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    • 4. 发明申请
    • METHOD AND DEVICE FOR CHARACTERIZING A WAFER PATTERNED USING AT LEAST ONE LITHOGRAPHY STEP
    • 用于表征通过至少一个光刻步骤构造的水的方法和装置
    • WO2017076702A3
    • 2017-06-29
    • PCT/EP2016075701
    • 2016-10-25
    • ZEISS CARL SMT GMBHSTIEPAN HANS-MICHAELZOTT ANDYMANTZ ULRICH
    • STIEPAN HANS-MICHAELZOTT ANDYMANTZ ULRICH
    • G03F7/20G01N21/47G01N21/95
    • G03F7/70625G01B2210/56G03F7/70633
    • The invention relates to a method and a device for characterizing a wafer patterned using at least one lithography step. According to one aspect, a plurality of parameters characterizing the patterned wafer are determined on the basis of measurements of the intensity of electromagnetic radiation after the diffraction of said radiation on the patterned wafer, said intensity measurements being carried out for at least one useful pattern and at least one auxiliary pattern and the parameters being determined by means of a mathematical optimization method on the basis of intensity values measured during the intensity measurements for respective different combinations of wavelength, polarization, and/or order of diffraction and also according to calculated intensity values. The determination of the parameters characterizing the patterned wafer has the following steps: determining a first set of parameters on the basis of the intensity values obtained for the at least one auxiliary structure; and determining the parameters of a second set of parameters, taking into account the parameters determined for the first set of parameters.
    • 本发明涉及用于表征由至少一个光刻步骤构成的晶片的方法和装置。 在一个方面,多个是从根据该图案化晶片上的衍射电磁辐射的强度的测量的基础上图案化的晶片参数的特性来确定,这些强度测量为至少一种有用的结构和至少一个辅助结构,其中,所述参数的确定基于由 在针对波长,偏振和/或衍射阶次的各自不同组合的强度测量的情况下,使用数学优化方法测量强度值和相应计算的强度值。 图案化的晶片参数的特性的确定包括以下步骤:确定第一组的基于用于所述至少一个辅助结构获得的强度值的参数的参数,以及确定第二组参数的参数,考虑到第一个参数集的所确定的参数。
    • 6. 发明申请
    • SAMPLE IMAGING WITH CHARGED PARTICLES
    • 带充电颗粒的样品成像
    • WO2009155275A1
    • 2009-12-23
    • PCT/US2009/047478
    • 2009-06-16
    • CARL ZEISS SMT. INC.MORGAN, JohnSCIPIONI, LawrenceADERHOLD, DirkRIEDESEL, ChristophKNIPPELMEYER, RainerMANTZ, UlrichSINGER, Wolfgang
    • MORGAN, JohnSCIPIONI, LawrenceADERHOLD, DirkRIEDESEL, ChristophKNIPPELMEYER, RainerMANTZ, UlrichSINGER, Wolfgang
    • G01N23/22H01J37/28H01J37/304
    • H01J37/28H01J37/3056H01J2237/31745
    • Disclosed herein are methods that include: (a) exposing a cross-sectional surface (5010) of a channel (5020) formed in a sample (5000) to particles from a charged particle source (5005) to cause a first plurality of particles (5035) to leave the cross-sectional surface (5010), and determining a position of a reference mark on the cross-sectional surface (5010) based on the first plurality of particles (5035); (b) registering a coordinate system of the charged particle source (5005) relative to the position of the reference mark; and (c) exposing the cross-sectional surface (5010) to additional particles from the charged particle source (5005) to cause a second plurality of particles to leave the cross-sectional surface, and forming multiple images of the cross-sectional surface (5010) based on the second plurality of particles. After formation of at least one of the multiple images, the coordinate system of the charged particle source (5005) is registered again relative to the position of the reference mark prior to forming the next one of the multiple images.
    • 本文公开的方法包括:(a)将形成在样品(5000)中的通道(5020)的横截面(5010)暴露于来自带电粒子源(5005)的颗粒以引起第一多个颗粒( 5035)以离开所述横截面(5010),并且基于所述第一多个颗粒(5035)确定所述横截面(5010)上的参考标记的位置; (b)相对于参考标记的位置登记带电粒子源(5005)的坐标系; 和(c)将所述横截面(5010)从所述带电粒子源(5005)暴露于另外的颗粒,以使第二多个颗粒离开所述横截面,并且形成所述横截面的多个图像( 5010)基于第二多个颗粒。 在形成多个图像中的至少一个图像之后,在形成多个图像中的下一个图像之前,相对于参考标记的位置再次登记带电粒子源(5005)的坐标系。
    • 10. 发明申请
    • VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR CHARAKTERISIERUNG EINES DURCH WENIGSTENS EINEN LITHOGRAPHIESCHRITT STRUKTURIERTEN WAFERS
    • 用于表征通过至少一个光刻步骤构造的水的方法和装置
    • WO2017076702A2
    • 2017-05-11
    • PCT/EP2016/075701
    • 2016-10-25
    • CARL ZEISS SMT GMBHSTIEPAN, Hans-MichaelZOTT, AndyMANTZ, Ulrich
    • STIEPAN, Hans-MichaelZOTT, AndyMANTZ, Ulrich
    • G03F7/20G01N21/47G01N21/95
    • G03F7/70625G01B2210/56G01N21/4788G01N21/9501G01N2021/4735G01N2021/4792G03F7/70508G03F7/70633
    • Die Erfindung betrifft Verfahren und Vorrichtungen zur Charakterisierung eines durch wenigstens einen Lithographieschritt strukturierten Wafers. Gemäß einem Aspekt wird eine Mehrzahl von für den strukturierten Wafer charakteristischen Parametern auf Basis von Messungen der Intensität elektromagnetischer Strahlung nach deren Beugung an dem strukturierten Wafer ermittelt, wobei diese Intensitätsmessungen für wenigstens eine Nutzstruktur und wenigstens eine Hilfsstruktur durchgeführt werden, wobei eine Ermittlung der Parameter basierend auf bei den Intensitätsmessungen für jeweils unterschiedliche Kombinationen aus Wellenlänge, Polarisation und/oder Beugungsordnung gemessenen Intensitätswerten sowie entsprechend berechneten Intensitätswerten unter Anwendung einer mathematischen Optimierungsmethode erfolgt. Die Ermittlung der für den strukturierten Wafer charakteristischen Parameter weist folgende Schritte auf: Ermitteln von Parametern eines ersten Parametersatzes auf Basis der für die wenigstens eine Hilfsstruktur erhaltenen Intensitätswerte, und Ermitteln von Parametern eines zweiten Parametersatzes unter Berücksichtigung der ermittelten Parameter des ersten Parametersatzes.
    • 本发明涉及用于表征由至少一个光刻步骤构成的晶片的方法和装置。 宝石Ä大街 r的强度BEAR的测量的基础上图案化的晶片的特征参数;一个方面,多个˚F导航用途的根据图案化晶片上的衍射确定吨电磁辐射,所述强度BEAR tsmessungen˚F导航用途ř至少一种有用的结构和至少一个辅助结构进行导航用途 基于在强度测量中使用数学优化方法分别针对不同的波长组合,极化和/或衍射阶数以及相应计算的强度值测量的强度值来执行参数的确定。 ˚F导航用途的确定r为图案化的晶片的特征参数包括以下步骤:确定˚F导航用途的基础上设定的第一参数的参数R中的至少一个辅助结构获得的强度BEAR tswerte,以及第二组参数的确定参数,并考虑到导航使用帐户所确定的 第一个参数集的参数。