会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 3. 发明申请
    • PRÜFVORRICHTUNG SOWIE VERFAHREN ZUM PRÜFEN EINES SPIEGELS
    • 测试仪和检验方法一面镜子
    • WO2016128234A1
    • 2016-08-18
    • PCT/EP2016/051957
    • 2016-01-29
    • CARL ZEISS SMT GMBHSTIEPAN, Hans-MichaelHETZLER, JochenFUCHS, Sebastian
    • STIEPAN, Hans-MichaelHETZLER, JochenFUCHS, Sebastian
    • G01M11/02G01B9/021G03F7/20
    • G01M11/005G01B9/02038G01B9/02085G01B9/021G01M11/0271G03F7/706
    • Die Erfindung betrifft eine Prüfvorrichtung sowie ein Verfahren zum Prüfen eines Spiegels, insbesondere eines Spiegels einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, wobei die Prüfvorrichtung ein Computer-generiertes Hologramm (CGH) aufweist und wobei eine Prüfung zumindest einer Teilfläche des Spiegels durch interferometrische Überlagerung einer von diesem Computer-generierten Hologramm auf den Spiegel gelenkten Prüfwelle und einer Referenzwelle durchführbar ist. Hierbei ist das Computer-generierte Hologramm (CGH) (120, 320) derart ausgelegt, dass es im Betrieb der Vorrichtung eine erste Prüfwelle zur Prüfung einer ersten Teilfläche des Spiegels (101, 301) durch interferometrische Überlagerung mit einer Referenzwelle in einer ersten Position des Spiegels (101, 301) und wenigstens eine zweite Prüfwelle zur Prüfung einer zweiten Teilfläche des Spiegels (101, 301) durch interferometrische Überlagerung mit einer Referenzwelle in einer zweiten Position des Spiegels (101, 301) bereitstellt.
    • 本发明涉及一种测试装置和用于测试反射镜,尤其是一种微光刻投射曝光设备的反射镜,其中,所述测试仪包括一个计算机生成的全息图(CGH)的方法,并且其中,从该生成的计算机检查至少所述反射镜的部分区域通过的干涉叠加 全息图可在反射镜引导的测试波和参考波来进行。 这里,计算机生成的全息图(CGH)(120,320)被设计成使得在该装置的操作的第一测试波到反射镜(101,301)通过与参考波干涉叠加的第一部分表面的试验中的第一位置 镜(101,301)和至少一个第二测试波在反射镜(101,301)提供的第二位置与参考波通过干涉叠加测试镜(101,301)的第二区域。
    • 5. 发明申请
    • VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR CHARAKTERISIERUNG EINES DURCH WENIGSTENS EINEN LITHOGRAPHIESCHRITT STRUKTURIERTEN WAFERS
    • 用于表征通过至少一个光刻步骤构造的水的方法和装置
    • WO2017076702A2
    • 2017-05-11
    • PCT/EP2016/075701
    • 2016-10-25
    • CARL ZEISS SMT GMBHSTIEPAN, Hans-MichaelZOTT, AndyMANTZ, Ulrich
    • STIEPAN, Hans-MichaelZOTT, AndyMANTZ, Ulrich
    • G03F7/20G01N21/47G01N21/95
    • G03F7/70625G01B2210/56G01N21/4788G01N21/9501G01N2021/4735G01N2021/4792G03F7/70508G03F7/70633
    • Die Erfindung betrifft Verfahren und Vorrichtungen zur Charakterisierung eines durch wenigstens einen Lithographieschritt strukturierten Wafers. Gemäß einem Aspekt wird eine Mehrzahl von für den strukturierten Wafer charakteristischen Parametern auf Basis von Messungen der Intensität elektromagnetischer Strahlung nach deren Beugung an dem strukturierten Wafer ermittelt, wobei diese Intensitätsmessungen für wenigstens eine Nutzstruktur und wenigstens eine Hilfsstruktur durchgeführt werden, wobei eine Ermittlung der Parameter basierend auf bei den Intensitätsmessungen für jeweils unterschiedliche Kombinationen aus Wellenlänge, Polarisation und/oder Beugungsordnung gemessenen Intensitätswerten sowie entsprechend berechneten Intensitätswerten unter Anwendung einer mathematischen Optimierungsmethode erfolgt. Die Ermittlung der für den strukturierten Wafer charakteristischen Parameter weist folgende Schritte auf: Ermitteln von Parametern eines ersten Parametersatzes auf Basis der für die wenigstens eine Hilfsstruktur erhaltenen Intensitätswerte, und Ermitteln von Parametern eines zweiten Parametersatzes unter Berücksichtigung der ermittelten Parameter des ersten Parametersatzes.
