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1. 发明申请

WO0146066A3 SENSOR WITH AT LEAST ONE MICROMECHANICAL STRUCTURE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：根据上述制造至少一个微机械结构与过程传感器
公开(公告)号：WO0146066A3
公开(公告)日：2002-04-04
申请号：PCT/DE0004454
申请日：2000-12-14
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , REICHENBACH FRANK , PINTER STEFAN , HENNING FRANK , ARTMANN HANS , BAUMANN HELMUT , LAERMER FRANZ , OFFENBERG MICHAEL , BISCHOPINK GEORG
发明人： REICHENBACH FRANK , PINTER STEFAN , HENNING FRANK , ARTMANN HANS , BAUMANN HELMUT , LAERMER FRANZ , OFFENBERG MICHAEL , BISCHOPINK GEORG
IPC分类号： B81B3/00 , B81B7/00 , B81C1/00 , G01P15/08
CPC分类号： B81C1/00293 , B81B2201/0228 , B81B2207/095 , B81C2201/0115 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145
摘要： According to the invention, the cover (13) of the inventive sensor is made of a first layer (32) (deposition layer) which is transparent to an etching to reaction products and has a hermetically sealed second layer (34) (sealing layer) located thereover. In the method according to the invention, at least the sensor chamber (28) is located in the base wafer (11) is filled with an oxide (30), in particular CVD oxide or porous oxide after a structure (26) has been established. The sensor chamber (28)is covered with a first layer (32) in particular a polysilicon layer which is or has been made transparent to the etching medium and the reaction products (deposition layer). The oxide (30) in the sensor chamber (28) is removed by an etching medium which etches through the deposition layer (32). A second layer (34) (sealing layer) is subsequently applied to the deposition layer (32) which hermetically seals the sensor chamber (28). Said second layer is in particular made of a metal or an insulator.
摘要翻译：据设想，在本发明的传感器，由透明的盖（13）的蚀刻介质和反应产物中的第一层（32）（分离层）和上覆的气密地密封的第二层（34）（密封层），并且本发明的方法至少在基底晶片（11）建立结构之后（26），现有的传感器腔室（28）填充有具有氧化物（30），特别是CVD氧化物或多孔氧化物，所述传感器室（28），一个用于蚀刻介质和反应产物透明或随后作出透明的第一层（32）（分离层），特别是多晶硅，被覆盖，这是在所述传感器室（28）通过所述分离层（32）的氧化物（30）通过蚀刻介质和随后的第二层（去世由金属或绝缘体（在沉积层32上）的34）（密封层），特别是施加到浅草 rraum（28）气密地密封。

2. 发明申请

WO2010139496A3 SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A MICROMECHANICAL MICROPHONE STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：带麦克风的微观力学结构的半导体COMPONENT
公开(公告)号：WO2010139496A3
公开(公告)日：2011-04-28
申请号：PCT/EP2010054519
申请日：2010-04-06
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , REICHENBACH FRANK , BUCK THOMAS , HOECHST ARNIM
发明人： REICHENBACH FRANK , BUCK THOMAS , HOECHST ARNIM
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81B3/0008 , B81B2201/0257 , H04R19/005 , H04R19/016
摘要： The invention relates to a simple and cost-effective embodiment for a semiconductor component having a micromechanical microphone structure, comprising an acoustically active membrane (21) designed as a deflectable electrode of a microphone condenser, a stationary acoustically permeable counter-element (22) designed as the counter-electrode of the microphone condenser, and means for applying a charge voltage between the deflectable electrode (21) and the counter-electrode (22) of the microphone condenser. In order for the function of said semiconductor component not to be impaired, even during overload situations, in which a contact occurs between the membrane and counter-electrode, the deflectable electrode (21) and the counter-electrode (22) of the microphone condenser are at least regionally counter-doped such that, in case of contact, they form a diode. Furthermore, the charge voltage between the deflectable electrode (21) and the counter-electrode (22) is poled such that said diode is switched in the blocking direction.
摘要翻译：所以建议实现简单且廉价的形式为具有半导体器件的微机械麦克风结构，包括声学活性膜（21）作为麦克风电容器的偏转电极，固定声透射反元件（22）作为麦克风电容器的反电极以及用于将所述间施加充电电压偏转电极（21）和所述麦克风电容器包括的对置电极（22）。因此，该半导体器件的操作不受过载情况下，其中存在所述膜和所述对电极，所述偏转电极（21）和所述麦克风电容器的对置电极（22）之间的接触是在至少掺杂区域方式相反，以使它们在接触的情况下形成二极管。另外，偏转电极（21）和对置电极（22）之间的充电电压被偏振，使得所述二极管连接在相反的方向。

