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1. 发明专利

DK2879988T3 HUSGENNEMFØRING (KABELFORSKRUNING) 未知
公开(公告)号：DK2879988T3
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：DK13829083
申请日：2013-07-31
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , CHEN PO JUI , LIGER MATTHIEU , GRAHAM ANDREW , YAMA GARY
发明人： CHEN PO-JUI , YAMA GARY , LIGER MATTHIEU , GRAHAM ANDREW
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00 , G01C19/5783 , G01P15/08 , G01P15/18

2. 发明申请

WO2014062273A3 SUBSTRATE WITH MULTIPLE ENCAPSULATED DEVICES 审中-公开
标题翻译：具有多个封装器件的衬底
公开(公告)号：WO2014062273A3
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：PCT/US2013052974
申请日：2013-07-31
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , CHEN PO-JUI , YAMA GARY , LIGER MATTHIEU , GRAHAM ANDREW
发明人： CHEN PO-JUI , YAMA GARY , LIGER MATTHIEU , GRAHAM ANDREW
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00
CPC分类号： H01L29/84 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/015 , B81C1/0023 , B81C2201/0197 , B81C2203/0136 , B81C2203/0771 , G01C19/5783 , G01P15/0802 , G01P15/18 , H01L29/66007
摘要： A device with multiple encapsulated functional layers, includes a substrate, a first functional layer positioned above a top surface of the substrate, the functional layer including a first device portion, a first encapsulating layer encapsulating the first functional layer, a second functional layer positioned above the first encapsulating layer, the second functional layer including a second device portion, and a second encapsulating layer encapsulating the second functional layer.
摘要翻译：具有多个封装功能层的器件包括衬底，位于衬底顶表面上方的第一功能层，功能层包括第一器件部分，封装第一功能层的第一封装层，位于第一功能层上方的第二功能层第一封装层，第二功能层包括第二器件部分和封装第二功能层的第二封装层。

3. 发明申请

WO2013134592A3 ATOMIC LAYER DEPOSITION STRENGTHENING MEMBERS AND METHOD OF MANUFACTURE 审中-公开
标题翻译：原子层沉积强化元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2013134592A3
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：PCT/US2013029763
申请日：2013-03-08
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , YAMA GARY , PURKL FABIAN , LIGER MATTHIEU , ILLING MATTHIAS
发明人： YAMA GARY , PURKL FABIAN , LIGER MATTHIEU , ILLING MATTHIAS
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00 , G01J5/02 , G01J5/20 , H01L27/146
CPC分类号： B81C1/00039 , B81B3/007 , B81B2201/0207 , B81B2203/0307 , B81C2201/0181 , G01J5/023 , H01L27/14649 , H01L27/14683
摘要： In one embodiment, a method of forming a semiconductor device includes providing a substrate, forming a sacrificial layer above the substrate layer, forming a first trench in the sacrificial layer, forming a first sidewall layer with a thickness of less than about 50 nm on a first sidewall of the first trench using atomic layer deposition (ALD), and removing the sacrificial layer.
摘要翻译：在一个实施例中，一种形成半导体器件的方法包括提供衬底，在衬底层上方形成牺牲层，在牺牲层中形成第一沟槽，在衬底上形成厚度小于约50nm的第一侧壁层使用原子层沉积（ALD）形成第一沟槽的第一侧壁，并去除牺牲层。

