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1. 发明申请

WO2020254147A1 MIRROR, IN PARTICULAR FOR A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE APPARATUS 审中-公开
公开(公告)号：WO2020254147A1
公开(公告)日：2020-12-24
申请号：PCT/EP2020/065938
申请日：2020-06-09
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , STIEPAN, Hans Michael , GRUNER, Toralf
发明人： STIEPAN, Hans Michael , GRUNER, Toralf
IPC分类号： G02B26/08 , G03F7/20
摘要： The invention relates to a mirror, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus. In accordance with one aspect, a mirror according to the invention has an optical effective surface (11, 31), a mirror substrate (12, 32), a reflection layer system (21, 41) for reflecting electromagnetic radiation that is incident on the optical effective surface, and at least one piezoelectric layer (16, 36), which is arranged between the mirror substrate and the reflection layer system and to which an electric field for producing a locally variable deformation is able to be applied by way of a first electrode arrangement situated on the side of the piezoelectric layer facing the reflection layer system, and by way of a second electrode arrangement situated on the side of the pie- zoelectric layer facing the mirror substrate, wherein one of said electrode arrangements is assigned a mediator layer (17, 37, 51, 52, 53, 71) for setting an at least regionally continuous profile of the electrical potential along the respective electrode arrangement; and wherein said mediator layer has at least two mutually electrically insulated regions (17a, 17b, 17c,…; 37a, 37b, 37c,…).

2. 发明申请

WO2022028709A1 MIRROR, IN PARTICULAR FOR A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE APPARATUS 审中-公开
公开(公告)号：WO2022028709A1
公开(公告)日：2022-02-10
申请号：PCT/EP2020/072214
申请日：2020-08-07
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , ASML NETHERLANDS B.V. , GRUNER, Toralf , BAER, Norman , VAN BERKEL, Koos , VAN BOKHOVEN, Laurentius J.A. , LORENZ, Maike , MONZ, Thomas , SCHNEIDER, Eva , STIEPAN, Hans-Michael , STREEFKERK, Bob
发明人： GRUNER, Toralf , BAER, Norman , VAN BERKEL, Koos , VAN BOKHOVEN, Laurentius J.A. , LORENZ, Maike , MONZ, Thomas , SCHNEIDER, Eva , STIEPAN, Hans-Michael , STREEFKERK, Bob
IPC分类号： G03F7/20
摘要： The invention relates to a mirror, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus. A mirror according to the invention has an optical effective surface (101, 201, 301), a mirror substrate (110, 210, 310, 410), a reflection layer system (120, 220, 320) for reflecting electromagnetic radiation that is incident on the optical effective surface (101, 201, 301), at least one actuator layer which is configured to transmit an adjustable mechanical force on the reflection layer system (120, 220, 320), thereby producing a locally variable deformation of the optical effective surface (101, 201, 301), and at least one cooling device configured to at least partially dissipate heat generated by said actuator layer.

