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1. 发明申请

WO2004048986A2 MAGNETORESISTIVE SENSOR ELEMENT AND METHOD FOR REDUCING THE ANGULAR ERROR OF A MAGNETORESISTIVE SENSOR ELEMENT 审中-公开
标题翻译：磁阻传感器元件和方法可以减少出错磁阻的角
公开(公告)号：WO2004048986A2
公开(公告)日：2004-06-10
申请号：PCT/DE0303339
申请日：2003-10-09
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , MAY ULRICH , FARBER PAUL , KITTEL HARTMUT , SIEGLE HENRIK , HERRMANN INGO , SCHMOLLNGRUBER PETER
发明人： MAY ULRICH , FARBER PAUL , KITTEL HARTMUT , SIEGLE HENRIK , HERRMANN INGO , SCHMOLLNGRUBER PETER
IPC分类号： G01R33/09 , G01R33/00
CPC分类号： B82Y25/00 , G01R33/093
摘要： The invention relates to a magnetoresistive sensor element (5) comprising a magnetoresistive system of layers (10), which is constructed according to the spin valve principle and operates on the basis of the GMR effect, at least some sections of said system being strip-shaped when viewed from above. Said strip-shaped system of layers (10) comprises a reference layer (35) with a magnetisation direction that remains practically unaffected by the direction of an external magnetic field acting on said system. During operation, the sensor element (5) provides a measuring signal, which, as a function of a measuring angle, fluctuates between the component of the field strength of the external magnetic field, said component lying on the plane of the system of layers (10), and the magnetisation direction, whereby the measuring angle can be determined from said signal. In addition, when the strip-shaped system of layers (10) is viewed from above, the angle formed by the magnetisation direction, in the absence of the external magnetic field, and the longitudinal direction of the strip-shaped system of layers (10) is adjusted in such a way that when the external magnetic field is acting with a defined field strength, selected from a predetermined working interval, the angular error of the system of layers (10) is practically minimal, as a function of said angle and the field strength. The invention also relates to a method for reducing the angular error of a magnetoresistive sensor element (5).
摘要翻译：它提出了一种磁阻传感器元件（5），其具有至少部分地带状在平面图中的GMR效应的基础上工作，并构造根据自旋阀原理磁阻层系统（10），其中，所述带状层系统（10）（参考层 35）具有大致由作用在其上的磁化方向有一个外部磁场的方向不受影响。所述传感器元件（5）是在操作中，随着该层系统位于的平面之间测得的角度的函数而变化的测量信号（10）的外部磁场的磁场强度和，并从其中该测量角度可被确定的磁化方向的分量。此外，它提供的是，在带状层系统（10）的俯视图中观察时，在不存在外部磁场和带状涂层系统的纵向方向上的磁化方向之间的角度（10）被设定为使得当外部磁场的作用下具有限定这是从一个预定的工作区间选择的场强，该层系统（10）和场强这个角度的函数的角度误差是至少约最低。另外，用于减小磁阻传感器元件（5）的角度误差的方法，提出了

2. 发明专利

DE102012209232A1 Magnetfeldsensor 未知
公开(公告)号：DE102012209232A1
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：DE102012209232
申请日：2012-05-31
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： REICHENBACH FRANK , MARKTANNER JOERG , PATAK CHRISTIAN , WEISS STEFAN , NJIKAM NJIMONZIE FREDERIC , SCHATZ FRANK , FARBER PAUL
IPC分类号： G01R33/02 , G01R33/07 , H01L43/02 , H01L43/12
摘要： Die Erfindung betrifft einen Magnetfeldsensor (1) mit einem ersten magnetischen Sensorkern (3) zum Messen eines Magnetfelds in einer ersten Messrichtung (7), und einem zweiten magnetischen Sensorkern (4) zum Messen eines Magnetfelds in einer zweiten Messrichtung (8), wobei der erste und zweite magnetische Sensorkern (3, 4) eine gemeinsame magnetische Anisotropie (15) aufweisen.

