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1. 发明申请

WO2017092723A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER PLANEN FREIEN KONTAKTIERFLÄCHE FÜR HALBLEITERNANOSTRUKTUREN 审中-公开
标题翻译：用于生产半导体电动机的规划的自由接触表面的方法
公开(公告)号：WO2017092723A1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：PCT/DE2016/000379
申请日：2016-10-22
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
发明人： HEEDT, Sebastian , GERHARZ, Julian , SCHÄPERS, Thomas , GRÜTZMACHER, Detlev
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/775 , B82Y10/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L29/0673 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L29/401 , H01L29/66469 , H01L29/775
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer planen freien Kontaktierfläche für Halbleiternanostrukturen, bei dem auf der Oberfläche eines Transfersubstrats (1) wenigstens eine Nanostruktur (2) angeordnet wird, auf dieselbe Oberfläche des Transfersubstrats (1) eine erste Schicht (3) aufgebracht wird, die die wenigstens eine Nanostruktur (2) einbettet, und auf diese erste Schicht (3) ein zweites Substrat (5) aufgebracht wird, wobei im Anschluss das Transfersubstrat (1) von der ersten Schicht (3) getrennt wird, so dass die wenigstens eine darin eingebettete Nanostruktur (2) eine plane freie Oberfläche aufweist. Erfindungsgemäß wird vor dem Aufbringen der wenigstens einen Nanostruktur (2) auf das Transfersubstrat (1) eine durch ein Lösungsmittel auflösbare zusätzliche Schicht (6) auf die Oberfläche des Transfersubstrats (1) aufgebracht und das Transfersubstrat (1) von der ersten Schicht (3) mit Hilfe eines Lösungsmittels abgelöst. Auf diese Weise werden eine Planarisierung/Schichtung von Nanostrukturen, und eine sich anschließende erleichterte elektrische Kontaktierung ermöglicht. Bei iterativer Anwendung der Verfahrensschritte können vorteilhaft Vielfachschichten beispielsweise aus horizontal ausgerichteten Nanodraht-Netzwerken aufgebaut werden (Abblidung 5B)
摘要翻译：
本发明涉及一种用于生产的平面自由Kontaktierfl＆AUML;枝˚F导航用途ř半导体纳米结构，其中，转印基板的表面BEAR表面（1）的至少一个纳米结构（2）上被布置在相同表面和AUML上 ;转印用基板（1）的表面（3）施加的第一层，嵌入所述至少一个纳米结构（2），并且该第一层（3）上的第二衬底（5）被施加，其中，所述转移衬底后（1 ）与第一层（3）分离，使得嵌入其中的至少一个纳米结构（2）具有平面自由表面。发明＆AUML;大街先于应用所述至少一个纳米结构（2）转印用基板（1）上由L＆ouml;溶剂ED＆OUML;可释放ZUS＆AUML;到转印基体的表面BEAR表面（1）施加有用层（6）和转移衬底（1）从第一层（3）借助溶剂进行。通过这种方式，可以实现纳米结构的平面化/分层和随后的促进电接触。在方法步骤的迭代应用的情况下，多层可以有利地例如从水平排列的纳米线网络（图5B）

