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1. 发明申请

WO2012083944A3 METHOD FOR PRODUCING SILICON SOLAR CELLS HAVING A FRONT-SIDED TEXTURE AND A SMOOTH REAR SIDE SURFACE 审中-公开
标题翻译：用于生产硅太阳能电池正面纹理光滑的表面BACK
公开(公告)号：WO2012083944A3
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/DE2011075306
申请日：2011-12-09
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , MUENZER ADOLF , TEPPE ANDREAS , SCHOENE JAN , HEIN MATHIAS , KRUEMBERG JENS , KRUEMBERG SANDRA
发明人： MUENZER ADOLF , TEPPE ANDREAS , SCHOENE JAN , HEIN MATHIAS , KRUEMBERG JENS , KRUEMBERG SANDRA
IPC分类号： H01L31/052 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/056 , Y02E10/52
摘要： The invention relates to a method for producing a silicon solar cell which is smoothly etched on one side, in which a front and rear side of a silicon substrate are etched (10) to form a smooth texture, a dielectric coating is then applied onto the rear side of the silicon substrate (14, 16), and the front side of the silicon substrate is subsequently textured (20) by means of a texture etching medium. According to the invention, the dielectric coating formed on the rear side of the silicon substrate is used as an etching mask against the texture etching medium.
摘要翻译：形成一种用于制造单glattgeätzten硅太阳能电池，其特征在于，前侧和硅基板的背面是glattgeätzt（10）的方法，随后通过在硅衬底的背面上的电介质涂层（14，16），并随后在硅衬底的前表面由Texturätzmediums的手段纹理其中，在所述硅衬底的介电涂层的背面形成用作蚀刻掩模在Texturätzmedium（20）。

2. 发明申请

WO2012083938A3 SOLAR CELL HAVING A DIELECTRIC REAR FACE COATING AND METHOD FOR PRODUCING SAME 审中-公开
标题翻译：随着对介电背面涂层和方法太阳能电池及其
公开(公告)号：WO2012083938A3
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/DE2011075252
申请日：2011-10-14
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , TEPPE ANDREAS , MUENZER ADOLF , SCHOENE JAN , HEIN MATHIAS , WINTER PETER
发明人： TEPPE ANDREAS , MUENZER ADOLF , SCHOENE JAN , HEIN MATHIAS , WINTER PETER
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0527 , H01L31/022425 , H01L31/056 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a solar cell (11; 21; 31) comprising a dielectric coating (4) which is disposed on a rear face of the solar cell (11; 21; 31) and is covered at least partially by at least one flat contact (12; 22; 32), wherein a boundary line (14; 24; 34) of the at least one flat contact (12; 22; 32) has at least one recess (16a, 16b; 26a, 26b, 26c). The invention also relates to a method for producing same.
摘要翻译：太阳能电池（11; 21; 31），包括：在太阳能电池的后侧（11; 21; 31），其设置电介质涂层（4），其至少部分中的至少一个平坦的接触（12; 22; 32）被覆盖，其中的边界线（14; 24; 34）的至少一个凹部（16A，16B; 26A，26B，26C）具有，以及它们的制备方法，所述至少一个接触区域（; 22 32 12）。

3. 发明申请

WO2011107094A2 SOLAR CELL HAVING DIELECTRIC BACK REFLECTIVE COATING AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译： WITH FOR DIELECTRIC背面反射AND METHOD太阳能电池及其
公开(公告)号：WO2011107094A2
公开(公告)日：2011-09-09
申请号：PCT/DE2011075036
申请日：2011-03-03
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , MUENZER ADOLF , TEPPE ANDREAS , SCHOENE JAN , SCHLOSSER REINHOLD , KELLER STEFFEN
发明人： MUENZER ADOLF , TEPPE ANDREAS , SCHOENE JAN , SCHLOSSER REINHOLD , KELLER STEFFEN
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0547 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/056 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for producing a solar cell (70), wherein a layer stack (74, 76) of dielectric layers (74, 76) is applied (14, 16; 54, 56) to a back of a solar cell substrate (72) and the layer stack (74, 75) is heated and is held (20) at temperatures of at least 700°C during a time period of at least 5 minutes. The invention further relates to a solar cell (70).
摘要翻译：层堆叠（74;用于制造太阳能电池（70），其特征在于，在太阳能电池基板（72），介电层的层堆叠（74,76）的背面侧（74，76）施加所述的方法（54，56 14，16）加热75）和用于为至少700℃（20）和太阳能电池（70）的温度，持续至少5分钟保持。

