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1. 发明专利

TW201809334A 用於在基板上選擇性地沈積有機薄膜的製程审中-公开
简体标题：用于在基板上选择性地沉积有机薄膜的制程
公开(公告)号：TW201809334A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106117800
申请日：2017-05-31
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：多益斯艾娃 E. , TOIS, EVA E. , 末盛秀美 , SUEMORI, HIDEMI , 波爾維爾傑米 J. , PORE, VILJAMI J. , 賀加蘇維 P. , HAUKKA, SUVI P. , 夏瑪瓦倫 , SHARMA, VARUN , 梅斯強威廉 , MAES, JAN WILLEM , 隆吉戴芬 , LONGRIE, DELPHINE , 卡吉爾克滋托夫 , KACHEL, KRZYSZTOF
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/31144 , C23C16/04 , C23C16/45553 , C23C16/56 , H01L21/02118 , H01L21/02178 , H01L21/02186 , H01L21/0228 , H01L21/0337 , H01L21/31138 , H01L21/32 , H01L21/32139 , H01L21/76834
摘要：本文中提供用於有機薄膜的沈積的製程。可沈積有機薄膜，包括在基板的一個表面上相對於基板的第二表面進行選擇性沈積。舉例而言，聚合物薄膜可選擇性地沈積於與第二介電質表面相對的第一金屬性表面上。達成高於約50%或甚至約90%的藉由不同層上的相對厚度而量測的選擇性。選擇性地沈積的有機薄膜可經受蝕刻製程，以使得製程變得完全具有選擇性。亦不依賴於選擇性針對特定有機薄膜材料提供製程。提供採用選擇性有機薄膜的遮罩應用。亦揭露對有機薄膜的沈積後的修飾，其例如為金屬性滲透及/或碳移除。
简体摘要：本文中提供用于有机薄膜的沉积的制程。可沉积有机薄膜，包括在基板的一个表面上相对于基板的第二表面进行选择性沉积。举例而言，聚合物薄膜可选择性地沉积于与第二介电质表面相对的第一金属性表面上。达成高于约50%或甚至约90%的借由不同层上的相对厚度而量测的选择性。选择性地沉积的有机薄膜可经受蚀刻制程，以使得制程变得完全具有选择性。亦不依赖于选择性针对特定有机薄膜材料提供制程。提供采用选择性有机薄膜的遮罩应用。亦揭露对有机薄膜的沉积后的修饰，其例如为金属性渗透及/或碳移除。

2. 发明专利

TW201708605A 薄膜沈積的方法及裝置审中-公开
简体标题：薄膜沉积的方法及设备
公开(公告)号：TW201708605A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105122325
申请日：2016-07-15
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：川原潤 , KAWAHARA, JUN , 賀加蘇維 , HAUKKA, SUVI , 尼森卡恩安堤 , NISKANEN, ANTTI , 多益斯艾娃 , TOIS, EVA , 梅特洛雷傑 , MATERO, RAIJA , 末盛秀美 , SUEMORI, HIDEMI , 安提拉雅各 , ANTTILA, JAAKKO , 森幸博 , MORI, YUKIHIRO
IPC分类号： C23C16/52 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45548 , H01L21/67161 , H01L21/67207 , H01L21/67745 , H01L21/67748 , H01L21/67754 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要：根據本文中的某些實施例，闡述用於沈積薄膜的方法及裝置。在某些實施例中，在多個站中執行薄膜沈積，其中每一站提供不同反應物或反應物的組合。所述站可彼此氣體隔離以最小化或防止所述不同反應物或反應物的組合之間的不期望的化學氣相沈積（CVD）及/或原子層沈積（ALD）反應。
简体摘要：根据本文中的某些实施例，阐述用于沉积薄膜的方法及设备。在某些实施例中，在多个站中运行薄膜沉积，其中每一站提供不同反应物或反应物的组合。所述站可彼此气体隔离以最小化或防止所述不同反应物或反应物的组合之间的不期望的化学气相沉积（CVD）及/或原子层沉积（ALD）反应。

