专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2007067311A3 ION SOURCES, SYSTEMS AND METHODS 审中-公开
公开(公告)号：WO2007067311A3
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：PCT/US2006/044339
申请日：2006-11-15
申请人： ALIS CORPORATION , WARD, Billy W. , NOTTE, John A., IV , FARKAS III, Louis, S. , PERCIVAL, Randall G. , HILL, Raymond , EDINGER, Klaus , MARKWORT, Lars , ADERHOLD, Dirk , MANTZ, Ulrich
发明人： WARD, Billy W. , NOTTE, John A., IV , FARKAS III, Louis, S. , PERCIVAL, Randall G. , HILL, Raymond , EDINGER, Klaus , MARKWORT, Lars , ADERHOLD, Dirk , MANTZ, Ulrich
IPC分类号： H01J37/28 , H01J9/02 , H01J37/08 , H01J37/252 , H01J37/305 , H01J37/317 , B81B1/00 , G01N23/225 , G12B21/02 , H01J27/26
摘要： Ion sources, systems and methods are disclosed.

2. 发明申请

WO2009155272A4 CROSS-SECTION SYSTEMS AND METHODS 审中-公开
标题翻译：交叉系统和方法
公开(公告)号：WO2009155272A4
公开(公告)日：2010-05-14
申请号：PCT/US2009047474
申请日：2009-06-16
申请人： CARL ZEISS SMT INC , SCIPIONI LAWRENCE , KNIPPELMEYER RAINER , RIEDESEL CHRISTOPH , MORGAN JOHN , MANTZ ULRICH , WAGEMANN ULRICH
发明人： SCIPIONI LAWRENCE , KNIPPELMEYER RAINER , RIEDESEL CHRISTOPH , MORGAN JOHN , MANTZ ULRICH , WAGEMANN ULRICH
IPC分类号： H01J37/30
CPC分类号： G01N1/286 , H01J2237/0807 , H01J2237/304 , H01J2237/31745 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A first instrument (230) is used to image a first semiconductor article having a trench (110) of defined cross-section, while a second instrument (220) is used to simultaneously prepare a second semiconductor article with a trench of defined cross-section. Furthermore, a method is disclosed to prepare a trench (110) of defined cross-section in a semiconductor article by rough milling and subsequent fine milling.
摘要翻译：第一仪器（230）用于对具有限定横截面的沟槽（110）的第一半导体产品成像，而第二器械（220）用于同时制备具有限定横截面的沟槽的第二半导体产品。此外，公开了一种通过粗铣和随后的精细铣削在半导体制品中制备具有限定横截面的沟槽（110）的方法。

3. 发明申请

WO2009155272A2 CROSS-SECTION SYSTEMS AND METHODS 审中-公开
标题翻译：交叉系统和方法
公开(公告)号：WO2009155272A2
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：PCT/US2009/047474
申请日：2009-06-16
申请人： CARL ZEISS SMT. INC. , SCIPIONI, Lawrence , KNIPPELMEYER, Rainer , RIEDESEL, Christoph , MORGAN, John , MANTZ, Ulrich , WAGEMANN, Ulrich
发明人： SCIPIONI, Lawrence , KNIPPELMEYER, Rainer , RIEDESEL, Christoph , MORGAN, John , MANTZ, Ulrich , WAGEMANN, Ulrich
IPC分类号： H01J37/30
CPC分类号： G01N1/286 , H01J2237/0807 , H01J2237/304 , H01J2237/31745 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Cross-section systems and methods are disclosed. Methods can include imaging a cross-section of a first sample, and simultaneously preparing a cross-section of a second sample so that the cross-section of the second sample can be imaged. The first and second samples can be, for example, first and second semiconductor articles, respectively.
摘要翻译：公开了截面系统和方法。方法可以包括对第一样品的横截面进行成像，并且同时制备第二样品的横截面，使得可以对第二样品的横截面进行成像。第一和第二样品可以分别为例如第一和第二半导体制品。