3. 发明申请

WO2021259633A1 MIRROR, IN PARTICULAR FOR A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE APPARATUS 审中-公开
公开(公告)号：WO2021259633A1
公开(公告)日：2021-12-30
申请号：PCT/EP2021/065326
申请日：2021-06-08
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , HILD, Kerstin , GRUNER, Toralf , GOLDE, Daniel , STIEPAN, Hans Michael , SHKLOVER, Vitaliy
发明人： HILD, Kerstin , GRUNER, Toralf , GOLDE, Daniel , STIEPAN, Hans Michael , SHKLOVER, Vitaliy
IPC分类号： G03F7/20 , G02B5/08 , G02B7/185 , G02B27/00 , G21K1/06 , H01L41/08 , G02B26/0825 , G02B26/0858 , G02B27/0068 , G02B5/0891 , G03F7/70266 , G03F7/70316 , G21K1/062 , G21K2201/061 , G21K2201/067 , H01L41/047 , H01L41/0805 , H01L41/0986
摘要： The invention relates to a mirror, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus, comprising an optical effective surface, a mirror substrate (10, 21, 31, 41, 50, 70, 80), a reflection layer stack (28, 38, 48, 75, 85) for reflecting electromagnetic radiation that is incident on the optical effective sur¬ face, at least one first electrode arrangement (24, 34, 44), at least one second electrode arrangement (23, 33, 43), and an actuator layer system situated between the first electrode arrangement and the second electrode arrangement, wherein said actuator layer system is arranged between the mirror substrate (10, 21, 31, 41, 50, 70, 80) and the reflection layer stack (28, 38, 48, 75, 85), said actuator layer system comprising a piezoelectric layer (25, 35, 45) and, in reaction to an electrical voltage being applied between the first electrode arrangement and the second electrode arrangement, exhibiting a deformation response (11, 51) characterizing the linear deformation of the actuator layer system in a direction perpendicular to the optical effective surface for a pre¬ defined value of the electrical voltage, wherein said deformation response varies locally by at least 20% in the PV value for a predefined electrical voltage that is spatially constant across the piezoelectric layer.

4. 发明申请

WO2017076702A3 METHOD AND DEVICE FOR CHARACTERIZING A WAFER PATTERNED USING AT LEAST ONE LITHOGRAPHY STEP 审中-公开
标题翻译：用于表征通过至少一个光刻步骤构造的水的方法和装置
公开(公告)号：WO2017076702A3
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/EP2016075701
申请日：2016-10-25
申请人： ZEISS CARL SMT GMBH , STIEPAN HANS-MICHAEL , ZOTT ANDY , MANTZ ULRICH
发明人： STIEPAN HANS-MICHAEL , ZOTT ANDY , MANTZ ULRICH
IPC分类号： G03F7/20 , G01N21/47 , G01N21/95
CPC分类号： G03F7/70625 , G01B2210/56 , G03F7/70633
摘要： The invention relates to a method and a device for characterizing a wafer patterned using at least one lithography step. According to one aspect, a plurality of parameters characterizing the patterned wafer are determined on the basis of measurements of the intensity of electromagnetic radiation after the diffraction of said radiation on the patterned wafer, said intensity measurements being carried out for at least one useful pattern and at least one auxiliary pattern and the parameters being determined by means of a mathematical optimization method on the basis of intensity values measured during the intensity measurements for respective different combinations of wavelength, polarization, and/or order of diffraction and also according to calculated intensity values. The determination of the parameters characterizing the patterned wafer has the following steps: determining a first set of parameters on the basis of the intensity values obtained for the at least one auxiliary structure; and determining the parameters of a second set of parameters, taking into account the parameters determined for the first set of parameters.
摘要翻译：本发明涉及用于表征由至少一个光刻步骤构成的晶片的方法和装置。在一个方面，多个是从根据该图案化晶片上的衍射电磁辐射的强度的测量的基础上图案化的晶片参数的特性来确定，这些强度测量为至少一种有用的结构和至少一个辅助结构，其中，所述参数的确定基于由在针对波长，偏振和/或衍射阶次的各自不同组合的强度测量的情况下，使用数学优化方法测量强度值和相应计算的强度值。图案化的晶片参数的特性的确定包括以下步骤：确定第一组的基于用于所述至少一个辅助结构获得的强度值的参数的参数，以及确定第二组参数的参数，考虑到第一个参数集的所确定的参数。

