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1. 发明专利

DE112013004116T5 CMOS-Bolometer 未知
公开(公告)号：DE112013004116T5
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：DE112013004116
申请日：2013-08-20
申请人： FEYH ANDO , O'BRIEN GARY , PURKL FABIAN , BOSCH GMBH ROBERT , SAMARAO ASHWIN , YAMA GARY
发明人： YAMA GARY , SAMARAO ASHWIN , FEYH ANDO , PURKL FABIAN , O'BRIEN GARY
IPC分类号： G01J5/02 , G01J5/20 , H01L27/144
摘要： Ein Verfahren für das Herstellen einer Halbleitereinrichtung beinhaltet das Bilden wenigstens einer Opferschicht auf einem Substrat während eines komplementären Metalloxid-Halbleiter-(CMOS-)Prozesses. Eine Absorberschicht wird auf der Oberfläche der wenigstens einen Opferschicht abgelagert. Ein Teilbereich der wenigstens einen Opferschicht unterhalb der Absorberschicht wird entfernt, um eine Lücke zu bilden, über welche ein Teilbereich der Absorberschicht aufgehängt ist. Die Opferschicht kann ein Oxid des CMOS-Prozesses sein, wobei das Oxid entfernt wird, um die Lücke zu bilden, wobei ein selektiver Wasserstoff-Fluorsäure-Dampf-Trockenätz-Freigabeprozess benutzt wird. Die Opferschicht kann auch eine Polymerschicht sein, wobei die Polymerschicht entfernt wird, um die Lücke zu bilden, wobei ein O2-Plasma-Ätzprozess benutzt wird.

2. 发明公开

EP2971229A4 METAMATERIAL AND METHOD FOR FORMING A METAMATERIAL USING ATOMIC LAYER DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：通过原子层沉积生产金属材料的元材和方法
公开(公告)号：EP2971229A4
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：EP14770096
申请日：2014-03-08
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , PURKL FABIAN , PROVINE JOHN , YAMA GARY , FEYH ANDO , O'BRIEN GARY
发明人： PURKL FABIAN , PROVINE JOHN , YAMA GARY , FEYH ANDO , O'BRIEN GARY
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/448
CPC分类号： C23C16/45529 , Y10T428/24851

3. 发明申请

WO2014189600A3 ANISOTROPIC CONDUCTOR AND METHOD OF FABRICATION THEREOF 审中-公开
标题翻译：各向异性导体及其制造方法
公开(公告)号：WO2014189600A3
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：PCT/US2014022175
申请日：2014-03-08
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , FEYH ANDO , PURKL FABIAN , SAMARAO ASHWIN , YAMA GARY , O'BRIEN GARY
发明人： FEYH ANDO , PURKL FABIAN , SAMARAO ASHWIN , YAMA GARY , O'BRIEN GARY
IPC分类号： C23C28/00 , C23C16/455
CPC分类号： B81C1/00095 , B81B7/0006 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02601 , H01L21/3142 , H01L45/146
摘要： An anisotropic conductor and a method of fabrication thereof. The anisotropic conductor includes an insulating matrix and a plurality of nanoparticles disposed therein. A first portion of the plurality of nanoparticles provides a conductor when subjected to a voltage and/or current pulse. A second portion of the plurality of the nanoparticles does not form a conductor when the voltage and or current pulse is applied to the first portion. The anisotropic conductor forms a conductive path between conductors of electronic devices, components, and systems, including microelectromechanical systems (MEMS) devices, components, and systems.
摘要翻译：各向异性导体及其制造方法。各向异性导体包括绝缘基体和设置在其中的多个纳米颗粒。多个纳米颗粒的第一部分在经受电压和/或电流脉冲时提供导体。当电压和/或电流脉冲施加到第一部分时，多个纳米颗粒的第二部分不形成导体。各向异性导体在电子器件，部件和系统的导体之间形成导电路径，包括微机电系统（MEMS）器件，部件和系统。