4. 发明申请

WO2017076702A3 METHOD AND DEVICE FOR CHARACTERIZING A WAFER PATTERNED USING AT LEAST ONE LITHOGRAPHY STEP 审中-公开
标题翻译：用于表征通过至少一个光刻步骤构造的水的方法和装置
公开(公告)号：WO2017076702A3
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/EP2016075701
申请日：2016-10-25
申请人： ZEISS CARL SMT GMBH , STIEPAN HANS-MICHAEL , ZOTT ANDY , MANTZ ULRICH
发明人： STIEPAN HANS-MICHAEL , ZOTT ANDY , MANTZ ULRICH
IPC分类号： G03F7/20 , G01N21/47 , G01N21/95
CPC分类号： G03F7/70625 , G01B2210/56 , G03F7/70633
摘要： The invention relates to a method and a device for characterizing a wafer patterned using at least one lithography step. According to one aspect, a plurality of parameters characterizing the patterned wafer are determined on the basis of measurements of the intensity of electromagnetic radiation after the diffraction of said radiation on the patterned wafer, said intensity measurements being carried out for at least one useful pattern and at least one auxiliary pattern and the parameters being determined by means of a mathematical optimization method on the basis of intensity values measured during the intensity measurements for respective different combinations of wavelength, polarization, and/or order of diffraction and also according to calculated intensity values. The determination of the parameters characterizing the patterned wafer has the following steps: determining a first set of parameters on the basis of the intensity values obtained for the at least one auxiliary structure; and determining the parameters of a second set of parameters, taking into account the parameters determined for the first set of parameters.
摘要翻译：本发明涉及用于表征由至少一个光刻步骤构成的晶片的方法和装置。在一个方面，多个是从根据该图案化晶片上的衍射电磁辐射的强度的测量的基础上图案化的晶片参数的特性来确定，这些强度测量为至少一种有用的结构和至少一个辅助结构，其中，所述参数的确定基于由在针对波长，偏振和/或衍射阶次的各自不同组合的强度测量的情况下，使用数学优化方法测量强度值和相应计算的强度值。图案化的晶片参数的特性的确定包括以下步骤：确定第一组的基于用于所述至少一个辅助结构获得的强度值的参数的参数，以及确定第二组参数的参数，考虑到第一个参数集的所确定的参数。

5. 发明申请

WO2009155272A3 CROSS-SECTION SYSTEMS AND METHODS 审中-公开
标题翻译：交叉部分系统和方法
公开(公告)号：WO2009155272A3
公开(公告)日：2010-03-18
申请号：PCT/US2009047474
申请日：2009-06-16
申请人： CARL ZEISS SMT INC , SCIPIONI LAWRENCE , KNIPPELMEYER RAINER , RIEDESEL CHRISTOPH , MORGAN JOHN , MANTZ ULRICH , WAGEMANN ULRICH
发明人： SCIPIONI LAWRENCE , KNIPPELMEYER RAINER , RIEDESEL CHRISTOPH , MORGAN JOHN , MANTZ ULRICH , WAGEMANN ULRICH
IPC分类号： H01J37/30
CPC分类号： G01N1/286 , H01J2237/0807 , H01J2237/304 , H01J2237/31745 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A first instrument (230) is used to image a first semiconductor article having a trench (110) of defined cross-section, while a second instrument (220) is used to simultaneously prepare a second semiconductor article with a trench of defined cross-section. Furthermore, a method is disclosed to prepare a trench (110) of defined cross-section in a semiconductor article by rough milling and subsequent fine milling.
摘要翻译：使用第一器具（230）来成像具有限定的横截面的沟槽（110）的第一半导体制品，同时使用第二器械（220）来同时制备具有限定的横截面的沟槽的第二半导体制品。此外，公开了一种通过粗铣和随后的精铣在半导体制品中制备具有限定的横截面的沟槽（110）的方法。

