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1. 发明专利

JP2014027257A Wafer polishing method 审中-公开
标题翻译：波浪抛光方法
公开(公告)号：JP2014027257A
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：JP2013081856
申请日：2013-04-10
申请人： Ebara Corp , 株式会社荏原製作所
发明人： OTA MASAAKI , NOMURA SUEKAZU , IIIZUMI TAKESHI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/013 , B24B37/24
CPC分类号： H01L22/14 , B24B37/013 , B24B37/042 , B24B49/105 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/7684 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing method of wafer that includes a Ru film and a Ta film or a TaN film that is formed under the Ru film.SOLUTION: The polishing method includes polishing a Ru film 106a by causing a wafer W to be slid by a polishing pad 10, measuring the thickness of the Ru film 106a by a film thickness sensor during the polishing of the Ru film 106a, calculating a differential value of an output value of the film thickness sensor, detecting a specific change point of the differential value, and determining a removal point of the Ru film 106a from timing at which the change point is detected.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种包括在Ru膜下形成的Ru膜和Ta膜或TaN膜的晶片的抛光方法。抛光方法：抛光方法包括通过使晶片W 用抛光垫10滑动，在Ru膜106a的研磨过程中通过膜厚度传感器测量Ru膜106a的厚度，计算膜厚度传感器的输出值的差值，检测膜厚度的特定变化点差分值，以及从检测到变化点的定时确定Ru膜106a的去除点。

2. 发明专利

JP2015016540A 膜厚測定装置、膜厚測定方法、および膜厚測定装置を備えた研磨装置有权
标题翻译：薄膜厚度测量装置，薄膜厚度测量方法和装有薄膜厚度测量装置的抛光装置
公开(公告)号：JP2015016540A
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：JP2013147089
申请日：2013-07-12
申请人：株式会社荏原製作所 , Ebara Corp
发明人： NOMURA SUEKAZU , IIIZUMI TAKESHI , WATANABE KAZUHIDE , KOBAYASHI YOICHI
IPC分类号： B24B49/12 , B24B37/34 , B24B49/04 , G01B11/06 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/013 , B24B37/005 , B24B37/34 , B24B49/12 , G01B11/0633 , H01L22/12 , H01L22/26
摘要：【課題】膜厚の測定精度を向上させることができる膜厚測定装置および膜厚測定方法を提供する。【解決手段】膜厚測定装置は、基板Wを水平に支持する基板ステージ87と、基板ステージ87上の基板Wの表面全体にリンス水を供給するリンス水供給部90と、基板ステージ87上の基板Wの表面上の測定領域に光を照射し、測定領域からの反射光のスペクトルを生成し、該スペクトルから基板Wの膜厚を決定する膜厚測定ヘッド84と、光の光路上に気体の噴流を形成し、該気体の噴流を測定領域に当てる気体噴射部130とを備える。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以提高膜厚测量精度的膜厚测量装置和膜厚测量方法。方法：一种膜厚测量装置，包括：用于水平支撑衬底W的衬底台87; 用于将冲洗水供给到基板台87上的基板W的整个表面上的冲洗水供给部90; 将基板台87上的基板W的表面上的测量区域发光的膜厚测量头84产生从测量区域反射的光谱，并且基于所述测量区域确定基板W的膜厚度光谱; 以及气体注入部分130，其在光学光路上形成气体的喷射流，并将气体的所述喷射流施加到测量区域上。