5. 发明申请

WO2018172036A1 METROLOGIE-TARGET 审中-公开
公开(公告)号：WO2018172036A1
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：PCT/EP2018/055065
申请日：2018-03-01
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , STIEPAN, Hans-Michael
发明人： STIEPAN, Hans-Michael
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/42 , G03F9/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Metrologie-Target. Weiter betrifft die Erfindung auch ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Charakterisierung eines strukturierten Elements in Form eines Wafers, einer Maske oder eines CGH. Gemäß einem Aspekt weist ein Metrologie-Target eine periodische oder quasi-periodische Struktur auf, wobei diese Struktur durch eine Mehrzahl von Parametern charakterisiert ist, wobei wenigstens einer dieser Parameter örtlich monoton variiert, wobei die maximale Größe dieser Variation über eine Distanz von 5μm weniger als 10% beträgt, wobei das Metrologie-Target wenigstens eine Nutzstruktur und wenigstens eine Hilfsstruktur aufweist, wobei die Hilfsstruktur hinsichtlich des örtlich monoton variierenden Parameters sukzessive in die Nutzstruktur übergeht.

6. 发明申请

WO2017076702A2 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR CHARAKTERISIERUNG EINES DURCH WENIGSTENS EINEN LITHOGRAPHIESCHRITT STRUKTURIERTEN WAFERS 审中-公开
标题翻译：用于表征通过至少一个光刻步骤构造的水的方法和装置
公开(公告)号：WO2017076702A2
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：PCT/EP2016/075701
申请日：2016-10-25
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , STIEPAN, Hans-Michael , ZOTT, Andy , MANTZ, Ulrich
发明人： STIEPAN, Hans-Michael , ZOTT, Andy , MANTZ, Ulrich
IPC分类号： G03F7/20 , G01N21/47 , G01N21/95
CPC分类号： G03F7/70625 , G01B2210/56 , G01N21/4788 , G01N21/9501 , G01N2021/4735 , G01N2021/4792 , G03F7/70508 , G03F7/70633
摘要： Die Erfindung betrifft Verfahren und Vorrichtungen zur Charakterisierung eines durch wenigstens einen Lithographieschritt strukturierten Wafers. Gemäß einem Aspekt wird eine Mehrzahl von für den strukturierten Wafer charakteristischen Parametern auf Basis von Messungen der Intensität elektromagnetischer Strahlung nach deren Beugung an dem strukturierten Wafer ermittelt, wobei diese Intensitätsmessungen für wenigstens eine Nutzstruktur und wenigstens eine Hilfsstruktur durchgeführt werden, wobei eine Ermittlung der Parameter basierend auf bei den Intensitätsmessungen für jeweils unterschiedliche Kombinationen aus Wellenlänge, Polarisation und/oder Beugungsordnung gemessenen Intensitätswerten sowie entsprechend berechneten Intensitätswerten unter Anwendung einer mathematischen Optimierungsmethode erfolgt. Die Ermittlung der für den strukturierten Wafer charakteristischen Parameter weist folgende Schritte auf: Ermitteln von Parametern eines ersten Parametersatzes auf Basis der für die wenigstens eine Hilfsstruktur erhaltenen Intensitätswerte, und Ermitteln von Parametern eines zweiten Parametersatzes unter Berücksichtigung der ermittelten Parameter des ersten Parametersatzes.
摘要翻译：本发明涉及用于表征由至少一个光刻步骤构成的晶片的方法和装置。宝石＆AUML;大街 r的强度BEAR的测量的基础上图案化的晶片的特征参数;一个方面，多个˚F导航用途的根据图案化晶片上的衍射确定吨电磁辐射，所述强度BEAR tsmessungen˚F导航用途ř至少一种有用的结构和至少一个辅助结构进行导航用途基于在强度测量中使用数学优化方法分别针对不同的波长组合，极化和/或衍射阶数以及相应计算的强度值测量的强度值来执行参数的确定。 ˚F导航用途的确定r为图案化的晶片的特征参数包括以下步骤：确定˚F导航用途的基础上设定的第一参数的参数R中的至少一个辅助结构获得的强度BEAR tswerte，以及第二组参数的确定参数，并考虑到导航使用帐户所确定的第一个参数集的参数。

