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1. 发明申请

WO2011061296A1 PROCEDE DE REALISATION D'EMPILEMENTS SUR PLUSIEURS NIVEAUX D'ENSEMBLES DE PUCES ELECTRONIQUES 审中-公开
标题翻译：生产多层硅芯片组件的堆叠的方法
公开(公告)号：WO2011061296A1
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：PCT/EP2010/067843
申请日：2010-11-19
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , CLAVELIER, Laurent , CHARLET, Barbara , DI CIOCCIO, Léa , SIGNAMARCHEIX, Thomas , ZUSSY, Marc
发明人： CLAVELIER, Laurent , CHARLET, Barbara , DI CIOCCIO, Léa , SIGNAMARCHEIX, Thomas , ZUSSY, Marc
IPC分类号： H01L21/98 , H01L25/065 , H01L21/66 , H01L21/68
CPC分类号： H01L22/20 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L22/14 , H01L24/03 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2224/04105 , H01L2224/80006 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/83447 , H01L2224/83894 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06565 , H01L2225/06596 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01058 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2224/80001 , H01L2224/03
摘要： Procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique doté d' au moins un niveau donné comportant une pluralité de puces (C1,...,Cn) empilées sur une autre pluralité de puces (C' 1,..., C' n) d'un niveau inférieur, le procédé comprenant des étapes de : - réalisation d'une première pluralité de puces sur une première plaque (100), - test électrique des puces (C1,..., Cn) de la première pluralité de puces afin de localiser une ou plusieurs puce (s) défectueuse (s) (C2) sur la première plaque, - fixation sur la première pluralité de puces d'un support temporaire (101-102), - séparation des puces entre elles par formation de tranchées (120) autour des puces, traversant la première plaque et dévoilant le support temporaire, - retrait de la ou des dite (s) puce (s) défectueuse (s), - assemblage de la première pluralité de puces avec une deuxième pluralité de puces (C' 1,..., C' n) reposant sur une deuxième plaque (200).
摘要翻译：本发明涉及一种具有至少一个给定电平的微电子装置，该电子装置包括堆叠在另一多个芯片（C'1，...，C'n）上的多个芯片（C1，...，Cn）水平; 该方法包括以下步骤：在第一板（100）上产生第一多个芯片，电测试第一多个芯片的芯片（C1，...，Cn），以便定位一个或多个有缺陷的芯片）（C2），将临时衬底（101-102）附接到第一多个芯片，通过在芯片周围形成通过第一板的沟槽（120）将芯片彼此分开，并暴露临时基板，去除所述有缺陷的芯片，将第一多个芯片组装到搁置在第二板（200）上的第二多个芯片（C'1，...，C'n）上。

2. 发明申请

WO2011009847A2 PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF A ELEMENT GRAPHIQUE 审中-公开
标题翻译：用于制造具有显示元件的器件的方法
公开(公告)号：WO2011009847A2
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/EP2010/060456
申请日：2010-07-20
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , DEGUET, Chrystel , REY, Alain-Marcel , SIGNAMARCHEIX, Thomas
发明人： DEGUET, Chrystel , REY, Alain-Marcel , SIGNAMARCHEIX, Thomas
IPC分类号： B44F1/04 , A44C27/00 , H01L21/316 , B44C1/22 , B32B3/30 , B32B17/00
CPC分类号： B44F1/04 , A44C27/00
摘要： Procédé de réalisation d'un dispositif (100) à élément graphique (108), comportant les étapes de : a) réalisation d'un empilement comportant une couche sacrificielle disposée entre un premier substrat et une couche protectrice (106), et un élément graphique (108) réalisé au niveau d'une première face de la couche protectrice opposée à une seconde face de la couche protectrice telle que ladite seconde face soit disposée contre la couche sacrificielle, b) solidarisation dudit empilement avec au moins un second substrat (116) telle que l'élément graphique soit disposé entre le premier substrat et le second substrat, c) désolidarisation de la couche sacrificielle vis-à-vis de la couche protectrice.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造具有显示元件（108）的装置（100）的方法，包括以下步骤：a）产生包括放置在第一基板和保护层（106）之间的牺牲层的堆叠，以及显示元件（108），其形成在所述保护层的与所述保护层的第二表面相对的第一表面上，使得所述第二表面抵靠所述牺牲层放置，b）用至少一个第二基板（116）固定所述堆叠，使得显示元件被放置在第一基板和第二基板之间，c）将牺牲层与保护层分离。

