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1. 发明申请

WO2022214290A1 METHOD FOR PRODUCING A MIRROR OF A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE APPARATUS 审中-公开
公开(公告)号：WO2022214290A1
公开(公告)日：2022-10-13
申请号：PCT/EP2022/056931
申请日：2022-03-17
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： ZACZEK, Christoph , LOOPSTRA, Erik , EVA, Eric
IPC分类号： G02B5/08 , G03F7/20
摘要： The invention relates to a method for producing a mirror (26) of a microlithographic projection exposure apparatus (1), wherein a first mirror part (27) having a first connecting surface (29) is provided and a second mirror part (28) having a second connecting surface (30) is provided. Cooling channels (32) and/or auxiliary channels (40) are formed in the second mirror part (27). The first mirror part (27) and the second mirror part (28) are brought together in such a way that initially a partial region of the first connecting surface (29) and a partial region of the second connecting surface (30) come into contact and form a common contact surface (38), and the contact surface (38) is enlarged by continuing to bring the first mirror part (27) and the second mirror part (28) together in a transverse direction (39) with respect to the cooling channels (32) or auxiliary channels (40).

2. 发明申请

WO2018162231A1 SPIEGEL MIT EINER PIEZOELEKTRISCH AKTIVEN SCHICHT 审中-公开
公开(公告)号：WO2018162231A1
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：PCT/EP2018/054209
申请日：2018-02-21
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： LOERCHER, Roland , ZACZEK, Christoph , HILD, Kerstin , LIPPERT, Joahnnes , KWAN, Yim-Bun-Patrick , GRUNER, Toralf , HUBER, Peter
IPC分类号： G02B5/08 , C23C14/34 , G02B26/08 , G02B26/06
摘要： Die Erfindung betrifft einen Spiegel (10) mit einer optisch aktiven Fläche (12) zur Reflektion elektromagnetischer Strahlung und mit mindestens einer piezoelektrisch aktiven Schicht (13) zur Deformation der optisch aktiven Fläche (12), wobei die piezoelektrisch aktive Schicht (13) zwischen der optisch aktiven Fläche (12) und einem Substrat (14) angeordnet ist. Erfindungsgemäß handelt es sich bei der piezoelektrisch aktiven Schicht (13) um eine Gasfluss-Sputterschicht. Mit Hilfe dieses Verfahrens lassen sich mechanisch stabile Piezoschichten mit Schichtdicken zwischen einigen µm und Hunderten von µm erzeugen, die für eine Verwendung des Spiegels (10) im DUV/VUV-Wellenlängenbereich notwendig sind. Vorteilhafterweise weist der Spiegel (10) eine Parzellierung der piezoelektrisch aktiven Schicht (13) in eine Vielzahl von piezoelektrischen Elementen (30) auf.

3. 发明申请

WO2011157684A1 OPTICAL SYSTEM 审中-公开
标题翻译：光学系统
公开(公告)号：WO2011157684A1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/EP2011/059793
申请日：2011-06-14
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , EHM, Dirk Heinrich , WEISS, Markus , ZACZEK, Christoph , HACKL, Tobias , SEITZ, Wolfgang
发明人： EHM, Dirk Heinrich , WEISS, Markus , ZACZEK, Christoph , HACKL, Tobias , SEITZ, Wolfgang
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G21K5/04 , G03F7/70233 , G03F7/70916
摘要： To prevent reflective optical elements (2) for EUV lithography from getting electrically charged as they are irradiated with EUV radiation (4), an optical system for EUV lithography is proposed, comprising a reflective optical element (2), including a substrate (21) with a highly reflective coating (22) emitting secondary electrons when irradiated with EUV radiation (4), and a source (3) of electrically charged particles, which is arranged in such a manner that electrically charged particles can be applied to the reflective optical element (2), wherein the source (3) is a flood gun applying electrons to the reflective optical element (2) as only means for charge carrier compensation.
摘要翻译：为了防止用于EUV光刻的反射光学元件（2）在用EUV辐射（4）照射时被充电，提出了一种用于EUV光刻的光学系统，包括反射光学元件（2），包括基板（21）具有当用EUV辐射（4）照射时发射二次电子的高反射涂层（22）和带电粒子的源（3），其被布置成使得带电粒子可以被施加到反射光学元件（2），其中源（3）是向反射光学元件（2）施加电子的泛洪枪，仅作为电荷载体补偿的装置。

