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1. 发明专利

JP2017078223A ＰＥＡＬＤによりトレンチに誘電体膜を堆積する方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017078223A
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2016200539
申请日：2016-10-12
申请人：エーエスエムアイピーホールディングビー.ブイ. , Asm Ip Holding B V , エーエスエムアイピーホールディングビー.ブイ.
发明人： SUEMORI HIDEMI
IPC分类号： C23C16/509 , C23C16/455 , C23C16/56 , H01L21/31 , H01L21/316
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/045 , C23C16/405 , C23C16/45542 , C23C16/45561 , C23C16/52 , H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J2237/3321 , H01J2237/334
摘要：【課題】プラズマエンハンスト原子層堆積(PEALD)によりトレンチに誘電体膜を堆積する方法を提供する。【解決手段】プラズマエンハンスト原子層堆積(PEALD)によりトレンチに誘電体膜を堆積する方法は、基板の上面に堆積する膜のウェットエッチング速度が、実質的にトレンチの側壁に堆積する膜のウェットエッチング速度以上である条件下で、PEALDにより基板のトレンチに誘電体膜を堆積するステップを含み、反応空間に供給される前駆体は、官能基として−N(CH3)2を有する。【選択図】図1A

2. 发明专利

JP2014216646A 抵抗変化型メモリ装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造电阻随机存取存储器件的方法
公开(公告)号：JP2014216646A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：JP2014079160
申请日：2014-04-08
申请人：エーエスエムアイピーホールディングビー.ブイ. , Asm Ip Holding B V , エーエスエムアイピーホールディングビー.ブイ.
发明人： XIE QI , BRADMIRE MACAOTOSAN , JAN WILLEM MAES , MICHAEL GIVENS , PETRI RAISANEN
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/1616 , H01L27/249 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/146
摘要：【課題】抵抗変化型メモリ(RRAM(登録商標))装置を形成する方法を開示する。【解決手段】本方法は、第1の電極を形成するステップと、熱原子層堆積(ALD)による金属酸化物を含む抵抗切り替え酸化物層を形成するステップと、熱原子層堆積(ALD)により第2の電極を形成するステップと、を備え、抵抗切り替え酸化物層は、第1の電極と第2の電極との間に挿入される。抵抗切り替え酸化物層を形成するステップは、金属酸化物を堆積した後に抵抗切り替え酸化物層の表面を表面改質プラズマ処理に露出せずに行われる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供形成电阻随机存取存储器（RRAM（注册商标））装置的方法。解决方案：一种用于形成电阻随机存取存储器（RRAM）装置的方法，包括以下步骤：形成第一电极; 通过热原子层沉积（ALD）形成包括金属氧化物的电阻式开关氧化物层; 以及通过热原子层沉积（ALD）形成第二电极。电阻开关氧化物层介于第一电极和第二电极之间。在沉积金属氧化物之后，进行形成电阻式开关氧化物层的步骤，而不将电阻式开关氧化物层的表面暴露于表面改性等离子体处理。