3. 发明专利

DE102009047624A1 Magnetfeldsensor 未知
公开(公告)号：DE102009047624A1
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：DE102009047624
申请日：2009-12-08
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： PATAK CHRISTIAN , WEISS STEFAN , NJIKAM NJIMONZIE FREDERIC , SCHATZ FRANK , FARBER PAUL , BIERHOFF CHRISTIAN
IPC分类号： G01R33/02 , H01L43/02

4. 发明专利

DE102007029721A1 Device for generating porous layer in semiconductor substrate, has illuminant for illuminating rear side of substrate, where illuminant has lateral adjustable intensity distribution, and electro-chemical etching device 未知
公开(公告)号：DE102007029721A1
公开(公告)日：2009-01-08
申请号：DE102007029721
申请日：2007-06-27
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： KRAMER TORSTEN , FARBER PAUL , BOEHRINGER MATTHIAS , ARTMANN HANS , FEYH ANDO
IPC分类号： H01L21/3063
摘要： The device has an illuminant (8) for illuminating the rear side of the semiconductor substrate (20), and an electro-chemical etching device (10). A porous layer (21) is generated by an electro-chemical etching process, particularly on front side of the semiconductor substrate in dependency of the illumination. The illuminant has a lateral adjustable intensity distribution. An independent claim is also included for a method for generating a porous layer in a semiconductor substrate.

5. 发明专利

DE102006012857A1 未知
公开(公告)号：DE102006012857A1
公开(公告)日：2007-09-27
申请号：DE102006012857
申请日：2006-03-21
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： BENZEL HUBERT , ILLING MATTHIAS , LAERMER FRANZ , KRONMUELLER SILVIA , FARBER PAUL , ARMBRUSTER SIMON , LAMMEL GERHARD , REICHENBACH RALF , SCHELLING CHRISTOPH , FEYH ANDO
IPC分类号： H01L21/22 , B81B1/00 , B81C1/00 , G01L9/00
摘要： A method for manufacturing a semiconductor structure is provided which includes the following steps: a crystalline semiconductor substrate (1) is supplied; a porous region (10) is provided adjacent to a surface (OF) of the semiconductor substrate (1); a dopant (12) is introduced into the porous region (10) from the surface (OF); and the porous region (10) is thermally recrystallized into a crystalline doping region (10′) of the semiconductor substrate (1) whose doping type and/or doping concentration and/or doping distribution are/is different from those or that of the semiconductor substrate (1). A corresponding semiconductor structure is likewise provided.

6. 发明专利

DE10255327A1 未知
公开(公告)号：DE10255327A1
公开(公告)日：2004-06-24
申请号：DE10255327
申请日：2002-11-27
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： SCHMOLLNGRUBER PETER , HERRMANN INGO , SIEGLE HENRIK , KITTEL HARTMUT , FARBER PAUL , MAY ULRICH
IPC分类号： G01R33/09 , G01B7/30 , H01L43/08
摘要： A magnetoresistive sensor element is provided, having a magnetoresistive layer system which, in top view, is at least regionally striated. The sensor element operates on the basis of the GMR effect and is constructed according to the spin valve principle, the striated layer system featuring a reference layer having a direction of magnetization substantially uninfluenced by a direction of an outer magnetic field acting on it. During operation, the sensor element provides a measuring signal which changes as a function of a measurement angle between the component of the field strength of the outer magnetic field lying in the plane of the layer system, and the direction of magnetization, and from which this measurement angle is able to be ascertained. In addition, observed in a top view of the striated layer system, the angle between the direction of magnetization in the absence of the outer magnetic field and the longitudinal direction of the striated layer system is set in such a way that in response to an influence of the outer magnetic field having a defined field strength, which is selected from a predefined work interval, the angle error of the layer system, as a function of this angle and the field strength, is minimal.