2. 发明申请

WO2014169887A1 HOCHFREQUENZLEITER MIT VERBESSERTER LEITFÄHIGKEIT 审中-公开
标题翻译：具有提高的传导高频印制电路
公开(公告)号：WO2014169887A1
公开(公告)日：2014-10-23
申请号：PCT/DE2014/000149
申请日：2014-03-20
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
发明人： MIKULICS, Martin , HARDTDEGEN, Hilde , GRÜTZMACHER, Detlev
IPC分类号： H01L21/285 , H01L29/423 , H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L23/528 , H01L29/778 , H01L29/20
CPC分类号： H01L29/45 , H01L21/283 , H01L21/28587 , H01L21/3213 , H01L29/2003 , H01L29/404 , H01L29/42316 , H01L29/42372 , H01L29/42376 , H01L29/475 , H01L29/4966 , H01L29/66856 , H01L29/765 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/812 , H01L31/0224 , H01L31/022408
摘要： Die Erfindung betrifft einen Hochfrequenzleiter mit verbesserter Leitfähigkeit. Dieser umfasst mindestens ein elektrisch leitfähiges Basismaterial. Erfindungsgemäß ist das Verhältnis der von einem Strom durchsetzbaren äußeren und inneren Oberflächen des Basismaterials zum Gesamtvolumen des Basismaterials durch a) Aufteilung des Basismaterials senkrecht zur Stromrichtung in mindestens zwei Segmente, die durch ein elektrisch leitfähiges Zwischenstück beabstandet sowie elektrisch und mechanisch miteinander verbunden sind, und/oder b) topographische Strukturen in oder auf der Oberfläche des Basismaterials, und/oder c) eine innere Porosität mindestens eines Teils des Basismaterials gegenüber einer Formgebung des Basismaterials, bei der das jeweilige Merkmal fortgelassen wurde, erhöht. Es wurde erkannt, dass durch diese die Formgebung betreffenden Maßnahmen die gleiche Menge an Basismaterial räumlich so angeordnet werden kann, dass ein größerer Anteil des Basismaterials sich in einem Abstand von höchstens der Skintiefe von einer äußeren oder inneren Oberfläche befindet und somit am Stromtransport teilnimmt. Damit bleibt ein geringerer Anteil auf Grund des Skin-Effekts ungenutzt.
摘要翻译：本发明涉及一种具有提高的导电性的高频电路。这至少包括导电性基材。根据本发明可实施的由基体材料的电流外表面和内表面到基体材料的由总体积之比）中的碱的分割材料垂直于由导电性中间片间隔开，并且电和机械地相互连接的至少两个节段的电流方向，和/ 或b）中或在基材的表面上的地形结构，和/或c）至少一个相对于所述基体材料，其中，省略了相应的特征的形状的基体材料的一部分的内部孔隙率，增加的。人们已经认识到，相同的量可以通过这些相应的成形措施在空间上置于基底材料，即位于在不超过外部或内部表面的趋肤深度以上的距离的基体材料的比重较大，因此参与在电流传输。因此，较低的比例，由于趋肤效应仍未使用。

3. 发明申请

WO2018171823A1 VERFAHREN ZUR IN-SITU HERSTELLUNG VON "MAJORANA-MATERIALIEN - SUPRALEITER" HYBRIDNETZWERKEN, SOWIE EINE DURCH DAS VERFAHREN HERGESTELLTE HYBRIDSTRUKTUR 审中-公开
公开(公告)号：WO2018171823A1
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：PCT/DE2018/000048
申请日：2018-03-01
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
发明人： SCHÜFFELGEN, Peter , ROSENBACH, Daniel , GRÜTZMACHER, Detlev , SCHÄPERS, Thomas
IPC分类号： H01L39/22 , B82Y10/00 , G06N99/00 , H01L39/24
摘要： Verfahren zur in-situ Herstellung von "Majorana-Materialien - Supraleiter" Hybridnetzwerken, sowie eine durch das Verfahren hergestellte Hybridstruktur Vorgestellt wird ein Verfahren zur Herstellung einer Majorana-Material - Supraleiter Hybridstruktur, bei dem unter Zuhilfenahme einer Schattenmaske das supraleitende Material auf dem Majorana-Material aufgebracht wird, und - wobei auf einem Substrat (1) zunächst eine erste Maske (2, 3) für ein strukturiertes Aufbringen des Majorana-Materials (6) sowie eine weitere Maske (Schattenmaske) (4, 5) für das strukturierte Wachstum des supraleitenden Materials (7) erzeugt werden, welche relativ zueinander ausgerichtet sind, und - wobei das Aufbringen des Majorana-Materials und der supraleitenden Schichten ohne Unterbrechung in einer inerten Atmosphäre erfolgt, vorzugsweise im Vakuum und besonders vorteilhaft im Ultrahochvakuum. Die hergestellte Hybridstruktur umfasst wenigstens ein strukturiertes Majorana-Material und wenigstens ein darauf angeordnetes supraleitendes Material, sowie eine Passivierungsschicht, wobei das strukturierte Majorana-Material eine drahtförmige Ausgestaltung aufweist mit einer Länge zwischen 0,1 und 100 j..lm, mit einer Breite zwischen 10 und 200 nm und mit einer Schichtdicke zwischen 12 und 260 nm, vorzugsweise zwischen 15 und 50 nm. Die Grenzfläche zwischen dem strukturierten Majorana-Material und wenigstens einem darauf angeordneten supraleitenden Material ist vorteilhaft kontaminationsfrei. Die Oberfläche des strukturierten Majorana-Materials ist vollständig entweder durch ein vorzugsweise supraleitendes Material oder durch eine Passivierungsschicht abgedeckt.