4. 发明申请

WO2011107092A2 METHOD FOR DOPING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SOLAR CELL HAVING TWO-STAGE DOPING 审中-公开
标题翻译：方法用于掺杂半导体衬底太阳电池两级掺杂
公开(公告)号：WO2011107092A2
公开(公告)日：2011-09-09
申请号：PCT/DE2011075033
申请日：2011-03-03
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , TEPPE ANDREAS , GEIGER MATTHIAS , SCHLOSSER REINHOLD , MUENZER ADOLF , SCHOENE JAN , ISENBERG JOERG , KUEHN TINO , KELLER STEFFEN
发明人： TEPPE ANDREAS , GEIGER MATTHIAS , SCHLOSSER REINHOLD , MUENZER ADOLF , SCHOENE JAN , ISENBERG JOERG , KUEHN TINO , KELLER STEFFEN
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/068 , H01L21/02587 , H01L21/02675 , H01L21/268 , H01L31/1804 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for doping a semiconductor substrate (50), wherein the semiconductor substrate (50) is heated by irradiation (14) with laser radiation (60) and at the same time dopant from a dopant source (54) is diffused (16) into the semiconductor substrate (50) in heated regions (52), and wherein when the semiconductor substrate (50) is heated by the irradiation (14) with laser radiation (60), a surface portion of the semiconductor substrate (50) that is less than 10% of the total surface of all irradiated regions (62) is melted (18) and recrystallized (20). The invention further relates to a solar cell.
摘要翻译：（50）扩散的一种用于与激光辐射（60），而在被加热的区域（52）从在所述半导体衬底中的掺杂剂源（54）的掺杂剂掺杂的半导体衬底（50），其中所述半导体衬底（50）是通过照射（14）加热方法（16），并且其中，在所述加热通过辐照（14）利用激光辐射在半导体基板（50）（60）包括一表面的半导体基片的熔融（20）部分（50）（18）和重结晶是小于10％所有暴露的区域的总面积（62），以及太阳能电池。

5. 发明申请

WO2011085715A3 METHOD FOR CREATING A TWO-STAGE DOPING IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：方法培训两级掺杂在半导体衬底
公开(公告)号：WO2011085715A3
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：PCT/DE2011000013
申请日：2011-01-11
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , TEPPE ANDREAS , GEIGER MATTHIAS , SCHLOSSER REINHOLD , ISENBERG JOERG , KUEHN TINO , MUENZER ADOLF , KELLER STEFFEN
发明人： TEPPE ANDREAS , GEIGER MATTHIAS , SCHLOSSER REINHOLD , ISENBERG JOERG , KUEHN TINO , MUENZER ADOLF , KELLER STEFFEN
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for creating a two-stage doping in a semiconductor substrate (80), wherein in a doping area (89) to be provided with the two-stage doping (90, 92), dopant is diffused into the semiconductor substrate (80) by means of heavy diffusion (10) and in this way a high surface concentration of dopant is created, and after the heavy diffusion (10) the semiconductor substrate (80) is locally heated (12) in areas (91) of the two-stage doping (90, 92) to be doped more heavily and an oxide layer (88) is created (16) on the doping area (89).
摘要翻译：成由强扩散来提供形成在半导体衬底（80）的两级掺杂，其中，在所述两级掺杂（90，92）中的一个的方法，杂质区（89）（10）在所述半导体衬底（80）的掺杂剂被扩散，并在这时，形成高表面浓度掺杂剂，强扩散（10）之后在两级掺杂（90，92）在半导体衬底（80）的更强烈的掺杂区域（91）被局部加热（12），并且在杂质区域（89）形成氧化物层（88）（16）。