6. 发明申请

WO2009155275A1 SAMPLE IMAGING WITH CHARGED PARTICLES 审中-公开
标题翻译：带充电颗粒的样品成像
公开(公告)号：WO2009155275A1
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：PCT/US2009/047478
申请日：2009-06-16
申请人： CARL ZEISS SMT. INC. , MORGAN, John , SCIPIONI, Lawrence , ADERHOLD, Dirk , RIEDESEL, Christoph , KNIPPELMEYER, Rainer , MANTZ, Ulrich , SINGER, Wolfgang
发明人： MORGAN, John , SCIPIONI, Lawrence , ADERHOLD, Dirk , RIEDESEL, Christoph , KNIPPELMEYER, Rainer , MANTZ, Ulrich , SINGER, Wolfgang
IPC分类号： G01N23/22 , H01J37/28 , H01J37/304
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/3056 , H01J2237/31745
摘要： Disclosed herein are methods that include: (a) exposing a cross-sectional surface (5010) of a channel (5020) formed in a sample (5000) to particles from a charged particle source (5005) to cause a first plurality of particles (5035) to leave the cross-sectional surface (5010), and determining a position of a reference mark on the cross-sectional surface (5010) based on the first plurality of particles (5035); (b) registering a coordinate system of the charged particle source (5005) relative to the position of the reference mark; and (c) exposing the cross-sectional surface (5010) to additional particles from the charged particle source (5005) to cause a second plurality of particles to leave the cross-sectional surface, and forming multiple images of the cross-sectional surface (5010) based on the second plurality of particles. After formation of at least one of the multiple images, the coordinate system of the charged particle source (5005) is registered again relative to the position of the reference mark prior to forming the next one of the multiple images.
摘要翻译：本文公开的方法包括：（a）将形成在样品（5000）中的通道（5020）的横截面（5010）暴露于来自带电粒子源（5005）的颗粒以引起第一多个颗粒（ 5035）以离开所述横截面（5010），并且基于所述第一多个颗粒（5035）确定所述横截面（5010）上的参考标记的位置; （b）相对于参考标记的位置登记带电粒子源（5005）的坐标系; 和（c）将所述横截面（5010）从所述带电粒子源（5005）暴露于另外的颗粒，以使第二多个颗粒离开所述横截面，并且形成所述横截面的多个图像（ 5010）基于第二多个颗粒。在形成多个图像中的至少一个图像之后，在形成多个图像中的下一个图像之前，相对于参考标记的位置再次登记带电粒子源（5005）的坐标系。

7. 发明申请

WO2009138134A1 TEILCHENSTRAHLGERÄT MIT EINER REINIGUNGSVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：用清洁装置粒子束
公开(公告)号：WO2009138134A1
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：PCT/EP2008/063257
申请日：2008-10-02
申请人： CARL ZEISS NTS GMBH , DÖNITZ, Dietmar , MANTZ, Ulrich
发明人： DÖNITZ, Dietmar , MANTZ, Ulrich
IPC分类号： B08B7/00 , H01J37/28
CPC分类号： H01J37/28 , B08B7/0035 , B08B7/0042 , H01J2237/022 , H01J2237/2482 , H01J2237/2817
摘要： Die Erfindung betrifft ein Teilchenstrahlgerät (1) mit einer Reinigungs Vorrichtung. Die Reinigungsvorrichtung weist mindestens eine Lichtquelle (15) zur Erzeugung eines Lichtstrahls auf, der in Richtung eines zu reinigenden Objekts führbar ist. Ferner ist mindestens ein Einkoppelbereich vorgesehen, an dem Teilchen eines Teilchenstrahls oder der Lichtstrahl derart einkoppelbar (8) sind, dass sie in Richtung des zu reinigenden Objekts (14) führbar sind. Darüber hinaus durchläuft der Lichtstrahl bzw. der Teilchenstrahl den Einkoppelbereich. Ferner sind der Lichtstrahl und der aus den einkoppelbaren Teilchen gebildete Teilchenstrahl koaxial oder annähernd koaxial zueinander ausgerichtet.
摘要翻译：本发明涉及一种粒子射线装置（1）配有清洁装置。清洁装置具有用于产生光束，其可在对象的方向上被引导到待清洁的至少一个光源（15）。另外，至少设置一个耦合区，被固定到一个粒子束或光束可以以这样的方式（8），它们能在对象的方向上被引导被偶联的颗粒被清洗（14）。此外，光束或粒子束穿过耦合区。此外，光束和粒子形成的粒子射线einkoppelbaren同轴或大致彼此同轴地对准。

