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1. 发明专利

DE102010041541A1 Verfahren zum Ausbilden einer Metallelektrode einer Halbleitereinrichtung und Vorrichtung zum Ausbilden einer Metallelektrode 未知
公开(公告)号：DE102010041541A1
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：DE102010041541
申请日：2010-09-28
申请人： DENSO CORP
发明人： TOMISAKA MANABU , KATOU HIDETOSHI , FUKUDA YUTAKA , TAI AKIRA , AKAMATSU KAZUO
IPC分类号： H01L21/683 , G01N21/84 , H01L21/28 , H01L21/304 , H01L21/3205 , H01L21/66 , H01L21/68

2. 发明专利

DE112015005423T5 Beschichtungsstruktur, Wärmetauscher und Verfahren zur Herstellung eines Wärmetauschers 未知
公开(公告)号：DE112015005423T5
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：DE112015005423
申请日：2015-11-24
申请人： DENSO CORP
发明人： KAFUKU KAZUAKI , SANO YUKIHIRO , HAYASHI TAKAYUKI , TOMISAKA MANABU , TERA RYONOSUKE
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/40 , C23C16/42 , F01N13/16
摘要： Eine Beschichtungsstruktur umfasst eine Basis (1), die aus Metall hergestellt ist, eine Grundschicht (2), die auf der Basis bereitgestellt ist; und einen Isolierfilm (3), der auf der Grundschicht (2) bereitgestellt ist. Der Isolierfilm (3) umfasst mehrere Schichten (31, 32), wobei jede Schicht der mehreren Schichten (31, 32) aus einem anderen Material ist, wobei die mehreren Schichten abwechselnd miteinander geschichtet sind. Die Grundschicht wird durch ein anderes Verfahren als ein Beschichtungsverfahren unter Verwendung einer chemischen Oberflächenreaktion, die auf der Basis stattfindet, bereitgestellt, und ein Teil der Grundschicht, die in Berührung mit der Basis ist, ist amorph. Wenn ein Fremdmaterial auf der Basis haftet, kann das Fremdmaterial dementsprechend durch die Grundschicht abgedeckt werden. Da der Isolierfilm auf der Grundschicht bereitgestellt wird, kann die Ausbildung von Defekten des Isolierfilms, die durch das Fremdmaterial verursacht wird, begrenzt werden.

3. 发明专利

DE102010042606A1 Manufacturing method of semiconductor device 未知
公开(公告)号：DE102010042606A1
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：DE102010042606
申请日：2010-10-19
申请人： DENSO CORP
发明人： TOMISAKA MANABU , TAI AKIRA , AKAMATSU KAZUO , FUKUDA YUTAKA
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/283 , H01L21/78

4. 发明专利

DE102006001867A1 未知
公开(公告)号：DE102006001867A1
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：DE102006001867
申请日：2006-01-13
申请人： DENSO CORP
发明人： TOMISAKA MANABU , WATANABE YOSHIFUMI , TANAKA HIROAKI
IPC分类号： G01L9/00 , G01L19/06

5. 发明专利

DE102005033440A1 未知
公开(公告)号：DE102005033440A1
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：DE102005033440
申请日：2005-07-18
申请人： DENSO CORP
发明人： TANAKA HIROAKI , TOMISAKA MANABU
IPC分类号： G01L9/06 , G01L19/06
摘要： A pressure sensor includes a semiconductor substrate having a diaphragm in which an electrical circuit including a gauge resistance is formed, an insulation film provided on a surface of the semiconductor substrate, an Al film provided on the insulation film and electrically connected to the electrical circuit through a conductor hole of the insulation film, an Au film provided on the Al film through a Ti film, a first protective film which covers the Al film and has an opening portion from which a portion of the Au film is exposed. In the pressure sensor, a second protective film made of polyimideamide or polyimide covers at least the surface of the Au film exposed from the first protective film, and a vicinity of the opening portion of the first protective film. Therefore, corrosion resistance of the Al film can be prevented while the pressure sensor has a reduced component number.