6. 发明申请

WO2012022329A3 METHOD FOR LOCALLY REMOVING A SURFACE LAYER, AND SOLAR CELL 审中-公开
标题翻译：方法表层及太阳能电池的局部切除
公开(公告)号：WO2012022329A3
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/DE2011075152
申请日：2011-06-28
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , KUEHN TINO , TEPPE ANDREAS , FRIESS TOBIAS , ESTURO-BRETON AINHOA , KELLER STEFFEN
发明人： KUEHN TINO , TEPPE ANDREAS , FRIESS TOBIAS , ESTURO-BRETON AINHOA , KELLER STEFFEN
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC分类号： H01L29/34 , H01L21/268 , H01L31/02363 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for locally removing a surface layer (36) which is applied to a texture (30) of a textured substrate, wherein the texture (30) has a multiplicity of structure elements (32) with structure tips (34) and/or structure edges, having the steps of locally irradiating the texture (30) through the surface layer (36) by means of laser radiation which at least partially penetrates through the surface layer (36) and which is at least partially absorbed by the texture (30), the intensity of which laser radiation is set such that the texture (30) is locally melted by means of the laser radiation and subsequently recrystallized (16), wherein the surface layer (36) is locally opened in the region of the structure tips (34) and/or of the structure edges such that the openings around the structure tips (34) and/or the structure edges after the local irradiation of the texture (30) are completely surrounded by continuous, non-open regions of the surface layer (36), and removing (18) the recrystallized regions (38) of the texture (30) in an etching step by means of an etching medium, wherein the surface layer (36) outside the recrystallized regions (38) is used as an etching mask against the etching medium, and to a solar cell (70).
摘要翻译：一种用于局部去除的表面层（36），其被施加到织构的衬底的织构（30）的过程中，织构（30）包括多个结构元件（32），其具有结构顶部（34）和/或具有结构的边缘，其包括以下步骤通过表面层的装置中的纹理（30）通过该表面层（36）的局部照射（36）至少部分地穿透和从纹理（30）至少部分地吸收激光辐射，其强度被设定为使得所述纹理（30）借助于激光辐射局部熔化和下面（16）中重结晶，其特征在于，使得根据纹理（30）的局部照射到尖端的结构中的开口在结构尖端的区域中的表面层（36）（34）和/或结构边缘局部地打开的（34）和/或围绕的表面层的连续的开放区域边缘结构（36）v 其中，从所述再结晶区域的表面层（36）远（38）用作抗蚀刻介质的蚀刻掩模通过蚀刻介质的装置在蚀刻步骤中的纹理（30）的再结晶区域（38）的包围ollständig，并除去（18），和太阳能电池（70）。

7. 发明申请

WO2012022349A3 METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL WITH A SELECTIVE EMITTER 审中-公开
标题翻译：一种用于生产太阳能电池具有选择性发射极
公开(公告)号：WO2012022349A3
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：PCT/DE2011075181
申请日：2011-08-02
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , OLKOWSKA-OETZEL JOLANTA , ISENBERG JOERG , TEPPE ANDREAS , GEIGER MATTHIAS
发明人： OLKOWSKA-OETZEL JOLANTA , ISENBERG JOERG , TEPPE ANDREAS , GEIGER MATTHIAS
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Method for producing a solar cell with a selective emitter comprising the steps of forming (10, 12, 14) a dopant-containing glass layer (55) on at least one part of a surface of a solar cell substrate (50), forming (16) a weakly doped emitter (58) in regions of the solar cell substrate (50) that are covered by the glass layer (55) by indiffusing (16) dopant from the glass layer (55) into the solar cell substrate (50), locally indiffusing (18) additional dopant from the glass layer (55) into the solar cell substrate (50) by locally heating (18) regions of the solar cell substrate (50) that are located below the glass layer (55) for the purpose of locally forming (18) heavily doped emitter regions (60), wherein, as dopant-containing glass layer (55), such a glass layer (55) is formed (10, 12, 14) on the at least one part of the surface of the solar cell substrate (50), which glass layer has a lower dopant concentration in a first partial layer (52) of the glass layer (55), said first partial layer being located nearer the surface of the solar cell substrate (50), than in a second partial layer (54) of the glass layer (55), said second partial layer being located further away from the surface of the solar cell substrate (50).
摘要翻译：一种用于轻掺杂发射极的制造太阳能电池与包含形成在太阳能电池基板（50）的表面的至少一部分上含有掺杂剂玻璃层（55）中的步骤（10，12，14）的选择性发射极，形成（16）处理（（58）覆盖在（玻璃层55）的太阳能电池基板50）（的区域由从玻璃层（55）（在该太阳能电池基板50的掺杂剂）的内部，局部扩散（18）附加的从玻璃层的掺杂剂的向内扩散16）（55 （）（在太阳能电池基板50）代入（通过局部加热18）位于（在玻璃层下方55），用于本地培训18的目的在太阳能电池基板（50）的）的区域）重掺杂发射极区域（60，其中含有作为掺杂剂玻璃层（ 55）这样的玻璃层（55形成）在所述至少（太阳能电池基板50）（10，12的表面的一部分，14）是一个 ř接近位于（50）的太阳能电池基板的玻璃层（55）具有从所述玻璃层（55）的所述太阳能电池基板（50）远离位于第二局部层（54）的表面的杂质浓度比在一个进一步的第一部分层（52）的表面上。