3. 发明申请

WO2014207184A1 PROCÉDÉ DE TRANSFERT D'UNE COUCHE MINCE AVEC APPORT D'ÉNERGIE THERMIQUE À UNE ZONE FRAGILISÉE VIA UNE COUCHE INDUCTIVE 审中-公开
标题翻译：用于通过电感层将热能供给薄层转移到脆弱区域的方法
公开(公告)号：WO2014207184A1
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：PCT/EP2014/063665
申请日：2014-06-27
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： SIGNAMARCHEIX, Thomas , AUGENDRE, Emmanuel , BENAISSA, Lamine
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/428 , H01L24/83 , H01L2224/29147 , H01L2224/83895
摘要： L'invention porte sur un procédé de transfert d'une couche mince (3) d'un premier substrat (B) vers un deuxième substrat (A) présentant des coefficients de dilation thermique différents, comprenant les étapes de : - fourniture d'au moins une couche intermédiaire (1) présentant un échauffement par induction, lorsqu'elle est soumise à un champ électromagnétique, supérieur à celui du premier et du deuxième substrats, - mise en contact du premier substrat (B) et du deuxième substrat (A), avec l'au moins une couche intermédiaire (1) intercalée entre eux, - fracture du premier substrat au niveau d'une zone fragilisée comprenant un apport d'énergie thermique au niveau de la zone fragilisée (Z) réalisé par application d'un champ électromagnétique à l'hétérostructure formée par la mise en contact du premier substrat et du deuxième substrat, ladite application générant un échauffement par induction localisé au niveau de la couche intermédiaire qui induit un gradient thermique dont la valeur locale au niveau de la zone fragilisée active le mécanisme de fracture.
摘要翻译：本发明涉及一种用于将薄层（3）从第一衬底（B）转移到具有不同热膨胀系数的第二衬底（A）的方法，包括以下步骤： - 提供至少一个中间层（1），其具有感应加热，当其经受比第一和第二基板的电磁场大的电磁场时， - 将第一基板（B）和第二基板（A）放置成与插入其间的至少一个中间层（1）接触， - 在脆弱区域破碎第一衬底，包括通过施加通过使第一衬底和第二衬底彼此接触而形成的异质结构电磁场而在脆弱区域（Z）提供热能，所述应用通过在中间层处局部诱导，这导致热梯度，其脆性区域的局部值激活压裂机构。

4. 发明申请

WO2017133976A1 ENGINEERED SUBSTRATE WITH EMBEDDED MIRROR 审中-公开
标题翻译：带有嵌入式镜子的工程基板
公开(公告)号：WO2017133976A1
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：PCT/EP2017/051751
申请日：2017-01-27
申请人： SOITEC , COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： GUIOT, Eric , TAUZIN, Aurélie , SIGNAMARCHEIX, Thomas , LAGOUTTE, Emmanuelle
IPC分类号： H01L31/0725 , C30B33/06 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L31/18 , H01L31/056 , H01L31/054 , H01L31/043
CPC分类号： H01L31/0547 , C30B25/02 , C30B29/08 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B33/06 , H01L21/76254 , H01L31/043 , H01L31/056 , H01L31/0725 , H01L31/184 , H01L31/1892 , H01L31/1896 , Y02E10/52 , Y02E10/544
摘要： Engineered substrate comprising: a seed layer made of a first semiconductor material for growth of a solar cell; a first bonding layer on the seed layer; a support substrate made of a second semiconductor material; a second bonding layer on a first side of the support substrate; a bonding interface between the first and second bonding layers; the first and second bonding layers each made of metallic material; wherein doping concentration and thickness of the engineered substrate, in particular of the seed layer, the support substrate, and both the first and second bonding layers, are selected such that the absorption of the seed layer is less than 20%, preferably less than 10%, as well as total area-normalized series resistance of the engineered substrate is less than 10 mOhm.cm 2 , preferably less than 5 mOhm.cm 2 .
摘要翻译：工程衬底，包括：由用于太阳能电池生长的第一半导体材料制成的晶种层; 种子层上的第一结合层; 由第二半导体材料制成的支撑衬底; 在所述支撑衬底的第一侧上的第二结合层; 第一结合层和第二结合层之间的结合界面; 第一和第二粘合层均由金属材料制成; 其中选择所述工程衬底（特别是所述籽晶层，所述支撑衬底以及所述第一和第二结合层两者）的掺杂浓度和厚度，使得所述籽晶层的吸收小于20％，优选小于10 ％以及工程衬底的总面积归一化串联电阻小于10mOhm.cm 2，优选小于5mOhm.cm 2。 >

5. 发明申请

WO2014202511A1 CELLULE SOLAIRE MULTI-JONCTIONS 审中-公开
标题翻译：多功能太阳能电池
公开(公告)号：WO2014202511A1
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：PCT/EP2014/062522
申请日：2014-06-16
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： BAUDRIT, Mathieu , SIGNAMARCHEIX, Thomas
IPC分类号： H01L25/04 , H01L31/0224 , H01L31/0725
CPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/022425 , H01L31/043 , H01L31/18 , H01L31/1876 , Y02E10/50
摘要： Cellule solaire comprenant un empilement d'au moins deux sous-cellules (23, 25), une diode tunnel (27), comportant une première et une seconde couches superposées (29, 31) fortement dopées selon des types de conductivités opposés, étant interposée entre deux sous-cellules voisines; une première électrode (35) et une deuxième électrode (39) respectivement en contact avec l'une (28) et l'autre (22) des faces disposées aux extrémités de l'empilement; et pour au moins une diode tunnel (27), une troisième électrode (41) et une quatrième électrode (43) respectivement en contact électrique avec la première couche (31) et la seconde couche (29) de la diode tunnel.
摘要翻译：本发明涉及一种包括至少两个子电池（23,25）的堆叠的太阳能电池，隧道二极管（27）包括具有相反导电类型的高度掺杂的第一和第二堆叠层（29,31），所述隧道二极管放置在两个相邻的子电池之间; 分别在所述堆叠的端部处的表面的一个（28）和另一个（22）接触的第一电极（35）和第二电极（39）以及分别与隧道二极管的第一层（31）和第二层（29）电接触的至少一个隧道二极管（27），第三电极（41）和第四电极（43）。

