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1. 发明申请

WO2012143512A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER METALLISCHEN KONTAKTSTRUKTUR EINER HALBLEITERSTRUKTUR MIT DURCHKONTAKTIERUNG UND PHOTOVOLTAISCHE SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：方法用于生产具有通过和光伏太阳能电池的金属触点结构的半导体结构
公开(公告)号：WO2012143512A1
公开(公告)日：2012-10-26
申请号：PCT/EP2012/057272
申请日：2012-04-20
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. , THAIDIGSMANN, Benjamin , CLEMENT, Florian , WOLF, Andreas , BIRO, Daniel , LOHMÜLLER, Elmar , BARTSCH, Jonas
发明人： THAIDIGSMANN, Benjamin , CLEMENT, Florian , WOLF, Andreas , BIRO, Daniel , LOHMÜLLER, Elmar , BARTSCH, Jonas
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/02245 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer metallischen Kontaktstruktur einer Halbleiterstruktur mit Durchkontaktierung, folgende Verfahrensschritte umfassend:a. Bereitsteilen einer Halbleiterstruktur, welche Halbleiterstruktur eine photovoltaische Solarzelle oder eine Vorstufe im Herstellungsprozess der photovoltaischen Solarzelle ist, b. Erzeugen mindestens einer die Halbleiterstruktur durchdringende Ausnehmung und c. Ausbilden einer Durchkontaktierung mittels galvanischem Abscheiden mindestens einer Metallschicht zumindest in der Ausnehmung. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass vor Verfahrenschritt c auf mindestens eine erste Oberfläche der Halbleiterstruktur eine dielektrische Schicht aufgebracht wird, welche dielektrische Schicht in einem an die Ausnehmung unmittelbar angrenzenden lokalen Zusatzöffnungsbereich der ersten Oberfläche vor Verfahrenschritt c wieder entfernt wird oder welche dielektrische Schicht diesen lokalen Zusatzöffnungsbereich aussparend aufgebracht wird und dass in Verfahrensschritt d zusätzlich zumindest auf dem Zusatzöffnungsbereich eine metallische Schicht galvanisch abgeschieden wird, welche metallische Schicht mit der metallischen Schicht der Durchkontaktierung elektrisch leitend verbunden ist.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于制造具有通孔电镀，下面的方法步骤，其包括一个半导体结构的一个金属接触结构：一。已经是一个半导体结构，其中所述半导体结构包括光伏太阳能电池或光伏太阳能电池，B的生产过程的前体的一部分。产生至少一个半导体结构穿透凹槽以及c。通过至少在所述凹部的至少一个金属层的电镀沉积的手段形成经由。本发明的特征在于，步骤c之前的电介质层，以至少所述半导体结构的第一表面上被施加，其介电层的区域中去除步骤c或介电层中的这些本地之前直接邻接第一表面的凹部局部辅助开口面积附加开口部aussparend施加和电沉积在步骤d，此外，至少在附加开口部，金属层，其金属层导电地连接至所述通孔的金属层。

2. 发明申请

WO2012104198A3 PHOTOVOLTAISCHE SOLARZELLE SOWIE VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2012104198A3
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：PCT/EP2012/051243
申请日：2012-01-26
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , THAIDIGSMANN, Benjamin , CLEMENT, Florian , WOLF, Andreas , BIRO, Daniel
发明人： THAIDIGSMANN, Benjamin , CLEMENT, Florian , WOLF, Andreas , BIRO, Daniel
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0224
摘要： Die Erfindung betrifft eine photovoltaische Solarzelle zur Umwandlung einfallender elektromagnetischer Strahlung in elektrische Energie, umfassend mindestens einen in einem Siliziumsubstrat ausgebildeten Basisbereich eines Basisdotierungstyps; mindestens einen Emitterbereich eines Emitterdotierungstyps, welcher Emitterdotierungstyp ein zu dem Basisdotierungstyp entgegengesetzter Dotierungstyp ist; mindestens eine metallische Basiskontaktierungsstruktur, welche Basiskontaktierungsstruktur elektrisch leitend mit dem Basisbereich verbunden ist und mindestens eine metallische Emitterkontaktierungsstruktur, welche Emitterkontaktierungsstruktur elektrisch leitend mit dem Emitterbereich verbunden ist, wobei Basisbereich und Emitterbereich derart angeordnet sind, dass sich zwischen Basis- und Emitterbereich zumindest bereichsweise ein pn-Übergang ausbildet. Wesentlich ist, dass in einem Basisbypassbereich die Basiskontaktierungsstruktur den Emitterbereich überlappt und in diesem Überlappungsbereich ein diodenartiger Halbleiterkontakt zwischen Basiskontaktierungsstruktur und Emitterbereich ausgebildet ist, welcher Halbleiterkontakt als Metall-Halbleiterkontakt oder Metall-Isolator-Halbleiterkontakt ausgebildet ist und/oder dass in einem Emitterbypassbereich die Emitterkontaktierungsstruktur den Basisbereich überlappt und in diesem Überlappungsbereich ein diodenartiger Halbleiterkontakt zwischen Emitterkontaktierungsstruktur und Basisbereich ausgebildet ist, welcher Halbleiterkontakt als Metall-Halbleiterkontakt oder Metall-Isolator-Halbleiterkontakt ausgebildet ist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle.