4. 发明申请

WO2011072953A1 MIRROR FOR THE EUV WAVELENGTH RANGE, SUBSTRATE FOR SUCH A MIRROR, PROJECTION OBJECTIVE FOR MICROLITHOGRAPHY COMPRISING SUCH A MIRROR OR SUCH A SUBSTRATE, AND PROJECTION EXPOSURE APPARATUS FOR MICROLITHOGRAPHY COMPRISING SUCH A PROJECTION OBJECTIVE 审中-公开
标题翻译：用于EUV波长范围的镜子，用于这样的镜子的基板，包括这种等离子体的基板的微观计算的投影目标和用于包含这种投影目标的微观计算的投影曝光装置
公开(公告)号：WO2011072953A1
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：PCT/EP2010/067003
申请日：2010-11-08
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , MUELLENDER, Stephan , WEBER, Joern , CLAUSS, Wilfried , PAUL, Hans-Jochen , BRAUN, Gerhard , MIGURA, Sascha , DODOC, Aurelian , ZACZEK, Christoph , BLANCKENHAGEN, Gisela von , LOERCHER, Roland
发明人： MUELLENDER, Stephan , WEBER, Joern , CLAUSS, Wilfried , PAUL, Hans-Jochen , BRAUN, Gerhard , MIGURA, Sascha , DODOC, Aurelian , ZACZEK, Christoph , BLANCKENHAGEN, Gisela von , LOERCHER, Roland
IPC分类号： G02B5/08 , G03F7/20
CPC分类号： G02B5/0891 , B82Y30/00 , G02B1/10 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B5/0816 , G03F7/70233 , G03F7/70316 , G03F7/70958
摘要： The invention relates to a mirror (1a; 1a'; 1b; 1b'; 1c; 1c') for the EUV wavelength range comprising a substrate (S) and a layer arrangement, wherein the layer arrangement comprises at least one surface layer system (P"') consisting of a periodic sequence of at least two periods (P 3 ) of individual layers, wherein the periods (P 3 ) comprise two individual layers composed of different materials for a high refractive index layer (H'") and a low refractive index layer (L'"), wherein the layer arrangement comprises at least one substrate surface protecting layer (SPL, L p ) or at least one surface protecting layer system (SPLS) between the substrate and the periodic sequence of at least two periods of individual layers having a thickness of greater than 20 nm, in particular 50 nm.
摘要翻译：本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜（1a; 1a'; 1b; 1b; 1c; 1c'），其包括基底（S）和层布置，其中所述层布置包括至少一个表层系统 P“'），其由单个层的至少两个周期（P3）的周期性序列组成，其中周期（P3）包括由用于高折射率层（H”“）的不同材料和低折射率层组成的两个单独层折射率层（L“”），其中所述层布置包括至少一个衬底表面保护层（SPL，Lp）或至少一个表面保护层系统（SPLS）层厚度大于20nm，特别是50nm。

5. 发明申请

WO2022214289A1 METHOD FOR PRODUCING A MIRROR OF A LITHOGRAPHY SYSTEM 审中-公开
公开(公告)号：WO2022214289A1
公开(公告)日：2022-10-13
申请号：PCT/EP2022/056930
申请日：2022-03-17
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： ZACZEK, Christoph , LOOPSTRA, Erik , EVA, Eric
IPC分类号： G03F7/20 , G02B5/08
摘要： The invention relates to a method for producing a mirror (12) of a lithography system. In the method according to the invention, a first mirror part (13) and a second mirror part (14) are provided, wherein cooling channels (18) having elongate cooling channel openings (19) in the region of a first connecting surface (15) of the first mirror part (13) are formed in the first mirror part (13) and/or cooling channels (18) having elongate cooling channel openings (19) in the region of a second connecting surface (16) of the second mirror part (14) are formed in the second mirror part (14). The first mirror part (13) and the second mirror part (14) are brought together in such a way that initially a partial region of the first connecting surface (15) and a partial region of the second connecting surface (16) come into contact and form a common contact surface (24), and the common contact surface (24) is enlarged by continuing to bring the first mirror part (13) and the second mirror part (14) together in a direction (25) along the longitudinal extents of the cooling channel openings (19).