4. 发明专利

DE112013004116T5 CMOS-Bolometer 未知
公开(公告)号：DE112013004116T5
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：DE112013004116
申请日：2013-08-20
申请人： FEYH ANDO , O'BRIEN GARY , PURKL FABIAN , BOSCH GMBH ROBERT , SAMARAO ASHWIN , YAMA GARY
发明人： YAMA GARY , SAMARAO ASHWIN , FEYH ANDO , PURKL FABIAN , O'BRIEN GARY
IPC分类号： G01J5/02 , G01J5/20 , H01L27/144
摘要： Ein Verfahren für das Herstellen einer Halbleitereinrichtung beinhaltet das Bilden wenigstens einer Opferschicht auf einem Substrat während eines komplementären Metalloxid-Halbleiter-(CMOS-)Prozesses. Eine Absorberschicht wird auf der Oberfläche der wenigstens einen Opferschicht abgelagert. Ein Teilbereich der wenigstens einen Opferschicht unterhalb der Absorberschicht wird entfernt, um eine Lücke zu bilden, über welche ein Teilbereich der Absorberschicht aufgehängt ist. Die Opferschicht kann ein Oxid des CMOS-Prozesses sein, wobei das Oxid entfernt wird, um die Lücke zu bilden, wobei ein selektiver Wasserstoff-Fluorsäure-Dampf-Trockenätz-Freigabeprozess benutzt wird. Die Opferschicht kann auch eine Polymerschicht sein, wobei die Polymerschicht entfernt wird, um die Lücke zu bilden, wobei ein O2-Plasma-Ätzprozess benutzt wird.

5. 发明公开

EP2971229A4 METAMATERIAL AND METHOD FOR FORMING A METAMATERIAL USING ATOMIC LAYER DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：通过原子层沉积生产金属材料的元材和方法
公开(公告)号：EP2971229A4
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：EP14770096
申请日：2014-03-08
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , PURKL FABIAN , PROVINE JOHN , YAMA GARY , FEYH ANDO , O'BRIEN GARY
发明人： PURKL FABIAN , PROVINE JOHN , YAMA GARY , FEYH ANDO , O'BRIEN GARY
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/448
CPC分类号： C23C16/45529 , Y10T428/24851

6. 发明申请

WO2007021396A8 MICROELECTROMECHANICAL DEVICES AND FABRICATION METHODS 审中-公开
标题翻译：微电子设备和制造方法
公开(公告)号：WO2007021396A8
公开(公告)日：2007-09-07
申请号：PCT/US2006026531
申请日：2006-07-07
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , YAMA GARY
发明人： YAMA GARY
IPC分类号： B81C99/00
CPC分类号： B81C1/00333
摘要： There are many inventions described and illustrated herein. In one aspect, the present invention is directed to a MEMS device, and technique of fabricating or manufacturing a MEMS device, having mechanical structures encapsulated in a chamber prior to final packaging. An embodiment further includes a buried polysilicon layer and a "protective layer" deposited over the buried polysilicon layer to prevent possible erosion of, or damage to the buried polysilicon layer during processing steps. The material that encapsulates the mechanical structures, when deposited, includes one or more of the following attributes: low tensile stress, good step coverage, maintains its integrity when subjected to subsequent processing, does not significantly and/or adversely impact the performance characteristics of the mechanical structures in the chamber (if coated with the material during deposition), and/or facilitates integration with high-performance integrated circuits. In one embodiment, the material that encapsulates the mechanical structures is, for example, silicon (polycrystalline, amorphous or porous, whether doped or undoped), silicon carbide, silicon-germanium, germanium, or gallium-arsenide.
摘要翻译：这里描述和说明了许多发明。在一个方面，本发明涉及MEMS器件，以及制造或制造MEMS器件的技术，其具有在最终封装之前封装在腔室中的机械结构。实施例还包括掩埋多晶硅层和沉积在掩埋多晶硅层上的“保护层”，以防止在处理步骤期间可能的侵蚀或损坏埋多晶硅层。当沉积时，封装机械结构的材料包括以下属性中的一个或多个：低拉伸应力，良好的阶梯覆盖，在经受后续加工时保持其完整性，不会显着和/或不利地影响室中的机械结构（如果在沉积期间涂覆材料）和/或促进与高性能集成电路的集成。在一个实施例中，封装机械结构的材料是例如硅（多晶，无定形或多孔，无论掺杂或未掺杂），碳化硅，硅 - 锗，锗或砷化镓。