3. 发明申请

WO2012007143A3 PHOTOVOLTAISCHE SOLARZELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER PHOTOVOLTAISCHEN SOLARZELLE 审中-公开
公开(公告)号：WO2012007143A3
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：PCT/EP2011/003451
申请日：2011-07-11
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , THAIDIGSMANN, Benjamin , CLEMENT, Florian , BIRO, Daniel , WOLF, Andreas , PREU, Ralf
发明人： THAIDIGSMANN, Benjamin , CLEMENT, Florian , BIRO, Daniel , WOLF, Andreas , PREU, Ralf
IPC分类号： H01L31/0224
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle mit einer zur Lichteinkopplung ausgebildeten Vorderseite, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Erzeugen einer Mehrzahl von Ausnehmungen in einem Halbleitersubstrat eines Basisdotierungstyps, B Erzeugen eines oder mehrerer Emitterbereiche eines Emitterdotierungstyps zumindest an der Vorderseite des Halbleitersubstrates, wobei der Emitterdotierungstyp entgegengesetzt zu dem Basisdotierungstyp ist, C Aufbringen einer elektrisch isolierenden Isolierungsschicht und D Erzeugen von metallischen Durchleitungsstrukturen in den Ausnehmungen, von mindestens einer metallischen Basiskontaktstruktur an der Rückseite der Solarzelle, welche elektrisch leitend mit dem Halbleitersubstrat in einem Basisdotierbereich ausgebildet wird, von mindestens einer metallischen Vorderseitenkontaktstruktur an der Vorderseite der Solarzelle, welche elektrisch leitend mit dem Emitterbereich an der Vorderseite des Halbleitersubstrates ausgebildet wird und von mindestens einer Rückseitenkontaktstruktur an der Rückseite der Solarzelle, welche mit der Durchleitungskontaktstruktur elektrisch leitend verbunden ausgebildet wird. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass in Verfahrensschritt B und/oder einem weiteren Verfahrensschritt zusätzlich in dem Halbleitersubstrat an den Wänden der Ausnehmungen jeweils ein sich von der Vorder- zur Rückseite erstreckender Durchleitungsemitterbereich des Emitterdotierungstyps ausgebildet wird, dass in Verfahrensschritt C die Isolierungsschicht die Rückseite des Halbleitersubstrates, gegebenenfalls weitere zwischenliegende Zwischenschichten, bedeckend aufgebracht wird, dass in Verfahrensschritt D die Rückseitenkontaktstruktur auf die Isolierungsschicht, gegebenenfalls auf weitere Zwischenschichten, aufgebracht wird, derart, dass die Rückseitenkontaktstruktur Bereiche des Halbleitersubstrates mit Basisdotierung erstreckt und in diesen Bereichen aufgrund der dazwischenliegenden Isolierungsschicht eine elektrische Isolierung zwischen Rückseitenkontaktstruktur und Halbleitersubstrat ausgebildet wird und die Basiskontaktstruktur auf die Isolierungsschicht, gegebenenfalls auf weitere Zwischenschichten, aufgebracht wird, derart, dass die Basiskontaktstruktur die Isolierungsschicht zumindest Bereichsweise durchdringt, so dass eine elektrisch leitende Verbindung zwischen Basiskontaktstruktur und Halbleitersubstrat erzeugt wird. Die Erfindung betrifft weiterhin eine photovoltaische Solarzelle.

