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    • 1. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER PLANEN FREIEN KONTAKTIERFLÄCHE FÜR HALBLEITERNANOSTRUKTUREN
    • 用于生产半导体电动机的规划的自由接触表面的方法
    • WO2017092723A1
    • 2017-06-08
    • PCT/DE2016/000379
    • 2016-10-22
    • FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
    • HEEDT, SebastianGERHARZ, JulianSCHÄPERS, ThomasGRÜTZMACHER, Detlev
    • H01L29/66H01L29/06H01L29/40H01L29/775B82Y10/00B82Y40/00
    • H01L29/0673B82Y10/00B82Y40/00H01L29/401H01L29/66469H01L29/775
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer planen freien Kontaktierfläche für Halbleiternanostrukturen, bei dem auf der Oberfläche eines Transfersubstrats (1) wenigstens eine Nanostruktur (2) angeordnet wird, auf dieselbe Oberfläche des Transfersubstrats (1) eine erste Schicht (3) aufgebracht wird, die die wenigstens eine Nanostruktur (2) einbettet, und auf diese erste Schicht (3) ein zweites Substrat (5) aufgebracht wird, wobei im Anschluss das Transfersubstrat (1) von der ersten Schicht (3) getrennt wird, so dass die wenigstens eine darin eingebettete Nanostruktur (2) eine plane freie Oberfläche aufweist. Erfindungsgemäß wird vor dem Aufbringen der wenigstens einen Nanostruktur (2) auf das Transfersubstrat (1) eine durch ein Lösungsmittel auflösbare zusätzliche Schicht (6) auf die Oberfläche des Transfersubstrats (1) aufgebracht und das Transfersubstrat (1) von der ersten Schicht (3) mit Hilfe eines Lösungsmittels abgelöst. Auf diese Weise werden eine Planarisierung/Schichtung von Nanostrukturen, und eine sich anschließende erleichterte elektrische Kontaktierung ermöglicht. Bei iterativer Anwendung der Verfahrensschritte können vorteilhaft Vielfachschichten beispielsweise aus horizontal ausgerichteten Nanodraht-Netzwerken aufgebaut werden (Abblidung 5B)
    • 本发明涉及一种用于生产的平面自由KontaktierflÄ枝˚F导航用途ř半导体纳米结构,其中,转印基板的表面BEAR表面(1)的至少一个纳米结构(2)上被布置在相同表面和AUML上 ;转印用基板(1)的表面(3)施加的第一层,嵌入所述至少一个纳米结构(2),并且该第一层(3)上的第二衬底(5)被施加,其中,所述转移衬底后(1 )与第一层(3)分离,使得嵌入其中的至少一个纳米结构(2)具有平面自由表面。 发明Ä大街 先于应用所述至少一个纳米结构(2)转印用基板(1)上由Lö溶剂EDÖ可释放ZUSÄ到转印基体的表面BEAR表面(1)施加有用层(6)和转移衬底(1) 从第一层(3)借助溶剂进行。 通过这种方式,可以实现纳米结构的平面化/分层和随后的促进电接触。 在方法步骤的迭代应用的情况下,多层可以有利地例如从水平排列的纳米线网络(图5B)