10. 发明申请

WO2017076702A2 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR CHARAKTERISIERUNG EINES DURCH WENIGSTENS EINEN LITHOGRAPHIESCHRITT STRUKTURIERTEN WAFERS 审中-公开
标题翻译：用于表征通过至少一个光刻步骤构造的水的方法和装置
公开(公告)号：WO2017076702A2
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：PCT/EP2016/075701
申请日：2016-10-25
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , STIEPAN, Hans-Michael , ZOTT, Andy , MANTZ, Ulrich
发明人： STIEPAN, Hans-Michael , ZOTT, Andy , MANTZ, Ulrich
IPC分类号： G03F7/20 , G01N21/47 , G01N21/95
CPC分类号： G03F7/70625 , G01B2210/56 , G01N21/4788 , G01N21/9501 , G01N2021/4735 , G01N2021/4792 , G03F7/70508 , G03F7/70633
摘要： Die Erfindung betrifft Verfahren und Vorrichtungen zur Charakterisierung eines durch wenigstens einen Lithographieschritt strukturierten Wafers. Gemäß einem Aspekt wird eine Mehrzahl von für den strukturierten Wafer charakteristischen Parametern auf Basis von Messungen der Intensität elektromagnetischer Strahlung nach deren Beugung an dem strukturierten Wafer ermittelt, wobei diese Intensitätsmessungen für wenigstens eine Nutzstruktur und wenigstens eine Hilfsstruktur durchgeführt werden, wobei eine Ermittlung der Parameter basierend auf bei den Intensitätsmessungen für jeweils unterschiedliche Kombinationen aus Wellenlänge, Polarisation und/oder Beugungsordnung gemessenen Intensitätswerten sowie entsprechend berechneten Intensitätswerten unter Anwendung einer mathematischen Optimierungsmethode erfolgt. Die Ermittlung der für den strukturierten Wafer charakteristischen Parameter weist folgende Schritte auf: Ermitteln von Parametern eines ersten Parametersatzes auf Basis der für die wenigstens eine Hilfsstruktur erhaltenen Intensitätswerte, und Ermitteln von Parametern eines zweiten Parametersatzes unter Berücksichtigung der ermittelten Parameter des ersten Parametersatzes.
摘要翻译：本发明涉及用于表征由至少一个光刻步骤构成的晶片的方法和装置。宝石＆AUML;大街 r的强度BEAR的测量的基础上图案化的晶片的特征参数;一个方面，多个˚F导航用途的根据图案化晶片上的衍射确定吨电磁辐射，所述强度BEAR tsmessungen˚F导航用途ř至少一种有用的结构和至少一个辅助结构进行导航用途基于在强度测量中使用数学优化方法分别针对不同的波长组合，极化和/或衍射阶数以及相应计算的强度值测量的强度值来执行参数的确定。 ˚F导航用途的确定r为图案化的晶片的特征参数包括以下步骤：确定˚F导航用途的基础上设定的第一参数的参数R中的至少一个辅助结构获得的强度BEAR tswerte，以及第二组参数的确定参数，并考虑到导航使用帐户所确定的第一个参数集的参数。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式