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1. 发明申请

WO2012022349A3 METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL WITH A SELECTIVE EMITTER 审中-公开
标题翻译：一种用于生产太阳能电池具有选择性发射极
公开(公告)号：WO2012022349A3
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：PCT/DE2011075181
申请日：2011-08-02
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , OLKOWSKA-OETZEL JOLANTA , ISENBERG JOERG , TEPPE ANDREAS , GEIGER MATTHIAS
发明人： OLKOWSKA-OETZEL JOLANTA , ISENBERG JOERG , TEPPE ANDREAS , GEIGER MATTHIAS
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Method for producing a solar cell with a selective emitter comprising the steps of forming (10, 12, 14) a dopant-containing glass layer (55) on at least one part of a surface of a solar cell substrate (50), forming (16) a weakly doped emitter (58) in regions of the solar cell substrate (50) that are covered by the glass layer (55) by indiffusing (16) dopant from the glass layer (55) into the solar cell substrate (50), locally indiffusing (18) additional dopant from the glass layer (55) into the solar cell substrate (50) by locally heating (18) regions of the solar cell substrate (50) that are located below the glass layer (55) for the purpose of locally forming (18) heavily doped emitter regions (60), wherein, as dopant-containing glass layer (55), such a glass layer (55) is formed (10, 12, 14) on the at least one part of the surface of the solar cell substrate (50), which glass layer has a lower dopant concentration in a first partial layer (52) of the glass layer (55), said first partial layer being located nearer the surface of the solar cell substrate (50), than in a second partial layer (54) of the glass layer (55), said second partial layer being located further away from the surface of the solar cell substrate (50).
摘要翻译：一种用于轻掺杂发射极的制造太阳能电池与包含形成在太阳能电池基板（50）的表面的至少一部分上含有掺杂剂玻璃层（55）中的步骤（10，12，14）的选择性发射极，形成（16）处理（（58）覆盖在（玻璃层55）的太阳能电池基板50）（的区域由从玻璃层（55）（在该太阳能电池基板50的掺杂剂）的内部，局部扩散（18）附加的从玻璃层的掺杂剂的向内扩散16）（55 （）（在太阳能电池基板50）代入（通过局部加热18）位于（在玻璃层下方55），用于本地培训18的目的在太阳能电池基板（50）的）的区域）重掺杂发射极区域（60，其中含有作为掺杂剂玻璃层（ 55）这样的玻璃层（55形成）在所述至少（太阳能电池基板50）（10，12的表面的一部分，14）是一个 ř接近位于（50）的太阳能电池基板的玻璃层（55）具有从所述玻璃层（55）的所述太阳能电池基板（50）远离位于第二局部层（54）的表面的杂质浓度比在一个进一步的第一部分层（52）的表面上。

2. 发明申请

WO2012062298A3 METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL COMPRISING A SELECTIVE EMITTER, AND SOLAR CELL 审中-公开
标题翻译：一种用于生产太阳能电池具有选择性发射极和太阳能电池，
公开(公告)号：WO2012062298A3
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：PCT/DE2011075208
申请日：2011-08-31
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , OLKOWSKA-OETZEL JOLANTA , TEPPE ANDREAS , ISENBERG JOERG , VOYER CATHERINE
发明人： OLKOWSKA-OETZEL JOLANTA , TEPPE ANDREAS , ISENBERG JOERG , VOYER CATHERINE
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： A method for producing a solar cell comprising a selective emitter (58, 60), in which a first glass layer containing dopant of a first type is formed (12) on at least part of a surface of a solar cell substrate (50), a weakly doped emitter (58) is formed (12) in regions of the solar cell substrate (50) that are covered by the first glass layer by diffusion of dopant from the glass layer into the solar cell substrate, the first glass layer is removed (14), after the removal (14) of the first glass layer a second glass layer (52) containing dopant of the first type is formed (16) on at least a partial region of the weakly doped emitter (58) and additional dopant of the first type is diffused from the second glass layer (52) into the solar cell substrate (50) locally in regions of the solar cell substrate (50) that are covered by the second glass layer (52) by local heating (18) of the solar cell substrate (50), and in this way strongly doped emitter regions (60) are formed (18), and a solar cell.
摘要翻译：形成的方法，用于制造太阳能电池具有选择性发射极（58,60），其中含有至少一个在由所述太阳能电池基板的该第一玻璃层部分覆盖的太阳能电池基板（50）（12）的表面的部分的第一玻璃层的第一类型的掺杂剂（50）通过掺杂剂的扩散，从在一个轻掺杂发射极（58）（12）的太阳能电池基板的玻璃层形成，所述第一玻璃层被除去（14），所述第一玻璃层的上的至少一部分去除（14）之后由太阳能电池基板的局部加热（18），（50）局部地附加形成的轻掺杂发射极（58）具有含玻璃层（52）（16）的第二掺杂剂的第一类型和覆盖在所述第二玻璃层的太阳能电池基板（50）的（52）的区域从第二玻璃层掺杂第一类型（52）设置在所述太阳能电池基底扩散（50）形成并以这种方式重掺杂发射极区域（60）（18）和太阳能电池。