3. 发明专利

JP2012253352A Method for depositing electrode with high effective work function 有权
标题翻译：沉积具有高效工作功能的电极的方法
公开(公告)号：JP2012253352A
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：JP2012125885
申请日：2012-06-01
申请人： Asm Ip Holding B V , エーエスエムアイピーホールディングビー.ブイ.
发明人： MACAOTOSAN BRADMIRE , JAN WILLEM MAES , XIE QI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/28088 , H01L29/4966 , H01L29/66545 , H01L29/7833
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for processing a semiconductor.SOLUTION: According to some embodiments, an electrode having a high effective work function is formed. The electrode may be the gate electrode of a transistor and may be formed on a high-k gate dielectric by depositing a first layer of conductive material, exposing that first layer to a hydrogen-containing gas, and depositing a second layer of conductive material over the first layer. The first layer may be deposited using a non-plasma process in which the substrate is not exposed to plasma or plasma-generated radicals. The hydrogen-containing gas to which the first layer is exposed may include an excited hydrogen species, which may be part of a hydrogen-containing plasma, and may be hydrogen-containing radicals. The first layer may also be exposed to oxygen before depositing the second layer. The work function of the gate electrode in the gate stack may be about 5 eV or higher in some embodiments.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体处理方法。解决方案：根据一些实施例，形成具有高有效功函数的电极。电极可以是晶体管的栅极，并且可以通过沉积第一层导电材料，将第一层暴露于含氢气体，并将第二层导电材料沉积在高k栅极电介质上形成第一层。可以使用其中衬底不暴露于等离子体或等离子体产生的自由基的非等离子体工艺来沉积第一层。第一层露出的含氢气体可以包括可以是含氢等离子体的一部分的被激发的氢物质，并且可以是含氢基团。在沉积第二层之前，第一层也可能暴露于氧气。在一些实施例中，栅极堆叠中的栅电极的功函数可以为约5eV或更高。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2015061075A プラズマアシストプロセスにより酸化膜を生成する方法有权
标题翻译：通过等离子体辅助工艺形成氧化膜的方法
公开(公告)号：JP2015061075A
公开(公告)日：2015-03-30
申请号：JP2014188835
申请日：2014-09-17
申请人：エーエスエムアイピーホールディングビー.ブイ. , Asm Ip Holding B V , エーエスエムアイピーホールディングビー.ブイ.
发明人： NAKANO TATSU , INOUE NAOKI
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/18 , C23C16/42 , C23C16/44 , C23C16/509 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/401 , C23C16/405 , C23C16/4554 , C23C16/5096 , H01L21/02112 , H01L21/02164 , H01L21/02186 , H01L21/02211 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要：【課題】プラズマエンハンスト原子層堆積(PEALD)などのプラズマアシストプロセスによって金属またはシリコンの酸化膜を生成する方法を提供する。【解決手段】プラズマでない酸素、CxOy、およびNxOy(xおよびyは整数である)のどれに対しても反応しない前駆体を、基板が配置される反応空間に供給するステップと、反応空間において前駆体をCxOyおよび/またはNxOyのプラズマに曝露するステップと、前駆体およびプラズマを使用して基板上に酸化膜を生成するステップとを含む。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供通过等离子体辅助工艺（例如等离子体增强原子层沉积（PEALD））形成金属或硅的氧化膜的方法。解决方案：形成氧化物膜的方法包括提供前体的步骤不对与放置基板的反应空间不是等离子体的氧，CO和NO（x和y为整数）的任何一个反应，将前体暴露于反应空间中的CO和/或NO的等离子体的步骤，以及通过使用前体和等离子体在基板上形成氧化膜的步骤。

5. 发明专利

JP2015002349A プラズマアシストプロセスにより処理された基板の面内均一性を制御する方法有权
标题翻译：控制等离子体辅助工艺处理的衬底均匀性的方法
公开(公告)号：JP2015002349A
公开(公告)日：2015-01-05
申请号：JP2014120675
申请日：2014-06-11
申请人：エーエスエムアイピーホールディングビー.ブイ. , Asm Ip Holding B V , エーエスエムアイピーホールディングビー.ブイ.
发明人： NAKANO TATSU , INOUE NAOKI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/4551 , C23C16/45519 , C23C16/45536 , C23C16/4585 , C23C16/5096 , H01J37/32431
摘要：【課題】プラズマアシスト堆積およびプラズマアシストエッチングなどのプラズマアシストプロセスにより基板の処理に供される基板の面内均一性を制御する方法を提供する。【解決手段】リアクタ内のプラズマアシストプロセスによって処理される基板の面内均一性を制御する方法であって、その方法は、反応空間15に主要ガスを供給し、環状ダクト5を介して反応空間15から主要ガスを半径方向に放出するステップと、基板の外周を通過して内側方向に少なくとも部分的に流すように、上部から見て基板の外周の外側である、サセプタ13の外周に近接する領域から反応空間15に二次ガスを供給し、基板の外周に近接する環状ダクト5の方向へ流れるように、二次ガスの方向を反転させ、環状ダクト5を介して反応空間15から主要ガスと一緒に二次ガスを半径方向に放出するステップとを含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种控制通过等离子体辅助沉积和等离子体辅助蚀刻等离子体辅助工艺处理的基板的面内均匀性的方法。解决方案：控制基板处理的基板的面内均匀性的方法反应器内的等离子体辅助工艺包括以下步骤：将主要气体供应到反应空间15，并通过环形管道5从反应空间15径向排出主气; 从作为从上侧观察的基板的外周的基座13的外周附近的区域向反应空间15供给二次气体，以通过基板的外周，向至少部分地朝向内部流动，使二次气体的流动方向流动，以便在与基板的外周相邻的环形管道5的方向上流动，并且将二次气体与来自反应的主要气体一起径向排出空间15经由环形管道5。