3. 发明专利

TWI700391B 薄膜沈積的方法及裝置有权
简体标题：薄膜沉积的方法及设备
公开(公告)号：TWI700391B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW105122325
申请日：2016-07-15
申请人：荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：川原潤 , KAWAHARA, JUN , 賀加蘇維 , HAUKKA, SUVI , 尼森卡恩安堤 , NISKANEN, ANTTI , 多益斯艾娃 , TOIS, EVA , 梅特洛雷傑 , MATERO, RAIJA , 末盛秀美 , SUEMORI, HIDEMI , 安提拉雅各 , ANTTILA, JAAKKO , 森幸博 , MORI, YUKIHIRO
IPC分类号： C23C16/52 , H01L21/205

4. 发明专利

TW201724200A 沈積鈦奈米層疊體薄膜的製程以及形成鈦奈米層疊體間隔壁的製程审中-公开
简体标题：沉积钛奈米层叠体薄膜的制程以及形成钛奈米层叠体间隔壁的制程
公开(公告)号：TW201724200A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105126158
申请日：2016-08-17
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：大倉誠司 , OKURO, SEIJI , 末盛秀美 , SUEMORI, HIDEMI , 波爾維爾傑米 J. , PORE, VILJAMI J.
IPC分类号： H01L21/205 , B82Y40/00
CPC分类号： C23C16/45529 , C23C16/40 , C23C16/45525 , C23C16/45527 , C23C16/45531 , C23C16/45538 , H01L21/02172 , H01L21/02186 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0337 , H01L21/28194 , H01L21/31111 , H01L21/31122 , H01L21/31144 , H01L28/75
摘要：本發明提供沈積鈦奈米層疊體薄膜的製程，所述鈦奈米層疊體薄膜可用於例如積體電路製造中，例如用於在節距倍增製程中形成間隔壁。在某些實施例中，包括氧化鈦層及氮化鈦層的鈦奈米層疊體膜沈積於例如已有遮罩特徵的三維特徵上。可定向地蝕刻共形的鈦奈米層疊體膜，以僅保持沈積於或形成於已有三維特徵的側壁上的鈦奈米層疊體。接著藉由蝕刻製程移除所述三維特徵，而餘留節距加倍的鈦奈米層疊體膜。
简体摘要：本发明提供沉积钛奈米层叠体薄膜的制程，所述钛奈米层叠体薄膜可用于例如集成电路制造中，例如用于在节距倍增制程中形成间隔壁。在某些实施例中，包括氧化钛层及氮化钛层的钛奈米层叠体膜沉积于例如已有遮罩特征的三维特征上。可定向地蚀刻共形的钛奈米层叠体膜，以仅保持沉积于或形成于已有三维特征的侧壁上的钛奈米层叠体。接着借由蚀刻制程移除所述三维特征，而余留节距加倍的钛奈米层叠体膜。

5. 发明专利

TW201809333A 相對於基板的第二表面選擇性沈積在基板的第一表面上的製程與方法审中-公开
简体标题：相对于基板的第二表面选择性沉积在基板的第一表面上的制程与方法
公开(公告)号：TW201809333A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106114561
申请日：2017-05-03
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：凡艾琳娜 , FARM, ELINA , 末盛秀美 , SUEMORI, HIDEMI , 梅特洛雷傑 , MATERO, RAIJA , 尼森卡恩安堤 , NISKANEN, ANTTI , 賀加蘇維 P. , HAUKKA, SUVI P.
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/40 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/40 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C23C16/45553 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/32
摘要：本發明提供其中將材料相對於第二有機表面選擇性地沈積於基板的第一表面上的氣相沈積製程。在某些實施例中，使包括第一表面（例如金屬、半金屬、或者氧化金屬或氧化半金屬）的基板與第一氣相疏水性反應物及第二氣相反應物接觸，以使得所述材料相對於第二有機表面選擇性地沈積於第一表面上。第二有機表面可包含例如自組裝單層、定向自組裝層或聚合物（例如聚醯亞胺、聚醯胺、聚脲、或聚苯乙烯）。進行沈積的材料可為例如金屬材料或金屬性材料。在某些實施例中，所述材料為金屬氧化物（例如ZrO2或HfO2）。在某些實施例中，氣相沈積製程為循環化學氣相沈積（CVD）製程或原子層沈積（ALD）製程。在某些實施例中，所述材料以大於約50%、大於約60%、大於約70%、大於約80%、大於約90%、或大於約95%的選擇性相對於第二表面沈積於第一表面上。
简体摘要：本发明提供其中将材料相对于第二有机表面选择性地沉积于基板的第一表面上的气相沉积制程。在某些实施例中，使包括第一表面（例如金属、半金属、或者氧化金属或氧化半金属）的基板与第一气相疏水性反应物及第二气相反应物接触，以使得所述材料相对于第二有机表面选择性地沉积于第一表面上。第二有机表面可包含例如自组装单层、定向自组装层或聚合物（例如聚酰亚胺、聚酰胺、聚脲、或聚苯乙烯）。进行沉积的材料可为例如金属材料或金属性材料。在某些实施例中，所述材料为金属氧化物（例如ZrO2或HfO2）。在某些实施例中，气相沉积制程为循环化学气相沉积（CVD）制程或原子层沉积（ALD）制程。在某些实施例中，所述材料以大于约50%、大于约60%、大于约70%、大于约80%、大于约90%、或大于约95%的选择性相对于第二表面沉积于第一表面上。

