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1. 发明专利

DE112014001829T5 Verfahren zur Herstellung eines Wärmetauschers und Wärmetauscher 未知
公开(公告)号：DE112014001829T5
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：DE112014001829
申请日：2014-03-27
申请人： DENSO CORP
发明人： KAFUKU KAZUAKI , KUROYANAGI ISAO , YAMANAKA YASUTOSHI , TERA RYONOSUKE , SANO YUKIHIRO
IPC分类号： F28F19/02 , B23K1/00 , C23C16/40 , F28D7/00 , F28F1/40
摘要： Ein Verfahren zur Herstellung eines Wärmetauschers umfasst: Zusammenbauen einer Mehrzahl von Wärmetauscherkomponenten (21, 22) in einem Montageschritt; und Bilden eines Überzugs (30, 31, 32, 33, 34, 35) auf Oberflächen von den Wärmetauscherkomponenten (21, 22) unter Verwenden eines chemischen Dampfablagerungsverfahrens in einem Überzugbildungsschritt nach dem Mantageschritt. Der Überzug kann eine Ausbildung von einem Durchgangsloch aufgrund einer Korrosion einschränken. Der Überzug kann darin eingeschränkt werden, um bei einer Lieferung oder bei einem Zeitpunkt eines Zusammenbaus beschädigt zu werden, da der Überzugbildungsschritt nach dem Montageschritt vorgesehen ist. Ein Auftreten einer Zusetzung kann an einem winzigen Abschnitt im Innern von dem Wärmetauscher bei dem Überzugbildungsschritt eingeschränkt werden, da der Überzug unter Verwenden des chemischen Dampfablagerungsverfahrens gebildet wird.

2. 发明专利

DE112015005423T5 Beschichtungsstruktur, Wärmetauscher und Verfahren zur Herstellung eines Wärmetauschers 未知
公开(公告)号：DE112015005423T5
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：DE112015005423
申请日：2015-11-24
申请人： DENSO CORP
发明人： KAFUKU KAZUAKI , SANO YUKIHIRO , HAYASHI TAKAYUKI , TOMISAKA MANABU , TERA RYONOSUKE
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/40 , C23C16/42 , F01N13/16
摘要： Eine Beschichtungsstruktur umfasst eine Basis (1), die aus Metall hergestellt ist, eine Grundschicht (2), die auf der Basis bereitgestellt ist; und einen Isolierfilm (3), der auf der Grundschicht (2) bereitgestellt ist. Der Isolierfilm (3) umfasst mehrere Schichten (31, 32), wobei jede Schicht der mehreren Schichten (31, 32) aus einem anderen Material ist, wobei die mehreren Schichten abwechselnd miteinander geschichtet sind. Die Grundschicht wird durch ein anderes Verfahren als ein Beschichtungsverfahren unter Verwendung einer chemischen Oberflächenreaktion, die auf der Basis stattfindet, bereitgestellt, und ein Teil der Grundschicht, die in Berührung mit der Basis ist, ist amorph. Wenn ein Fremdmaterial auf der Basis haftet, kann das Fremdmaterial dementsprechend durch die Grundschicht abgedeckt werden. Da der Isolierfilm auf der Grundschicht bereitgestellt wird, kann die Ausbildung von Defekten des Isolierfilms, die durch das Fremdmaterial verursacht wird, begrenzt werden.

3. 发明专利

JP2014116419A Semiconductor device manufacturing method 有权
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2014116419A
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：JP2012268653
申请日：2012-12-07
申请人： Denso Corp , 株式会社デンソー
发明人： TOMISAKA MANABU , TAYA ATSUSHI , UCHIDA TOMOYA , SANO YUKIHIRO
IPC分类号： H01L21/3065 , B23K26/00 , B23K26/364 , H01L21/306 , H01L21/308
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device manufacturing method capable of improving productivity by achieving reduction in processing time.SOLUTION: A semiconductor device manufacturing method comprises: emitting laser beams L by a laser beam irradiation device 30 from one surface 10a side of a semiconductor substrate 10 by setting a light focusing point P at inside the semiconductor substrate 10 to form a modified region K; subsequently removing a region from the one surface 10a side to the modified region K and the modified region K by etching to form a trench 20 such that a width of an opening 20a of the trench 20 formed on the one surface 10a side becomes narrower than a width of an internal region formed by removing the modified region K.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够通过减少处理时间来提高生产率的半导体器件制造方法。解决方案：一种半导体器件制造方法，包括：通过激光束照射装置30从一个表面10a侧发射激光束L 半导体衬底10通过将聚光点P设置在半导体衬底10内部以形成改质区域K; 随后通过蚀刻将一个表面10a侧的区域从改质区域K和修饰区域K移除，以形成沟槽20，使得形成在一个表面10a侧的沟槽20的开口20a的宽度变得比通过去除修饰区域K形成的内部区域的宽度。