4. 发明申请

WO2013159758A1 VERSPANNTES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：应变分量及其制备方法
公开(公告)号：WO2013159758A1
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：PCT/DE2013/000168
申请日：2013-03-28
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
发明人： MANTL, Siegfried , ZHAO, Qing-Tai , BUCA, Dan, Mihai , GRÜTZMACHER, Detlev
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/775 , H01L29/06 , H01L29/10 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L29/78
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L29/0673 , H01L29/1054 , H01L29/66439 , H01L29/775 , H01L29/78696
摘要： Das Bauelement umfasst ein Substrat (11) und eine verspannte halbleitende Funktionsschicht (13). Erfindungsgemäß ist die Funktionsschicht (13) mindestens in dem Nutzbereich, der die elektronische oder optoelektronische Funktion des Bauelements ausübt (II), vom Substrat entkoppelt und durch ein mindestens in einem Teilbereich auf der Funktionsschicht angeordnetes verspanntes Stressormaterial (14) verspannt, und/oder sie ist durch ein Haltematerial, das bei vorhandener und verspannter Funktionsschicht zwischen Funktionsschicht Substrat angeordnet wurde, an das Substrat gekoppelt. Die Funktionsschicht kann zunächst unverspannt hergestellt und erst durch das Aufbringen des Stressormaterials (14) verspannt werden. Diese Verspannung bleibt erhalten, solange das Stressormaferial auf der Funktionsschicht verbleibt. Sie kann aber auch konserviert werden, indem zwischen der Funktionsschicht und dem Substrat ein Haltematerial angeordnet wird, das die Funktionsschicht fest an das Substrat ankoppelt. Kern des Verfahrens ist analog, dass mindestens in einem Teilbereich auf der Funktionsschicht ein verspanntes Stressormaterial aufgebracht wird und mindestens der Nutzbereich der Funktionsschicht, der die elektronische Funktion des Bauelements ausübt, vom Substrat entkoppelt wird.
摘要翻译：该器件包括衬底（11）和一个应变半导体功能层（13）。根据本发明，至少在有用区域的功能层（13），其执行所述组分（II）的电子或光电子功能，从所述基底和通过在一个局部区域至少配置在所述功能层应变应力源（14）夹紧阀去耦和/或由已经被安排在功能层基板至基板之间现有的和应变功能层的保持材料耦合。功能层可以首先被夹紧制备无应力，并且仅通过将Stressormaterials（14）。只要Stressormaferial保持在功能层上该张力被保持。然而，它也可以通过保持材料设置在功能层和基板，其耦合功能层固定到衬底之间是保守的。该方法的本质是类似于应变应力源是在局部区域中的至少施加在功能层上，并至少在功能层，其执行装置的电子功能从基板解耦的有效载荷。