7. 发明专利

DE102012210049A1 Hybrid integriertes Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102012210049A1
公开(公告)日：2013-12-19
申请号：DE102012210049
申请日：2012-06-14
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： CLASSEN JOHANNES , FARBER PAUL
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00 , G01C19/5733 , G01P15/00 , G01R33/06 , H01L25/16 , H01L43/06
摘要： Es wird eine Erweiterung des Funktionsumfangs eines hybrid integrierten Bauteils mit einem MEMS-Bauelement (20), einer Kappe (30) für die mikromechanische Struktur (23) des MEMS-Bauelements (20) und einem ASIC-Bauelement (10) mit Schaltungskomponenten (11) vorgeschlagen. Bei diesem Bauteil (100) wirken die Schaltungskomponenten (11) des ASIC-Bauelements (10) mit der mikromechanischen Struktur (23) des MEMS-Bauelements (20) zusammenwirken. Das MEMS-Bauelement (20) ist so auf dem ASIC-Bauelement (10) montiert, dass die mikromechanische Struktur (23) des MEMS-Bauelements (20) in einem Hohlraum (24) zwischen der Kappe (30) und dem ASIC-Bauelement (10) angeordnet ist. Erfindungsgemäß wird das ASIC-Bauelement (10) außerdem mit den Schaltungskomponenten (171, 172, 173) einer Magnetsensorik ausgestattet. Diese Schaltungskomponenten (171, 172, 173) werden im bzw. auf dem CMOS-Backendstapel (12) des ASIC-Bauelements (10) erzeugt. Die Magnetsensorik kann so ohne Vergrößerung der Chipfläche realisiert werden.

8. 发明专利

DE102010061770A1 Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Chips, Montageverfahren und Halbleiter-Chip für senkrechte Montage auf Schaltungsträger 未知
公开(公告)号：DE102010061770A1
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：DE102010061770
申请日：2010-11-23
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： RAUSCHER LUTZ , WEISS STEFAN , BAER HANS-PETER , FARBER PAUL
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/50 , H01L23/50
摘要： Ein Halbleiter-Chip mit Kontaktflächen (22) auf einer Oberseite (56) parallel zur Waferebene hat Anschlussflächen (12) auf einer Anschlussflächenseite (14) senkrecht zur Oberseite, wobei jede Anschlussfläche mit einer zugeordneten Kontaktfläche (22) leitend verbunden ist. Dies ermöglicht eine vertikale Montage des Chips auf einem Träger und Kontaktierung mittels üblicher Bond-Techniken. Ein Herstellungsverfahren und zwei Montageverfahren werden beschrieben.

9. 发明专利

AU2003250275A1 GMR SENSOR ELEMENT AND USE THEREOF 未知
公开(公告)号：AU2003250275A1
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：AU2003250275
申请日：2003-06-27
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： SCHMOLLNGRUBER PETER , HERRMANN INGO , SIEGLE HENRIK , KITTEL HARTMUT , FARBER PAUL , MAY ULRICH
IPC分类号： F01L1/00 , F02D45/00 , G01R33/09 , H01L43/08 , G01B7/30
摘要： A GMR sensor element is proposed, having a rotationally symmetrical positioning of especially eight GMR resistor elements which are connected to each other to form two Wheatstone's full bridges. This GMR sensor element is especially suitable for use in an angle sensor for the detection of the absolute position of the camshaft or the crankshaft in a motor vehicle, particularly in the case of a camshaft-free engine having electrical or electrohydraulic valve timing, of a motor position of an electrically commutated motor, or of detection of a windshield wiper position, or in the steering angle sensor system in motor vehicles.

10. 发明专利

DE10213940A1 未知
公开(公告)号：DE10213940A1
公开(公告)日：2003-10-30
申请号：DE10213940
申请日：2002-03-28
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： SCHMOLLNGRUBER PETER , HERRMANN INGO , SIEGLE HENRIK , FARBER PAUL
IPC分类号： G01R33/09 , H01L49/02 , H01L27/01

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