6. 发明专利

TW201710540A 積體電路製造中使用的氮氧化鈦沈積的製程审中-公开
简体标题：集成电路制造中使用的氮氧化钛沉积的制程
公开(公告)号：TW201710540A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105125546
申请日：2016-08-11
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：波爾維爾傑米 J. , PORE, VILJAMI J. , 大倉誠司 , OKURA,SEIJI , 末盛秀美 , SUEMORI, HIDEMI
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/30 , C23C16/44 , H01L21/82
CPC分类号： H01L21/02186 , C23C16/308 , C23C16/45525 , C23C16/45527 , C23C16/45531 , C23C16/45534 , C23C16/45536 , C23C16/4554 , C23C16/45542 , C23C16/45553 , H01L21/02249 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0337 , H01L21/28202 , H01L21/31111
摘要：本發明提供一種可例如在積體電路製造中（諸如在間距倍增製程中形成間隔件時）使用的沈積實質上非晶形氮氧化鈦薄膜的製程。所述製程包括使基板與鈦反應物接觸以及移除過量鈦反應物以及反應副產物（若存在）。所述基板隨後與包括由電漿產生的反應性物質的第二反應物接觸，其中所述反應性物質中的一者包括氮。移除所述第二反應物以及反應副產物（若存在）。重複接觸步驟以及移除步驟，直至已形成所要厚度的氮氧化鈦薄膜為止。
简体摘要：本发明提供一种可例如在集成电路制造中（诸如在间距倍增制程中形成间隔件时）使用的沉积实质上非晶形氮氧化钛薄膜的制程。所述制程包括使基板与钛反应物接触以及移除过量钛反应物以及反应副产物（若存在）。所述基板随后与包括由等离子产生的反应性物质的第二反应物接触，其中所述反应性物质中的一者包括氮。移除所述第二反应物以及反应副产物（若存在）。重复接触步骤以及移除步骤，直至已形成所要厚度的氮氧化钛薄膜为止。

7. 发明专利

TW201835367A 選擇性沉積之方法、用於有機層沉積之設備以及積體電路金屬化結構审中-公开
简体标题：选择性沉积之方法、用于有机层沉积之设备以及集成电路金属化结构
公开(公告)号：TW201835367A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107105214
申请日：2018-02-13
申请人：荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：多益斯艾娃E , TOIS, EVA E. , 賀加蘇維P , HAUKKA, SUVI P. , 梅特羅雷傑H , MATERO, RAIJA H. , 凡艾琳娜 , 隆吉戴芬 , LONGRIE, DELPHINE , 末盛秀美 , SUEMORI, HIDEMI , 梅斯強威廉 , MAES, JAN WILLEM , 圖敏南馬可 , TUOMINEN, MARKO , 鄧紹仁 , DENG, SHAOREN , 拉吉馬克斯艾翁約翰尼斯 , RAAIJMAKERS, IVO JOHANNES , 伊利貝里安德莉亞 , ILLIBERI, ANDREA
IPC分类号： C23C16/04 , H01L21/312 , H01L21/314 , C23C16/54
摘要：本發明提供用於選擇性沉積之方法、及其結構。將材料相對於不同材料組成之第二表面選擇性地沉積於基板的第一表面上。在第一表面上自氣相反應物選擇性地形成鈍化層，同時留下第二表面沒有鈍化層。在第二表面上相對於鈍化層自氣相反應物選擇性地沉積一相關層。第一表面可為金屬性同時第二表面係介電性，或第二表面係介電性同時第二表面係金屬性。因此，可使用文中描述之技術將諸如介電質之材料相對於另一類型表面選擇性地沉積於金屬性或介電性表面上。亦揭示用來控制層邊緣相對於下方不同材料間之邊界之定位及形狀的技術及所得結構。
简体摘要：本发明提供用于选择性沉积之方法、及其结构。将材料相对于不同材料组成之第二表面选择性地沉积于基板的第一表面上。在第一表面上自气相反应物选择性地形成钝化层，同时留下第二表面没有钝化层。在第二表面上相对于钝化层自气相反应物选择性地沉积一相关层。第一表面可为金属性同时第二表面系介电性，或第二表面系介电性同时第二表面系金属性。因此，可使用文中描述之技术将诸如介电质之材料相对于另一类型表面选择性地沉积于金属性或介电性表面上。亦揭示用来控制层边缘相对于下方不同材料间之边界之定位及形状的技术及所得结构。