6. 发明专利

JP2014216647A 金属ドープされた抵抗切り替え層を有する抵抗変化型メモリを製造する方法审中-公开
标题翻译：用于制造具有金属电阻开关层的电阻随机存取存储器的方法
公开(公告)号：JP2014216647A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：JP2014080117
申请日：2014-04-09
申请人：エーエスエムアイピーホールディングビー.ブイ. , Asm Ip Holding B V , エーエスエムアイピーホールディングビー.ブイ.
发明人： XIE QI , BRADMIRE MACAOTOSAN , JAN WILLEM MAES , MICHAEL GIVENS , PETRI RAISANEN
IPC分类号： H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/2481 , G11C13/0007 , G11C2213/71 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1616 , H01L45/1641
摘要：【課題】抵抗変化型メモリ(RRAM(登録商標))装置を形成する方法を開示する。【解決手段】本方法は、第1の電極を形成するステップと、熱原子層堆積(ALD)による金属酸化物を含む抵抗切り替え酸化物層を形成するステップと、金属酸化物を形成する金属とは異なる金属ドーパントにより抵抗切り替え酸化物層をドープするステップと、熱原子層堆積(ALD)により第2の電極を形成するステップと、を備え、抵抗切り替え酸化物層は、第1の電極と第2の電極との間に挿入される。いくつかの実施形態では、抵抗切り替え酸化物層を形成するステップは、金属酸化物を堆積した後に抵抗切り替え酸化物層の表面を表面改質プラズマ処理に露出せずに行われる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供形成电阻随机存取存储器（RRAM（注册商标））装置的方法。解决方案：一种形成电阻随机存取存储器（RRAM）装置的方法包括以下步骤：形成第一电极; 通过热原子层沉积（ALD）形成包括金属氧化物的电阻式开关氧化物层; 通过与形成金属氧化物的金属不同的金属掺杂剂掺杂电阻式开关氧化物层; 以及通过热原子层沉积（ALD）形成第二电极。电阻开关氧化物层介于第一电极和第二电极之间。在一些实施例中，在沉积金属氧化物之后，进行形成电阻式开关氧化物层的步骤，而不将电阻式开关氧化物层的表面暴露于表面改性等离子体处理。

7. 发明专利

JP2014179607A Si precursor for evaporating sin at low temperature 有权
标题翻译：用于在低温下蒸发的SI前驱体
公开(公告)号：JP2014179607A
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：JP2014046638
申请日：2014-03-10
申请人： Asm Ip Holding B V , エーエスエムアイピーホールディングビー.ブイ.
发明人： ANTTI J NISKANEN , CHEN SHANG , VILJAMI PORE
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/34 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45553 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L29/66795
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and a precursor for evaporating a silicon nitride film by atomic layer deposition (ALD), having excellent HF etching resistance at side walls.SOLUTION: The method for evaporating a silicon nitride film includes: a step 210 in which a silicon precursor containing iodine or bromine is brought in contact with a substrate and is adsorbed to a substrate surface; a step 220 in which plasma of a nitrogen precursor is brought into contact with the substrate and is made to react with the silicon precursor adsorbed to the substrate surface; and a step 230 in which the above-mentioned steps are repeated until a silicon nitride film of a desired film thickness is obtained.
摘要翻译：要解决的问题：提供通过原子层沉积（ALD）蒸发氮化硅膜的方法和前体，在侧壁具有优异的耐HF耐蚀性。解决方案：用于蒸发氮化硅膜的方法包括：步骤210 其中含有碘或溴的硅前体与基底接触并被吸附到基底表面; 使氮前体的等离子体与基板接触并与吸附于基板表面的硅前体反应的步骤220; 以及重复上述步骤的步骤230，直到获得所需膜厚度的氮化硅膜。