7. 发明申请

WO2017076690A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR CHARAKTERISIERUNG EINES DURCH WENIGSTENS EINEN LITHOGRAPHIESCHRITT STRUKTURIERTEN WAFERS 审中-公开
标题翻译：用于表征通过至少一个光刻步骤构造的水的方法和装置
公开(公告)号：WO2017076690A1
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：PCT/EP2016/075640
申请日：2016-10-25
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , STIEPAN, Hans-Michael
发明人： STIEPAN, Hans-Michael
IPC分类号： G03F7/20 , G01N21/47 , G01N21/95
CPC分类号： G03F7/70633 , G01N21/9501 , G03F7/70625
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Charakterisierung eines durch wenigstens einen Lithographieschritt strukturierten Wafers. Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren wird wenigstens eine für den strukturierten Wafer charakteristische Kenngröße auf Basis einer Mehrzahl von Messungen der Intensität elektromagnetischer Strahlung nach deren Beugung an dem strukturierten Wafer ermittelt, wobei diese Intensitätsmessungen für wenigstens zwei unterschiedliche Beugungsordnungen durchgeführt werden, wobei für wenigstens zwei Bereiche auf dem Wafer (150, 450, 550, 650, 750, 850, 950) jeweils ein dem jeweiligen Bereich zugeordneter Wert der Kenngröße auf Basis eines Vergleichs der in den Intensitätsmessungen für die wenigstens zwei Beugungsordnungen erhaltenen Messwerte bestimmt wird, und wobei die Intensitätsmessungen zur Bestimmung der Kenngröße für die wenigstens zwei Bereiche auf dem Wafer simultan durchgeführt werden.
摘要翻译：本发明涉及一种用于表征由至少一个光刻步骤构成的晶片的方法和装置。 AUML在本发明＆;大街; S的方法是至少一个F导航用途r为图案的晶片特性Kenngr＆OUML;道路基于多个强度＆AUML的测量;吨根据该图案化晶片上的衍射电磁辐射被确定，并且这些强度BEAR tsmessungen˚F导航用途 ř至少两个不同的衍射级进行导航用途来进行，式中，f导航用途ř至少两个区域的晶片（150，450，550，650，750，850，950）每一个分配给所述Kenngr＆oUML的相应字段值上;道路上基于强度BEAR的比较来进行; tsmessungen˚F导航用途 - [R获得至少两个衍射级被确定的测量值，并且其中所述强度＆AUML;用于确定所述Kenngr＆oUML tsmessungen;道路˚F导航用途r是晶片上的至少两个区域同时进行导航的使用

8. 发明申请

WO2022028710A1 OPTICAL SYSTEM AND METHOD OF OPERATING AN OPTICAL SYSTEM 审中-公开
公开(公告)号：WO2022028710A1
公开(公告)日：2022-02-10
申请号：PCT/EP2020/072216
申请日：2020-08-07
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , ASML NETHERLANDS B.V. , GRUNER, Toralf , BAER, Norman , VAN BERKEL, Koos , VAN BOKHOVEN, Laurentius J.A. , LORENZ, Maike , MONZ, Thomas , SCHNEIDER, Eva , STIEPAN, Hans-Michael , STREEFKERK, Bob , DIRAUF, André
发明人： GRUNER, Toralf , BAER, Norman , VAN BERKEL, Koos , VAN BOKHOVEN, Laurentius J.A. , LORENZ, Maike , MONZ, Thomas , SCHNEIDER, Eva , STIEPAN, Hans-Michael , STREEFKERK, Bob , DIRAUF, André
IPC分类号： G03F7/20 , G02B7/18
摘要： The invention relates to an optical system, in particular for microlithography, and to a method for operating an optical system. According to an aspect of the invention, an optical system comprises at least one mirror (100, 500, 600) having an optical effective surface (101, 501, 601) and a mirror substrate (110, 510, 610), wherein at least one cooling channel (115, 515, 615) in which a cooling fluid is capable to flow is arranged in the mirror substrate in order to dissipate heat that is generated in the mirror substrate due to absorption of electromagnetic radiation incident from a light source on the optical effective surface, and a unit (135, 535, 635) to adjust the temperature and/or the flow rate of the cooling fluid either dependent on a measured quantity that characterizes the thermal load in the mirror substrate or dependent on an estimated thermal load to be expected in the mirror substrate for a given power of the light source.