5. 发明申请

WO2015189004A1 VERFAHREN ZUM ABSCHEIDEN EINER KRISTALLSCHICHT BEI NIEDRIGEN TEMPERATUREN, INSBESONDERE EINER PHOTOLUMINESZIERENDEN IV-IV-SCHICHT AUF EINEM IV-SUBSTRAT, SOWIE EIN EINE DERARTIGE SCHICHT AUFWEISENDES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR晶体层在低温下，特别是光致发光的IV-IV层上的IV SUBSTRATE AND SUCH表现出光电子器件的层分离
公开(公告)号：WO2015189004A1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：PCT/EP2015/060881
申请日：2015-05-18
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
发明人： GRÜTZMACHER, Detlev , WIRTHS, Stephan , BUCA, Dan Mihai , MANTL, Siegfried
IPC分类号： C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/52 , C30B29/40 , C30B29/48 , C23C16/455 , H01L21/02
CPC分类号： C30B25/10 , C09K11/66 , C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/10 , C30B29/52 , C30B29/68 , G02B6/12 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02452 , H01L21/02505 , H01L21/02532 , H01L21/02535 , H01L21/0262 , H01L31/02322 , H01S5/021 , H01S5/042 , H01S5/3027 , H01S5/3054
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum monolithischen Abscheiden einer einkristallinen, bei Anregung leuchtenden, aus mehreren Elementen der IV-Haupt-gruppe bestehende IV-IV-Schicht, insbesondere einer GeSn oder Si-GeSn Schicht mit einer Versetzungsdichtekleiner 6cm -2 auf einem IV-Substrat, insbesondere einem Silizium-oder Germanium-Substrat mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Hydrids eines ersten IV-Elementes (A) beispielsweise Ge 2 H 6 oder Si 2 H 6 ; Bereitstellen eines Halogenids eines zweiten IV-Elementes (B) beispielsweise SnCl 4 ; Aufheizen des Substrates auf eine Substrattemperatur, die geringer ist als die Zerlegungstemperatur des reinen Hydrids oder eines daraus gebildeten Radikals und ausreichend hoch ist, dass Atome des ersten Elementes (A) und des zweiten Elementes (B) in kristalliner Ordnung in die Oberfläche eingebaut werden, wobei die Substrattemperatur insbesondere in einem Bereich zwischen 300° C und 475° C liegt; Erzeugen eines Trägergasstroms aus einem inerten Trägergas, insbesondere N 2 , Ar, He, welches insbesondere kein H 2 ist; Transportieren des Hydrids und des Halogenids sowie daraus entstandene Zerfallsprodukte zur Oberfläche bei einem Totaldruck von maximal 300 mbar; Abscheiden der IV-IV-Schicht oder einer aus gleichartigen IV-IV-Schichten bestehende Schichtenfolge mit einer Dicke von mindestens 200 nm, wobei die abgeschiedene Schicht insbesondere eine Si y Ge 1-x-y Sn-Schicht ist, mit x > 0,08 und y ≤1.
摘要翻译：本发明涉及一种用于单片沉积单晶，从多个现有IV-IV层的IV主族元素的激发照明，特别是GeSn或Si-GeSn层IV基板上具有小于6厘米-2的位错密度，特别是硅或锗衬底，包括以下步骤：提供元件的第一氢化物IV（a）中，例如，Si2的H6或Ge2H6; 提供第二IV族元素（B）的卤化物，例如，四氯化锡; 加热衬底被安装在晶序中的衬底温度的表面，该表面比纯氢化物或由其形成的基团的分解温度较低，并且是足够高，使得原子，所述第一元件（A）和第二元件（B），其中，所述衬底温度最好在300℃和475℃之间的范围内; 产生的惰性载气的载气流，特别是N 2，氩，氦，这是特别不H2; 在最大300毫巴的总压输送氢化物和卤化物以及由此产生的任何降解产物的表面上; 沉积IV-IV-层或由类似的IV-IV层的层序列的具有厚度至少为200纳米，其中所述沉积的层是特别是SiyGe1-X-YSN层，其中x> 0.08和y≤ 第一