3. 发明申请

WO2009077234A3 METHOD FOR PRODUCING A CAPPING WAFER FOR A SENSOR 审中-公开
标题翻译：生产传感器的CAPS晶片的方法
公开(公告)号：WO2009077234A3
公开(公告)日：2009-10-22
申请号：PCT/EP2008064126
申请日：2008-10-20
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , REICHENBACH FRANK , LAERMER FRANZ , KRONMUELLER SILVIA , SCHEURLE ANDREAS
发明人： REICHENBACH FRANK , LAERMER FRANZ , KRONMUELLER SILVIA , SCHEURLE ANDREAS
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00301 , B81B2207/095 , H01L24/11 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/13025 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： The invention relates to a method for producing a capping wafer (100), in particular a seal glass capping wafer (100), for a sensor, particularly a motor vehicle sensor, with at least one cap, the method comprising the following steps: producing a via (110) through the capping wafer (100) and, subsequently, filling the via (110) with an electrically conductive material (51). The invention also relates to a method for producing a sensor stack with a capping wafer (100) produced according to the invention. The invention further relates to a capping wafer (100) with an electrical via according to the invention, a sensor with a cap according to the invention and an arrangement of a substrate comprising a sensor according to the invention.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制备帽晶片（100），特别是密封玻璃帽晶片（100），用于传感器，特别是机动车辆传感器，其具有至少一个盖，其包括以下步骤：通过所述帽晶片制备的接触通孔（110）（100 ），然后用导电材料（51）填充接触通路（110）。此外，本发明涉及一种用于根据本发明制造具有盖晶片（100）的传感器叠层的方法。此外，本发明涉及具有根据本发明的电馈通的盖晶片（100），具有根据本发明的盖的传感器以及具有根据本发明的传感器的基板的布置。

4. 发明专利

DE102015224533A1 Reaktives Verschlussgas zur gezielten Anpassung des Kaverneninnendruckes 未知
公开(公告)号：DE102015224533A1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：DE102015224533
申请日：2015-12-08
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： REICHENBACH FRANK , REINMUTH JOCHEN , BREITLING ACHIM , AMTHOR JULIA
IPC分类号： B81C1/00 , B81B7/02 , G01C19/5769 , G01N27/30 , G01P15/08
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements mit einem Substrat und mit einer mit dem Substrat verbundenen und mit dem Substrat eine erste Kaverne umschließenden Kappe vorgeschlagen, wobei in der ersten Kaverne ein erster Druck herrscht und ein erstes Gasgemisch mit einer ersten chemischen Zusammensetzung eingeschlossen ist, wobei – in einem ersten Verfahrensschritt eine die erste Kaverne mit einer Umgebung des mikromechanischen Bauelements verbindende Zugangsöffnung in dem Substrat oder in der Kappe ausgebildet wird, wobei – in einem zweiten Verfahrensschritt der erste Druck und/oder die erste chemische Zusammensetzung in der ersten Kaverne eingestellt wird, wobei – in einem dritten Verfahrensschritt die Zugangsöffnung durch Einbringen von Energie oder Wärme in einen absorbierenden Teil des Substrats oder der Kappe mithilfe eines Lasers verschlossen wird, wobei in einem vierten Verfahrensschritt ein Reaktivgas zum weiteren Einstellen des ersten Drucks und/oder der ersten chemischen Zusammensetzung in die erste Kaverne eingebracht wird.

5. 发明专利

DE102005038755B4 Mikromechanisches Bauelement 未知
公开(公告)号：DE102005038755B4
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：DE102005038755
申请日：2005-08-17
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： REICHENBACH FRANK , HAAG FRIEDER , KAELBERER ARND
IPC分类号： B81B1/00 , B81C99/00
摘要： Mikromechanisches Bauelement (110), welches eine derartige Struktur aufweist, dass ein Materialstrom aus wenigstens einer Vorzugsrichtung zur gleichmäßigen Umhüllung des mikromechanischen Bauelements (110) gelenkt ist, wobei das mikromechanische Bauelement (110) ein mikromechanisches Bauteil (130) mit einer Kappe (300, 400) aufweist, welche an ihrer Oberfläche strömungsgünstig für den Materialstrom aus der wenigstens einen Vorzugsrichtung gestaltet ist, wobei die Kappe (400) wenigstens eine strukturierte Oberfläche mit Rillen zur Lenkung des Materialstromes aufweist.