9. 发明申请

WO2021224036A1 VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINES DEFORMIERBAREN SPIEGELS, SOWIE OPTISCHES SYSTEM MIT EINEM DEFORMIERBAREN SPIEGEL 审中-公开
公开(公告)号：WO2021224036A1
公开(公告)日：2021-11-11
申请号：PCT/EP2021/060757
申请日：2021-04-23
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , STIEPAN, Hans Michael , GRUNER, Toralf , HILD, Kerstin , SAVELYEV, Evgeny
发明人： STIEPAN, Hans Michael , GRUNER, Toralf , HILD, Kerstin , SAVELYEV, Evgeny
IPC分类号： G03F7/20 , G02B27/00 , G21K1/06
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben eines deformierbaren Spiegels sowie ein optisches System mit einem deformierbaren Spiegel, wobei der Spiegel (10, 30) ein Spiegelsubstrat (12, 32), ein Reflexionsschichtsystem (21, 41) zur Reflexion von auf eine optische Wirkfläche (11, 31) des Spiegels auftreffender elektromagnetischer Strahlung, und wenigstens eine piezoelektrische Schicht (16, 36) aufweist, welche zwischen Spiegelsubstrat und Reflexionsschichtsystem angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtsystem zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung durch eine Spannungsansteuerung der ersten und/oder der zweiten Elektrodenanordnung mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist. Ein erfindungsgemäßes Verfahren weist folgende Schritte auf: Ermitteln einer im Bereich der piezoelektrischen Schicht vorliegenden Temperaturverteilung; und Anpassen der Spannungsansteuerung der ersten und/oder der zweiten Elektrodenanordnung in Abhängigkeit von der im Schritt a) ermittelten Temperaturverteilung.

10. 发明申请

WO2021115641A1 OPTISCHES SYSTEM, SOWIE HEIZANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HEIZEN EINES OPTISCHEN ELEMENTS IN EINEM OPTISCHEN SYSTEM 审中-公开
公开(公告)号：WO2021115641A1
公开(公告)日：2021-06-17
申请号：PCT/EP2020/073207
申请日：2020-08-19
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , BERNER, Andrea , BEDER, Susanne , DIRAUF, André , STIEPAN, Hans Michael , KLOPFLEISCH, Peter
发明人： BERNER, Andrea , BEDER, Susanne , DIRAUF, André , STIEPAN, Hans Michael , KLOPFLEISCH, Peter
IPC分类号： G03F7/20 , G02B7/00 , G02B7/18
摘要： Die Erfindung betrifft ein optisches System, sowie eine Heizanordnung und ein Verfahren zum Heizen eines optischen Elements in einem optischen System. Ein optisches System, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, weist wenigstens ein optisches Element, welches eine optische Wirkfläche aufweist und für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 30nm ausgelegt ist, eine Heizanordnung zum Heizen dieses optischen Elements, welche eine Mehrzahl von IR-Strahlern (101, 102, 103, 104, 401, 402, 403, 404) zur Beaufschlagung der optischen Wirkfläche mit IR-Strahlung aufweist, wobei diese IR-Strahler zur variablen Einstellung unterschiedlicher Heizprofile in dem optischen Element unabhängig voneinander ein- und ausschaltbar sind, und wenigstens eine Strahlformungseinheit (130, 231, 232, 233, 234, 430) zur Strahlungsformung der von den IR-Strahlern auf die optische Wirkfläche gelenkten IR-Strahlung auf.

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