufweist als der Niedrigdotierbereich (4). Wesentlich ist, dass das Verfahren folgende Verfahrensschritte umfasst: A) Aufbringen einer Dotierstoffes haltenden Dotierschicht (2) auf die Emitterseite des Halbleitersubstrates, B) lokales Erhitzen eines Schmelzbereiches der Dotierschicht (2) und eines unterhalb der Dotierschicht (2) liegenden Schmelzbereiches des Halbleitersubstrates, derart, dass sich in einem lokalen Bereich kurzzeitig eine Schmelzmischung aus zumindest dem Schmelzbereich der Dotierschicht (2) und dem Schmelzbereich des Halbleitersubstrates bildet, wobei mittels flüssig-flüssig Diffusion Dotierstoff aus der Dotierschicht (2) in das aufgeschmolzene Halbleitersubstrat diffundiert, so dass nach Erstarren der Schmelzmischung der Hochdotierbereich (3) erzeugt ist, C) Erzeugen des flächigen Niedrigdotierbereiches, indem das Halbleitersubstrat global erwärmt wird, derart, dass Dotierstoff aus der Dotierschicht (2) in das Halbleitersubstrat diffundiert, D) Entfernen der Dotierschicht (2), E) Entfernen und/oder Umwandeln einer Schicht des Halbleitersubstrates an der Dotierseite, derart, dass in einem Verfahrensschritt (E1) ein oberflächennaher Teil des Niedrigdotierungsbereiches und des Hochdotierungsbereiches entfernt wird und/oder Umwandeln einer Schicht des Halbleitersubstrates an der Dotierseite in eine elektrisch nicht leitende Schicht in einem Verfahrensschritt (E2), wobei die Verfahrensschritte in der Abfolge (A, B, C, D, E) oder (A, C, B, D, E) ausgeführt werden, jeweils gegebenenfalls unter Zwischenschaltung weiterer Zwischenschritte.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于在半导体衬底中产生的选择性Dotierstruktur用于制造光伏太阳能电池，其中通过在Dotierseite至少产生一个平面形成在半导体衬底中的至少一个Dotierseite选择性Dotierstruktur Niedrigdotierbereich（4）在该半导体衬底中的第一掺杂分布的和至少一个本地Hochdotierbereich（3）在第一Niedrigdotierbereiches内的第二掺杂分布，形成其中所述Niedrigdotierbereich（4）和所述Hochdotierbereich（3）与相同的掺杂类型和形成在Hochdotierbereich（3）具有比Niedrigdotierbereich下横向线电阻（4- ）。至关重要的是，该方法包括以下步骤：A）在半导体基板的发射极侧施加的掺杂剂保持掺杂层（2），B）的掺杂层（2）的熔融区域和（2）位于该半导体衬底的熔化范围内的下面的掺杂层的局部加热，使得形成至少在很短的时间的局部区域，所述掺杂层（2）和半导体基板的熔化区的熔化范围的熔体共混物中，从掺杂层通过液 - 液扩散的掺杂剂的装置（2）扩散到熔化的半导体衬底，使得固化后 C）生成到Hochdotierbereich（3）的熔融混合物中，通过对半导体衬底产生规模Niedrigdotierbereiches加热全球使得从掺杂层（2）的掺杂剂扩散到半导体衬底中，D）去除所述掺杂层（2）中，e）删除和/或加密 ELN上Dotierseite所述半导体衬底，使得在一个处理步骤（E1），低杂质区域和高杂质区域的表面附近部分被去除，和/或在处理步骤转换的Dotierseite所述半导体衬底的一个层中的非导电层（E2层），其中所述序列（A在方法步骤，被执行B C，D，E）或（A，C，B，D，E），其各自任选地进一步中间步骤的插入。

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