4. 发明申请

WO2014143299A3 SUSPENSION AND ABSORBER STRUCTURE FOR BOLOMETER 审中-公开
标题翻译： BOLOMETER的悬挂和吸收结构
公开(公告)号：WO2014143299A3
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：PCT/US2013076216
申请日：2013-12-18
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , PURKL FABIAN , YAMA GARY , FEYH ANDO
发明人： PURKL FABIAN , YAMA GARY , FEYH ANDO
IPC分类号： G01J5/20 , G01J5/08
CPC分类号： H01L31/101 , G01J5/0853 , G01J5/20 , H01L31/02327
摘要： A semiconductor device includes a substrate having an upper surface that defines a sensing region. A fixed beam structure is supported at a first level above the sensing region. The fixed beam structure includes fixed beam supports that extend upwardly from the upper surface of the substrate to position the fixed beam structure at the first level above the sensing region. An absorber structure is supported above the fixed beam structure at a second level above the sensing region. The absorber structure includes a pillar support that extends upwardly from the fixed beam structure to position the absorber structure at the second level above the sensing region.
摘要翻译：半导体器件包括具有限定感测区域的上表面的衬底。在感测区域上方的第一级处支撑固定光束结构。固定梁结构包括从基板的上表面向上延伸的固定梁支撑件，以将固定梁结构定位在感测区域上方的第一水平处。吸收体结构在感测区域上方的第二级支撑在固定光束结构上方。吸收器结构包括从固定梁结构向上延伸的支柱支撑件，以将吸收体结构定位在感测区域上方的第二水平处。

5. 发明专利

DE112013004275T5 Gewundener IR-Sensor 未知
公开(公告)号：DE112013004275T5
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：DE112013004275
申请日：2013-08-29
申请人： FEYH ANDO , PURKL FABIAN , BOSCH GMBH ROBERT
发明人： PURKL FABIAN , YAMA GARY , FEYH ANDO , O'BRIEN GARY
IPC分类号： G01J5/04 , G01J5/02 , G01J5/06 , G01J5/08 , G01J5/20
摘要： In einer Ausführungsform weist ein MEMS-Sensor einen Spiegel und einen Absorber auf, welcher von dem Spiegel beabstandet ist, wobei der Absorber eine Vielzahl von voneinander beabstandeten leitenden Abschnitten aufweist, welche einen gewundenen Pfad über eine Fläche definieren, welche direkt über dem Spiegel liegt.

6. 发明申请

WO2013134592A3 ATOMIC LAYER DEPOSITION STRENGTHENING MEMBERS AND METHOD OF MANUFACTURE 审中-公开
标题翻译：原子层沉积强化元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2013134592A3
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：PCT/US2013029763
申请日：2013-03-08
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , YAMA GARY , PURKL FABIAN , LIGER MATTHIEU , ILLING MATTHIAS
发明人： YAMA GARY , PURKL FABIAN , LIGER MATTHIEU , ILLING MATTHIAS
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00 , G01J5/02 , G01J5/20 , H01L27/146
CPC分类号： B81C1/00039 , B81B3/007 , B81B2201/0207 , B81B2203/0307 , B81C2201/0181 , G01J5/023 , H01L27/14649 , H01L27/14683
摘要： In one embodiment, a method of forming a semiconductor device includes providing a substrate, forming a sacrificial layer above the substrate layer, forming a first trench in the sacrificial layer, forming a first sidewall layer with a thickness of less than about 50 nm on a first sidewall of the first trench using atomic layer deposition (ALD), and removing the sacrificial layer.
摘要翻译：在一个实施例中，一种形成半导体器件的方法包括提供衬底，在衬底层上方形成牺牲层，在牺牲层中形成第一沟槽，在衬底上形成厚度小于约50nm的第一侧壁层使用原子层沉积（ALD）形成第一沟槽的第一侧壁，并去除牺牲层。

7. 发明申请

WO2014036250A3 SERPENTINE IR SENSOR 审中-公开
标题翻译： SERPENTINE红外传感器
公开(公告)号：WO2014036250A3
公开(公告)日：2014-05-08
申请号：PCT/US2013057280
申请日：2013-08-29
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , PURKLY FABIAN , YAMA GARY , FEYH ANDO , O'BRIEN GARY
发明人： PURKLY FABIAN , YAMA GARY , FEYH ANDO , O'BRIEN GARY
IPC分类号： G01J5/04 , G01J5/02 , G01J5/06 , G01J5/08 , G01J5/20
CPC分类号： H01L31/0232 , G01J5/0225 , G01J5/023 , G01J5/024 , G01J5/045 , G01J5/046 , G01J5/06 , G01J5/0809 , G01J5/0853 , G01J5/20 , H01L31/09
摘要： In one embodiment, a MEMS sensor includes a mirror and an absorber spaced apart from the mirror, the absorber including a plurality of spaced apart conductive legs defining a tortuous path across an area directly above the mirror.
摘要翻译：在一个实施例中，MEMS传感器包括反射镜和与反射镜间隔开的吸收体，所述吸收器包括多个间隔开的导电支柱，其限定穿过反射镜正上方的区域的曲折路径。