4. 发明专利

JP2000149340A OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND ITS PRODUCTION 失效
公开(公告)号：JP2000149340A
公开(公告)日：2000-05-30
申请号：JP35648098
申请日：1998-12-15
申请人： DENSO CORP
发明人： KAWAI SHOICHI , KUNO HIRONARI , SANO YUKIHIRO , KAWACHI TAIJI , TANAKA TORU , YATO YUJI
IPC分类号： G11B7/24 , G11B7/26
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To make the thickness of a recording film uniform when the recording film is vacuum-deposited on a substrate using a material having a specified melting point to produce an optical information recording medium. SOLUTION: A material W for a recording layer (recording film) 3 is put in a hermetically sealed crucible 7 having one or more openings 7a and the crucible 7 is disposed in a chamber 8 so that the openings 7a confront a substrate 2. The crucible 7 is heated with a heater 9 to evaporate the material W and the evaporated material is spouted from the openings 7a and vacuum- deposited on the substrate 2. When the deposition temperature, melting point and decomposition temperature of the material W are represented by Te, Tm and Ts, respectively, the relation of Tm

5. 发明专利

JP2014224645A 排気熱交換器审中-公开
标题翻译：排气换热器
公开(公告)号：JP2014224645A
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：JP2013104043
申请日：2013-05-16
申请人：株式会社デンソー , Denso Corp
发明人： AZEYANAGI ISAO , YAMANAKA YASUTOSHI , KAFUKU KAZUAKI , TERA AKINOSUKE , SANO YUKIHIRO , OTSUBO HIDEMASA
IPC分类号： F28F13/18 , B21D53/06 , F02M25/07 , F28D7/16 , F28F1/40 , F28F13/12
CPC分类号： Y02T10/121
摘要：【課題】部品点数を削減しつつ、腐食による貫通孔が生じること(孔食)を抑制できる排気熱交換器を提供する。【解決手段】内部を排気が流通し、外部を冷却媒体が流通するチューブ21と、チューブ21の内部に配置されるとともに、排気との伝熱面積を増大させるフィン22とを備え、フィン22は、チューブ21を構成するチューブ構成材料を切り起こすことにより形成されており、チューブ21の内表面およびフィン22の表面には、耐酸性を有する被膜30が形成されている。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在减少部件数量的同时减少由腐蚀（点腐蚀）引起的通孔的产生的排气热交换器。解决方案：排气热交换器包括：管21，其内部排气空气流过冷却介质流动的外部; 以及布置在管21中的翅片22，并且增加了与排气的热传递面积。翅片22通过切割和提升构成管21的管构成材料而形成，并且在管21的内表面和翅片22的表面上形成防酸涂膜30。