3. 发明专利

JP2011176342A Polishing method and wiring forming method 审中-公开
标题翻译：抛光方法和接线形成方法
公开(公告)号：JP2011176342A
公开(公告)日：2011-09-08
申请号：JP2011087638
申请日：2011-04-11
申请人： Ebara Corp , 株式会社荏原製作所
发明人： KOHAMA TATSUYA , KOBATA ITSUKI , NOMURA SUEKAZU
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , B24B37/04 , B24B49/04 , B24B49/10
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing method capable of preventing a preceding process in multi-step polishing from applying a load on a subsequent process. SOLUTION: A polishing method includes: a first polishing step of polishing and removing most part of a first film formed on an object to be polished; a second polishing step of polishing and removing a residual part of the first film until a second film is exposed to a surface while a wiring part is left; a step of preliminarily setting the film thickness distribution of the first film in shifting from the first polishing step to the second polishing step; a step of measuring a first film thickness using an eddy current sensor during the first polishing step to obtain the film thickness distribution of the first film; and a step of adjusting polishing conditions in the first polishing step so that the obtained film thickness distribution of the first film agrees with the preliminarily set film thickness distribution of the first film. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够防止多步抛光中的先前处理对后续处理施加负载的抛光方法。解决方案：抛光方法包括：抛光和去除在待抛光对象上形成的第一膜的大部分的第一抛光步骤; 第二抛光步骤，在留下布线部分的同时，研磨和除去第一膜的剩余部分直到第二膜暴露于表面; 预先设定从第一研磨工序向第二研磨工序移动的第一膜的膜厚分布的工序; 在第一研磨步骤中使用涡流传感器测量第一膜厚度以获得第一膜的膜厚分布的步骤; 以及在第一研磨工序中调整研磨条件的步骤，使得所得到的第一膜的膜厚分布与预先设定的第一膜的膜厚分布一致。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2006147773A Polishing apparatus and polishing method 审中-公开
标题翻译：抛光装置和抛光方法
公开(公告)号：JP2006147773A
公开(公告)日：2006-06-08
申请号：JP2004334548
申请日：2004-11-18
申请人： Ebara Corp , 株式会社荏原製作所
发明人： KOHAMA TATSUYA , OBATA ITSUKI , NOMURA SUEKAZU
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , B24B37/005 , B24B37/07 , B24B37/20
CPC分类号： B24B37/04 , B24B57/02
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing apparatus which can supply a polishing solution uniformly and sufficiently to a surface to be polished of a polishing object. SOLUTION: The polishing apparatus is provided with a polishing table 22 having a polishing surface 52, and a top ring 24 to hold a semiconductor wafer W and press down it to a polishing surface 52. In addition, it is also provided with a polishing solution supply port 57 to supply a polishing solution Q to the polishing surface 52; and a moving mechanism to move the polishing solution supply port 57 so that the polishing solution Q may be uniformly given to the entire surface of the semiconductor wafer W, according to the relative movement between the semiconductor wafer W and the polishing surface 52. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够将研磨液均匀且充分地供给到抛光对象的被研磨面的研磨装置。解决方案：抛光装置设置有具有抛光表面52的抛光台22和用于保持半导体晶片W并将其按压到抛光表面52的顶环24。另外，还设置有抛光液供给口57，将抛光液Q供给到研磨面52; 以及移动机构，用于移动抛光溶液供给口57，使得可以根据半导体晶片W和抛光表面52之间的相对移动将抛光液Q均匀地赋予到半导体晶片W的整个表面。
版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

5. 发明专利

JP2006066425A Method of polishing semiconductor substrate 审中-公开
标题翻译：抛光半导体衬底的方法
公开(公告)号：JP2006066425A
公开(公告)日：2006-03-09
申请号：JP2004243646
申请日：2004-08-24
申请人： Ebara Corp , Nec Electronics Corp , Necエレクトロニクス株式会社 , 株式会社荏原製作所
发明人： KUBO TORU , NOMURA SUEKAZU
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To certainly form a copper interconnection and a copper plug in a chemical mechanical polishing method. SOLUTION: The semiconductor substrate polishing method comprises a first polishing process (step 52) wherein a wafer W is pushed against the polishing surface of a first polishing table, and then the wafer W is polished by relative motion of the polishing surface and the wafer W; and a first water polishing process (step 53) wherein, while injecting a mixed fluid of pure water and gas against the polishing surface of the first polishing table, the wafer W polished in the first polishing process is pushed against the polishing surface of the first polishing table at a bearing pressure of 100 hPa or above, and the object to be polished is polished for 30 seconds or longer by relative motion of the polishing surface and the object to be polished. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：以化学机械抛光方法肯定形成铜互连和铜插塞。解决方案：半导体衬底抛光方法包括第一抛光工艺（步骤52），其中将晶片W推向第一抛光台的抛光表面，然后通过抛光表面的相对运动抛光晶片W，以及晶片W; 和第一水洗抛光工序（步骤53），其中在将纯水和气体的混合流体注入第一研磨台的抛光表面的同时，在第一抛光工艺中抛光的晶片W被推向第一抛光工艺的抛光表面在100hPa以上的轴承压力下的研磨台，通过研磨面和被研磨对象物的相对运动将被研磨物抛光30秒以上。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

6. 发明专利

JP2005277396A Substrate processing method and apparatus 审中-公开
标题翻译：基板加工方法和装置
公开(公告)号：JP2005277396A
公开(公告)日：2005-10-06
申请号：JP2005041765
申请日：2005-02-18
申请人： Ebara Corp , 株式会社荏原製作所
发明人： FUKUNAGA AKIRA , NOMURA SUEKAZU , TOKUSHIGE KATSUHIKO , TSUJIMURA MANABU
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/304 , H01L21/306
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing method and apparatus capable of polishing the metal film of a substrate in such a state that a native oxide on the metal film formed on the substrate is removed , and of realizing the uniform planarization of the substrate. SOLUTION: The substrate processing apparatus includes a processing unit for removing a native oxide of a metal that is formed on the surface of the metal film on a wafer W and polishing units 16 and 17 for performing chemical mechanical polishing of the metal film of the wafer W. The processing unit is a wet etching unit 14 using a chemical liquid capable of dissolving the native oxide of the metal or a dry etching unit 206 using a gas capable of reducing or etching the native oxide of the metal. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在去除形成在基板上的金属膜上的天然氧化物的状态下抛光基板的金属膜的基板处理方法和装置，并且实现均匀的平坦化的基底。解决方案：基板处理装置包括用于去除在晶片W上形成在金属膜的表面上的金属的天然氧化物的处理单元和用于进行金属膜的化学机械抛光的抛光单元16和17 处理单元是使用能够还原或蚀刻金属的天然氧化物的气体，使用能够溶解金属的天然氧化物的化学液体或干蚀刻单元206的湿蚀刻单元14。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

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