6. 发明公开

EP3155145A1 VERFAHREN ZUM ABSCHEIDEN EINER KRISTALLSCHICHT BEI NIEDRIGEN TEMPERATUREN, INSBESONDERE EINER PHOTOLUMINESZIERENDEN IV-IV-SCHICHT AUF EINEM IV-SUBSTRAT, SOWIE EIN EINE DERARTIGE SCHICHT AUFWEISENDES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 有权转让
标题翻译： METHOD FOR晶体层在低温下，特别是光致发光的IV-IV层上的IV SUBSTRATE AND SUCH表现出光电子器件的层分离
公开(公告)号：EP3155145A1
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：EP15726035.7
申请日：2015-05-18
申请人： Forschungszentrum Jülich GmbH
发明人： GRÜTZMACHER, Detlev , WIRTHS, Stephan , BUCA, Dan Mihai , MANTL, Siegfried
IPC分类号： C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/52 , C30B29/40 , C30B29/48 , C23C16/455 , H01L21/02
CPC分类号： C30B25/10 , C09K11/66 , C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/10 , C30B29/52 , C30B29/68 , G02B6/12 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02452 , H01L21/02505 , H01L21/02532 , H01L21/02535 , H01L21/0262 , H01L31/02322 , H01S5/021 , H01S5/042 , H01S5/3027 , H01S5/3054
摘要： The invention relates to a method for monolithically depositing a monocrystalline IV-IV layer that glows when excited and that is composed of a plurality of elements of the IV main group, in particular a GeSn or Si-GeSn layer, said IV-IV layer having a dislocation density less than 6 cm
-2 , on an IV substrate, in particular a silicon or germanium substrate, comprising the following steps: providing a hydride of a first IV element (A), such as Ge
2 H
6 or Si
2 H
6 ; providing a halide of a second IV element (B), such as SnCl
4 ; heating the substrate to a substrate temperature that is less than the decomposition temperature of the pure hydride or of a radical formed therefrom and is sufficiently high that atoms of the first element (A) and of the second element (B) are integrated into the surface in crystalline order, wherein the substrate temperature lies, in particular, in a range between 300°C and 475°C; producing a carrier gas flow of an inert carrier gas, in particular N
2 , Ar, He, which in particular is not H
2 ; transporting the hydride and the halide and decomposition products arising therefrom to the surface at a total pressure of at most 300 mbar; depositing the IV-IV layer, or a layer sequence consisting of IV-IV layers of the same type, having a thickness of at least 200 nm, wherein the deposited layer is, in particular, a Si
y Ge
1
-x-y Sn layer, with x > 0.08 and y ≤ 1.
摘要翻译：一种用于单片沉积单晶IV-IV层做发光激发时，也由所述IV主族元素中的多个方法，特别是GeSn或Si GeSn层，具有的位错密度的IV-IV层少超过6厘米2，在上基片IV，特别是硅或锗的衬底，其包括以下步骤：提供第一元件IV（A）的氢化物：如Ge2H6或乙硅烷; 提供第二IV族元素（B）,:如四氯化锡的卤化物; 加热该基材至基材温度并低于从形成在那里的纯氢化的或自由基的分解温度和足够高做的第一元件（A）的原子和所述第二元件（B）的被集成到表面在晶序，worin基板温度读取，特别是在300℃和475℃之间的范围内。产生的惰性载气的载气流量，特别是N 2，氩，氦，其中特定不H3; 输送氢化物和卤化物和分解产物所产生从那里到在300毫巴的总压的表面上; 沉积IV-IV层，或由相同类型的IV-IV层的层序列，其厚度至少为200nm，worin沉积层，特别地，一个SiyGe1-X-YSN层，其中x > 0:08和y≦第一

8. 发明公开

EP3384533A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER PLANEN FREIEN KONTAKTIERFLÄCHE FÜR HALBLEITERNANOSTRUKTUREN 审中-公开
公开(公告)号：EP3384533A1
公开(公告)日：2018-10-10
申请号：EP16798073.9
申请日：2016-10-22
申请人： Forschungszentrum Jülich GmbH
发明人： HEEDT, Sebastian , GERHARZ, Julian , SCHÄPERS, Thomas , GRÜTZMACHER, Detlev
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/775 , B82Y10/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L29/0673 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L29/401 , H01L29/66469 , H01L29/775
摘要： The invention relates to a method for producing a flat free contacting surface for semiconductor nanostructures, wherein at least one nanostructure (2) is arranged on the surface of a transfer substrate (1). A first layer (3) in which at least one nanostructure (2) is embedded is applied onto the same surface of the transfer substrate (1), and a second substrate (5) is applied onto the first layer (3). The transfer substrate (1) is then separated from the first layer (3) such that the at least one nanostructure (2) embedded in the first layer has a flat free surface. According to the invention, prior to applying the at least one nanostructure (2) onto the transfer substrate (1), an additional layer (6) which can be removed by means of a solvent is applied onto the surface of the transfer substrate (1), and the transfer substrate (1) is removed from the first layer (3) using a solvent. In this manner, a planarization/layering of nanostructures and a subsequent simplified electric contacting process is allowed. When the method steps are applied in iterations, multilayers can be constructed advantageously from horizontally aligned nanowire networks for example (figure 5B).