6. 发明专利

JP2014202390A 熱交換器の製造方法および熱交換器有权
标题翻译：热交换器制造方法和换热器
公开(公告)号：JP2014202390A
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：JP2013077625
申请日：2013-04-03
申请人：株式会社デンソー , Denso Corp
发明人： KAFUKU KAZUAKI , AZEYANAGI ISAO , YAMANAKA YASUTOSHI , TERA AKINOSUKE , SANO YUKIHIRO
IPC分类号： F28F19/02 , B23K1/00 , C23C16/40 , C23C16/455 , F28D7/00 , F28F1/40
CPC分类号： B23P15/26 , C23C16/405 , C23C16/45555 , F28D7/1684 , F28D9/0062 , F28F3/027 , F28F2275/04
摘要：【課題】腐食による貫通孔が生じることを確実に抑制できる熱交換器の製造方法および熱交換器を提供する。【解決手段】チューブ21およびフィン22を組み付ける組付工程と、組付工程の後に行われるとともに、チューブ21およびフィン22の表面に化学気相成長法によって被膜30を形成する被膜形成工程とを含んでいる。これによれば、被膜30により、チューブ21およびフィン22に腐食による貫通孔が生じることを抑制できる。このとき、被膜形成工程を組付工程の後に行うので、構成部品の搬送時や構成部品同士の組付時に被膜30に傷が付くことを防止できる。さらに、ドライコーティング法の一種である化学気相成長法によって被膜30を形成することで、被膜形成工程時に熱交換器内部の微細部において目詰まりを起こすことを防止できる。したがって、チューブ21およびフィン22に腐食による貫通孔が生じることを確実に抑制することが可能となる。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够确保抑制由于腐蚀而产生通孔的热交换器制造方法和热交换器。热交换器制造方法包括：组装管21和翅片22的组装步骤; 以及在组装步骤之后执行的涂膜形成步骤，通过化学气相生长法在管21和翅片22的表面上形成涂膜30。根据该方法，能够抑制由于腐蚀导致管21和翅片22的通孔的产生。此时，由于在组装步骤之后执行涂膜形成步骤，所以可以防止涂膜30在输送构成部件或将组成部件组装在一起时被损坏。此外，由于通过作为干式涂布方法的化学气相生长法形成涂膜30，因此可以防止热交换器中的非常细的部分在涂膜形成步骤期间被堵塞。因此，能够确保由于腐蚀而抑制管21和翅片22中的通孔的产生。

7. 发明专利

JP2007027565A Manufacturing method of semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2007027565A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：JP2005210210
申请日：2005-07-20
申请人： Denso Corp , 株式会社デンソー
发明人： TOMISAKA MANABU , SANO YUKIHIRO , MIZUNO YOSHIAKI , KONDO ICHIJI , MAKINO TOMOATSU
IPC分类号： H01L21/304 , B23D1/02
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of suppressing fluctuation in element characteristics which is caused by static electricity occurring at grinding for insulating separation between electrodes.
SOLUTION: A metal film 4 formed on the entire surface of a wafer is formed on the surface of a protective film 3 while the metal film 4 is formed by deposition, spatter, or vapor deposition, so that an unrequired part of the metal film 4 is removed along with a part of the protective film 3. At that time, removing of the unrequired part is performed by machining using a grounded bite 10. So, the static electricity that occurs at grinding and electric charges generated when the protective film 3 or the like is cut off are absorbed through the bite 10, resulting in preventing a semiconductor element from being charged.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供能够抑制在研磨时产生的静电引起的元件特性波动的半导体器件的制造方法，用于电极之间的绝缘分离。解决方案：在保护膜3的表面上形成在晶片的整个表面上的金属膜4，同时通过沉积，溅射或气相沉积形成金属膜4，使得不需要的部分金属膜4与保护膜3的一部分一起被去除。此时，通过使用接地咬合机10的机械加工来去除不需要的部件。因此，在研磨时发生的静电和当保护性切断的薄膜3等被咬入10吸收，从而防止半导体元件带电。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2005227090A Hydrogen concentration detector and hydrogen concentration detecting method 有权
标题翻译：氢浓度检测器和氢浓度检测方法
公开(公告)号：JP2005227090A
公开(公告)日：2005-08-25
申请号：JP2004035242
申请日：2004-02-12
申请人： Denso Corp , 株式会社デンソー
发明人： SANO YUKIHIRO , TAKEUCHI YUKIHIRO , ABE KICHIJI
IPC分类号： G01N27/00 , G01N27/04 , G01N33/00
CPC分类号： G01N33/005
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a hydrogen concentration detecting method enhanced in detection precision.
SOLUTION: In the hydrogen concentration detecting method, a first heating resistor, which is changed in first electrophysical quantity by the concentration of hydrogen and the second heating resistor, which is adjacent to the first heating resistor in a gas flow direction and changed in second electrophysical quantity with respect to the concentration of hydrogven in the same way as the first electrophysical quantity, are used to detect the concentration of hydrogen on the bases of the first and second electrophysical quantities. This hydrogen concentration detecting method includes a change quantity calculating stage (S3) for setting one of the first and second electrophysical quantities as noticing physical quantity to calculate the change quantity of the noticing physical quantity, a correction quantity calculating stage (S5) for calculating correction quantity on the basis of the difference between the first and second electrophysical quantities and a concentration calculating stage (S7) for calculating the concentration of hydrogen on the basis of the difference between the change quantity of the noticing physical quantity and the correction quantity.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供检测精度提高的氢浓度检测方法。解决方案：在氢浓度检测方法中，第一加热电阻器通过氢气浓度和第二加热电阻器在气体流动方向上与第一加热电阻器相邻而在第一电化学量上改变，并且改变以与第一电化学量相同的方式相对于水压的浓度的第二电物量用于在第一和第二电物量的基础上检测氢的浓度。这种氢浓度检测方法包括：用于将第一和第二电物质中的一个设置为注意物理量的变化量计算级（S3），以计算注意物理量的变化量;校正量计算级（S5），用于计算校正基于第一和第二电物量之间的差数和基于注意物理量的变化量与校正量之间的差来计算氢浓度的浓度计算级（S7）的数量。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