    • 本发明涉及用于表征由至少一个光刻步骤构成的晶片的方法和装置。 宝石Ä大街 r的强度BEAR的测量的基础上图案化的晶片的特征参数;一个方面,多个˚F导航用途的根据图案化晶片上的衍射确定吨电磁辐射,所述强度BEAR tsmessungen˚F导航用途ř至少一种有用的结构和至少一个辅助结构进行导航用途 基于在强度测量中使用数学优化方法分别针对不同的波长组合,极化和/或衍射阶数以及相应计算的强度值测量的强度值来执行参数的确定。 ˚F导航用途的确定r为图案化的晶片的特征参数包括以下步骤:确定˚F导航用途的基础上设定的第一参数的参数R中的至少一个辅助结构获得的强度BEAR tswerte,以及第二组参数的确定参数,并考虑到导航使用帐户所确定的 第一个参数集的参数。
    • 6. 发明申请
    • VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR CHARAKTERISIERUNG EINES DURCH WENIGSTENS EINEN LITHOGRAPHIESCHRITT STRUKTURIERTEN WAFERS
    • 用于表征通过至少一个光刻步骤构造的水的方法和装置
    • WO2017076690A1
    • 2017-05-11
    • PCT/EP2016/075640
    • 2016-10-25
    • CARL ZEISS SMT GMBHSTIEPAN, Hans-Michael
    • STIEPAN, Hans-Michael
    • G03F7/20G01N21/47G01N21/95
    • G03F7/70633G01N21/9501G03F7/70625
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Charakterisierung eines durch wenigstens einen Lithographieschritt strukturierten Wafers. Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren wird wenigstens eine für den strukturierten Wafer charakteristische Kenngröße auf Basis einer Mehrzahl von Messungen der Intensität elektromagnetischer Strahlung nach deren Beugung an dem strukturierten Wafer ermittelt, wobei diese Intensitätsmessungen für wenigstens zwei unterschiedliche Beugungsordnungen durchgeführt werden, wobei für wenigstens zwei Bereiche auf dem Wafer (150, 450, 550, 650, 750, 850, 950) jeweils ein dem jeweiligen Bereich zugeordneter Wert der Kenngröße auf Basis eines Vergleichs der in den Intensitätsmessungen für die wenigstens zwei Beugungsordnungen erhaltenen Messwerte bestimmt wird, und wobei die Intensitätsmessungen zur Bestimmung der Kenngröße für die wenigstens zwei Bereiche auf dem Wafer simultan durchgeführt werden.
    • 本发明涉及一种用于表征由至少一个光刻步骤构成的晶片的方法和装置。 AUML在本发明&;大街; S的方法是至少一个F导航用途r为图案的晶片特性KenngrÖ道路基于多个强度&AUML的测量;吨根据该图案化晶片上的衍射电磁辐射被确定,并且这些强度BEAR tsmessungen˚F导航用途 ř至少两个不同的衍射级进行导航用途来进行,式中,f导航用途ř至少两个区域的晶片(150,450,550,650,750,850,950)每一个分配给所述Kenngr&oUML的相应字段值上;道路上 基于强度BEAR的比较来进行; tsmessungen˚F导航用途 - [R获得至少两个衍射级被确定的测量值,并且其中所述强度Ä用于确定所述Kenngr&oUML tsmessungen;道路˚F导航用途r是晶片上的至少两个区域同时进行导航的使用
    • 8. 发明申请
    • INTERFEROMETRISCHE MESSANORDNUNG
    • 干涉测量装置,
    • WO2016188620A2
    • 2016-12-01
    • PCT/EP2016/000820
    • 2016-05-18
    • CARL ZEISS SMT GMBH
    • HETZLER, JochenFUCHS, SebastianSTIEPAN, Hans-MichaelSCHUSTER, Karl-Heinz
    • G01B9/02G03F7/20G02B5/08G01M11/00G01B11/24
    • G01B9/02039B21D11/10C03B37/15G01B9/02028G01B9/02032G01B9/02057G01B9/02072G01B11/2441G01B2290/30G01M11/005G01M11/0264G02B5/08G02B13/143G03F7/702G03F7/706
    • Die Erfindung betrifft eine Messanordnung (10) zur interferometrischen Bestimmung einer Form einer Oberfläche (12) eines Testobjekts (14). Die Messanordnung (10) umfasst eine Lichtquelle (16) zum Bereitstellen einer Eingangswelle (18) und ein diffraktives optisches Element (24). Das diffraktive optische Element (24) ist geeignet konfiguriert, jeweils durch Beugung aus der Eingangswelle (18) einerseits eine auf das Testobjekt (14) gerichtete Prüfwelle (26) mit einer zumindest teilweise an eine Sollform der optischen Oberfläche (12) angepassten Wellenfront und andererseits eine Referenzwelle (28) zu erzeugen. Weiterhin enthält die Messanordnung (10) ein reflektives optisches Element (30) zur Rückreflexion der Referenzwelle (28) und eine Erfassungseinrichtung (36) zum Erfassen eines Interferogramms, welches durch eine Überlagerung der Prüfwelle (26) nach Wechselwirkung mit dem Testobjekt (14) und der rückreflektierten Referenzwelle (28), jeweils nach erneuter Beugung am diffraktiven optischen Element (24) in einer Erfassungsebene (48), erzeugt wird. Ferner betrifft die Erfindung ein entsprechendes Verfahren zur Bestimmung der Oberflächenform eines Testobjekts (14).
    • 本发明涉及一种用于干涉判定测试对象(14)的表面(12)的形状的测量装置(10)。 的测量装置(10)包括用于提供输入轴(18)和衍射光学元件(24)的光源(16)。 衍射光学元件(24)被适当地配置,分别由在一方面所述输入轴(18)的衍射指向的测试对象(14)测试的轴(26)具有至少部分地在光学表面的目标形状(12),适于将所述波前和在另一方面 以产生参考波(28)。 此外,测量装置(10)包括用于将所述参考波的背反射的反射光学元件(30),(28)和检测装置(36),用于检测的干涉,这是由试验轴(26)的叠加与测试对象(14)相互作用之后获得和 回归反射参考波(28),在每种情况下再次衍射后在一个检测平面(48),所述衍射光学元件(24),则产生。 本发明还涉及一种相应的方法用于确定测试对象(14)的表面形状。