9. 发明授权

EP2987179B1 HOCHFREQUENZLEITER MIT VERBESSERTER LEITFÄHIGKEIT 有权
标题翻译：具有提高的传导高频印制电路
公开(公告)号：EP2987179B1
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：EP14716747.2
申请日：2014-03-20
申请人： Forschungszentrum Jülich GmbH
发明人： MIKULICS, Martin , HARDTDEGEN, Hilde , GRÜTZMACHER, Detlev
IPC分类号： H01L21/285 , H01L29/423 , H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L23/528 , H01L29/778 , H01L29/20
CPC分类号： H01L29/45 , H01L21/283 , H01L21/28587 , H01L21/3213 , H01L29/2003 , H01L29/404 , H01L29/42316 , H01L29/42372 , H01L29/42376 , H01L29/475 , H01L29/4966 , H01L29/66856 , H01L29/765 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/812 , H01L31/0224 , H01L31/022408

10. 发明公开

EP2987179A1 HOCHFREQUENZLEITER MIT VERBESSERTER LEITFÄHIGKEIT 有权
标题翻译： HOCHFREQUENZLEITER MIT VERBESSERTERLEITFÄHIGKEIT
公开(公告)号：EP2987179A1
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：EP14716747.2
申请日：2014-03-20
申请人： Forschungszentrum Jülich GmbH
发明人： MIKULICS, Martin , HARDTDEGEN, Hilde , GRÜTZMACHER, Detlev
IPC分类号： H01L21/285 , H01L29/423 , H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L23/528 , H01L29/778 , H01L29/20
CPC分类号： H01L29/45 , H01L21/283 , H01L21/28587 , H01L21/3213 , H01L29/2003 , H01L29/404 , H01L29/42316 , H01L29/42372 , H01L29/42376 , H01L29/475 , H01L29/4966 , H01L29/66856 , H01L29/765 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/812 , H01L31/0224 , H01L31/022408
摘要： The invention relates to a high-frequency conductor with improved conductivity. The conductor includes at least one electrically conductive base material. According to the invention, the ratio of the outer and inner surfaces of the base material through which a current can flow, is increased by a) dividing the base material perpendicular to the direction of current into at least two segments which are separated by an electrically conductive spacer and are electrically and mechanically interconnected, and/or b) topographical structures in or on the surface of the base material, and/or c) an inner porosity of at least one part of the base material compared to a shaping of the base material in which the respective feature has been omitted. It has been recognised that, by means of these measures relating to shaping, the same quantity of base material can be spatially arranged such that a larger proportion of the base material is located at a distance of at most the skin depth of an outer or inner surface, and thus is part of the flow of current. Thus a smaller amount remains unused on the basis of the skin effect.
摘要翻译：具有改进的导电性的高频导体包括至少一种导电基材。可以通过电流渗透的基材的外表面和内表面与基材的总体积的比例增加了a）将基材垂直于电流方向分成至少两个段，每个段与每个段间隔开另外通过导电中间件彼此电连接和机械连接，和/或b）基材表面中或表面上的形貌结构和/或e）比较基材的至少一部分的内部孔隙率涉及其中省略了相应特征的基材的设计。已经发现，由于关于设计的这些措施的结果，可以物理地布置相同量的材料，使得较大部分的基材位于不超过皮肤深度的距离处，从外部或内表面，因此涉及目前的运输。结果，较小的部分保持未使用，作为皮肤效应的函数。

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