6. 发明专利

DE10321509B4 Verfahren zum Füllen blinder Durchkontaktierungen und zum Bilden einer Elektrode 未知
公开(公告)号：DE10321509B4
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：DE10321509
申请日：2003-05-13
申请人： DENSO CORP
发明人： TOMISAKA MANABU , ANDO EIICHI , SHIMADA KIYOSHI , NOBATA HIROTAKA , OISHI TETSUJI , ABE YUSUKE , SONODA HARUKI , TATEHABA YOSHITO , OHTA YASUO , SUDA KAZUYUKI
IPC分类号： C25D5/02 , C25D3/38 , C25D5/18 , C25D7/12 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52 , H05K3/42
摘要： Verfahren zum Füllen blinder Durchkontaktierungen mit metallischem Kupfer, umfassend das Ätzen eines Substrats, so dass blinde Durchkontaktierungen mit einer Innenwand entstehen, das Bilden einer Keimschicht zum Plattieren der Innenwand der blinden Durchkontaktierungen und das Durchführen einer elektrischen Verkupferungsbehandlung mit der Keimschicht als eine Elektrode, in einem Kupfersulfat-Elektrolyt, so dass die blinden Durchkontaktierungen mit metallischem Kupfer gefüllt werden, wobei der Kupfersulfat-Elektrolyt die nachstehenden Bestandteile (a) und (b) enthält: (a) einen Polyether, der wenigstens fünf Ether-Sauerstoffatome in einem Molekül enthält; und (b) eine oder mehrere der durch die nachstehenden Formeln (I), (V) bis (X) gezeigten Substanzen: R1-S-(CH2O)n-R2-SO3M(I)worin R1 ein Wasserstoffatom, -(S)n-(CH2O)n-R2-SO3M oder -CSn-(CH2O)n-R2-SO3M ist, R2 für eine Alkylengruppe mit 3 bis 8 Kohlenstoffatomen steht, M für ein Wasserstoffatom oder ein alkalisches Metall steht und n gleich 0 oder 1 ist, M-SO3-(CH2)a-S-(CH2)b-SO3-M(V)worin a = 3 bis 8, b = 3 bis 8, M für Wasserstoff oder ein alkalisches Metallelement steht;...

7. 发明专利

DE102010041541A8 Verfahren zum Ausbilden einer Metallelektrode einer Halbleitereinrichtung und Vorrichtung zum Ausbilden einer Metallelektrode 未知
公开(公告)号：DE102010041541A8
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：DE102010041541
申请日：2010-09-28
申请人： DENSO CORP
发明人： TOMISAKA MANABU , KATOU HIDETOSHI , FUKUDA YUTAKA , TAI AKIRA , AKAMATSU KAZUO
IPC分类号： H01L21/683 , G01N21/84 , H01L21/28 , H01L21/304 , H01L21/3205 , H01L21/66 , H01L21/68

8. 发明专利

DE102010038933A1 Halbleitervorrichtung mit Halbleiterchip und Metallplatte und Verfahren zu deren Fertigung 未知
公开(公告)号：DE102010038933A1
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：DE102010038933
申请日：2010-08-05
申请人： DENSO CORP
发明人： FUKUOKA DAISUKE , TESHIMA TAKANORI , MAMITSU KUNIAKI , SAKAMOTO KEN , TOMISAKA MANABU , FUJII TETSUO , TAI AKIRA , AKAMATSU KAZUO , NISHIHATA MASAYOSHI
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/603 , H01L21/762 , H01L23/36

9. 发明专利

DE102008012678A1 未知
公开(公告)号：DE102008012678A1
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：DE102008012678
申请日：2008-03-05
申请人： DENSO CORP
发明人： TOMISAKA MANABU , KOJIMA HISATOSHI , NIIMI AKIHIRO
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/283
摘要： A metallic electrode forming method includes: forming a bed electrode on a substrate; forming a protective film with an opening on the bed electrode to expose the bed electrode from the opening; forming a metallic film covering the protective film and the opening; mounting the substrate on an adsorption stage, and measuring a surface shape of the metallic film by a surface shape measuring means; deforming the substrate by a deforming means so that a difference between the principal surface and a cutting surface is within a predetermined range; measuring a surface shape of the principal surface, and determining whether the difference is within a predetermined range; and cutting the substrate along with the cutting surface so that the metallic film is patterned to be a metallic electrode.

10. 发明专利

FR2880947A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UN CAPTEUR DE PRESSION 未知
公开(公告)号：FR2880947A1
公开(公告)日：2006-07-21
申请号：FR0600417
申请日：2006-01-17
申请人： DENSO CORP
发明人： TOMISAKA MANABU , WATANABE YOSHIFUMI , TANAKA HIROAKI
IPC分类号： G01L9/04 , G01L19/00
摘要： Un procédé de fabrication d'un capteur de pression comprend les étapes consistant à : préparer un substrat semi-conducteur (21) ; former un film isolant (22) sur le substrat (21) ; former un premier film métallique (23) sur le film isolant (22) ; former un premier film protecteur (25) sur le premier film métallique (23) et le film isolant (22) ; former un deuxième film protecteur (26) sur le premier film métallique (23) et le premier film protecteur (25) ; effectuer un traitement de réduction de la force adhésive sur le deuxième film protecteur (26), la force étant entre le deuxième film protecteur (26) et un deuxième film métallique (24, 27-29) ; former le deuxième film métallique (24, 27-29) sur le premier film métallique (23) et le premier film protecteur (25) ; et enlever une partie du deuxième film métallique (24, 27-29).

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