8. 发明申请

WO2012062298A3 METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL COMPRISING A SELECTIVE EMITTER, AND SOLAR CELL 审中-公开
标题翻译：一种用于生产太阳能电池具有选择性发射极和太阳能电池，
公开(公告)号：WO2012062298A3
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：PCT/DE2011075208
申请日：2011-08-31
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , OLKOWSKA-OETZEL JOLANTA , TEPPE ANDREAS , ISENBERG JOERG , VOYER CATHERINE
发明人： OLKOWSKA-OETZEL JOLANTA , TEPPE ANDREAS , ISENBERG JOERG , VOYER CATHERINE
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： A method for producing a solar cell comprising a selective emitter (58, 60), in which a first glass layer containing dopant of a first type is formed (12) on at least part of a surface of a solar cell substrate (50), a weakly doped emitter (58) is formed (12) in regions of the solar cell substrate (50) that are covered by the first glass layer by diffusion of dopant from the glass layer into the solar cell substrate, the first glass layer is removed (14), after the removal (14) of the first glass layer a second glass layer (52) containing dopant of the first type is formed (16) on at least a partial region of the weakly doped emitter (58) and additional dopant of the first type is diffused from the second glass layer (52) into the solar cell substrate (50) locally in regions of the solar cell substrate (50) that are covered by the second glass layer (52) by local heating (18) of the solar cell substrate (50), and in this way strongly doped emitter regions (60) are formed (18), and a solar cell.
摘要翻译：形成的方法，用于制造太阳能电池具有选择性发射极（58,60），其中含有至少一个在由所述太阳能电池基板的该第一玻璃层部分覆盖的太阳能电池基板（50）（12）的表面的部分的第一玻璃层的第一类型的掺杂剂（50）通过掺杂剂的扩散，从在一个轻掺杂发射极（58）（12）的太阳能电池基板的玻璃层形成，所述第一玻璃层被除去（14），所述第一玻璃层的上的至少一部分去除（14）之后由太阳能电池基板的局部加热（18），（50）局部地附加形成的轻掺杂发射极（58）具有含玻璃层（52）（16）的第二掺杂剂的第一类型和覆盖在所述第二玻璃层的太阳能电池基板（50）的（52）的区域从第二玻璃层掺杂第一类型（52）设置在所述太阳能电池基底扩散（50）形成并以这种方式重掺杂发射极区域（60）（18）和太阳能电池。

9. 发明专利

DE102010048437B4 Solarzelle mit dielektrischer Rückseitenbeschichtung und Verfahren zu deren Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102010048437B4
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：DE102010048437
申请日：2010-10-15
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人： TEPPE ANDREAS , MÜNZER ADOLF , SCHÖNE JAN , HEIN MATHIAS , WINTER PETER
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/04 , H01L31/18
摘要： Solarzelle (11; 21; 31) aufweisend eine auf einer Rückseite der Solarzelle (11; 21; 31) angeordnete dielektrische Beschichtung (4), welche zumindest teilweise von wenigstens einem flächigen Kontakt (12; 22; 32) bedeckt ist, wobei zur Vermeidung lokaler Kurzschlüsse eine Berandungslinie (14; 24; 34) des wenigstens einen flächigen Kontakts (12; 22; 32) mindestens einen Rücksprung (16a, 16b; 26a, 26b, 26c) aufweist und in einem durch den mindestens einen Rücksprung (16a, 16b; 26a, 26b, 26c) von dem flächigen Kontakt (12; 22; 32) frei gehaltenen Bereich der Rückseite die dielektrische Beschichtung (4) zumindest abschnittsweise eine Dicke von weniger als 50% ihrer maximalen Dicke aufweist.

10. 发明专利

DE102011056843A1 Verfahren zur Stabilisierung eines Wirkungsgrades von Siliziumsolarzellen 未知
公开(公告)号：DE102011056843A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：DE102011056843
申请日：2011-12-21
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人： ISENBERG JOERG , TEPPE ANDREAS
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/326
摘要： Verfahren zur Stabilisierung eines Wirkungsgrades wenigstens einer Siliziumsolarzelle (50) aufweisend folgende Schritte: Halten (16) einer Temperatur der wenigstens einen Siliziumsolarzelle (50) während einer Stabilisierungszeit in einem Temperaturbereich mit einer Temperaturuntergrenze von 50 °C, Erzeugen (18) von Überschussminoritätsladungsträgern in der wenigstens einen Siliziumsolarzelle (50) während der Stabilisierungszeit durch Beaufschlagen (18) der wenigstens einen Siliziumsolarzelle (50) mit einem elektrischen Strom, Einlaminieren (14) der wenigstens einen Siliziumsolarzelle (50) in ein Schutzmaterial (52, 64), wobei das Halten (16) der Temperatur der wenigstens einen Siliziumsolarzelle (50) in dem Temperaturbereich und das Beaufschlagen (18) der wenigstens einen Siliziumsolarzelle (50) mit dem elektrischen Strom während des Verfahrensschrittes des Einlaminierens (14) erfolgen.

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