6. 发明专利

DE102006024671A1 Micromechanical unit for e.g. monitoring e.g. tire pressure, has diaphragm and seismic mass arranged at distance from each other and arranged one above other, where seismic mass is movable parallel to layer levels 未知
公开(公告)号：DE102006024671A1
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：DE102006024671
申请日：2006-05-26
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： REICHENBACH FRANK , SCHELLING CHRISTOPH , HOECHST ARNIM
IPC分类号： B81B3/00 , B60C23/04 , G01C19/58 , G01C22/00 , G01P15/125 , H04R19/04
摘要： The micromechanical unit (20) has a diaphragm (1), and a seismic mass (2) movable independent of the diaphragm in a layer structure, where the diaphragm and the seismic mass are arranged at a distance from each other and are arranged one above the other. The diaphragm is oriented parallel to layer levels of the layer structure, and the seismic mass is movable parallel to the layer levels. The diaphragm and the seismic mass are monolithically integrated in a chip, where the diaphragm has a ventilation opening.

7. 发明专利

DE102004031315A1 未知
公开(公告)号：DE102004031315A1
公开(公告)日：2006-01-19
申请号：DE102004031315
申请日：2004-06-29
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： FRANZ JOCHEN , REICHENBACH FRANK , MAURER DIETER , HOEFER HOLGER , SCHWEIKER MARKUS-ALEXANDER
IPC分类号： G01J5/04 , G01J5/10 , G01J5/12 , G01J5/20 , G01N21/35
摘要： An infrared sensor having at least one measuring structure, which has, for example, a sensor chip having a measuring structure and a cap chip which is attached to the sensor chip and, together with the sensor chip, defines a sensor space; a screen having an internal screen area and an external screen area surrounding the internal screen area being formed on the top side of the cap chip; the internal screen area which is transparent to the infrared radiation to be detected being formed above the measuring structure, and the external screen area being at least partly non-transparent for the incident infrared radiation. The external screen area may be designed in particular as a reflective coating of metal or a dielectric layer, as reflective structuring formed by trenches having oblique surfaces, or as absorbing structuring.

8. 发明专利

DE102015224482A1 Laser-Reseal mit Schutzstruktur 未知
公开(公告)号：DE102015224482A1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：DE102015224482
申请日：2015-12-08
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： REICHENBACH FRANK , REINMUTH JOCHEN , BREITLING ACHIM , AMTHOR JULIA
IPC分类号： B81C1/00 , B81B7/02 , G01C19/5769 , G01P15/08
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements mit einem Substrat und mit einer mit dem Substrat verbundenen und mit dem Substrat eine erste Kaverne umschließenden Kappe vorgeschlagen, wobei in der ersten Kaverne ein erster Druck herrscht und ein erstes Gasgemisch mit einer ersten chemischen Zusammensetzung eingeschlossen ist, wobei – in einem ersten Verfahrensschritt eine die erste Kaverne mit einer Umgebung des mikromechanischen Bauelements verbindende Zugangsöffnung in dem Substrat oder in der Kappe ausgebildet wird, wobei – in einem zweiten Verfahrensschritt der erste Druck und/oder die erste chemische Zusammensetzung in der ersten Kaverne eingestellt wird, wobei – in einem dritten Verfahrensschritt die Zugangsöffnung durch Einbringen von Energie bzw. Wärme in einen absorbierenden Teil des Substrats oder der Kappe mithilfe eines Lasers verschlossen wird, wobei – in einem vierten Verfahrensschritt eine Schicht auf einem im dritten Verfahrensschritt in einen flüssigen Aggregatzustand übergehenden und nach dem dritten Verfahrensschritt in einen festen Aggregatzustand übergehenden und die Zugangsöffnung verschließenden Materialbereich zum Schutz der verschlossenen Zugangsöffnung aufgebracht bzw. abgeschieden bzw. aufgewachsen wird.