9. 发明专利

JP2000182278A OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND ITS PRODUCTION 失效
公开(公告)号：JP2000182278A
公开(公告)日：2000-06-30
申请号：JP35647998
申请日：1998-12-15
申请人： DENSO CORP
发明人： SANO YUKIHIRO , KAWACHI TAIJI , KAWAI SHOICHI
IPC分类号： G11B7/24 , G11B7/26
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical information recording medium having high recording sensitivity which prevents escaping of the energy absorbed by a recording film when the medium is irradiated with recording laser light through a reflecting film. SOLUTION: This optical information recording medium 100 is produced by successively laminating a recording film 2 and a reflecting film 4 on one surface 1a of a transparent substrate 1, and information is recorded in the recording film 2 by irradiation of recording laser light through the other surface 1b of the substrate 1. In this medium, a heat insulating film 3 having lower thermal conductivity than that of the reflecting film 4 is formed between the recording film 2 and the reflecting film 4.

10. 发明专利

JP2008103623A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2008103623A
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：JP2006286445
申请日：2006-10-20
申请人： Denso Corp , 株式会社デンソー
发明人： SANO YUKIHIRO , KONDO ICHIJI , SAKAMOTO ZENJI , TOMISAKA MANABU , MAKINO TOMOATSU
IPC分类号： H01L23/473
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device having a cooling structure whose cooling efficiency is high. SOLUTION: A semiconductor device 100 comprises a power mold 10 and ceramic tubes 21, 22 of the both sides. The power mold 10 has a power element 15, and a pair of lead frames 12, 13 which sandwiches the power element, and exposes the outside surface of the lead frames 12, 13, and is molded by a resin 18. The ceramic tubes 21, 22 have cooling medium passages 23, 24 where cooling medium flows, and are jointed to the outside surface of the lead frames 12, 13 through metals 25, 26 for joint. Two opposite walls of the cooling medium passages 23, 24 of the ceramic tubes 21, 22 are different in thickness, and a wall with thin thickness is jointed to the outer surface of the lead frames 12, 13. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有冷却效率高的冷却结构的半导体器件。解决方案：半导体器件100包括电源模具10和两侧的陶瓷管21,22。电动模具10具有功率元件15和一对引线框架12,13，它们夹住功率元件，并且暴露引线框架12,13的外表面，并由树脂18模制。陶瓷管21 22具有冷却介质流动的冷却介质通道23,24，并且通过用于接合的金属25,26连接到引线框架12,13的外表面。陶瓷管21,22的冷却介质通道23,24的两个相对的壁的厚度不同，并且具有薄的厚度的壁与引线框架12,13的外表面接合。版权所有（C））2008，JPO＆INPIT

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