3. 发明专利

DE102010054182A1 Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einem selektiven Emitter 未知
公开(公告)号：DE102010054182A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：DE102010054182
申请日：2010-12-10
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人： OLKOWSKA-OETZEL JOLANTA , ISENBERG JOERG , TEPPE ANDREAS , GEIGER MATTHIAS
IPC分类号： H01L31/18
摘要： Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einem selektiven Emitter aufweisend die Schritte des Ausbildens (10, 12, 14) einer Dotierstoff enthaltenden Glasschicht (55) auf wenigstens einem Teil einer Oberfläche eines Solarzellensubstrats (50), des Ausbildens (16) eines schwach dotierten Emitters (58) in von der Glasschicht (55) bedeckten Bereichen des Solarzellensubstrats (50) durch Eindiffusion (16) von Dotierstoff aus der Glasschicht (55) in das Solarzellensubstrat (50) hinein, der lokalen Eindiffusion (18) zusätzlichen Dotierstoffs aus der Glasschicht (55) in das Solarzellensubstrat (50) hinein durch lokales Erhitzen (18) von unter der Glasschicht (55) gelegenen Bereichen des Solarzellensubstrats (50) zum Zwecke der lokalen Ausbildung (18) stark dotierter Emitterbereiche (60), bei welchem als Dotierstoff enthaltende Glasschicht (55) solch eine Glasschicht (55) auf dem wenigstens einen Teil der Oberfläche des Solarzellensubstrats (50) ausgebildet wird (10, 12, 14), die in einer näher an der Oberfläche des Solarzellensubstrats (50) gelegenen ersten Teilschicht (52) der Glasschicht (55) eine niedrigere Dotierstoffkonzentration aufweist als in einer weiter von der Oberfläche des Solarzellensubstrats (50) entfernt gelegenen zweiten Teilschicht (54) der Glasschicht (55).

4. 发明专利

DE102010033030A1 Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einem selektiven Emitter 未知
公开(公告)号：DE102010033030A1
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：DE102010033030
申请日：2010-08-02
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人： OLKOWSKA-OETZEL JOLANTA , ISENBERG JOERG , TEPPE ANDREAS
IPC分类号： H01L31/18
摘要： Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einem selektiven Emitter aufweisend die Schritte des Ausbildens (10, 12, 14) einer Dotierstoff enthaltenden Glasschicht (55) auf wenigstens einem Teil einer Oberfläche eines Solarzellensubstrats (50), des Ausbildens (16) eines schwach dotierten Emitters (58) in von der Glasschicht (55) bedeckten Bereichen des Solarzellensubstrats (50) durch Eindiffusion (16) von Dotierstoff aus der Glasschicht (55) in das Solarzellensubstrat (50) hinein, der lokalen Eindiffusion (18) zusätzlichen Dotierstoffs aus der Glasschicht (55) in das Solarzellensubstrat (50) hinein durch lokales Erhitzen (18) von unter der Glasschicht (55) gelegenen Bereichen des Solarzellensubstrats (50) zum Zwecke der lokalen Ausbildung (18) stark dotierter Emitterbereiche (60), bei welchem als Dotierstoff enthaltende Glasschicht (55) solch eine Glasschicht (55) auf dem wenigstens einen Teil der Oberfläche des Solarzellensubstrats (50) ausgebildet wird (10, 12, 14), die in einer näher an der Oberfläche des Solarzellensubstrats (50) gelegenen ersten Teilschicht (52) der Glasschicht (55) eine niedrigere Dotierstoffkonzentration aufweist als in einer weiter von der Oberfläche des Solarzellensubstrats (50) entfernt gelegenen zweiten Teilschicht (54) der Glasschicht (55).

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