8. 发明专利

DK2879988T3 HUSGENNEMFØRING (KABELFORSKRUNING) 未知
公开(公告)号：DK2879988T3
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：DK13829083
申请日：2013-07-31
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , CHEN PO JUI , LIGER MATTHIEU , GRAHAM ANDREW , YAMA GARY
发明人： CHEN PO-JUI , YAMA GARY , LIGER MATTHIEU , GRAHAM ANDREW
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00 , G01C19/5783 , G01P15/08 , G01P15/18

9. 发明申请

WO2007021396A8 MICROELECTROMECHANICAL DEVICES AND FABRICATION METHODS 审中-公开
标题翻译：微电子设备和制造方法
公开(公告)号：WO2007021396A8
公开(公告)日：2007-09-07
申请号：PCT/US2006026531
申请日：2006-07-07
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , YAMA GARY
发明人： YAMA GARY
IPC分类号： B81C99/00
CPC分类号： B81C1/00333
摘要： There are many inventions described and illustrated herein. In one aspect, the present invention is directed to a MEMS device, and technique of fabricating or manufacturing a MEMS device, having mechanical structures encapsulated in a chamber prior to final packaging. An embodiment further includes a buried polysilicon layer and a "protective layer" deposited over the buried polysilicon layer to prevent possible erosion of, or damage to the buried polysilicon layer during processing steps. The material that encapsulates the mechanical structures, when deposited, includes one or more of the following attributes: low tensile stress, good step coverage, maintains its integrity when subjected to subsequent processing, does not significantly and/or adversely impact the performance characteristics of the mechanical structures in the chamber (if coated with the material during deposition), and/or facilitates integration with high-performance integrated circuits. In one embodiment, the material that encapsulates the mechanical structures is, for example, silicon (polycrystalline, amorphous or porous, whether doped or undoped), silicon carbide, silicon-germanium, germanium, or gallium-arsenide.
摘要翻译：这里描述和说明了许多发明。在一个方面，本发明涉及MEMS器件，以及制造或制造MEMS器件的技术，其具有在最终封装之前封装在腔室中的机械结构。实施例还包括掩埋多晶硅层和沉积在掩埋多晶硅层上的“保护层”，以防止在处理步骤期间可能的侵蚀或损坏埋多晶硅层。当沉积时，封装机械结构的材料包括以下属性中的一个或多个：低拉伸应力，良好的阶梯覆盖，在经受后续加工时保持其完整性，不会显着和/或不利地影响室中的机械结构（如果在沉积期间涂覆材料）和/或促进与高性能集成电路的集成。在一个实施例中，封装机械结构的材料是例如硅（多晶，无定形或多孔，无论掺杂或未掺杂），碳化硅，硅 - 锗，锗或砷化镓。

10. 发明申请

WO2014062273A3 SUBSTRATE WITH MULTIPLE ENCAPSULATED DEVICES 审中-公开
标题翻译：具有多个封装器件的衬底
公开(公告)号：WO2014062273A3
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：PCT/US2013052974
申请日：2013-07-31
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , CHEN PO-JUI , YAMA GARY , LIGER MATTHIEU , GRAHAM ANDREW
发明人： CHEN PO-JUI , YAMA GARY , LIGER MATTHIEU , GRAHAM ANDREW
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00
CPC分类号： H01L29/84 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/015 , B81C1/0023 , B81C2201/0197 , B81C2203/0136 , B81C2203/0771 , G01C19/5783 , G01P15/0802 , G01P15/18 , H01L29/66007
摘要： A device with multiple encapsulated functional layers, includes a substrate, a first functional layer positioned above a top surface of the substrate, the functional layer including a first device portion, a first encapsulating layer encapsulating the first functional layer, a second functional layer positioned above the first encapsulating layer, the second functional layer including a second device portion, and a second encapsulating layer encapsulating the second functional layer.
摘要翻译：具有多个封装功能层的器件包括衬底，位于衬底顶表面上方的第一功能层，功能层包括第一器件部分，封装第一功能层的第一封装层，位于第一功能层上方的第二功能层第一封装层，第二功能层包括第二器件部分和封装第二功能层的第二封装层。

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