6. 发明申请

WO2012041341A1 PROJECTION EXPOSURE SYSTEM AND PROJECTION EXPOSURE METHOD 审中-公开
标题翻译：投影曝光系统和投影曝光方法
公开(公告)号：WO2012041341A1
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/EP2010/005949
申请日：2010-09-30
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , GRÄUPNER, Paul , CONRADI, Olaf , ZACZEK, Christoph , ULRICH, Wilhelm , BEIERL, Helmut , GRUNER, Toralf , GRÄSCHUS, Volker
发明人： GRÄUPNER, Paul , CONRADI, Olaf , ZACZEK, Christoph , ULRICH, Wilhelm , BEIERL, Helmut , GRUNER, Toralf , GRÄSCHUS, Volker
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70191 , G03F7/70308
摘要： A projection exposure system comprises an illumination system (ILL) configured to receive primary radiation with operating wavelength λ generated by a primary radiation source (S) and to form the primary radiation to generate illumination radiation incident on a mask (M) providing a prescribed pattern (PAT) and a projection objective (PO) configured to project an image of the pattern arranged in an object surface (OS) of the projection objective onto a radiation-sensitive substrate (W) arranged in an image surface (IS) of the projection objective at an image-side numerical aperture NA. An angle-selective filter arrangement (FA) is arranged at or close to a field surface of the projection objective in a projection beam path optically downstream of the object surface. The angle- selective filter arrangement is effective to filter radiation incident on the filter arrangement according to an angle-selective filter function. The filter function comprises a pass band (PB) with relatively high transmittance of intensity of incident radiation for angles of incidence smaller than a cut-off angle of incidence AOI CUT , and a stop band (SB) with relatively low transmittance of intensity of incident radiation for angles of incidence greater than the cut-off angle of incidence AOI CUT . The condition AOI CUT = arcsin (NA * | β | ) holds, with β being a magnification of an image formation between the field surface at or adjacent to the filter plane and the image surface of the projection objective.
摘要翻译：投影曝光系统包括被配置为接收工作波长λ的初级辐射的照明系统（ILL）由主辐射源（S）产生并且形成主辐射以产生入射到提供规定图案（PAT）的掩模（M）上的照射辐射和投影物镜（P），投影物镜（PO）被配置为投影布置在将投影物镜的物体表面（OS）放置在布置在像侧数值孔径NA处的投影物镜的图像表面（IS）中的辐射敏感衬底（W）上。角度选择性滤光器布置（FA）布置在投影物镜的场表面或靠近物体表面光学下游的投影光束路径中。角度选择滤波器装置可以根据角度选择滤波器的功能对入射到滤波器装置上的辐射进行滤波。滤波器功能包括对入射角小于入射角AOICUT的入射辐射强度具有较高透射率的通带（PB），以及入射辐射强度相对较低透射率的阻带（SB）对于入射角大于截止入射角AOICUT。条件AOICUT = arcsin（NA * |ß|）成立，其中ß是在滤波器平面处或与滤光片平面相邻的场表面与投影物镜的图像表面之间的图像形成的放大率。

7. 发明申请

WO2021074054A1 METHOD FOR CONNECTING AN ATTACHMENT TO A MAIN BODY OF AN OPTICAL ELEMENT AND OPTICAL ELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2021074054A1
公开(公告)日：2021-04-22
申请号：PCT/EP2020/078557
申请日：2020-10-12
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： NEFZI, Marwene , KUGLER, Jens , ZACZEK, Christoph
IPC分类号： G02B5/08 , G02B7/00 , G02B26/08 , G03F7/20 , C03C27/00 , C04B37/00 , G02B5/10
摘要： The invention relates to a method for connecting at least one attachment (6) to a main body (2) of an optical element, in particular a reflecting optical element (1), comprising: producing a bonding connection (7) between a surface region (6a), in particular a curved surface region, of the attachment (6) and a surface region (2a), in particular a curved surface region, of the main body (2). The invention also relates to an optical element, in particular a reflecting optical element (1), comprising: a main body (2) and at least one attachment (6). A surface region (6a) of the attachment (6) and a surface region (2a) of the main body (2) are connected to one another by way of a bonding connection (7).