9. 发明专利

DE102014203317A1 Sensorvorrichtung, Herstellungsverfahren für eine Sensorvorrichtung mit mindestens einem Magnetkern und Verfahren zum Ermitteln einer Feldstärke eines Magnetfelds in mindestens einer Raumrichtung 未知
公开(公告)号：DE102014203317A1
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：DE102014203317
申请日：2014-02-25
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： REICHENBACH FRANK , GENCOL SEVKI , ECKSTEIN RAINER , PATAK CHRISTIAN , BREITLING ACHIM , DANNENBERG ARNE , SCHATZ FRANK
IPC分类号： G01R33/02 , G01C17/00 , G01R33/04
摘要： Die Erfindung betrifft eine Sensorvorrichtung mit mindestens einem auf mindestens einer Trägerfläche (16) angeordneten Magnetkern (10), welcher zumindest ein weichmagnetisches Material (12) umfasst und für welchen jeweils eine Mittellängsebene (18) definierbar ist, die senkrecht zu der Trägerfläche (16) ausgerichtete ist und den jeweiligen Magnetkern (10) in zwei Hälften mit einer gleichen Masse unterteilt, wobei auf, um und/oder benachbart zu dem mindestens einen Magnetkern (10) mindestens eine Spule angeordnet ist, wobei der mindestens eine Magnetkern (10) in seinem Inneren Teilbereiche aufweist, mittels welchen ein Start einer Ummagnetisierung des jeweiligen Magnetkerns (10) gezielt örtlich steuerbar ist, indem eine zum Ausbreiten einer magnetischen Domänenwand aufzubringende Antriebsenergie erhöht ist. Ebenso betrifft die Erfindung ein Herstellungsverfahren für eine Sensorvorrichtung mit mindestens einem Magnetkern (10). Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Ermitteln einer Feldstärke eines Magnetfelds in mindestens einer Raumrichtung.

10. 发明专利

DE19964638B3 Verfahren zur Herstellung eines Sensors mit zumindest einer mikromechanischen Struktur 未知
公开(公告)号：DE19964638B3
公开(公告)日：2013-08-29
申请号：DE19964638
申请日：1999-12-21
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： BISCHOPINK GEORG DR , LAERMER FRANZ DR , REICHENBACH FRANK , ARTMANN HANS , OFFENBERG MICHAEL DR , HENNING FRANK , PINTER STEFAN DR , BAUMANN HELMUT DR
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00
摘要： Verfahren zur Herstellung eines Sensors mit zumindest einer mikromechanischen Struktur auf Siliziumbasis, die in einem Sensorraum eines Grundwafers integriert ist, und einer den Grundwafer zumindest im Bereich des Sensorraumes abdeckenden Abdeckung, dadurch gekennzeichnet, dass a) Zumindest der im Grundwafer (11) nach Etablierung der Struktur (26) vorhandene Sensorraum (28) mit einem Oxid (30), insbesondere CVD-Oxid oder porösen Oxid, gefüllt wird, und dass vor dem Aufbringen der Abscheideschicht (32) das Oxid (30) in Bereichen außerhalb des Sensorraumes (28) durch Ätzen oder Schleifen, insbesondere CMP-Schleifen, entfernt wird, was einer Planarisierung der Oberfläche des Grundwafers entspricht, b) der Sensorraum (28) mit einer für ein Ätzmedium und die Reaktionsprodukte transparenten oder nachträglich transparent gemachten ersten Abscheideschicht (32), insbesondere aus Polysilizium, bedeckt wird, c) das Oxid (30) in dem Sensorraum (28) durch die Abscheideschicht (32) hindurch mit dem Ätzmedium entfernt wird und d) anschließend eine zweite Schicht (34) als Abdichtungsschicht, insbesondere aus Metall oder einem Isolator, auf die Abscheideschicht (32) aufgebracht wird, die den Sensorraum (28) hermetisch abdichtet, wobei die Permeabilität der Abscheideschicht (32) durch einen elektrochemischen Ätzvorgang, indem als Elektrolyt beispielsweise ein Flusssäure-Ethanol-Gemisch dient, erzwungen wird, wobei zusätzlich während des Ätzvorganges eine Bestrahlung in einem Wellenlängenbereich von 100 nm bis 1000 nm, bevorzugt zwischen 350 nm bis 800 nm, stattfindet.

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