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1. 发明专利

TW201833356A 將薄膜及氧化金屬薄膜沉積於基板表面上之方法审中-公开
简体标题：将薄膜及氧化金属薄膜沉积于基板表面上之方法
公开(公告)号：TW201833356A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106141192
申请日：2017-11-27
申请人：荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：賀加蘇維P , HAUKKA, SUVI P. , 凡艾琳娜 , FARM, ELINA , 梅特羅雷傑H , MATERO, RAIJA H. , 多益斯艾娃E , TOIS, EVA E. , 末盛秀美 , SUEMORI, HIDEMI , 尼斯卡嫩安提具哈尼 , NISKANEN, ANTTI JUHANI , 鄭昇勳 , JUNG, SUNG-HOON , 拉薩內尼佩托 , RAISANEN, PETRI
IPC分类号： C23C14/08 , C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/02
摘要：本文提供沉積氧化物膜之方法。可沉積氧化物膜，包括將氧化物薄膜相對於相同基板之第二、不同表面選擇性地沉積於基板之第一表面上。例如，可將諸如絕緣金屬氧化物薄膜之氧化物薄膜相對於相同基板之第二、不同表面選擇性地沉積於基板之第一表面上。該第二、不同表面可為有機鈍化層。
简体摘要：本文提供沉积氧化物膜之方法。可沉积氧化物膜，包括将氧化物薄膜相对于相同基板之第二、不同表面选择性地沉积于基板之第一表面上。例如，可将诸如绝缘金属氧化物薄膜之氧化物薄膜相对于相同基板之第二、不同表面选择性地沉积于基板之第一表面上。该第二、不同表面可为有机钝化层。

2. 发明专利

TWI670393B 減少在反應室釋氣之方法及系統有权
简体标题：减少在反应室释气之方法及系统
公开(公告)号：TWI670393B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW103123439
申请日：2014-07-08
申请人：荷蘭商ASM智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：鄭相鎬 , JUNG, SUNG-HOON , 瑞薩能派提 , RAISANEN, PETRI , 劉任成 , LIU, ERIC JEN CHENG , 史墨塞麥克 , SCHMOTZER, MIKE
IPC分类号： C23C16/52

3. 发明专利

TW201514336A 減少在反應室釋氣之方法及系統审中-公开
简体标题：减少在反应室释气之方法及系统
公开(公告)号：TW201514336A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103123439
申请日：2014-07-08
申请人： ASM智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：鄭相鎬 , JUNG, SUNG-HOON , 瑞薩能派提 , RAISANEN, PETRI , 劉任成 , LIU, ERIC JEN CHENG , 史墨塞麥克 , SCHMOTZER, MIKE
IPC分类号： C23C16/52
CPC分类号： C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/45525 , C23C16/45534 , C23C16/45544
摘要：本發明揭示減少反應器之反應室內物質之釋氣的系統及方法。例示性方法包括在該反應室內沈積障壁層及使用清除前驅體以與該反應室表面上之物質反應。例示性系統包括氣相沈積系統，諸如原子層沈積系統，其包括流體地聯接至該系統之反應室的障壁層源及/或清除前驅體源。
简体摘要：本发明揭示减少反应器之反应室内物质之释气的系统及方法。例示性方法包括在该反应室内沉积障壁层及使用清除前驱体以与该反应室表面上之物质反应。例示性系统包括气相沉积系统，诸如原子层沉积系统，其包括流体地联接至该系统之反应室的障壁层源及/或清除前驱体源。

4. 发明专利

TW201833374A 用於鈍化半導體表面之方法及相關系統审中-公开
简体标题：用于钝化半导体表面之方法及相关系统
公开(公告)号：TW201833374A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106127948
申请日：2017-08-17
申请人： ASM智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：蔣曉強 , JIANG, XIAOQIANG , 湯福 , TANG, FU , 謝琦 , XIE, QI , 卡爾卡寶琳 , CALKA, PAULINE , 鄭相鎬 , JUNG, SUNG-HOON , 吉凡斯麥可尤金 , GIVENS, MICHAEL EUGENE
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/455 , H01L21/02
摘要：本發明係關於用於鈍化半導體表面之系統及方法。該方法包括將該半導體表面提供至反應器之反應室，在該反應室中使該半導體表面曝露於氣相含金屬之前驅體及使該半導體表面曝露於氣相含硫族化物之前驅體。該等方法亦包括使用該氣相含金屬之前驅體及該氣相含硫族化物之前驅體鈍化該半導體表面以形成鈍化的表面。用於鈍化半導體表面之系統可包括：反應器；以流體方式耦接於該反應器的含金屬之前驅體源；及以流體方式耦接於該反應器的含硫族化物之前驅體源，其中該含金屬之前驅體源向該反應器之反應室提供氣相含金屬之前驅體，並且其中該含硫族化物之前驅體源向該反應器之反應室提供氣相含硫族化物之前驅體。
简体摘要：本发明系关于用于钝化半导体表面之系统及方法。该方法包括将该半导体表面提供至反应器之反应室，在该反应室中使该半导体表面曝露于气相含金属之前驱体及使该半导体表面曝露于气相含硫族化物之前驱体。该等方法亦包括使用该气相含金属之前驱体及该气相含硫族化物之前驱体钝化该半导体表面以形成钝化的表面。用于钝化半导体表面之系统可包括：反应器；以流体方式耦接于该反应器的含金属之前驱体源；及以流体方式耦接于该反应器的含硫族化物之前驱体源，其中该含金属之前驱体源向该反应器之反应室提供气相含金属之前驱体，并且其中该含硫族化物之前驱体源向该反应器之反应室提供气相含硫族化物之前驱体。

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