8. 发明专利

TW201833356A 將薄膜及氧化金屬薄膜沉積於基板表面上之方法审中-公开
简体标题：将薄膜及氧化金属薄膜沉积于基板表面上之方法
公开(公告)号：TW201833356A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106141192
申请日：2017-11-27
申请人：荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：賀加蘇維P , HAUKKA, SUVI P. , 凡艾琳娜 , FARM, ELINA , 梅特羅雷傑H , MATERO, RAIJA H. , 多益斯艾娃E , TOIS, EVA E. , 末盛秀美 , SUEMORI, HIDEMI , 尼斯卡嫩安提具哈尼 , NISKANEN, ANTTI JUHANI , 鄭昇勳 , JUNG, SUNG-HOON , 拉薩內尼佩托 , RAISANEN, PETRI
IPC分类号： C23C14/08 , C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/02
摘要：本文提供沉積氧化物膜之方法。可沉積氧化物膜，包括將氧化物薄膜相對於相同基板之第二、不同表面選擇性地沉積於基板之第一表面上。例如，可將諸如絕緣金屬氧化物薄膜之氧化物薄膜相對於相同基板之第二、不同表面選擇性地沉積於基板之第一表面上。該第二、不同表面可為有機鈍化層。
简体摘要：本文提供沉积氧化物膜之方法。可沉积氧化物膜，包括将氧化物薄膜相对于相同基板之第二、不同表面选择性地沉积于基板之第一表面上。例如，可将诸如绝缘金属氧化物薄膜之氧化物薄膜相对于相同基板之第二、不同表面选择性地沉积于基板之第一表面上。该第二、不同表面可为有机钝化层。

9. 发明专利

TW201725281A 以ＰＥＡＬＤ於溝槽中沉積介電膜的方法审中-公开
简体标题：以ＰＥＡＬＤ于沟槽中沉积介电膜的方法
公开(公告)号：TW201725281A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105130130
申请日：2016-09-19
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：末盛秀美 , SUEMORI, HIDEMI
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/045 , C23C16/405 , C23C16/45542 , C23C16/45561 , C23C16/52 , H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J2237/3321 , H01J2237/334
摘要：本發明揭露藉由電漿增強原子層沉積(PEALD)於溝槽中沉積介電膜之方法，其包括在其中在一基板之頂表面上之沉積膜之濕式蝕刻率實質上等同於或高於在該溝槽之側壁處之沉積膜之濕式蝕刻率之條件下，藉由PEALD在一基板之溝槽中沉積一介電膜，其中饋入該反應空間內之一前驅物具有-N(CH3)2作為官能基。
简体摘要：本发明揭露借由等离子增强原子层沉积(PEALD)于沟槽中沉积介电膜之方法，其包括在其中在一基板之顶表面上之沉积膜之湿式蚀刻率实质上等同于或高于在该沟槽之侧壁处之沉积膜之湿式蚀刻率之条件下，借由PEALD在一基板之沟槽中沉积一介电膜，其中馈入该反应空间内之一前驱物具有-N(CH3)2作为官能基。

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