8. 发明专利

JP2017092475A ＳｉＯＣＮ薄膜の形成审中-公开
公开(公告)号：JP2017092475A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016219973
申请日：2016-11-10
申请人：エーエスエムアイピーホールディングビー.ブイ. , Asm Ip Holding B V , エーエスエムアイピーホールディングビー.ブイ.
发明人： SUZUKI TOSHIYA , VILJAMI J PORE
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/42
CPC分类号： H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0337 , H01L21/31105 , H01L21/31111
摘要：【課題】シリコンオキシカーボナイトライド(SiOCN)薄膜を反応空間において基板上に堆積する方法を提供する。【解決手段】該方法は、基板をケイ素前駆体及び酸素を含まない第2の反応物と交互に順次接触するステップを含む少なくとも1つのプラズマエンハンスト原子層堆積(PEALD)サイクルを含んでもよい。一部の実施形態においては、該方法は、耐酸性ウェットエッチング性が改善されたSiOCN膜の堆積を可能にする。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2017079327A ＳｉＮ薄膜の形成审中-公开
公开(公告)号：JP2017079327A
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2016160611
申请日：2016-08-18
申请人：エーエスエムアイピーホールディングビー.ブイ. , Asm Ip Holding B V , エーエスエムアイピーホールディングビー.ブイ.
发明人： SUZUKI TOSHIYA , VILJAMI J PORE , CHEN SHANG , YAMADA REIKO , ISHIKAWA MASARU , NANBA KUNITOSHI
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/34 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/0228 , H01L21/0217 , H01L21/02208 , H01L21/02274
摘要：【課題】高圧力下で反応空間内の基板に窒化ケイ素薄膜を形成する方法を提供する。【解決手段】本方法は、複数のプラズマエンハンスト原子層堆積(PEALD)サイクルを含むことができ、少なくとも1つのPEALD堆積サイクルは、反応空間内の20Torrから500Torrの処理圧力で基板を窒素プラズマと接触するステップを含む。一実施形態では、窒素前駆体は、例えばH2SiI2のようなハロゲン化シリルである。一実施形態では、処理は、三次元構造上に改善された特性を有する窒化ケイ素膜の堆積を可能にする。例えば、このような窒化ケイ素膜は、希釈HFにおいて約1:1の上面と側壁とのウェットエッチング速度の比を有しうる。【選択図】図2A

10. 发明专利

JP2014236220A バッチ反応器中での環状窒化アルミニウム蒸着审中-公开
标题翻译：池反应器中的硝酸铝沉积物
公开(公告)号：JP2014236220A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：JP2014104529
申请日：2014-05-20
申请人：エーエスエムアイピーホールディングビー.ブイ. , Asm Ip Holding B V , エーエスエムアイピーホールディングビー.ブイ.
发明人： WERNER KNAEPEN , BERT JONGBLOED , PIERRE DETER , PETER ZAGWIJN , HESSEL SPREY , CORNELIUS A VAN DER JEUGD , MARINUS JOSEPHUS DE BLANK , ROBIN ROELOFS , XIE QI , JAN WILLEM MAES
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02178 , C23C16/303 , C23C16/45525 , C23C16/4583 , H01L21/0228 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003
摘要：【課題】窒化アルミニウム蒸着プロセスを提供する。【解決手段】バッチプロセスチャンバー内に複数の半導体基板を提供する工程および複数の蒸着サイクルの間に、半導体基板をプラズマに曝すことなく蒸着サイクルを実行することにより、半導体基板上に窒化アルミニウム層を蒸着する工程を含む。各蒸着サイクルは、バッチプロセスチャンバーにアルミニウム前駆体パルスをフローする工程、バッチプロセスチャンバーからアルミニウム前駆体を除去する工程、窒素前駆体をフローする工程後かつアルミニウム前駆体の別パルスをフローする工程前にバッチプロセスチャンバーから窒素前駆体を除去する工程を含む。プロセスチャンバーは高温壁プロセスチャンバーであってよく、蒸着は1Torr未満の蒸着圧力で生じてよい。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供氮化铝沉积工艺。解决方案：氮化铝沉积工艺包括在间歇处理室中提供多个半导体衬底的步骤，以及在半导体衬底上沉积氮化铝层的步骤，通过在多个沉积循环期间执行沉积循环而不将半导体衬底暴露于等离子体。每个沉积循环包括将铝前体脉冲流动到间歇处理室的步骤，从分批处理室除去铝前体的步骤，以及在流动步骤之后从间歇处理室除去氮前体的步骤并且在流动铝前体的其它脉冲的步骤之前。处理室可以是高温壁处理室，并且沉积可以以低于1托的沉积压力进行。

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