6. 发明授权

EP2456625B1 PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF A ELEMENT GRAPHIQUE 有权
标题翻译：一种用于生产设备有显示元件的
公开(公告)号：EP2456625B1
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：EP10733009.4
申请日：2010-07-20
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： DEGUET, Chrystel , REY, Alain-Marcel , SIGNAMARCHEIX, Thomas
IPC分类号： B44F1/04 , A44C27/00 , H01L21/316 , B44C1/22 , B32B3/30 , B32B17/00
CPC分类号： B44F1/04 , A44C27/00

7. 发明授权

EP2153462B1 METHOD FOR PRODUCING HYBRID COMPONENTS 有权
公开(公告)号：EP2153462B1
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：EP08760680.2
申请日：2008-06-06
申请人： Soitec , Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： SIGNAMARCHEIX, Thomas , FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/84
CPC分类号： H01L21/8258 , H01L21/76254 , H01L21/823807 , H01L21/823878 , H01L21/84
摘要： A method for producing a hybrid substrate, including a support substrate, a continuous buried insulator layer and, on this continuous layer, a hybrid layer including alternating zones of a first material and at least one second material, wherein these two materials are different by their nature and/or their crystallographic characteristics. The method forms a hybrid layer, including alternating zones of first and second materials, on a homogeneous substrate, assembles this hybrid layer, the continuous insulator layer and the support substrate, and eliminates a part at least of the homogeneous substrate, before or after the assembling.

8. 发明授权

EP2342745B1 PROCEDE D'ELABORATION D'UN SUBSTRAT HYBRIDE AYANT UNE COUCHE CONTINUE ELECTRIQUEMENT ISOLANTE ENTERREE 有权
标题翻译：工艺生产具有嵌入式电绝缘层持续混合衬底
公开(公告)号：EP2342745B1
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：EP09760239.5
申请日：2009-10-29
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： SIGNAMARCHEIX, Thomas , FOURNEL, Franck , CLAVELIER, Laurent , DEGUET, Chrystel
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/84
CPC分类号： H01L21/76254

9. 发明授权

EP3011592B1 CÉLLULE SOLAIRE MULTI-JONCTIONS, SON PROCÉDÉ DE FORMATION ET PROCÉDÉS D'UTILISATION 有权
公开(公告)号：EP3011592B1
公开(公告)日：2019-06-05
申请号：EP14729926.7
申请日：2014-06-16
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： BAUDRIT, Mathieu , SIGNAMARCHEIX, Thomas
IPC分类号： H01L31/043 , H01L31/0224 , H01L31/0725 , H01L31/18

10. 发明公开

EP2979306A1 Procédé de fabrication d'une structure à multijonctions pour cellule photovoltaïque 审中-公开
标题翻译：方法用于生产具有多个连接的结构用于光伏电池的
公开(公告)号：EP2979306A1
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：EP14718665.4
申请日：2014-03-24
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： LAGOUTTE, Emmanuelle , SIGNAMARCHEIX, Thomas
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0687 , H01L31/0693
CPC分类号： H01L31/1892 , H01L21/76254 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/1804 , H01L31/184 , H01L31/1896 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： Process for manufacturing a multi-junction structure for a photovoltaic cell. The process comprises steps consisting in: a) providing a first donor substrate (1) comprising a first carrier substrate (3) and a first seed layer (4) comprising a first material; b) providing a second donor substrate (5) comprising a second carrier substrate (6) and a second layer (7) comprising a second material different from the first material; c) bringing the first seed layer (4) and the second layer (7) into contact so as to obtain a direct bond between the first seed layer (4) and the second layer (7) with a view to forming the bonding interface (9); d) removing the first carrier substrate (3) so as to expose the first seed layer (4); and e) epitaxially growing at least one first junction (11) on the first seed layer (4).
摘要翻译：一种用于制造多结结构的光伏电池。该方法包括在步骤：a）提供包括第一载体衬底和第一晶种层，其包括第一材料的第一供体基底; b）提供包括第二载体基质和第二层，其包括与所述第一材料不同的第二材料的第二供体基底; C）使所述第一籽晶层和第二层相接触，从而获得所述第一籽晶层和以形成粘合界面上的第二层之间的直接键; d）除去所述第一载体基质，以暴露所述第一籽晶层; 和e）外延生长所述第一晶种层上的至少一个第一结。

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