4. 发明申请

WO2014044597A1 PHOTOVOLTAISCHE SOLARZELLE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER PHOTOVOLTAISCHEN SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：光伏太阳能电池及其制备方法光伏太阳能电池
公开(公告)号：WO2014044597A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/EP2013/068940
申请日：2013-09-12
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V.
发明人： THAIDIGSMANN, Benjamin , LOHMÜLLER, Elmar , CLEMENT, Florian , WOLF, Andreas , BIRO, Daniel , PREU, Ralf
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02245 , H01L31/02008 , H01L31/02167 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft eine photovoltaische Solarzelle mit einer zur Lichteinkopplung ausgebildeten Vorderseite, umfassend mindestens eine sich von der Vorder- zu der Rückseite erstreckende Ausnehmung (4) in dem Halbleitersubstrat (1) eines Basisdotierungstyps und mindestens eine metallische Durchleitungsstruktur (10), wobei die Durchleitungsstruktur (10) in der Ausnehmung (4) von der Vorder- zu der Rückseite des Halbleitersubstrates geführt und mit der metallischen Vorderseitenkontaktstruktur (9) elektrisch leitend verbunden ist, welche mit einem an der Vorderseite ausgebildeten Emitterbereich (2), von der dem Basisdotierungstyp entgegengesetze Dotierung, elektrisch leitend verbunden ist, und mindestens eine Rückseitenkontaktstruktur (7), welche mit der Durchleitungsstruktur (10) elektrisch leitend verbunden ist und auf der elektrisch isolierenden Isolierungsschicht (6) an der Rückseite angeordnet ist und sie zumindest in den die Ausnehmung (4) umgebenden Bereichen bedeckt, so dass die Rückseitenkontaktstruktur (7) durch die Isolierungsschicht (6) gegenüber dem unter der Isolierungsschicht (6) liegenden Halbleitersubstrat (1) elektrisch isoliert ist. Wesentlich ist, dass in dem Halbleitersubstrat (1) an den Wänden der Ausnehmung (4) die Durchleitungsstruktur (10) unmittelbar an einen Basisbereich des Basisdotierungstyps angrenzt. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle.
摘要翻译：本发明涉及一种具有形成用于将光耦合前方开口的光伏太阳能电池，其包括至少一个从所述前部延伸到后部凹部（4）在半导体衬底（1）基本掺杂类型和至少一个金属馈通（10）的，所述通道结构（ 10）在所述凹部被引导（4）从正面到半导体衬底的背面，和（9）被导电地连接到（具有形成于前发射区2），从其他法律基础掺杂类型的掺杂金属前侧接触结构，导电连接，并且与所述通道结构（10）连接的至少一个背接触结构（7）导电连接到背面的电绝缘的绝缘层（6）被布置和它们周围，至少在所述凹部（4）的区域覆盖，通过绝缘层下的绝缘层（6）相对于所述SS（6）下面的半导体衬底（1）被电从背面接触结构绝缘（7）。至关重要的是，在凹部的壁在半导体基板（1）（4）的通道结构（10）紧邻所述基掺杂剂类型的基部。本发明还涉及一种用于制造光伏太阳能电池的方法。

5. 发明申请

WO2011157420A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER METALLISCHEN KONTAKTSTRUKTUR EINER PHOTOVOLTAISCHEN SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：一种用于生产光伏太阳能电池的金属接触结构
公开(公告)号：WO2011157420A2
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/EP2011/002963
申请日：2011-06-16
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , BIRO, Daniel , THAIDIGSMANN, Benjamin , CLEMENT, Florian , WOEHL, Robert , WOTKE, Edgar-Allan
发明人： BIRO, Daniel , THAIDIGSMANN, Benjamin , CLEMENT, Florian , WOEHL, Robert , WOTKE, Edgar-Allan
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , H01L31/022425 , H01L31/05 , Y02E10/50
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer metallischen Kontaktstruktur einer photovoltaischen Solarzelle, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Aufbringen einer elektrisch nichtleitenden Isolierungsschicht auf eine Oberfläche eines Halbleitersubstrates, gegebenenfalls auf eine oder mehrere diese Oberfläche bedeckende Zwischenschichten, B Aufbringen einer metallischen Kontaktschicht auf die Isolierungsschicht, gegebenenfalls auf eine oder mehrere die Isolierungsschicht bedeckende Zwischenschichten und Erzeugen mehrerer lokaler elektrisch leitender Verbindung zwischen Halbleitersubstrat und Kontaktschicht durch die Isolierungsschicht und gegebenenfalls weitere Zwischenschichten hindurch. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass in Verfahrenschritt B die metallische Kontaktschicht folgende Verfahrensschritte umfassend ausgebildet wird: B1 eine erste Metallpartikel enthaltende Paste wird an mehreren lokalen Bereichen aufgebracht, B2 eine zweite Metallpartikel enthaltende Paste wird flächig, zumindest die mit der ersten Paste bedeckten Bereiche sowie die dazwischen liegenden Bereiche zumindest teilweise bedeckend aufgebracht und B3 globales Erhitzen des Halbleitersubstrates in einem Temperaturschritt, wobei erste und zweite Paste sowie der oder die auf Verfahrenschritt B1 folgenden Temperaturschritte derart ausgebildet sind, dass die erste Paste die Isolierungsschicht durchdringt und einen elektrisch leitenden Kontakt unmittelbar mit dem Halbleitersubstrat bildet, wohingegen die zweite Paste die Isolierungsschicht nicht durchdringt und lediglich mittelbar über die erste Paste mit dem Halbleitersubstrat elektrisch leitend verbunden ist.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造光生伏打太阳能电池的金属接触结构，其步骤包括：在半导体衬底的一个表面上的施加非导电的绝缘层，任选地在一个或多个这些表面的覆盖中间层，金属接触层的绝缘层上的B级应用，任选地在一个或多个绝缘层的覆盖所述中间层和产生多个半导体基板，并通过绝缘层的接触层和任选的另外的中间层之间的局部导电连接。本发明的特征在于以下形成包括在工艺步骤B处理步骤的金属接触层：B1粘贴第一含金属颗粒在多个局部区域施加，B2糊剂，含第二金属的颗粒是扁平的，至少与所述第一膏体的区域覆盖，并在之间至少在一个热步骤部分地覆盖的施加和B3全球加热所述半导体基板的区域中，所述第一和第二糊状物，和或在以下温度步骤步骤B1被配置为使得所述第一膏体直接与贯通绝缘层和导电接触在所述半导体衬底，而所述第二膏体不穿透绝缘层，并且仅间接地导电地经由所述第一膏体至所述半导体基板连接。

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