7. 发明申请

WO2010107619A3 SUBSTRATE WITH MULTIPLE ENCAPSULATED PRESSURES 审中-公开
标题翻译：带有多个封装压力的基板
公开(公告)号：WO2010107619A3
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：PCT/US2010026685
申请日：2010-03-09
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , CANDLER ROBERT N , YAMA GARY
发明人： CANDLER ROBERT N , YAMA GARY
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00
CPC分类号： H01L23/3171 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/00293 , B81C2203/0136 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A method of forming a device with multiple encapsulated pressures is disclosed herein. In accordance with one embodiment of the present invention, there is provided a method of forming a device with multiple encapsulated pressures, including providing a substrate, forming a functional layer on top of a surface of the substrate, the functional layer including a first device portion at a first location, and a second device portion at a second location adjacent to the first location, encapsulating the functional layer, forming at least one diffusion resistant layer above the encapsulated functional layer at a location above the first location and not above the second location, modifying an environment adjacent the at least one diffusion resistant layer, and diffusing a gas into the second location as a result of the modified environment.
摘要翻译：本文公开了形成具有多个封装压力的装置的方法。根据本发明的一个实施例，提供了一种形成具有多个封装压力的器件的方法，包括提供衬底，在衬底的表面的顶部上形成功能层，所述功能层包括第一器件部分在第一位置处的第二设备部分和与第一位置相邻的第二位置处的第二设备部分，封装功能层，在第一位置上方并且不在第二位置之上的位置处在封装的功能层上方形成至少一个扩散阻挡层改变邻近所述至少一个扩散阻挡层的环境，以及由于所述改进的环境而将气体扩散到所述第二位置。

8. 发明申请

WO2006115592A8 ANTI-STICTION TECHNIQUE FOR ELECTROMECHANICAL SYSTEMS AND ELECTROMECHANICAL DEVICE EMPLOYING SAME 审中-公开
标题翻译：机电系统的防伪技术及其使用的电子设备
公开(公告)号：WO2006115592A8
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：PCT/US2006008600
申请日：2006-03-10
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , ULM MARKUS , METZ MATTHIAS , STARK BRIAN , YAMA GARY , LUTZ MARKUS , PARTRIDGE AARON , FREY WILHELM
发明人： ULM MARKUS , METZ MATTHIAS , STARK BRIAN , YAMA GARY , LUTZ MARKUS , PARTRIDGE AARON , FREY WILHELM
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/0096 , B81B3/0005 , B81C2201/112 , B82Y30/00 , H01L2224/13 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
摘要： A mechanical structure is disposed in a chamber, at least a portion of which is defined by the encapsulation structure. A first method provides a channel cap having at least one preform portion disposed over or in at least a portion of an anti-stiction channel to seal the anti-stiction channel, at least in part. A second method provides a channel cap having at least one portion disposed over or in at least a portion of an anti-stiction channel to seal the anti-stiction channel, at least in part. The at least one portion is fabricated apart from the electromechanical device and thereafter affixed to the electromechanical device. A third method provides a channel cap having at least one portion disposed over or in at least a portion of the anti-stiction channel to seal an anti-stiction channel, at least in part. The at least one portion may comprise a wire ball, a stud, metal foil or a solder preform. A device includes a substrate, an encapsulation structure and a mechanical structure. An anti-stiction layer is disposed on at least a portion of the mechanical structure. An anti-stiction channel is formed in at least one of the substrate and the encapsulation structure. A cap has at least one preform portion disposed over or in at least a portion of the anti-stiction channel to seal the anti-stiction channel, at least in part.
摘要翻译：机械结构设置在室中，其至少一部分由封装结构限定。第一种方法提供了一种通道盖，其具有至少部分地设置在防静电通道上方或至少一部分中的至少一个预制件部分，以密封抗静电通道。第二种方法提供了通道盖，其具有至少部分地设置在防静电通道上方或至少一部分中的至少一部分，以密封抗静脉通道。该至少一个部分与机电装置分开制造，然后固定在机电装置上。第三种方法提供了通道盖，其具有至少部分地设置在抗静电通道上方或至少一部分中的至少一个部分，以密封抗静脉通道。所述至少一个部分可以包括线球，螺柱，金属箔或焊料预制件。一种器件包括衬底，封装结构和机械结构。抗静电层设置在机械结构的至少一部分上。在基板和封装结构中的至少一个中形成抗静电通道。至少部分地，盖具有至少一个预制件部分设置在防静电通道的上方或其至少一部分中，以密封抗静电通道。