8. 发明申请

WO2011051069A1 CATADIOPTRIC PROJECTION OBJECTIVE COMPRISING A REFLECTIVE OPTICAL COMPONENT AND A MEASURING DEVICE 审中-公开
标题翻译：包含反射光学元件和测量装置的目标投影目标
公开(公告)号：WO2011051069A1
公开(公告)日：2011-05-05
申请号：PCT/EP2010/064380
申请日：2010-09-28
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , BLEIDISTEL, Sascha , GRUNER, Toralf , ZACZEK, Christoph , MÜLLER, Ralf
发明人： BLEIDISTEL, Sascha , GRUNER, Toralf , ZACZEK, Christoph , MÜLLER, Ralf
IPC分类号： G02B17/08 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70258 , G02B13/143 , G02B17/0856 , G02B17/0892 , G03F7/70225 , G03F7/706
摘要： The invention relates to a catadioptric projection objective for imaging an object field onto an image field by means of an imaging radiation. In this case, the projection objective comprises at least one reflective optical component and a measuring device, wherein the reflective optical component, during the operation of the projection objective, reflects a first part of the imaging radiation and transmits a second part of the imaging radiation. While the rεfleeted, first part of the imaging radiation at least partly contributes to the imaging of the object field, the transmitted, second part of the imaging radiation is at least partly fed to a measuring device. This allows a simultaneous exposure of the photosensitive layer at the location of the image field with the imaging radiation and a monitoring of said imaging radiation with the aid of the measuring
摘要翻译：本发明涉及一种用于通过成像辐射将对象场成像到图像场上的反射折射投影物镜。在这种情况下，投影物镜包括至少一个反射光学部件和测量装置，其中反射光学部件在投影物镜的操作过程中反射成像辐射的第一部分并透射成像辐射的第二部分。虽然反射的，成像辐射的第一部分至少部分地有助于对象场的成像，但是成像辐射的透射的第二部分至少部分地被馈送到测量装置。这允许在图像场的位置处的感光层与成像辐射的同时曝光并且借助于测量来监测所述成像辐射

9. 发明申请

WO2022171469A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES MEHRTEILIGEN SPIEGELS EINER PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE FÜR DIE MIKROLITHOGRAPHIE 审中-公开
公开(公告)号：WO2022171469A1
公开(公告)日：2022-08-18
申请号：PCT/EP2022/052162
申请日：2022-01-31
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： ZACZEK, Christoph , LOOPSTRA, Erik , EVA, Eric
IPC分类号： G02B5/08 , C04B37/00 , G03F7/20
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Spiegels (26) einer Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Mikrolithographie, wobei wenigstens ein Materialrohling (34) bereitgestellt wird, der aus einem Material mit einem sehr niedrigen thermischen Expansionskoeffizienten besteht und der Störzonen (33) aufweist, innerhalb derer wenigstens ein Materialparameter um mehr als eine Mindestabweichung von einem Vorgabewert abweicht. Aus dem Materialrohling (34) wird ein erstes Spiegelteil (27) hergestellt, das eine erste Verbindungsfläche (29) aufweist. Aus dem Materialrohling (34) oder einem weiteren Materialrohling (34) wird ein zweites Spiegelteil (28) hergestellt, das eine zweite Verbindungsfläche (30) aufweist. Das erste Spiegelteil (27) und das zweite Spiegelteil (28) werden im Bereich der ersten Verbindungsfläche (29) des ersten Spiegelteils (27) und der zweiten Verbindungsfläche (30) des zweiten Spiegelteils (28) dauerhaft miteinander verbunden. Auf Basis der räumlichen Ausbildung der Störzonen (33) im Materialrohling (34) oder in den Materialrohlingen (34) wird ermittelt, aus welchem Volumenbereich des Materialrohlings (34) das erste Spiegelteil (27) hergestellt wird und/oder aus welchem Volumenbereich des Materialrohlings (34) oder des weiteren Materialrohlings (34) das zweite Spiegelteil (28) hergestellt wird.

10. 发明申请

WO2020011853A1 REFLEKTIVES OPTISCHES ELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2020011853A1
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：PCT/EP2019/068535
申请日：2019-07-10
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： FORCHT, Konstantin , PAZIDIS, Alexandra , ZACZEK, Christoph
IPC分类号： G02B5/08
摘要： Zur Verlängerung der Lebensdauer wird ein reflektives optisches Element für eine Betriebswellenlänge im VUV-Wellenlängenbereich vorgeschlagen, das ein Substrat (41) und darauf eine Metallschicht (49) aufweist, wobei es auf der substratabgewandten Seite der Metallschicht (49) mindestens eine Metallfluoridlage (43) und auf dessen substratabgewandter Seite mindestens eine Oxidlage (45) aufweist, wobei vorteilhafterweise die Dicken der Lagen (43, 45) auf der substratabgewandten Seite der Metallschicht (49) derart gewählt sind, dass das elektrische Feld einer sich bei Reflexion einer maßgeblichen ausbildende stehende Welle im Bereich der Oxidlage (45) ein Minimum aufweist. Dabei ist die maßgebliche Wellenlänge derart gewählt, dass das Integral über den Extinktionskoeffizienten des Materials der mindestens einen Oxidlage von einer minimalen Wellenlänge des VUV-Wellenlängenbereichs bis zur maßgeblichen Wellenlängen zwischen 15% und 47% des entsprechenden Integrals von der minimalen Wellenlängen bis zu einer maximalen Wellenlänge des VUV-Wellenlängenbereichs beträgt.

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