9. 发明申请

WO2014189600A3 ANISOTROPIC CONDUCTOR AND METHOD OF FABRICATION THEREOF 审中-公开
标题翻译：各向异性导体及其制造方法
公开(公告)号：WO2014189600A3
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：PCT/US2014022175
申请日：2014-03-08
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , FEYH ANDO , PURKL FABIAN , SAMARAO ASHWIN , YAMA GARY , O'BRIEN GARY
发明人： FEYH ANDO , PURKL FABIAN , SAMARAO ASHWIN , YAMA GARY , O'BRIEN GARY
IPC分类号： C23C28/00 , C23C16/455
CPC分类号： B81C1/00095 , B81B7/0006 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02601 , H01L21/3142 , H01L45/146
摘要： An anisotropic conductor and a method of fabrication thereof. The anisotropic conductor includes an insulating matrix and a plurality of nanoparticles disposed therein. A first portion of the plurality of nanoparticles provides a conductor when subjected to a voltage and/or current pulse. A second portion of the plurality of the nanoparticles does not form a conductor when the voltage and or current pulse is applied to the first portion. The anisotropic conductor forms a conductive path between conductors of electronic devices, components, and systems, including microelectromechanical systems (MEMS) devices, components, and systems.
摘要翻译：各向异性导体及其制造方法。各向异性导体包括绝缘基体和设置在其中的多个纳米颗粒。多个纳米颗粒的第一部分在经受电压和/或电流脉冲时提供导体。当电压和/或电流脉冲施加到第一部分时，多个纳米颗粒的第二部分不形成导体。各向异性导体在电子器件，部件和系统的导体之间形成导电路径，包括微机电系统（MEMS）器件，部件和系统。

10. 发明申请

WO2014143299A3 SUSPENSION AND ABSORBER STRUCTURE FOR BOLOMETER 审中-公开
标题翻译： BOLOMETER的悬挂和吸收结构
公开(公告)号：WO2014143299A3
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：PCT/US2013076216
申请日：2013-12-18
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , PURKL FABIAN , YAMA GARY , FEYH ANDO
发明人： PURKL FABIAN , YAMA GARY , FEYH ANDO
IPC分类号： G01J5/20 , G01J5/08
CPC分类号： H01L31/101 , G01J5/0853 , G01J5/20 , H01L31/02327
摘要： A semiconductor device includes a substrate having an upper surface that defines a sensing region. A fixed beam structure is supported at a first level above the sensing region. The fixed beam structure includes fixed beam supports that extend upwardly from the upper surface of the substrate to position the fixed beam structure at the first level above the sensing region. An absorber structure is supported above the fixed beam structure at a second level above the sensing region. The absorber structure includes a pillar support that extends upwardly from the fixed beam structure to position the absorber structure at the second level above the sensing region.
摘要翻译：半导体器件包括具有限定感测区域的上表面的衬底。在感测区域上方的第一级处支撑固定光束结构。固定梁结构包括从基板的上表面向上延伸的固定梁支撑件，以将固定梁结构定位在感测区域上方的第一水平处。吸收体结构在感测区域上方的第二级支撑在固定光束结构上方。吸收器结构包括从固定梁结构向上延伸的支柱支撑件，以将吸收体结构定位在感测区域上方的第二水平处。

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